JPS61104648A - 基板の冷却装置 - Google Patents
基板の冷却装置Info
- Publication number
- JPS61104648A JPS61104648A JP22594284A JP22594284A JPS61104648A JP S61104648 A JPS61104648 A JP S61104648A JP 22594284 A JP22594284 A JP 22594284A JP 22594284 A JP22594284 A JP 22594284A JP S61104648 A JPS61104648 A JP S61104648A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- cushion member
- thin film
- metal
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体の製造に使用されるシリコンウェハ等の
基板を冷却する装置に関する。
基板を冷却する装置に関する。
（従来の技術）
従来、真空室内でこの種基板にイオン注入等の処理を施
ずと発熱して基板が損傷する危険があるので、該基板を
冷却水を循環させた基板ホルダで保持して冷却するを一
般とするが、基板は熱により変形を生じ易く、これによ
って基板ホルダとの接触が離れると、冷却性が悪化し、
基板にクラックが発生する不都合があるので、基板ホル
ダの表面に、ポリ四フッ化エヂレンの薄膜で覆われたシ
リコンゴム製のクッション部材を設け、これに基板を当
接させることにより基板の変形による離反を防ぎ、冷却
性を頼持している。
ずと発熱して基板が損傷する危険があるので、該基板を
冷却水を循環させた基板ホルダで保持して冷却するを一
般とするが、基板は熱により変形を生じ易く、これによ
って基板ホルダとの接触が離れると、冷却性が悪化し、
基板にクラックが発生する不都合があるので、基板ホル
ダの表面に、ポリ四フッ化エヂレンの薄膜で覆われたシ
リコンゴム製のクッション部材を設け、これに基板を当
接させることにより基板の変形による離反を防ぎ、冷却
性を頼持している。
（発明が解決しようどする問題点）
近時のＪ：うに基板のイオン注入処理のために大電流、
高電圧が使用されると基板の発熱量が多くなり、その熱
流束が１Ｗ／ｃｄにも達づ”るようになると接触熱伝達
係数、熱伝導性の乏しいポリ四フッ化エチレンの薄膜で
覆われたシリコンゴム製のクッション部材では基板を冷
却することが困難になる。イオン注入処理中、シリコン
製の基板の温度は１００℃近傍にまで冷却されているこ
とが好ましい。
高電圧が使用されると基板の発熱量が多くなり、その熱
流束が１Ｗ／ｃｄにも達づ”るようになると接触熱伝達
係数、熱伝導性の乏しいポリ四フッ化エチレンの薄膜で
覆われたシリコンゴム製のクッション部材では基板を冷
却することが困難になる。イオン注入処理中、シリコン
製の基板の温度は１００℃近傍にまで冷却されているこ
とが好ましい。
本発明は主として発熱量の多い状況で処理される基板の
冷却に適した耐久性の良い冷却装量を提供リ−ることを
目的とする。
冷却に適した耐久性の良い冷却装量を提供リ−ることを
目的とする。
（問題点を解決でるだめの手段）
本発明では、真空室内で処理される基板をクッショ〕ノ
部月を介して冷却水の循環等にｊこり冷７１された基板
ホルダで保持するようにしたちのに於いて、該クッショ
ン部４Ａを、エクス１−マに金属、炭素等の粉末又は繊
維を混入したもので構成するど共に、該基板に当接づる
該クッション部材の表面に、金属薄膜を形成するように
しｌこ 。
部月を介して冷却水の循環等にｊこり冷７１された基板
ホルダで保持するようにしたちのに於いて、該クッショ
ン部４Ａを、エクス１−マに金属、炭素等の粉末又は繊
維を混入したもので構成するど共に、該基板に当接づる
該クッション部材の表面に、金属薄膜を形成するように
しｌこ 。
（作 用）
基板はクッション部４Ａを介し’Ｃ）を板ボルダに保持
され、工″Ｘ空室内に於いてイオン注入等の処理が施さ
れるが、該クッション部材はシリコンゴム等のエラス１
ヘマに熱良導性の金属、炭素等の粉末又は繊維を混入し
たもので１１４成されており、さらに該基板に当接づ−
る該クッション部材の表面には熱良導性の金属７ｊ膜が
形成されでいるので、基板の処理に伴う発熱は金属薄膜
ど、金属、炭素等の粉末又は繊維が混入されたクッショ
ン部材とを介して冷却された基板ホルダに伝えられ、基
板が良好に冷却１される。
され、工″Ｘ空室内に於いてイオン注入等の処理が施さ
れるが、該クッション部材はシリコンゴム等のエラス１
ヘマに熱良導性の金属、炭素等の粉末又は繊維を混入し
たもので１１４成されており、さらに該基板に当接づ−
る該クッション部材の表面には熱良導性の金属７ｊ膜が
形成されでいるので、基板の処理に伴う発熱は金属薄膜
ど、金属、炭素等の粉末又は繊維が混入されたクッショ
ン部材とを介して冷却された基板ホルダに伝えられ、基
板が良好に冷却１される。
（実施例）
本発明の実施例を図面につぎ説明づ−るに、第１図に於
いて、（１）は真空室（２）内に配置される基板ホルダ
を示し、該基板ホルダ（１）は例えばＣｕ、へ１等の金
属で形成され、その内部には冷却水の循環路（３）が設
【プられる。
いて、（１）は真空室（２）内に配置される基板ホルダ
を示し、該基板ホルダ（１）は例えばＣｕ、へ１等の金
属で形成され、その内部には冷却水の循環路（３）が設
【プられる。
（４）は該ホルダ（１）の表面即ち冷却面に設りたクッ
ション部材で、シリコンウェハ等の基板（５）に当接す
る表面には、金属薄膜（６）が形成される。
ション部材で、シリコンウェハ等の基板（５）に当接す
る表面には、金属薄膜（６）が形成される。
該基板（５）は該金属薄膜（６）が形成されたクッショ
ン部材（４）上に載置され、プツシｌ７（７）に押しく
＝１（）られて、該基板ホルダ（１）に保持される。
ン部材（４）上に載置され、プツシｌ７（７）に押しく
＝１（）られて、該基板ホルダ（１）に保持される。
該クッション部材（４）は、シリコンゴム等のエクス１
〜マ（８）に第１図及び第２図示のようにへ１等の金属
、炭素等の粉末（９）又は第３図示のように繊維（９）
を混入したもので構成される。この場合、繊維Ｉ（９）
としては長繊鞘でも短繊維でも良く、また第３図示のよ
うにふとん綿状にからみあわせた繊維どじ、繊維１山体
にも弾性を保有さけるＪ：うにしても良い。尚、該粉末
（９）又は繊維（９）の混入割合は、重量比にして５乃
至９５％とし、クッション部材（４）のショア硬度が２
０乃至８０程度で、熱伝導率がエラストマ（８）のみの
熱伝導率の２乃至１０倍程度どなるようにするのが好ま
しい。
〜マ（８）に第１図及び第２図示のようにへ１等の金属
、炭素等の粉末（９）又は第３図示のように繊維（９）
を混入したもので構成される。この場合、繊維Ｉ（９）
としては長繊鞘でも短繊維でも良く、また第３図示のよ
うにふとん綿状にからみあわせた繊維どじ、繊維１山体
にも弾性を保有さけるＪ：うにしても良い。尚、該粉末
（９）又は繊維（９）の混入割合は、重量比にして５乃
至９５％とし、クッション部材（４）のショア硬度が２
０乃至８０程度で、熱伝導率がエラストマ（８）のみの
熱伝導率の２乃至１０倍程度どなるようにするのが好ま
しい。
該金属薄膜（６）は、＾１の単層膜、Ｃｒ或いはＴｉの
股上に０１、酊等の膜を施した２層膜、ざらには該２層
股上にＮｉ等の膜を施した３層膜、等の熱伝導性の良い
金属膜で構成することが可能であり、これらの膜は真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の物理
的薄膜形成手段やメッキ等の化学的薄膜形成手段により
、例えば１乃至１００ミクロンの厚さに形成される。こ
の金属薄膜（６）は基板（５）、からクッション部材（
４）に熱を良好に伝達し、前記ｍ Ｉｆｔ （９）がエ
ラストマ（８）から突出するのを防ぎ、またエラストマ
（８）からの放出ガスの量を低減される作用を営む。尚
、金属薄膜（６）は必要に応じて上記３層股上に有機物
の膜を施した４層膜で構成しても良い。
股上に０１、酊等の膜を施した２層膜、ざらには該２層
股上にＮｉ等の膜を施した３層膜、等の熱伝導性の良い
金属膜で構成することが可能であり、これらの膜は真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の物理
的薄膜形成手段やメッキ等の化学的薄膜形成手段により
、例えば１乃至１００ミクロンの厚さに形成される。こ
の金属薄膜（６）は基板（５）、からクッション部材（
４）に熱を良好に伝達し、前記ｍ Ｉｆｔ （９）がエ
ラストマ（８）から突出するのを防ぎ、またエラストマ
（８）からの放出ガスの量を低減される作用を営む。尚
、金属薄膜（６）は必要に応じて上記３層股上に有機物
の膜を施した４層膜で構成しても良い。
該基板（５）のイオン注入処理に伴う発熱は、熱良導性
の金属薄膜（６）と熱良導性のクッション部材（４）を
介して冷却された基板ホルダ（１）に順調に伝わるので
、基板（５）の温度上昇を確実に防ぐことが出来、金属
薄膜（６）は柔軟性を備え、クッション部材（４）は基
板（５）の変形に適応出来る程度の弾力性を具備するの
で、基板（５）との密接性が向上すると共にこれに伴い
冷却性が向上する。
の金属薄膜（６）と熱良導性のクッション部材（４）を
介して冷却された基板ホルダ（１）に順調に伝わるので
、基板（５）の温度上昇を確実に防ぐことが出来、金属
薄膜（６）は柔軟性を備え、クッション部材（４）は基
板（５）の変形に適応出来る程度の弾力性を具備するの
で、基板（５）との密接性が向上すると共にこれに伴い
冷却性が向上する。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、基板を熱良導性の金属
薄膜を形成したクッション部材を介して基板ホルダで保
持するようにしたので、基板の変形に応じて金属薄膜と
クッション部材とが変形し、これらと基板とを常時当接
させ得て、冷却性が向上すると共にその弾力性も良好で
ある等の効果がある。
薄膜を形成したクッション部材を介して基板ホルダで保
持するようにしたので、基板の変形に応じて金属薄膜と
クッション部材とが変形し、これらと基板とを常時当接
させ得て、冷却性が向上すると共にその弾力性も良好で
ある等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の截断側面図、第２図はその要
部の拡大図、第３図は本発明の伯の実施例の要部の拡大
図である。
部の拡大図、第３図は本発明の伯の実施例の要部の拡大
図である。
Claims (1)
- 真空室内で処理される基板をクッション部材を介して
冷却水の循環等により冷却された基板ホルダで保持する
ようにしたものに於いて、該クッション部材を、エラス
トマに金属、炭素等の粉末又は繊維を混入したもので構
成すると共に、該基板に当接する該クッション部材の表
面に、金属薄膜を形成したことを特徴とする基板の冷却
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22594284A JPH0228248B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Kibannoreikyakusochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22594284A JPH0228248B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Kibannoreikyakusochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104648A true JPS61104648A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0228248B2 JPH0228248B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=16837308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22594284A Expired - Lifetime JPH0228248B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Kibannoreikyakusochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228248B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471050A (en) * | 1987-05-04 | 1989-03-16 | Varian Associates | Wafer holder |
| US5132873A (en) * | 1988-09-30 | 1992-07-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diaphragm sealing apparatus |
| US7384270B2 (en) | 2000-10-18 | 2008-06-10 | Fujikura Ltd. | Electrical connector |
| JP2010535969A (ja) * | 2007-08-10 | 2010-11-25 | オーリコン レイボルド バキューム ゲーエムベーハー | ポンプ軸受配置 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP22594284A patent/JPH0228248B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471050A (en) * | 1987-05-04 | 1989-03-16 | Varian Associates | Wafer holder |
| US5132873A (en) * | 1988-09-30 | 1992-07-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diaphragm sealing apparatus |
| US7384270B2 (en) | 2000-10-18 | 2008-06-10 | Fujikura Ltd. | Electrical connector |
| JP2010535969A (ja) * | 2007-08-10 | 2010-11-25 | オーリコン レイボルド バキューム ゲーエムベーハー | ポンプ軸受配置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0228248B2 (ja) | 1990-06-22 |
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