JPS6081820A - 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 - Google Patents
分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置Info
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- JPS6081820A JPS6081820A JP19021083A JP19021083A JPS6081820A JP S6081820 A JPS6081820 A JP S6081820A JP 19021083 A JP19021083 A JP 19021083A JP 19021083 A JP19021083 A JP 19021083A JP S6081820 A JPS6081820 A JP S6081820A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）
この発明は、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法を用い
て半導体素子を製造する装置（分子線エピタキシャル装
置）のウェハ取付装置に関する。
て半導体素子を製造する装置（分子線エピタキシャル装
置）のウェハ取付装置に関する。
分子線エピタキシャル法は、超真空中で、基板ウェハに
材料を分子線の形で入射させ、ウェハ上にその材料を堆
積させるエピタキシャル成長法である。すなわち第１図
に示すように、分子線エピタキシャル装置の超高真空チ
ャンバ１内に、ヒータで加熱可能なブロック２を設け、
このブロック２にウェハ３を取付け、このウェハ３にル
ツボ４の例えばＧａ、ルツボ５の例えばＡｓを分子線で
投射し、ウェハ３上に例えばＧａＡｓを成長させるよう
にしている。この種の分子線エピタキシャル装置におい
て、従来はブロック２として、モリブデン（Ｍｏ）を用
い、このモリブデンブロック２に、ウェハ３を取付ける
のに、Ｉ ｎ （インジューム）等で貼り付けていた。
材料を分子線の形で入射させ、ウェハ上にその材料を堆
積させるエピタキシャル成長法である。すなわち第１図
に示すように、分子線エピタキシャル装置の超高真空チ
ャンバ１内に、ヒータで加熱可能なブロック２を設け、
このブロック２にウェハ３を取付け、このウェハ３にル
ツボ４の例えばＧａ、ルツボ５の例えばＡｓを分子線で
投射し、ウェハ３上に例えばＧａＡｓを成長させるよう
にしている。この種の分子線エピタキシャル装置におい
て、従来はブロック２として、モリブデン（Ｍｏ）を用
い、このモリブデンブロック２に、ウェハ３を取付ける
のに、Ｉ ｎ （インジューム）等で貼り付けていた。
しかしながら、ｌｎを用いた取付は方法では、大型ウェ
ハの場合、貼り付けが難しく、また一旦貼り付けられる
と堅（貼り付けられ、簡単に取外（２） しができなかった。またウェハの貼り付は時に、Ｉｎが
飛散してウェハを汚染したり、ウェハの取外し後にウェ
ハ裏面にＩｎが残り、このＩｎを除去する際にうエバ表
面が汚染され、ファインパターン用ウェハとして不適で
あった。さらにまた、ウェハ裏面がＩｎと反応して凹凸
が生じ、以後の工程で、例えばマスクパターンを密着さ
せる場合に、ウェハに割れを発生させたりする欠点があ
った。
ハの場合、貼り付けが難しく、また一旦貼り付けられる
と堅（貼り付けられ、簡単に取外（２） しができなかった。またウェハの貼り付は時に、Ｉｎが
飛散してウェハを汚染したり、ウェハの取外し後にウェ
ハ裏面にＩｎが残り、このＩｎを除去する際にうエバ表
面が汚染され、ファインパターン用ウェハとして不適で
あった。さらにまた、ウェハ裏面がＩｎと反応して凹凸
が生じ、以後の工程で、例えばマスクパターンを密着さ
せる場合に、ウェハに割れを発生させたりする欠点があ
った。
それゆえに、この発明の目的は、」１記従来の欠点を解
消し、ウェハの取付け、取外し過程で、ウェハに汚染を
生じさせることなく、しかも取付け、取外しが容易で量
産に適した分子線エピタキシャル装置のウェハ取付装置
を提供することである。
消し、ウェハの取付け、取外し過程で、ウェハに汚染を
生じさせることなく、しかも取付け、取外しが容易で量
産に適した分子線エピタキシャル装置のウェハ取付装置
を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明はＩｎを使用せず
、取付ブロック上に、ウェハを取付け、取外し自在に保
合固着する固着機構を設けるようにしている。
、取付ブロック上に、ウェハを取付け、取外し自在に保
合固着する固着機構を設けるようにしている。
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。
。
（３）
第２図は、この発明のＩ実施例を示すウェハ取付装置の
平面図、第３図は同ウェハ取付装置の側面図である。
平面図、第３図は同ウェハ取付装置の側面図である。
第２図、第３図において、ウェハ取付装置１０はモリブ
デンブロック１１と、ウェハ押さえピン１２と、ウェハ
押さえピン１２の締付は用のネジ１３とから構成されて
いる。このウェハ押さえピン１２とネジ１３ばウェハ１
４を位置決め固定できるように３点に配置されている。
デンブロック１１と、ウェハ押さえピン１２と、ウェハ
押さえピン１２の締付は用のネジ１３とから構成されて
いる。このウェハ押さえピン１２とネジ１３ばウェハ１
４を位置決め固定できるように３点に配置されている。
１５はモリブデンブロック１１の加熱用のヒータである
。モリブデンブロック１１０表面には、大型ウェハを取
付けた場合でも、チャンバ内の雰囲気を悪化させずに高
温を得るために、熱輻射率を良くするＧａＡｓ層１６等
が予め付着されている。
。モリブデンブロック１１０表面には、大型ウェハを取
付けた場合でも、チャンバ内の雰囲気を悪化させずに高
温を得るために、熱輻射率を良くするＧａＡｓ層１６等
が予め付着されている。
この実施例ウェハ取付装置１０で、ウェハ１４の取付け
を行うには、ネジ１３で押さえピン１２を締付け、押さ
えピン１２でウェハ１４を押さえ付は固定し、取外す場
合には、ネジ１３をゆるめることにより、それぞれ簡単
に行うことができる。
を行うには、ネジ１３で押さえピン１２を締付け、押さ
えピン１２でウェハ１４を押さえ付は固定し、取外す場
合には、ネジ１３をゆるめることにより、それぞれ簡単
に行うことができる。
第４図は、第３図に示すウェハ取付装置よりも、（４）
さらにモリブデンブロック１１からの熱輻射率を減少さ
せるための工夫をこらしたウェハ取付装置の側面図であ
る。このウェハ取付装置２０は、モリブデンブロック１
１のウェハ１４に対接する面１１ａ上に、ウェハ１４を
固着する面取外の面を覆う熱反射板２１を特徴的に設け
ており、その他は第３図のものと変わりはない。この実
施例ウェハ取付装置によれば、モリブデンブロック１１
より発せられる熱は、ウェハ１４に対接する面ではＧａ
Ａｓ層１６を通じてウェハ１４に伝達されるが、ウェハ
１４に対接する面取外の面よりの熱は反射板２１で反射
され、放出が抑えられるので、ウェハ１４に対しては、
効率の良い熱伝達を行うことができる。
せるための工夫をこらしたウェハ取付装置の側面図であ
る。このウェハ取付装置２０は、モリブデンブロック１
１のウェハ１４に対接する面１１ａ上に、ウェハ１４を
固着する面取外の面を覆う熱反射板２１を特徴的に設け
ており、その他は第３図のものと変わりはない。この実
施例ウェハ取付装置によれば、モリブデンブロック１１
より発せられる熱は、ウェハ１４に対接する面ではＧａ
Ａｓ層１６を通じてウェハ１４に伝達されるが、ウェハ
１４に対接する面取外の面よりの熱は反射板２１で反射
され、放出が抑えられるので、ウェハ１４に対しては、
効率の良い熱伝達を行うことができる。
第５図は、この発明の他の実施例を示すウェハ取付装置
の平面図である。この実施例ウェハ取付装置３０は、モ
リブデンブロック１１に２本の支柱３１．３１を立てる
とともに、バネ材３２を設け、ウェハ１４の端辺を支柱
３１．３１に当接させるとともに、バネ材３２でウェハ
１４の他方の（５） 端辺を側方から押圧して、ウェハ１４を係合固着するよ
うにしている。
の平面図である。この実施例ウェハ取付装置３０は、モ
リブデンブロック１１に２本の支柱３１．３１を立てる
とともに、バネ材３２を設け、ウェハ１４の端辺を支柱
３１．３１に当接させるとともに、バネ材３２でウェハ
１４の他方の（５） 端辺を側方から押圧して、ウェハ１４を係合固着するよ
うにしている。
第６図はこの発明のさらに他の実施例を示すウェハ取付
装置の平面図である。この実施例ウェハ取付装置４０は
、モリブデンブロック１１に、内側にそれぞれ切欠を有
する支柱４１．４１を立てるとともに、１個の押さえピ
ン４２及びネジ４３を設け、ウェハ１４の端辺を支柱４
１．４１の切欠に嵌込むとともに、ウェハ１４の他方の
端辺を押さえピン４２で押さえ、ネジ４３で締付は固定
して、ウェハ１４をモリブデンブロック１１に取付ける
ようにしている。
装置の平面図である。この実施例ウェハ取付装置４０は
、モリブデンブロック１１に、内側にそれぞれ切欠を有
する支柱４１．４１を立てるとともに、１個の押さえピ
ン４２及びネジ４３を設け、ウェハ１４の端辺を支柱４
１．４１の切欠に嵌込むとともに、ウェハ１４の他方の
端辺を押さえピン４２で押さえ、ネジ４３で締付は固定
して、ウェハ１４をモリブデンブロック１１に取付ける
ようにしている。
このほか、この発明におけるウェハをブロックに取外し
自在に係合固着する固着機構は、適宜の変形が可能であ
る。
自在に係合固着する固着機構は、適宜の変形が可能であ
る。
以上のように、この発明の分子線エピタキシャル装置の
ウェハ取付装置によれば、ウェハをブロックに脱着自在
に係合固着するものであるから、ウェハの取付け、取外
しが簡単になせ、作業性が向上するのでＭＢＥ法を量産
に適用することかで（６） きる。しかも、取付けにインジュームを使用しないので
、ウェハの表裏面に凹凸や汚染が生じることがなく、フ
ァインパターン用に適したウェハを得ることができる。
ウェハ取付装置によれば、ウェハをブロックに脱着自在
に係合固着するものであるから、ウェハの取付け、取外
しが簡単になせ、作業性が向上するのでＭＢＥ法を量産
に適用することかで（６） きる。しかも、取付けにインジュームを使用しないので
、ウェハの表裏面に凹凸や汚染が生じることがなく、フ
ァインパターン用に適したウェハを得ることができる。
第１図は分子線エビクキシャル装置のチャンバを示す概
略図、第２図はこの発明の１実施例を示すウェハ取付装
置の平面図、第３図は同ウェハ取付装置の側面図、第４
図はこの発明の他の実施例を示すウェハ取付装置の側面
図、第５図及び第６図はこの発明のさらに他の実施例を
示すウェハ取付装置の各平面図である。 １：超高真空チャンバ、 １０・２０・３０・４０：ウェハ取付装置、１１：モリ
ブデンブロック、 １２・４２：ウヱハ押さえピン、 １３・４３：ネジ、 １４：ウェハ、 １６ ： ＧａＡｓ１ｉ、２１：熱反射板、３１・４１
、支柱、３２：バネ材 （７） 第１図 ］ 第２図 第３図
略図、第２図はこの発明の１実施例を示すウェハ取付装
置の平面図、第３図は同ウェハ取付装置の側面図、第４
図はこの発明の他の実施例を示すウェハ取付装置の側面
図、第５図及び第６図はこの発明のさらに他の実施例を
示すウェハ取付装置の各平面図である。 １：超高真空チャンバ、 １０・２０・３０・４０：ウェハ取付装置、１１：モリ
ブデンブロック、 １２・４２：ウヱハ押さえピン、 １３・４３：ネジ、 １４：ウェハ、 １６ ： ＧａＡｓ１ｉ、２１：熱反射板、３１・４１
、支柱、３２：バネ材 （７） 第１図 ］ 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）超高真空チャンバ内に、エピタキシャル成長を行
うべきウェハを収納するためのウェハ取付装置であって
、加熱可能な取付ブロックと、この取付ブロック上に設
けられ、前記ウェハを前記ブロックに脱着自在に係合固
着する固着機構とからなる分子線エピタキシャル装置の
ウェハ取付装置。 - （２）前記取付ブロックの前記ウェハに対接する面上に
、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）が付着されてなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の分子線エピタキ
シャル装置のウェハ取付装置。 - （３）前記取付ブロックの前記ウェハに対接する面上に
、前記ウェハを固着する面以外の面を覆う熱反射板を設
けてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の分子線エピタキシャル装置のウェハ取付装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19021083A JPS6081820A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19021083A JPS6081820A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081820A true JPS6081820A (ja) | 1985-05-09 |
| JPH0136978B2 JPH0136978B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=16254294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19021083A Granted JPS6081820A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161801A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板ホルダ |
| US5556477A (en) * | 1994-06-09 | 1996-09-17 | Leybold Aktiengesellschaft | Transport device for substrates to be coated in a vacuum coating system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
| JPS5759665A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Control method for coated article-baking oven |
| JPS57107026A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Seiko Epson Corp | Heating mechanic for vacuum machine |
| JPS58102526A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Nec Corp | スパツタ用パレツト治具 |
| JPS58106820A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP19021083A patent/JPS6081820A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
| JPS5759665A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Control method for coated article-baking oven |
| JPS57107026A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Seiko Epson Corp | Heating mechanic for vacuum machine |
| JPS58102526A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Nec Corp | スパツタ用パレツト治具 |
| JPS58106820A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161801A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板ホルダ |
| US5556477A (en) * | 1994-06-09 | 1996-09-17 | Leybold Aktiengesellschaft | Transport device for substrates to be coated in a vacuum coating system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136978B2 (ja) | 1989-08-03 |
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