JPS6099456A - 極薄センダスト薄帯及びその製造方法 - Google Patents
極薄センダスト薄帯及びその製造方法Info
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- JPS6099456A JPS6099456A JP20690783A JP20690783A JPS6099456A JP S6099456 A JPS6099456 A JP S6099456A JP 20690783 A JP20690783 A JP 20690783A JP 20690783 A JP20690783 A JP 20690783A JP S6099456 A JPS6099456 A JP S6099456A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sendust
- thickness
- magnetic permeability
- width
- thin
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- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
- B22D11/06—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths into moulds with travelling walls, e.g. with rolls, plates, belts, caterpillars
- B22D11/0611—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths into moulds with travelling walls, e.g. with rolls, plates, belts, caterpillars formed by a single casting wheel, e.g. for casting amorphous metal strips or wires
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超急冷法により厚さ２５μ′ｍ以下、幅３
ｍｍ以上の極薄センダストぢノイ（；を製造する方法並
びにその方法により高周波用トランス及びヒテイオ用ヘ
ッドとして必俊とする磁気的１ｉｆｊ Ａ’Ｊ−性を併
わせて具備した極側センターストド′Ｊ帯に１カ１する
。
ｍｍ以上の極薄センダストぢノイ（；を製造する方法並
びにその方法により高周波用トランス及びヒテイオ用ヘ
ッドとして必俊とする磁気的１ｉｆｊ Ａ’Ｊ−性を併
わせて具備した極側センターストド′Ｊ帯に１カ１する
。
現在Ｓｉ ８．０〜１８．３％、Ａ７’３．０〜１Ｏ１
０％および残部鉄からなるＦｅ−８ｉ−４１合金（セン
ダスト）或いは磁気特性およびＵｓｉ ｊｔＡ的、化学
的特性を改善する目的で、これに、Ｎｂ、’ｌ°ａ、
ｃ、 Ｍ、 Ｗ、 Ｎ、。
０％および残部鉄からなるＦｅ−８ｉ−４１合金（セン
ダスト）或いは磁気特性およびＵｓｉ ｊｔＡ的、化学
的特性を改善する目的で、これに、Ｎｂ、’ｌ°ａ、
ｃ、 Ｍ、 Ｗ、 Ｎ、。
００、 Ｃ１１，Ｔ１． Ｍｌ、Ｇ６． Ｚｌ−、Ｓ３
Ｓｎ、 Ｂ６． Ｂ、 Ｂ１１Ｐｂ、Ｙ、希土類元素
等の１棟あるいは２棟以上の合計７．０％以下を添加し
たセンダスト系合金は、磁気特性が優れ、硬度が高いこ
とから磁気記録用ヘッド材料として実用化されている。
Ｓｎ、 Ｂ６． Ｂ、 Ｂ１１Ｐｂ、Ｙ、希土類元素
等の１棟あるいは２棟以上の合計７．０％以下を添加し
たセンダスト系合金は、磁気特性が優れ、硬度が高いこ
とから磁気記録用ヘッド材料として実用化されている。
しかしながらセンダスト系合金は硬くかつ脆いため、鋳
造・圧延が困難とされ、ヘッドを作製するａ合にはバル
ク状センダスト合金を機械的に切断し、それを全面研磨
していた。このため歩留りが悪く、生産価格の上昇がさ
けられなかった。
造・圧延が困難とされ、ヘッドを作製するａ合にはバル
ク状センダスト合金を機械的に切断し、それを全面研磨
していた。このため歩留りが悪く、生産価格の上昇がさ
けられなかった。
ところが近年センダスト系合金を溶融し、これをノズル
孔から高速回転するディスクまたはロール等の冷却体上
に噴出し薄帯を作製する技術、いわゆる超急冷法が開発
され、８０μ＝ｘ ２０μｍの薄帯が作製されるように
なり（特開昭５２−１２Ｌ１１４号５８−１８４２２号
、５１−１３８５１７号、５５−２８３５７号、５５−
３６０５２号）、オーディオ帯域における磁気記録用ヘ
ッド材料として注目されて現在実用化されている。
孔から高速回転するディスクまたはロール等の冷却体上
に噴出し薄帯を作製する技術、いわゆる超急冷法が開発
され、８０μ＝ｘ ２０μｍの薄帯が作製されるように
なり（特開昭５２−１２Ｌ１１４号５８−１８４２２号
、５１−１３８５１７号、５５−２８３５７号、５５−
３６０５２号）、オーディオ帯域における磁気記録用ヘ
ッド材料として注目されて現在実用化されている。
このセンダスト系合金薄帯はバルク材料では予想もつか
ないほど機械的柔軟性を示すとともに、適当な温度で熱
処理をほどこすと（特願昭５３−１１４８４６号）極め
て優れた軟磁気特性を実現することが出来るため、薄帯
を打抜くことにより直接へラドコアを作ることが可能と
ナシ、またその磁気特性も尚イｉｆ自身の厚さが８０〜
１２０μｍ程度と薄いため、高周波帯域で問題となる渦
電流効果が小さく、高性能を有するオーディオ用磁気ヘ
ッドが安価に生産されるようになった。
ないほど機械的柔軟性を示すとともに、適当な温度で熱
処理をほどこすと（特願昭５３−１１４８４６号）極め
て優れた軟磁気特性を実現することが出来るため、薄帯
を打抜くことにより直接へラドコアを作ることが可能と
ナシ、またその磁気特性も尚イｉｆ自身の厚さが８０〜
１２０μｍ程度と薄いため、高周波帯域で問題となる渦
電流効果が小さく、高性能を有するオーディオ用磁気ヘ
ッドが安価に生産されるようになった。
一方最近ではビデイオ周波数帯域における磁気記録の分
！ｌ！Ｊでもその進歩は目さ筐しいものがある。
！ｌ！Ｊでもその進歩は目さ筐しいものがある。
例えばその高性能化に向けて、メタルテープおよび蒸着
テープの開発競争が激化し、またこれらの新テープに充
分対応出来るビティオ用ヘッドの開発研究も精力的に竹
すわれている。
テープの開発競争が激化し、またこれらの新テープに充
分対応出来るビティオ用ヘッドの開発研究も精力的に竹
すわれている。
一般にビテイオ９ヘッド用磁性材料としては、高感度な
記録再生特性を侑るために、尚飽和磁束密度と高透磁率
な有することが期待される。また面・ｊ摩耗性の観点か
らは商い硬度を有することも望まれる。従来ビディオ・
ヘッド用磁性材料としては、フェライトとセンダスト系
合金が用いられている。
記録再生特性を侑るために、尚飽和磁束密度と高透磁率
な有することが期待される。また面・ｊ摩耗性の観点か
らは商い硬度を有することも望まれる。従来ビディオ・
ヘッド用磁性材料としては、フェライトとセンダスト系
合金が用いられている。
フェライトはその飽和磁束密度が約４ＸＩＵＧときわめ
て低いものの、電気抵抗が高いため、高周波帯域では渦
電流効果に起因する透磁率の低下がほとんどなく、１〜
５ ＭＨｚ程度のビデイオ帯域での透磁率は１０００〜
１５００程度のきわめて高い値を示す。またフェライト
は硬度が商いため耐摩耗性にも俊れている。センダスト
系合金は、その飽和磁束密度が約１０ Ｇときわめて高
い値を示し、耐摩耗性も優れている。しかしながらセン
ダスト系合金は全編であるが故にその・亀気抵抗仙は低
く、約８０ＸｌＯΩｍ程度である。しかしこの値は他高
周波帯域では渦電流による透磁率の低下が少ないとは言
うもののフェライトと比べるとその低下は格段に大きい
。この渦１ば流による透磁率の低−トを防ぐノこめには
、センダスト系合金の厚さを出来るだけ薄くして渦電流
効果音低減させることが必要となる、数Ｋｌ（Ｚ〜２０
ＫＩＩＺのオーディオ帯域で使用されているセンダス
ト薄帯が約４０μ７１Ｌ程度の厚さを有するのは、加工
性の向上を図ることは熱論であるが、このｉｌ’ｉ７＋
’１ｌｆｆｉ流効果による透磁率の低下を防ぐことが
その主たる目的であり、性能の向上につながっているの
である。しかしながら４０μηＬ１卑でもピデイ第１′
１：域では間句にならいほど厚く、渦電流効果による透
磁率の低下は名しい。
て低いものの、電気抵抗が高いため、高周波帯域では渦
電流効果に起因する透磁率の低下がほとんどなく、１〜
５ ＭＨｚ程度のビデイオ帯域での透磁率は１０００〜
１５００程度のきわめて高い値を示す。またフェライト
は硬度が商いため耐摩耗性にも俊れている。センダスト
系合金は、その飽和磁束密度が約１０ Ｇときわめて高
い値を示し、耐摩耗性も優れている。しかしながらセン
ダスト系合金は全編であるが故にその・亀気抵抗仙は低
く、約８０ＸｌＯΩｍ程度である。しかしこの値は他高
周波帯域では渦電流による透磁率の低下が少ないとは言
うもののフェライトと比べるとその低下は格段に大きい
。この渦１ば流による透磁率の低−トを防ぐノこめには
、センダスト系合金の厚さを出来るだけ薄くして渦電流
効果音低減させることが必要となる、数Ｋｌ（Ｚ〜２０
ＫＩＩＺのオーディオ帯域で使用されているセンダス
ト薄帯が約４０μ７１Ｌ程度の厚さを有するのは、加工
性の向上を図ることは熱論であるが、このｉｌ’ｉ７＋
’１ｌｆｆｉ流効果による透磁率の低下を防ぐことが
その主たる目的であり、性能の向上につながっているの
である。しかしながら４０μηＬ１卑でもピデイ第１′
１：域では間句にならいほど厚く、渦電流効果による透
磁率の低下は名しい。
現在ビデイオ用ヘッドは、バルク状センダスト系合金を
切断した後に、機械的並びに化学的研磨をし約８０μｍ
機度の厚さにまで潟くし透磁率を５００程度にまで上げ
−＼ラッドして用いている。
切断した後に、機械的並びに化学的研磨をし約８０μｍ
機度の厚さにまで潟くし透磁率を５００程度にまで上げ
−＼ラッドして用いている。
この厚さは技術的な限界であり、渦′醒流による透磁率
の低下といつ点では厚く、薄くすればするほど透磁率が
上列し、記録・ＦＪ生感度が上る。しかしながら８０μ
ｍ厚が従来法の限界であり、それを作るのにも作製技術
には多大なる注意深さと高度の技術が做求さ）ｔ１ヘッ
ドの価格も高くなってしまう。
の低下といつ点では厚く、薄くすればするほど透磁率が
上列し、記録・ＦＪ生感度が上る。しかしながら８０μ
ｍ厚が従来法の限界であり、それを作るのにも作製技術
には多大なる注意深さと高度の技術が做求さ）ｔ１ヘッ
ドの価格も高くなってしまう。
本発明の目的の１つは、このような状況のもとで、超急
冷法により幅８η１ｍ以上、厚さが２５μｍ以下のセン
ダスト系合金のン轡帯を超わ、冷性により作製すること
に係るものである。
冷法により幅８η１ｍ以上、厚さが２５μｍ以下のセン
ダスト系合金のン轡帯を超わ、冷性により作製すること
に係るものである。
超急冷法によるセンダスト系合金？：、％ （ｌｉの作
製はすでに前述した如く多くの結果が報告されている。
製はすでに前述した如く多くの結果が報告されている。
例えば、特開昭５２−１２３１３１．４号公報、特開昭
５８薄帯作製を行い、８０〜１２０μｍ厚、１．７〜１
０ ｍｍ幅のものを得ている。しかしながら、こｈらの
条件の組合せのｔ マでは２５μ？ｎ以下のセンダスト
系合金薄帯は得られない。浴湯温度を１５００℃未；７
１の一定値に保ち、ディスクおよびロールの線速度を上
昇させていくと、ある範囲内では確かに線速度の上昇と
ともに得られる薄帯厚は薄くなる。しかし、線速度が２
ｏｙ＋ｔ／ｓを超えてくると、薄帯ｔま寸断されたり、
スダレ状になってし址う。゛また線速度ｔ ２０７７１
．７８未満の一定の速度で溶湯温度が１５００℃を超え
ると、ディスクまたはロール上で浴湯が火花状となり飛
散してし捷つ。これに対し、本発明者らは柚々実験の結
果、この浴湯湿度と線速度などがう凍く適合した条件で
初“めて２５μ７ｎ以１の長尺薄帯が得られることを知
見したのである。
５８薄帯作製を行い、８０〜１２０μｍ厚、１．７〜１
０ ｍｍ幅のものを得ている。しかしながら、こｈらの
条件の組合せのｔ マでは２５μ？ｎ以下のセンダスト
系合金薄帯は得られない。浴湯温度を１５００℃未；７
１の一定値に保ち、ディスクおよびロールの線速度を上
昇させていくと、ある範囲内では確かに線速度の上昇と
ともに得られる薄帯厚は薄くなる。しかし、線速度が２
ｏｙ＋ｔ／ｓを超えてくると、薄帯ｔま寸断されたり、
スダレ状になってし址う。゛また線速度ｔ ２０７７１
．７８未満の一定の速度で溶湯温度が１５００℃を超え
ると、ディスクまたはロール上で浴湯が火花状となり飛
散してし捷つ。これに対し、本発明者らは柚々実験の結
果、この浴湯湿度と線速度などがう凍く適合した条件で
初“めて２５μ７ｎ以１の長尺薄帯が得られることを知
見したのである。
即ち、溶湯温度が１５００℃以上になるとセンダスト系
合金の粘性は極度に低−トし、ディスクおよびロール面
上で尚く広がる傾向を示し、この溶湯の広がる速度と線
速度がほぼ釣り合った状態即ち線速度が２０ ｎｔ／Ｓ
以上の場合に初めて薄い連枕した薄帯となり得たのであ
る。
合金の粘性は極度に低−トし、ディスクおよびロール面
上で尚く広がる傾向を示し、この溶湯の広がる速度と線
速度がほぼ釣り合った状態即ち線速度が２０ ｎｔ／Ｓ
以上の場合に初めて薄い連枕した薄帯となり得たのであ
る。
実際に使用されるビテイオ用ヘッドの厚さは、そのトラ
ック幅が通常約２０〜２５μｍであることから、ヘッド
本体の厚さを：３０μｍ３０μｍ程磁気テープと接する
ヘッド先６ｊｎｉ部近傍たけを２５μｍ程度に加工する
等の方法がとられている。このようなヘッドではＩＭＨ
ｚにおける透磁率はほぼ１１Ｊ述した如く５００程度の
値・えｉＪ＜ず。透磁率１ｌ−ｊ温帯のＪ９さを薄くす
ればする４まどＩＩＸ、Ｉ矩υ；Ｌ効果が減少し、高い
暗を示すことから、本発明の超急冷法によるセンダスト
糸合金温帯の厚さは透磁率を高める上からは出来るだけ
れ９い力が好捷しい。この点で本発明の薄帯厚はトラッ
ク幅と同程度の２５μｍ厚以下のものと限定さｔＬる。
ック幅が通常約２０〜２５μｍであることから、ヘッド
本体の厚さを：３０μｍ３０μｍ程磁気テープと接する
ヘッド先６ｊｎｉ部近傍たけを２５μｍ程度に加工する
等の方法がとられている。このようなヘッドではＩＭＨ
ｚにおける透磁率はほぼ１１Ｊ述した如く５００程度の
値・えｉＪ＜ず。透磁率１ｌ−ｊ温帯のＪ９さを薄くす
ればする４まどＩＩＸ、Ｉ矩υ；Ｌ効果が減少し、高い
暗を示すことから、本発明の超急冷法によるセンダスト
糸合金温帯の厚さは透磁率を高める上からは出来るだけ
れ９い力が好捷しい。この点で本発明の薄帯厚はトラッ
ク幅と同程度の２５μｍ厚以下のものと限定さｔＬる。
寸だ２５μｎ？以斗の厚さの薄帯では、これを複数枚積
層し、その合計積層厚さが約２５μｍとなるように加工
することに」：り透磁率は更に向上し、ヘッドの性能が
上ることになる。また薄帯の幅はへッドコアン・打抜い
たり、エツチングで抜いたりする関係上、コアの幅寸法
以上である最低８７Ｉ胤以上を必要とする。薄帯幅が１
〜２ ｉノｔｍのセンタスト薄帯は、直径０．３〜０．
５１ｎｍ程度の単孔ノズルにより作製することが比較的
容易である。しかし、３ｎｔｍ以上の幅のれり帯はセン
タスト溶湯の粘性と線連贋の関係上、単にノズル孔を拡
張し／こたけでは作製が困難であり、以下に示すような
矩形ノズル又は多孔ノズルを使用しなければならない。
層し、その合計積層厚さが約２５μｍとなるように加工
することに」：り透磁率は更に向上し、ヘッドの性能が
上ることになる。また薄帯の幅はへッドコアン・打抜い
たり、エツチングで抜いたりする関係上、コアの幅寸法
以上である最低８７Ｉ胤以上を必要とする。薄帯幅が１
〜２ ｉノｔｍのセンタスト薄帯は、直径０．３〜０．
５１ｎｍ程度の単孔ノズルにより作製することが比較的
容易である。しかし、３ｎｔｍ以上の幅のれり帯はセン
タスト溶湯の粘性と線連贋の関係上、単にノズル孔を拡
張し／こたけでは作製が困難であり、以下に示すような
矩形ノズル又は多孔ノズルを使用しなければならない。
一方、このようＶｔｌ ２５μｍ厚以下のきわめて透磁
率が高く、飽和も束布度の高いセンダスト系合金薄帯は
・その用途と］〜で、」一連し１こビディオ・ヘッドの
外にｉＶ、ＪＪ、Ｓ＋波トジンス卦よびスイッチング月
１の賃周波用トランーン、が可能である。これらのトラ
ンス用材別として一従米フエライトが使用されているが
、その鉄損値を更に低ゴ・させるとともに、動作磁束密
度か高くとれる磁性材料が従来望捷ｙｔでいｒ０前述し
た如くセンタースト系合金鉄Ｖ ’ｌ’ｊは、その磁束
密度がフェライトの約２〜８倍の高い値を示し、２５１
’ｎＬ以１のセンダスト云う帯では、その透磁率がトラ
ンスの動作周波数で、 〒１．％ （、Ｈ）４ｚ帯域で
はほとんど渦′ｔｈ流による低下はｉ〈きわめて透磁率
が高いため理想的トランス材と言える。
率が高く、飽和も束布度の高いセンダスト系合金薄帯は
・その用途と］〜で、」一連し１こビディオ・ヘッドの
外にｉＶ、ＪＪ、Ｓ＋波トジンス卦よびスイッチング月
１の賃周波用トランーン、が可能である。これらのトラ
ンス用材別として一従米フエライトが使用されているが
、その鉄損値を更に低ゴ・させるとともに、動作磁束密
度か高くとれる磁性材料が従来望捷ｙｔでいｒ０前述し
た如くセンタースト系合金鉄Ｖ ’ｌ’ｊは、その磁束
密度がフェライトの約２〜８倍の高い値を示し、２５１
’ｎＬ以１のセンダスト云う帯では、その透磁率がトラ
ンスの動作周波数で、 〒１．％ （、Ｈ）４ｚ帯域で
はほとんど渦′ｔｈ流による低下はｉ〈きわめて透磁率
が高いため理想的トランス材と言える。
次に、このように伍れた磁性をもつセンダスト系合金薄
帯の具体的ｍ ＃ニー作製法並びに磁気重付について述
べる。
帯の具体的ｍ ＃ニー作製法並びに磁気重付について述
べる。
実験に用いたセンダスト母合金は９９．９ ％ ｆ（Ｌ
Ｍ’ｌ’鉄、９９．９９９％ｓ１．１８％Ｆｅ −Ａ、
２合金をそｆｌぞれ通月秤量し、タンマンメｊ：？に入
れ、１０ ” 〜］Ｕ ”’ｉ’ｏｆ’ｒ□の真空中で
高周波誘勇加熱炉により浴＋’ｌ’ｌｌ ｌ〜、内径５
ｔｎｔｎφの不透明石英もで吸引し円柱状とし／こ。
Ｍ’ｌ’鉄、９９．９９９％ｓ１．１８％Ｆｅ −Ａ、
２合金をそｆｌぞれ通月秤量し、タンマンメｊ：？に入
れ、１０ ” 〜］Ｕ ”’ｉ’ｏｆ’ｒ□の真空中で
高周波誘勇加熱炉により浴＋’ｌ’ｌｌ ｌ〜、内径５
ｔｎｔｎφの不透明石英もで吸引し円柱状とし／こ。
得られた円柱状母合金の＝Ｊ−法は直径４ ｎｌ）ｎφ
長さ１０けであり、薄帯１′ト製１１；’＋Ｇ″（はこ
れオー長さ２ｎ、にｔＬ断し使用した。ノズルｒ↓外行
・８ηｔ７ｎφ、内行ｆｉ ｍｔルφ、先端部は紙やす
りで平ｉ’ｆ’ｆに仕上げた。実験１り−まず′Ｃ１１
、気炉を１５ （１０’Ｃ以上〕ｌ”Ｊ 温ＶＣｌ、、
約６２の円柱状センダスト母合金をＡｒ雰１ｉ＋気でＵ
１換さノ１でぃる石英ノズル中に挿入し、数分間以上保
搗し、母材を溶融した。その後石英ノズル先端部を直径
８５０ ｎｔｍφのステンレス製テイスクの直士、捷／
ヒは直径Ｌ ＬＩ Ｃ１ｔｎ、ｍｍのロール対間に降下
させ、イコ莢ノズル内のＡｒ圧を一気に増加させ、Ｎ’
＋ Ａｉ・１１母詞を線速度ｊ２ Ｑ Ｉｌｖ／ Ｓ以
上で回転しているディスク１ｌｌｌ ｉｎＪ上またｔよ
ロール対間に噴出した。作製された薄帯は銀白色を呈し
、溶湯温度ｆ：１６００℃とした場合には線速度２０７
＋１／Ｓで２５ ｐｎｔ ＪＶ−１３０’ ｙｎ、／
Ｓとした場合には１８μｎＬ厚程度の薄帯が得られ、そ
の幅はＢ 〜ｌ ”ｌ、 ｔＦＬｍであり、直径ｌ （
１１７１？ｌＬの円筒に切１貞することなく曲きつける
ことが出来るほどの（幾械的來軟性をイイしていた。
長さ１０けであり、薄帯１′ト製１１；’＋Ｇ″（はこ
れオー長さ２ｎ、にｔＬ断し使用した。ノズルｒ↓外行
・８ηｔ７ｎφ、内行ｆｉ ｍｔルφ、先端部は紙やす
りで平ｉ’ｆ’ｆに仕上げた。実験１り−まず′Ｃ１１
、気炉を１５ （１０’Ｃ以上〕ｌ”Ｊ 温ＶＣｌ、、
約６２の円柱状センダスト母合金をＡｒ雰１ｉ＋気でＵ
１換さノ１でぃる石英ノズル中に挿入し、数分間以上保
搗し、母材を溶融した。その後石英ノズル先端部を直径
８５０ ｎｔｍφのステンレス製テイスクの直士、捷／
ヒは直径Ｌ ＬＩ Ｃ１ｔｎ、ｍｍのロール対間に降下
させ、イコ莢ノズル内のＡｒ圧を一気に増加させ、Ｎ’
＋ Ａｉ・１１母詞を線速度ｊ２ Ｑ Ｉｌｖ／ Ｓ以
上で回転しているディスク１ｌｌｌ ｉｎＪ上またｔよ
ロール対間に噴出した。作製された薄帯は銀白色を呈し
、溶湯温度ｆ：１６００℃とした場合には線速度２０７
＋１／Ｓで２５ ｐｎｔ ＪＶ−１３０’ ｙｎ、／
Ｓとした場合には１８μｎＬ厚程度の薄帯が得られ、そ
の幅はＢ 〜ｌ ”ｌ、 ｔＦＬｍであり、直径ｌ （
１１７１？ｌＬの円筒に切１貞することなく曲きつける
ことが出来るほどの（幾械的來軟性をイイしていた。
一方、センダスト冷帯は作製時に多くの全全薄帯内部に
Ｉｌｊ′え、捷だ格子欠陥も多いｋめ、作製したままの
状態ではその（戯気特性、和にＩＵＵＫＨｚ以下での市
外はあ址り良くない。例えば抗磁力はすべての糸１或で
１００〜１１３１Ｊ ＩｎＱ６であつ］ｔ。しかしなか
らｌ Ｍｎ２の透磁率はいず九も８５０以上の値をボし
、充分にビテイオ・ヘッドとして使用可能であつた。
Ｉｌｊ′え、捷だ格子欠陥も多いｋめ、作製したままの
状態ではその（戯気特性、和にＩＵＵＫＨｚ以下での市
外はあ址り良くない。例えば抗磁力はすべての糸１或で
１００〜１１３１Ｊ ＩｎＱ６であつ］ｔ。しかしなか
らｌ Ｍｎ２の透磁率はいず九も８５０以上の値をボし
、充分にビテイオ・ヘッドとして使用可能であつた。
本発明者らは、この特性を史に改善するため、真空中で
熱処理をほどこした。その結果、熱処理温度が５００〜
９５０℃、熱処理１１４間を ３ 分取上とした場合、
すべての組成の合金において抗磁力が改善され、（第６
図を参照）更に６００〜８８０℃８ 分間の熱処理で最
低値を示すことがり」らかとなった。例えば、第１図は
厚さが２３μフル、幅４ｍ７ｎで８１が９．８〜９．２
ｗｔ％、Ａ／’が６．６−５ｗｔ％残部鉄からなる合
金薄帯を７８５℃で３ 分間熱処供したときの４４ｔｉ
磁力を不しブＣものであり、作製したままの状態より
もはるかに抗磁力が低σ火している。
熱処理をほどこした。その結果、熱処理温度が５００〜
９５０℃、熱処理１１４間を ３ 分取上とした場合、
すべての組成の合金において抗磁力が改善され、（第６
図を参照）更に６００〜８８０℃８ 分間の熱処理で最
低値を示すことがり」らかとなった。例えば、第１図は
厚さが２３μフル、幅４ｍ７ｎで８１が９．８〜９．２
ｗｔ％、Ａ／’が６．６−５ｗｔ％残部鉄からなる合
金薄帯を７８５℃で３ 分間熱処供したときの４４ｔｉ
磁力を不しブＣものであり、作製したままの状態より
もはるかに抗磁力が低σ火している。
また厚さがｔ ｕ ＩＪｍ、中量がｌ ｌ ｍ、ｍであ
る。０．９７（９，７〜９．８ Ｓｉ、６．ｆｌ 〜５
．８ Ａｔ、 Ｉ）ａ／、Ｆｅ ）、（１，５Ｏｒ。
る。０．９７（９，７〜９．８ Ｓｉ、６．ｆｌ 〜５
．８ Ａｔ、 Ｉ）ａ／、Ｆｅ ）、（１，５Ｏｒ。
（１，２ｙ 、 ｏ、ｉ Ｔｉ 〕合金助イ（；；の印
加磁界１ ｏ Ｑｅのもとての最大出来密度Ｂ０゜をボ
したのが第２図でおる。この結果から理解される如く、
Ｂ１１値は約１１１’Ｇを示し、鉄邦、の増加と共に増
大する１頃向を示している。これらの１１１！はいずれ
もフェライトの２〜Ｂ倍の高い値を示し、従来）くルク
拐料で報告されてい□る値と一致する。また、１８Ｓｉ
、 ３．５ Ａｔ。
加磁界１ ｏ Ｑｅのもとての最大出来密度Ｂ０゜をボ
したのが第２図でおる。この結果から理解される如く、
Ｂ１１値は約１１１’Ｇを示し、鉄邦、の増加と共に増
大する１頃向を示している。これらの１１１！はいずれ
もフェライトの２〜Ｂ倍の高い値を示し、従来）くルク
拐料で報告されてい□る値と一致する。また、１８Ｓｉ
、 ３．５ Ａｔ。
ｂａＪ、Ｆｅ ； ４Ｓｉ、 ９．５Ａ／、 ｂａｌ、
Ｆｅ ； １Ｏ８ｉ、 ７Ａｊ？。
Ｆｅ ； １Ｏ８ｉ、 ７Ａｊ？。
０、ＩＶ、 ＩＪ、５００． Ｕ、５Ｎｉ、 ｂａｌ、
Ｆｅの各薄帯についてもフェライトの２〜８倍の高い値
を示した。
Ｆｅの各薄帯についてもフェライトの２〜８倍の高い値
を示した。
一方、第８図は０．９９ （９，７〜９．８８ｉ 、
６．６〜５．８ＡＩ！、 ｂａｌ、Ｆ’ｅ ）、ｏ、ｕ
’ｔ ｃｒの組成を持つ厚さ２０〜１８９ｍ１幅８竹Ｌ
ｍのセンダスト系合金薄帯を７５０℃で４０分間真空中
で熱処理を施した後、外径Ｑ ｍｔｎφ内径８ ｍｍｍ
のコアに打ち抜き、１００ ＫＨ２における透磁率を測
定した結果を示し／こものである。従来知られているよ
うに４０μｍ厚の薄帯では渦電流効果のため数１０ 程
度に透磁甲が低下してしまうが、この薄帯はきわめて薄
いため、ｌＯを超えるものも存在し、いずれもきわめて
高い値であると言える。
６．６〜５．８ＡＩ！、 ｂａｌ、Ｆ’ｅ ）、ｏ、ｕ
’ｔ ｃｒの組成を持つ厚さ２０〜１８９ｍ１幅８竹Ｌ
ｍのセンダスト系合金薄帯を７５０℃で４０分間真空中
で熱処理を施した後、外径Ｑ ｍｔｎφ内径８ ｍｍｍ
のコアに打ち抜き、１００ ＫＨ２における透磁率を測
定した結果を示し／こものである。従来知られているよ
うに４０μｍ厚の薄帯では渦電流効果のため数１０ 程
度に透磁甲が低下してしまうが、この薄帯はきわめて薄
いため、ｌＯを超えるものも存在し、いずれもきわめて
高い値であると言える。
壕だ、この図に示した組成のうち、ｔＪ、９９． （９
，５３ｉ、 ５．６ＡＩ！、 ｂａｌ、Ｆｅ ）、０．
０１０ｒ合金を外径１５ ｍｍφ内径ｌ□ｍｍφのトロ
イタ゛ルに巻き、その鉄損値（ＣＯｒｅ Ｌ ＯＳ Ｓ
）をＩＵＫＨｚ −２０（ｌ ＫＨｚの範囲内で動作
磁束密度を独々変えて沖１定した。その結果を示したの
が第４図である。この図には現在高周波用トランス材と
して広く使用されているＭｎ −Ｚｎフェライトの鉄損
値も併記した。この図から理解される如く、鉄損値はセ
ンダスト薄帯の方が釣機程度低いことが明らかであり、
また動作磁束密度も高いことから、センダスト系合金薄
帯に理想的な高周波用トランス材料であると言える。
，５３ｉ、 ５．６ＡＩ！、 ｂａｌ、Ｆｅ ）、０．
０１０ｒ合金を外径１５ ｍｍφ内径ｌ□ｍｍφのトロ
イタ゛ルに巻き、その鉄損値（ＣＯｒｅ Ｌ ＯＳ Ｓ
）をＩＵＫＨｚ −２０（ｌ ＫＨｚの範囲内で動作
磁束密度を独々変えて沖１定した。その結果を示したの
が第４図である。この図には現在高周波用トランス材と
して広く使用されているＭｎ −Ｚｎフェライトの鉄損
値も併記した。この図から理解される如く、鉄損値はセ
ンダスト薄帯の方が釣機程度低いことが明らかであり、
また動作磁束密度も高いことから、センダスト系合金薄
帯に理想的な高周波用トランス材料であると言える。
更に周波数を上げＱ、９９ （９，７〜９．３ Ｓｉ
、 ａ、 ｏ〜５．１３ Ａｔ、 ｂ’ａＪ、Ｆｅ ）
・０．ＵＩ Ｏｒ金合金２０〜Ｌ ８ ｐｎｔ厚で幅
８ ｍｍの薄帯Ｉ Ｍｎ２における透研不を示し／この
が第５ν１でりる。透磁率は１１００〜１９００の値を
示し、いずれも従来のノクルり拐ン）・ら切り出したセ
ンダストのｉ Ｍｎ２ Ｖこおける値の２倍以上の値を
示し、壕１こフェライトと同程度もし７くはそ才を以上
の値となることが理解される。
、 ａ、 ｏ〜５．１３ Ａｔ、 ｂ’ａＪ、Ｆｅ ）
・０．ＵＩ Ｏｒ金合金２０〜Ｌ ８ ｐｎｔ厚で幅
８ ｍｍの薄帯Ｉ Ｍｎ２における透研不を示し／この
が第５ν１でりる。透磁率は１１００〜１９００の値を
示し、いずれも従来のノクルり拐ン）・ら切り出したセ
ンダストのｉ Ｍｎ２ Ｖこおける値の２倍以上の値を
示し、壕１こフェライトと同程度もし７くはそ才を以上
の値となることが理解される。
１だ、第６し；１は８４．９ Ｆｅ 、 ９．５ Ｓｉ
、 ！’＞、６Ａｔ合金だ後の透磁率の周波数変化を
示したものである。
、 ！’＞、６Ａｔ合金だ後の透磁率の周波数変化を
示したものである。
ただし、薄帯の厚さはいずれも１８μ７７＋、幅は８ｒ
ｎ、ｍである。この図から理ＩＱ了される如＜、２００
ＫＨ２以下の周波数帯域、すなわち高周波用トランス
として使用さｔＬる範囲内では、４８５℃および９８５
℃での熱処Ｊ−！４！は、かえって透磁率の低寸を才ね
ぐことになり、５（）０℃〜９ＵＯ℃、好筐しくに７４
０〜８３０℃で熱処理することにより透磁率の飛躍的向
」二がみられることになる。一方Ｉ ＭＨ’Ｚ附近の帯
域では透磁率はほとんど一定した値、例えばＩＭＨｚ
テｌｒｉ １４０１） 〜２ Ｕ ＯＯノ透磁率ｆ：ホ
す。この附近での透磁率はｅｌとんどその厚さによって
きまり、２５９℃厚（７）ｔＪＪ帯では６Ｕｔｌ〜８０
０の値奮示し、薄帯厚が幻くｌるにつれて商い値を示す
ようになる。
ｎ、ｍである。この図から理ＩＱ了される如＜、２００
ＫＨ２以下の周波数帯域、すなわち高周波用トランス
として使用さｔＬる範囲内では、４８５℃および９８５
℃での熱処Ｊ−！４！は、かえって透磁率の低寸を才ね
ぐことになり、５（）０℃〜９ＵＯ℃、好筐しくに７４
０〜８３０℃で熱処理することにより透磁率の飛躍的向
」二がみられることになる。一方Ｉ ＭＨ’Ｚ附近の帯
域では透磁率はほとんど一定した値、例えばＩＭＨｚ
テｌｒｉ １４０１） 〜２ Ｕ ＯＯノ透磁率ｆ：ホ
す。この附近での透磁率はｅｌとんどその厚さによって
きまり、２５９℃厚（７）ｔＪＪ帯では６Ｕｔｌ〜８０
０の値奮示し、薄帯厚が幻くｌるにつれて商い値を示す
ようになる。
次に本発明の実施例を示す。
実施例 １
７００Ｕｒｐｍのロール法により作製した。ｆ、Ｉグ帯
の厚さは２０９ｍ１幅はＱ ７１１．７１Ｚ〜であり、
これを１℃長に切断し、真空中７８５℃で３０分間熱処
理を施し、内径１５ ｍｍφのトロイダル試料全作製し
た。このトロイダル試料ではＢ は９５ＵＵＧ、抗磁力
は６０】Ｏ ｍＱｅ 、 １００ ＫＨｚの透磁率は９ （ｌ Ｕ
Ｏであり、鉄損値はフェライトの約汐であつ／こ。
の厚さは２０９ｍ１幅はＱ ７１１．７１Ｚ〜であり、
これを１℃長に切断し、真空中７８５℃で３０分間熱処
理を施し、内径１５ ｍｍφのトロイダル試料全作製し
た。このトロイダル試料ではＢ は９５ＵＵＧ、抗磁力
は６０】Ｏ ｍＱｅ 、 １００ ＫＨｚの透磁率は９ （ｌ Ｕ
Ｏであり、鉄損値はフェライトの約汐であつ／こ。
実施例 ２
ｒｐｍのディスク法により作製し／こ。尚帯厚は］、２
μフル、幅はｌ ５ ｔｉｔｎｔ ′Ｃあり、こｆｉ
’５７５０℃で８５分間真空中熱処理を施した後２枚積
層して超音波加工に」＝リビデイオ用ヘッドコアな一作
製した。その結果、Ｉ Ｍｌ（Ｚにおける透磁率は８５
００となり、従来のバルクから作製したヘッドコアに比
して約７倍もの値を示した。
μフル、幅はｌ ５ ｔｉｔｎｔ ′Ｃあり、こｆｉ
’５７５０℃で８５分間真空中熱処理を施した後２枚積
層して超音波加工に」＝リビデイオ用ヘッドコアな一作
製した。その結果、Ｉ Ｍｌ（Ｚにおける透磁率は８５
００となり、従来のバルクから作製したヘッドコアに比
して約７倍もの値を示した。
以上詳述したところかられかるように、本発明はセンダ
スト合金およびセンダスト糸合金（ｒ−１５００゜以上
に加熱浴融し、ノズルから線速度２ Ｃ１７１１，／Ｓ
以上の晶速度で回転している冷却体渋面に噴出させ、厚
さ２５μ７ｎ以下、幅が３？ルア１Ｌ以上の極薄センダ
スト薄帯を製造する方法およびこれら薄帯に５００〜９
５０℃、３ 分収上熱処理をほどこした極薄センダスト
薄帯の製造法に関するものであシ、本発明法により製造
されたセンタースト極薄帯は極めて優く、透磁率もｌ
ＭＨｚで１０００以上の値を示す。
スト合金およびセンダスト糸合金（ｒ−１５００゜以上
に加熱浴融し、ノズルから線速度２ Ｃ１７１１，／Ｓ
以上の晶速度で回転している冷却体渋面に噴出させ、厚
さ２５μ７ｎ以下、幅が３？ルア１Ｌ以上の極薄センダ
スト薄帯を製造する方法およびこれら薄帯に５００〜９
５０℃、３ 分収上熱処理をほどこした極薄センダスト
薄帯の製造法に関するものであシ、本発明法により製造
されたセンタースト極薄帯は極めて優く、透磁率もｌ
ＭＨｚで１０００以上の値を示す。
また更に５００〜９５０℃、 ３ 分収上の泥度範凹で
熱処理することにより、抗磁力および透磁率が著しく改
善され、抗磁力は数１０ ｍＱｅ 、透磁率は１ ｕ
ＯＫＨ２で１０ に寸で達するものも得られるようにな
る。このように優れた磁気宅・４生の実現は、主として
２５μ７１１以下の極めて薄い薄帯の製造が可能になっ
たことによるものであり、これら薄帯を用いた尚周波用
トランス捷たビデイオ用−・ノドは飛躍的に優れた牛ｊ
性葡示すことが明らかになった。
熱処理することにより、抗磁力および透磁率が著しく改
善され、抗磁力は数１０ ｍＱｅ 、透磁率は１ ｕ
ＯＫＨ２で１０ に寸で達するものも得られるようにな
る。このように優れた磁気宅・４生の実現は、主として
２５μ７１１以下の極めて薄い薄帯の製造が可能になっ
たことによるものであり、これら薄帯を用いた尚周波用
トランス捷たビデイオ用−・ノドは飛躍的に優れた牛ｊ
性葡示すことが明らかになった。
第１図はＳｉ ９．８〜９．２ ｗｔ４、Ａ／！ ６．
６〜５ ｗｔ％及び残部Ｆｅからなる合金薄ツ１）合７
８５℃、 ３分間熱処理したときの抗磁力を承す図、 第２図ＦｉＯ０９７（９，７〜９．８３ｉ、０゜６〜５
．３Ａｊ？。 ｂａ／、Ｆｅ ）、０．５ Ｏｒ、 ｕ、２ Ｙ、 ０
．Ｉ Ｔｉ （７）合金薄帯の印加磁界１００ｅのもと
ての最大磁束音度Ｂ□。を示す図、 第８図は０．９９ （９，７〜９．８３ｉ、６．６〜５
．１’ｌＡ７、ｂ＝ｔ＃＝、 ｂａ／’、Ｆｅ ）、０
．０１０ｒ （７）合金ＡＹ ’ｉｋ ｆ ７５０ ℃
、４０分間熱処理した後にコアに（工ち抜いたもののＩ
ＵＯＫＨ２における透磁率を示す図、第４図は第８図の
合金薄帯の１部についての鉄（＠ ４ｊｊ （Ｃｏｒｅ
Ｌｏｓｓ ）を示す図、第５図Ｉｉ０．９９ （９，
７〜９．８３ｉ、６．（１〜５．８Ａ／？、ｂａｚ、Ｆ
ｅ ）、ｏ； ｕｉ ｃｒの合金れり帯のＩＭＨｚにお
ける透磁率を示す図、 第６図ｕ ８４．９ Ｆｅ、 ９．５Ｓｉ、５．６ＡＩ
の合金？’ｉｒ’ （ｔＦについて、種々の温度で ３
分間熱処珪した桜の透磁率の周波数変化を示す図であ
る。
６〜５ ｗｔ％及び残部Ｆｅからなる合金薄ツ１）合７
８５℃、 ３分間熱処理したときの抗磁力を承す図、 第２図ＦｉＯ０９７（９，７〜９．８３ｉ、０゜６〜５
．３Ａｊ？。 ｂａ／、Ｆｅ ）、０．５ Ｏｒ、 ｕ、２ Ｙ、 ０
．Ｉ Ｔｉ （７）合金薄帯の印加磁界１００ｅのもと
ての最大磁束音度Ｂ□。を示す図、 第８図は０．９９ （９，７〜９．８３ｉ、６．６〜５
．１’ｌＡ７、ｂ＝ｔ＃＝、 ｂａ／’、Ｆｅ ）、０
．０１０ｒ （７）合金ＡＹ ’ｉｋ ｆ ７５０ ℃
、４０分間熱処理した後にコアに（工ち抜いたもののＩ
ＵＯＫＨ２における透磁率を示す図、第４図は第８図の
合金薄帯の１部についての鉄（＠ ４ｊｊ （Ｃｏｒｅ
Ｌｏｓｓ ）を示す図、第５図Ｉｉ０．９９ （９，
７〜９．８３ｉ、６．（１〜５．８Ａ／？、ｂａｚ、Ｆ
ｅ ）、ｏ； ｕｉ ｃｒの合金れり帯のＩＭＨｚにお
ける透磁率を示す図、 第６図ｕ ８４．９ Ｆｅ、 ９．５Ｓｉ、５．６ＡＩ
の合金？’ｉｒ’ （ｔＦについて、種々の温度で ３
分間熱処珪した桜の透磁率の周波数変化を示す図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ センダスト又はセンダスト系合金を１０００℃以上
に加熱浴融し、この溶湯をノズルがら線速度２０ ｍ、
／ｓ以上の速度で回転している冷却体の光面に噴出させ
ることにより、厚さ２５μ？？＋、以下、幅８ ｍｍ以
上の薄帯状に冷却凝固セシメルことを特徴とする極乃セ
ンダスト薄帯の製造方／２．−。 ス 厚さ２５μ？ル以１、幅８ ｍｍ以上であって、鉄
損が低く、透磁率が高く、抗磁力が低い高周波用トラン
ス又はビティオ・ヘッド用の極薄センダスト助イ１ｉ：
。 ８ センダスト又はセンダスト系合金を１５（１９℃以
上に加ｉＦ！Ｓ渭融し、この溶湯をノズルがら線速度２
０ ｎＬ／ｓ以上の速度で回転している冷却体の渋面に
噴出させることにより、厚さ２５μｍ以丁、幅８ ｍｍ
以上の薄帯状に冷却凝固せしめ、更に真窒中で５００〜
９５０℃、８ 分以上の熱処理全ＪＡすことを特徴とす
る極薄センダスト薄帯の製造方法。 表 厚さ２５μηＬ以下、幅３７＋ｉη１１以上であっ
て、鉄損、透磁率、抗磁力が熱処理前のものより一層優
れた尚周波用トランス又はビテイオ・ヘッド用の極薄セ
ンダスト尚；ｉｉ、’；。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20690783A JPS6099456A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 極薄センダスト薄帯及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20690783A JPS6099456A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 極薄センダスト薄帯及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6099456A true JPS6099456A (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=16531040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20690783A Pending JPS6099456A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 極薄センダスト薄帯及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6099456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4782994A (en) * | 1987-07-24 | 1988-11-08 | Electric Power Research Institute, Inc. | Method and apparatus for continuous in-line annealing of amorphous strip |
-
1983
- 1983-11-05 JP JP20690783A patent/JPS6099456A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4782994A (en) * | 1987-07-24 | 1988-11-08 | Electric Power Research Institute, Inc. | Method and apparatus for continuous in-line annealing of amorphous strip |
| WO1990003244A1 (en) * | 1987-07-24 | 1990-04-05 | Allied-Signal Inc. | Method and apparatus for continuous in-line annealing of amorphous strip |
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