JPH1044180A - トランスファ樹脂封止方法及びそれに用いる樹脂封止 金型装置 - Google Patents

トランスファ樹脂封止方法及びそれに用いる樹脂封止 金型装置

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JPH1044180A
JPH1044180A JP20864296A JP20864296A JPH1044180A JP H1044180 A JPH1044180 A JP H1044180A JP 20864296 A JP20864296 A JP 20864296A JP 20864296 A JP20864296 A JP 20864296A JP H1044180 A JPH1044180 A JP H1044180A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題はトランジスタ、LED、IC
等の樹脂封止型電子部品の製造において該封止部品と金
型との間における不要な樹脂バリの発生をなくすことで
ある。 【解決手段】本発明は、基材を上下金型で挟んだ状態で
樹脂の注入されるキャビティを形成し、所定のカルから
キャビティに連通するランナーを通じて封止樹脂をキャ
ビティに注入するトランスファ樹脂封止方法において、
上下金型のいずれか一方のパーティング面で、かつラン
ナーにそって、またキャビティの樹脂注入終端側にゴム
等の弾性材を突出させて埋設しておき、上下金型を型締
めしてカルからランナーを通じてキャビティに溶融樹脂
を注入することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード(L
ED)やトランジスタ等の個別部品あるいは半導体集積
回路(IC)装置等の樹脂封止型電子部品のトランスフ
ァ樹脂封止方法及びそれに用いる樹脂封止金型装置に関
し、殊に、封止時の不要樹脂バリの発生を抑える封止技
術に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のトランスファモールドには例え
ば図6及び図8に示すモールド金型が従来より用いられ
ている。この金型は図7に示すチップ形LED部品の樹
脂封止モールド用のものである。同図のチップ形LED
10は特開平6ー5926号公報等で開示されているよ
うに、ガラスエポキシ樹脂基板やセラミック等の基板7
1の上面に一対のリード電極72a及び72bが形成さ
れ、その一方のリード電極72aにLED素子73がボ
ンディングされ、そのLED素子73と他方のリード電
極72bとの間が金線74等でワイヤボンディングされ
ている。LED素子73や金線74等は透光性合成樹脂
等からなる四角錐形のモールド部75で被われている。
そして、各リード電極72a、72bはモールド部75
から基板71の両端側に延長され端子電極76、77と
なっている。
【0003】このチップ形LED70のモールド金型に
よる樹脂封止工程を図6及び図8によって説明する。図
8は図6のA−A矢視断面を示す。絶縁性基板23はチ
ップ部品の多数個取りをするための基板材である。この
基板には図7に示したリード電極72a、72bの電極
パターンが予め形成され、その電極パターン上にLED
素子73を複数個、別途ボンディング工程によって搭載
している。そして、モールド工程において絶縁性基板2
3が下金型22上に載置され、その上から上金型31を
型締め(クランプ)して、上下金型間に挟持することに
よって基板23上に列状に搭載された各LED素子を被
う細長状キャビティ26を形成している。25は基板2
3に穿設された、各キャビティ間を分離する長尺状スリ
ットである。また、トランスファ成形を行うために樹脂
ペレットは金型のセンタブロック30に設けたカル20
に投入され、そこから溶融樹脂はランナ21及び24を
通じて各キャビティへ供給される。モールド工程の後、
上記キャビティ26に対応した細長状モールド部分を基
板とともに各LED素子単位ずつに切断することによっ
て図7に示したようなチップ部品に分割される。なお、
この金型はカル20とランナ21を介して連通した合計
4つのキャビティエリアとして個別の金型部材を組み込
んだ、着脱自在のチェイスブロックによって構成されて
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
トランスファモールドでは金型のパーティング面等から
の樹脂漏れによって樹脂バリが発生するとその除去作業
に非常に手間がかかるという問題があった。そこで一般
には上下金型をある程度の圧力でクランプしてパーティ
ング面どうしを密着させ、バリを出さないようにしてい
る。
【0005】しかし、基板やリードフレームを挟み込ん
でモールドする場合には、基板ないしフレーム上に薄い
バリが残らないように基板ないしフレームに金型のパー
ティング面を優先的に当ててクランプ調整を行う必要が
あるため、キャビティ以外のセンターブロック30やラ
ンナー21等におけるパーティング面間に若干の隙間が
生じやすく、そこから樹脂漏れを起こし樹脂バリを生じ
ていた。特に、基板やフレームの素材に板厚方向の寸法
バラツキがあると、複数のキャビティエリアに載置した
とき、キャビティエリア間でのパーティング面間の隙間
が生じてしまいクランプ圧力を高めても解消できなかっ
た。殊に、上記のチップ形LED部品の樹脂封止モール
ドには熱硬化性合成樹脂が用いられているが、フィラー
混入のない透光性エポキシ樹脂素材を用いるときには基
板厚さに0.01m/m程度の寸法バラツキがあっても
粘性の低い樹脂素材が隙間をつたって広がり、図6の斜
線で示すようにキャビティ終端付近に樹脂バリ28を作
るだけでなく、ランナー21の付近に薄い樹脂バリ27
及び29を作ってしまい金型のほぼ全面にまで及んでい
た。さらに、カル20も摩耗してくるとその近傍にも隙
間が生じるため、頻繁に金型部品の交換作業を行う必要
があった。
【0006】従来の樹脂バリ対策としては、特開昭59
ー175732号公報や特開昭58ー110048号公
報等では合成ゴム材をキャビティ周辺の溝に埋設して金
型のクランプによりシールする方法が開示されている。
しかしながら、従来はキャビティ周辺からの樹脂漏れを
防ぐのみであって、それがパーティング面全面に及ぶの
を防ぐのは困難であった。
【0007】本発明にかかる課題は、上記従来の問題点
に鑑み、基板やフレーム材を金型で挟み込んでカルから
ランナーを経て樹脂をキャビティに注入するトランスフ
ァモールドにおいてカルやランナー等での樹脂バリの発
生を抑え、バリ取り処理の手間を省くことのできるトラ
ンスファ樹脂封止方法とそれを用いる樹脂封止金型装置
を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1の発明にかかるのトランスファ樹脂封止方
法は、基材を上下金型で挟んだ状態で樹脂の注入される
キャビティを形成し、所定の樹脂注入口から前記キャビ
ティに連通するランナーを通じて封止樹脂を前記キャビ
ティに注入するトランスファ樹脂封止方法において、前
記上下金型のいずれか一方のパーティング面で、かつ前
記ランナーにそって、また前記キャビティの樹脂注入終
端側に弾性材を突出させて埋設し、前記上下金型を型締
めして前記樹脂注入口から前記ランナーを通じて前記キ
ャビティに溶融樹脂を注入することを特徴とする。
【0009】また、請求項2の発明にかかる樹脂封止金
型装置は、請求項1のトランスファ樹脂封止方法に用い
る金型装置であって、前記上下金型のいずれか一方のパ
ーティング面で、かつ前記ランナーにそって形成した第
1の溝と、また前記キャビティの樹脂注入終端側に設け
た第2の溝に前記弾性材を突出させて埋設したことを特
徴とする。
【0010】さらに、請求項3の発明にかかる樹脂封止
金型装置は、前記上下金型のいずれか一方のパーティン
グ面に形成され、かつ前記キャビティの樹脂注入終端側
に前記キャビティに連通する凹部を備え、前記凹部の外
周近傍に前記第2の溝を形成したことを特徴とする。本
発明における上記基材には、例えば鉄−ニッケルの合金
材等からなるリードフレームやガラスエポキシ基板等を
用いることが出来る。
【0011】なお、本発明にかかる樹脂封止方法はLE
D等の透光性樹脂パッケージだけでなくトランジスタ等
の個別部品、あるいはDIP(Dual Inline Packag
e)で代表されるピン挿入タイプの電子部品、さらにI
C等で使用されているQFP(Quad Flat Package)
等の表面実装タイプのものに適用することができる。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、キャビティの樹脂注入
終端だけでなくランナーにそって弾性材によるシール手
段を設けており、パーティング面全面に樹脂漏れが生じ
てもランナーやキャビティ近傍より外に拡散するのを確
実に防止でき、手間のかかる樹脂バリ除去作業を行うこ
となく、トランスファモールド成形工程を簡素化できる
【0013】。
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施した例を図面
によって説明する。図1は本実施例のチップ形LED製
造に用いるトランスファ金型を示し、図2は同金型の要
部を示し、さらに図3は図2のB−B矢視断面を示す。
カル4から4方向に分岐したランナー5と連通する4区
画分のキャビティエリア3が下金型1に設けられてい
る。4個のキャビティエリア3はカル4の設けられたセ
ンタブロック10とともに下金型1に着脱自在に取り付
けられており、この金型は支柱2にそってスライド可能
な下金型1と上金型14とによってチェイスブロックと
して構成されている。ランナー5及び6とキャビティ1
5は上金型14側に形成されている。この例は図7で示
したチップ形LEDをトランスファモールドする工程を
示す。絶縁性基板7はガラスエポキシ樹脂やセラミック
等からなり、予めチップボンディング工程によって複数
個のLED素子18が列状に搭載されたものであり、各
LED素子列を個別に独立させるべく長尺状スリット1
7が各列に並設されている。金型全体としては8枚の基
板7に対して一つのカル4によってトランスファモール
ドを行うが、各キャビティエリア3には1本のランナー
5から二つに分岐したランナー6に対して2枚の基板7
が下金型1上に載置される。
【0014】そして、図3に示すように、基板7を下金
型1上に載置した後、その上から上金型14を型締め
(クランプ)して上下金型間に挟持することによって、
基板7上に列状に搭載された各LED素子列を被う細長
状キャビティ15を形成する。これらのランナー5及び
6とキャビティ15は上金型14のパーティング面に凹
設されている。また、各キャビティ15の終端には連通
路16を介して樹脂溜め部12が上金型14のパーティ
ング面に基板7の全幅に相当する長尺状凹部として設け
られている。一対のキャビティ15が一端でランナー6
と連通して複数段並設されている。カル4からの溶融樹
脂はランナー5及びランナー6を通じて各キャビティ1
5に注入された後、さらに各キャビティ15の終端に設
けた樹脂溜め部12に至る。
【0015】次に、本実施例にかかる金型の樹脂漏れ防
止構造を説明する。下金型1にはカル4周辺に、またカ
ル4と連通するランナー5及びキャビティ15と連通す
るランナー6にそって、さらに樹脂溜め部12の外周近
傍に、図4に示す断面矩形の溝19が形成されている。
そして溝19に弾性材8、9、11、13が若干突出す
る程度の状態で嵌め込まれ、上下金型の型締めによって
ほぼ全量が溝内に収容され、カル4、ランナー5と6、
及び樹脂溜め部12の各周辺をシールするシール手段と
なる。即ち、これらのシール手段は、樹脂注入の終端に
相当する樹脂溜め部12の外側に嵌着した略コ字状弾性
材8と、ランナー5の両側にそって嵌着した弾性材9、
11と、ランナー5からT字状に分岐したランナー6の
中央部で、かつ両基板7間に設けた弾性材13とからな
る。弾性材8は請求項2の発明における第2の溝に対応
し、また同項の第1の溝は弾性材9、11に対応する。
弾性材13は基板7間のパーティング面に樹脂漏れが広
がらないようにランナー6の中央部をシールするための
ものである。そして、これらの弾性材には封止樹脂の溶
融温度、つまり金型温度より高い硬化温度特性を有する
耐熱性素材が好ましく、本実施例で使用のフィラー混入
のないLED封止用透明ないし半透明熱硬化性エポキシ
樹脂では溶融温度が約150℃程度であるのでシリコー
ンゴムやウレタン等の合成樹脂を使用すればよい。IC
パッケージの封止樹脂のときは180℃〜230℃以上
の高温に耐える素材を使用する。例えば、直径4φのシ
リコーンゴム丸材を溝19に約0.5m/m程度突出させ
て埋設し、上金型14の押圧によって0.1〜0.2m/m程
度のクリアランス(間隙)が出来るように型締めを行う
と、ランナー5周辺に流出した樹脂バリはシリコーンゴ
ム丸材によって堰き止められ、また若干流出したバリが
離型しやすい厚さになる。該弾性材の形状は丸棒状や角
柱状のものでよく、溝19の断面形状も矩形以外の多角
形や半球状等であってもよい。溝形成位置はランナー直
近よりも小さいバリが残る程度の間隔をあけて設定する
と、モールド成形品を離型時に円滑に取り出すことがで
きる。さらに、本実施例ではゴム材を用いて上下金型
(1、14)の型締め時に押圧方向と逆方向に付勢する
ようにしているが、図5に示すように、下金型1に形成
した溝53に上下スライド自在な軸部52を持つ金属棒
材50を嵌着し、軸部52にバネ材52を取り付けるこ
とによって型締め時にバネの復帰力を上金型14に付勢
するようにしてもよい。
【0016】上記の樹脂漏れ防止構造を備えた本実施例
の樹脂封止金型装置において、図3のように上下金型
(1、14)を型締めした状態で、まず樹脂ペレット
(図示せず)をカル20に投入し、そこから溶融樹脂を
ランナ5及び6を通じて各キャビティ15へ供給し、さ
らに連通路16を介して樹脂溜め部12まで送り出して
トランスファ成形工程を実施する。樹脂注入の後、高温
で加温してモールド成形を行い、ついで型開きをし、上
金型14からエジェクタピン(図示せず)を突き出すこ
とによってランナー5及び6等の樹脂材部分を突き上げ
て金型からモールド品を分離して取り出す。各基板7に
一体的に成形された長尺状のモールド品から切断工程
(図示せず)を経て分割し図7の個別LED部品を得
る。
【0017】この実施例では上記の樹脂注入の際にカル
4、ランナ5及び6、樹脂溜め部12の周辺に設けた弾
性体8、9、11及び13からなるシール手段によっ
て、型締めの時に金型間にクリアランス(間隙)を生じ
てもそれによって流出した樹脂漏れの拡散を防ぐことが
でき、面倒な金型の清掃作業を省くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の実施例に使用する金型の平面図
である。
【図2】図2は図1の金型の要部拡大平面図である。
【図3】図3は図2のB−B矢視断面図である。
【図4】図4は図1の金型に使用する弾性材の取付状態
を示す断面図である。
【図5】図5は本発明の他の弾性材例を示す断面図であ
る。
【図6】図6は従来の金型を示す平面図である。
【図7】図7はチップ形LEDを示す外観斜視図であ
る。
【図8】図8は図6のA−A矢視断面図である。
【符号の説明】
1 下金型 3 キャビティエリア 4 カル 5 ランナー 6 ランナー 7 絶縁性基板 8 弾性材 9 弾性材 11 弾性材 12 樹脂溜め部 13 弾性材 14 上金型 15 キャビティ 19 溝
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B29K 101:10 B29L 31:34

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材を上下金型で挟んだ状態で樹脂の注
    入されるキャビティを形成し、所定の樹脂注入口から前
    記キャビティに連通するランナーを通じて封止樹脂を前
    記キャビティに注入するトランスファ樹脂封止方法にお
    いて、前記上下金型のいずれか一方のパーティング面
    で、かつ前記ランナーにそって、また前記キャビティの
    樹脂注入終端側に弾性材を突出させて埋設し、前記上下
    金型を型締めして前記樹脂注入口から前記ランナーを通
    じて前記キャビティに溶融樹脂を注入することを特徴と
    するトランスファ樹脂封止方法。
  2. 【請求項2】 請求項1のトランスファ樹脂封止方法に
    用いる金型装置であって、前記上下金型のいずれか一方
    のパーティング面で、かつ前記ランナーにそって形成し
    た第1の溝と、また前記キャビティの樹脂注入終端側に
    設けた第2の溝に前記弾性材を突出させて埋設したこと
    を特徴とする樹脂封止金型装置。
  3. 【請求項3】 前記上下金型のいずれか一方のパーティ
    ング面に形成され、かつ前記キャビティの樹脂注入終端
    側に前記キャビティに連通する凹部を備え、前記凹部の
    外周近傍に前記第2の溝を形成したことを特徴とする請
    求項2の樹脂封止金型装置。
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