JPS607343A - 原子吸光分光光度計 - Google Patents
原子吸光分光光度計Info
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- JPS607343A JPS607343A JP59114692A JP11469284A JPS607343A JP S607343 A JPS607343 A JP S607343A JP 59114692 A JP59114692 A JP 59114692A JP 11469284 A JP11469284 A JP 11469284A JP S607343 A JPS607343 A JP S607343A
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- lamp
- information
- atomic absorption
- microprocessor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/3103—Atomic absorption analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/3103—Atomic absorption analysis
- G01N2021/3114—Multi-element AAS arrangements
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、1種以上の元素に特有の共鳴線放射を生じる
光源ランプと、l fMf以上の元素に特有の、選択波
長の放射を通ずモノクロメータと、供給される波長情報
に応答し、前記のモノクロメータを前記の選択波長に設
定する波長制御装置と、マイクロプロセッサと、段数個
の前記の光源ランプのそれぞれの1種以上の元素の各々
と関連する位置に波長情報を保持するメモリと、前記の
マイクロプロセッサが前記の光源ランプの1種以上の元
素を識別しうるようにするイネーブル装置とを具える原
子吸光分光光度計であって、前記のマイクロプロセッサ
は識別された元素に対し前記メモリから取出された波長
情報を前記の波長制御装置に供給するように描成されて
いる原子吸光分光光度計に閃するものである。
光源ランプと、l fMf以上の元素に特有の、選択波
長の放射を通ずモノクロメータと、供給される波長情報
に応答し、前記のモノクロメータを前記の選択波長に設
定する波長制御装置と、マイクロプロセッサと、段数個
の前記の光源ランプのそれぞれの1種以上の元素の各々
と関連する位置に波長情報を保持するメモリと、前記の
マイクロプロセッサが前記の光源ランプの1種以上の元
素を識別しうるようにするイネーブル装置とを具える原
子吸光分光光度計であって、前記のマイクロプロセッサ
は識別された元素に対し前記メモリから取出された波長
情報を前記の波長制御装置に供給するように描成されて
いる原子吸光分光光度計に閃するものである。
上述した分光光度肝は英国特H′F出願第81i113
968号(特開昭58−88626号に対応)明細書に
記載されている。この英国特許出願明細書に記載されて
いる分光光度計は光源ランプを用いており、この光源ラ
ンプはその口金内に収容された抵抗の回路網を有してお
り、この分ツC光度計は更に、ランプから生じる特定の
波長、すなわち共@砿放射により表わされる特定の元素
を前記の抵抗の値から識別する測定回路を有している。
968号(特開昭58−88626号に対応)明細書に
記載されている。この英国特許出願明細書に記載されて
いる分光光度計は光源ランプを用いており、この光源ラ
ンプはその口金内に収容された抵抗の回路網を有してお
り、この分ツC光度計は更に、ランプから生じる特定の
波長、すなわち共@砿放射により表わされる特定の元素
を前記の抵抗の値から識別する測定回路を有している。
本発明の目的は、ランプの元素を識別する他の手段を有
する原子吸光分光う゛C度計を提供せんとするにある。
する原子吸光分光う゛C度計を提供せんとするにある。
本発明は、1種以上の元素に特有の共@線放射を生じる
光源ランプと、1種以上の元素に特有の選択波長の放射
を通すモノクロメータと、供給される波長情報に応答し
、前記のモノクロメータを前記の選択波長に設定する波
長制御装置と、マイクロプロセッサと、複数個の前記の
光源ランフッそれぞれの1f1(以上の元素の各々と関
連する位置に波長情報を保持するメモリと、前記のマイ
クロプロセッサが前記の光源ランプの1種以上の元素を
識別しうるようにするイネーブル装置とを具える原子吸
光分光光度計であって、前記のマイクロプロセッサは品
別された元素に対し前記メモリから取出された波長情報
を前記の波長制御装置に供給するように414成されて
いる原子吸光分光光度計において、前記の光源ランプを
前記の1種以上の、元素を表わすコードにより符号化し
、分光光度計には更にyC学コード読取器と、この光学
コード読取器の出力信号をマイクロプロセッサに供給し
てこのマイクロプロセッサが前記の1種以上の元素を識
別しうるようにする手段とを設けたことを特徴とする。
光源ランプと、1種以上の元素に特有の選択波長の放射
を通すモノクロメータと、供給される波長情報に応答し
、前記のモノクロメータを前記の選択波長に設定する波
長制御装置と、マイクロプロセッサと、複数個の前記の
光源ランフッそれぞれの1f1(以上の元素の各々と関
連する位置に波長情報を保持するメモリと、前記のマイ
クロプロセッサが前記の光源ランプの1種以上の元素を
識別しうるようにするイネーブル装置とを具える原子吸
光分光光度計であって、前記のマイクロプロセッサは品
別された元素に対し前記メモリから取出された波長情報
を前記の波長制御装置に供給するように414成されて
いる原子吸光分光光度計において、前記の光源ランプを
前記の1種以上の、元素を表わすコードにより符号化し
、分光光度計には更にyC学コード読取器と、この光学
コード読取器の出力信号をマイクロプロセッサに供給し
てこのマイクロプロセッサが前記の1種以上の元素を識
別しうるようにする手段とを設けたことを特徴とする。
本発明の一梠成例では、yCCクランプは光学コードを
有するカードが取付けられており、光学コード読取器に
は、前記のカードが挿入されて前記のコードを読取りう
るようにする溝が設けられているようにすることができ
る。他の例では、光源ランプにはその外側表面に光学コ
ードを有するラベルが設けられているようにすることが
できる。
有するカードが取付けられており、光学コード読取器に
は、前記のカードが挿入されて前記のコードを読取りう
るようにする溝が設けられているようにすることができ
る。他の例では、光源ランプにはその外側表面に光学コ
ードを有するラベルが設けられているようにすることが
できる。
分光光度計には更に複数の光源ランプを保持するランプ
タレットを設け、このタレット上の各ランプに対し1個
の光学コード読取器を設けることができる。
タレットを設け、このタレット上の各ランプに対し1個
の光学コード読取器を設けることができる。
本発明の分光光度計では更に、光学コードがランプ動作
電流をも表わし、分光光度計はランプ電源装置を有し、
前記のメモリはランプ電流情報を保持し、マイクロプロ
セッサは前記のメモリからの前記のランプ電流情報と、
光学コード読取器により光学コードから取出された他の
ランプ電流情報とを一緒に用いて前記のランプ電源装置
を制御するようにする。
電流をも表わし、分光光度計はランプ電源装置を有し、
前記のメモリはランプ電流情報を保持し、マイクロプロ
セッサは前記のメモリからの前記のランプ電流情報と、
光学コード読取器により光学コードから取出された他の
ランプ電流情報とを一緒に用いて前記のランプ電源装置
を制御するようにする。
また、1つの前記ランプの1つの元素ニ対シテ1つ以上
の試料を分析する分光光度計の分析作動が、少くともこ
の分析の持紋時間中読取り一書込みメモリ内に常に蓄わ
えられている1つの情報組を用いるようになっているマ
イクロプロセッサ【こより制御され、前記の情報組は、
前記の元素【こ対し読取り専用メモリから取出すことが
でき前記の波長情報を含む元素関連情報を、前記の1つ
以上の試料に対し他の個所から取出しつる試料関連情報
と一緒に有しているようにすることができる。
の試料を分析する分光光度計の分析作動が、少くともこ
の分析の持紋時間中読取り一書込みメモリ内に常に蓄わ
えられている1つの情報組を用いるようになっているマ
イクロプロセッサ【こより制御され、前記の情報組は、
前記の元素【こ対し読取り専用メモリから取出すことが
でき前記の波長情報を含む元素関連情報を、前記の1つ
以上の試料に対し他の個所から取出しつる試料関連情報
と一緒に有しているようにすることができる。
また、分光te度計が1個よりも多い複数のyCCクラ
ンプ一時に保持する保持手段を具え、このように保持さ
れたツC#、ランプの各々に対し光学コード読取器が設
けられており、これら光学コード読取器の出力端子は前
記のマイクロプロセッサに接、続されており、分光光度
計が更に、前記のランプのうち一時に1個のランプをモ
ノクロメータの光路内に保持するように位置決めする位
置決め手段を具え、1組の元素のうちの各元素に対して
前記の1つ以上の試料・を順次に分析する分光光度計の
分析作動シーケンスは、前記の1組の元素の各元素を表
わず放射を放出する前記のランプをモノクロメータのツ
C路中に順次に配置’f:tするように前記の保持およ
び位16決め手段を制御するマイクロプロセッサであっ
て前記の1組の元素の各元素に対し1つの情報組となる
ように複数の情報組の各情報を順次に使用するようにし
たマイクロプロセッサにより制御i1 L、前記の1組
の元素の各元素に対する光源ランプは前記の枚数のyC
Cクランプ一部であり、nう記の複数の情報組は少くと
も前記の分析作動シーケンスの持続時間中宮に読取り一
書込みメモリ内に蓄わえておくようにすることができる
。
ンプ一時に保持する保持手段を具え、このように保持さ
れたツC#、ランプの各々に対し光学コード読取器が設
けられており、これら光学コード読取器の出力端子は前
記のマイクロプロセッサに接、続されており、分光光度
計が更に、前記のランプのうち一時に1個のランプをモ
ノクロメータの光路内に保持するように位置決めする位
置決め手段を具え、1組の元素のうちの各元素に対して
前記の1つ以上の試料・を順次に分析する分光光度計の
分析作動シーケンスは、前記の1組の元素の各元素を表
わず放射を放出する前記のランプをモノクロメータのツ
C路中に順次に配置’f:tするように前記の保持およ
び位16決め手段を制御するマイクロプロセッサであっ
て前記の1組の元素の各元素に対し1つの情報組となる
ように複数の情報組の各情報を順次に使用するようにし
たマイクロプロセッサにより制御i1 L、前記の1組
の元素の各元素に対する光源ランプは前記の枚数のyC
Cクランプ一部であり、nう記の複数の情報組は少くと
も前記の分析作動シーケンスの持続時間中宮に読取り一
書込みメモリ内に蓄わえておくようにすることができる
。
図面につき本発明を説明する。
第1図に示すように、単−元累中空陰極うンブHOLの
形態の共鳴線yC源ランプは密封された容、器SE内に
入れられブこ中空陰極′1―極OAおよび陽極電極AN
を有する。容glP S Eには口金BAが取付けられ
ており、この口金BAは陽極ANおよび陰極OAがそれ
ぞれ接続された2本の端子ビンP1およびP2を有して
おり、これら端子ビンP1およびP2は口金BAから突
出している。これら端子ビンはランプ電源装置LPS
(第4図参照)から陽極ANおよび陰極OAへの接続手
段を植成する。
形態の共鳴線yC源ランプは密封された容、器SE内に
入れられブこ中空陰極′1―極OAおよび陽極電極AN
を有する。容glP S Eには口金BAが取付けられ
ており、この口金BAは陽極ANおよび陰極OAがそれ
ぞれ接続された2本の端子ビンP1およびP2を有して
おり、これら端子ビンP1およびP2は口金BAから突
出している。これら端子ビンはランプ電源装置LPS
(第4図参照)から陽極ANおよび陰極OAへの接続手
段を植成する。
中空陰極ランプ)i 0 Lの容h/i S Eには光
学的なバーコードを有するラベルLAをはりつける。こ
のyC学的なバーコードはランプの元ノ;を表わしてお
り、これにより、ランプ電源装置IIL P Sから供
給されるランプHOLに必要と71−る電流をも表わす
ことができる。このラベルLAのコードを読取る為にy
C学的なコード読取+H7Ho ORを設け、このコー
ド読取);gによりコードに依存するjiff気出力全
出力しぬ、この電気出力を分)°C元度計内のマイクロ
プロセッサμPに供給する(第4図参照)。
学的なバーコードを有するラベルLAをはりつける。こ
のyC学的なバーコードはランプの元ノ;を表わしてお
り、これにより、ランプ電源装置IIL P Sから供
給されるランプHOLに必要と71−る電流をも表わす
ことができる。このラベルLAのコードを読取る為にy
C学的なコード読取+H7Ho ORを設け、このコー
ド読取);gによりコードに依存するjiff気出力全
出力しぬ、この電気出力を分)°C元度計内のマイクロ
プロセッサμPに供給する(第4図参照)。
第2図は中空陰極ランプ)L CIjを有する他のう、
ンプアセンブリを示し、このランプIt CLには、そ
の口金LIAに設けたラグLUにあけた孔に通した線状
可LL体STによってカーFCCを取付ける。
ンプアセンブリを示し、このランプIt CLには、そ
の口金LIAに設けたラグLUにあけた孔に通した線状
可LL体STによってカーFCCを取付ける。
このカードCGはランプの元素を表わす光学的なコード
を有しており、このコードによりランプ動作!”= b
’+iをも表わすことができる。
を有しており、このコードによりランプ動作!”= b
’+iをも表わすことができる。
ツC学的なバーコードへ〜・バーコード読取器は通常の
ものでと5す、広く、例えばスーパーマーケットの商品
を名]号化して自動読取りするのに用いられているもの
とするも、いかなるノじ態の光学符号や。
ものでと5す、広く、例えばスーパーマーケットの商品
を名]号化して自動読取りするのに用いられているもの
とするも、いかなるノじ態の光学符号や。
適当なんaIC1器を用いることかでさる。カードG。
をゼん孔により符号化し、このカードを装置の光路に通
し、カードの孔か光路を通過すると分光元度田検出器に
より信号を生せしめるようにすることもでさる。この信
号はマイクロプロセッサに供。
し、カードの孔か光路を通過すると分光元度田検出器に
より信号を生せしめるようにすることもでさる。この信
号はマイクロプロセッサに供。
給して復号化し、適合するランプを決定する。この揚台
まず最初にすべてのランプにとって安全な電流をランプ
に供給し、次に符号が読取られた際に電流を特定の値ま
で増大させる8貿がある。個別のツC源−,5よび検出
eH′iと関連するせん孔カードを、用いることもでき
る。カードは、ツ0学的なコードを有する棒状体のよう
な他の形態のものと置き換えるこ、とができる。
まず最初にすべてのランプにとって安全な電流をランプ
に供給し、次に符号が読取られた際に電流を特定の値ま
で増大させる8貿がある。個別のツC源−,5よび検出
eH′iと関連するせん孔カードを、用いることもでき
る。カードは、ツ0学的なコードを有する棒状体のよう
な他の形態のものと置き換えるこ、とができる。
第3図は、4つの光源ランプ)IOLI〜HOL4と4
つのコード読取’tri OCR1〜00R4とを有す
る回転テーブルの形態のタレットTUを示す。
つのコード読取’tri OCR1〜00R4とを有す
る回転テーブルの形態のタレットTUを示す。
ランプHOLI〜HOL4は第2図に示す型のものとし
、コード読取器00R1〜00R4の各々には符号化さ
れたカードGot〜GO4が挿入される1lf40 O
S 1〜0034を設ける。この構成の1場合、カード
の存在を常にモニタすることができ、従って挿入された
ランプのff1u4も常にモニタすることができるとい
う利点が得られる。光学的なコードを常にモニタしなく
ても、ランプ電源装置LPSから供給される電流をモニ
タすることによりランプがソケットから4友かれたこと
を容易に検出することができる。その理由は、ランプが
抜かれると、ソケットに供給されている電流が零に降下
する為である。
、コード読取器00R1〜00R4の各々には符号化さ
れたカードGot〜GO4が挿入される1lf40 O
S 1〜0034を設ける。この構成の1場合、カード
の存在を常にモニタすることができ、従って挿入された
ランプのff1u4も常にモニタすることができるとい
う利点が得られる。光学的なコードを常にモニタしなく
ても、ランプ電源装置LPSから供給される電流をモニ
タすることによりランプがソケットから4友かれたこと
を容易に検出することができる。その理由は、ランプが
抜かれると、ソケットに供給されている電流が零に降下
する為である。
第1および2図につき説明したランプアセンブリは単−
元素中空陰極ランプでbるか、1種以上の元素に1″、
′i府な共鳴線放射を生じる他のランプをも同杵に用い
ることができる。このようなランプには、多元素中空陰
ね3ランプや無心極数電灯が含まれる。
元素中空陰極ランプでbるか、1種以上の元素に1″、
′i府な共鳴線放射を生じる他のランプをも同杵に用い
ることができる。このようなランプには、多元素中空陰
ね3ランプや無心極数電灯が含まれる。
第4図は、第2図につき説明したランプHOLに応じて
それぞれ構成した4個の単一元素中空陰極ランプHOL
I〜LLOL4を保持するIJJi、子吸光分光光度計
を示し、これらのランプHOL1〜)LOL4はツじ学
コード読取器0CR1〜0(3R4にそれぞれ接続され
ており、これらye学コード読取器の出力”+1!i1
子はマイクロプロセッサμP&こ接続されている。これ
ら4個のランプHOLY〜HOL4はタレットTU内に
保持され、このタレットはタレツ) fli(J (卸
手段’]’UGで動作ぎせられ、一時に(よ4個のラン
プ)IOLI〜HCL4のうちの選択された1つを分光
ツ0度計の光路内に置く。fAS4図はランプl(G
L iがyC路内にあるところを示す。ランプI(OL
Iの陰極CALから放出された放射はアトマイザATを
通る。このアトマイザATは通常の火、炎形とすること
もできるし、’1lfl 熱炉形とするごともできる。
それぞれ構成した4個の単一元素中空陰極ランプHOL
I〜LLOL4を保持するIJJi、子吸光分光光度計
を示し、これらのランプHOL1〜)LOL4はツじ学
コード読取器0CR1〜0(3R4にそれぞれ接続され
ており、これらye学コード読取器の出力”+1!i1
子はマイクロプロセッサμP&こ接続されている。これ
ら4個のランプHOLY〜HOL4はタレットTU内に
保持され、このタレットはタレツ) fli(J (卸
手段’]’UGで動作ぎせられ、一時に(よ4個のラン
プ)IOLI〜HCL4のうちの選択された1つを分光
ツ0度計の光路内に置く。fAS4図はランプl(G
L iがyC路内にあるところを示す。ランプI(OL
Iの陰極CALから放出された放射はアトマイザATを
通る。このアトマイザATは通常の火、炎形とすること
もできるし、’1lfl 熱炉形とするごともできる。
分光光度計により分4ノすする試料は自動サンプラ制御
手段ASCにより作動させられる自動サンプラAsから
アトマ・rザATに供給され、このアトマイザATはア
トマイザ制御手段ATOにより動作させられる。放射は
アトマイザATを通過した後、モノクロメ−、夕M N
を通り抜ける。
手段ASCにより作動させられる自動サンプラAsから
アトマ・rザATに供給され、このアトマイザATはア
トマイザ制御手段ATOにより動作させられる。放射は
アトマイザATを通過した後、モノクロメ−、夕M N
を通り抜ける。
モノクロメータを通り抜ける放射の波長は波長制御f[
MWoにより選択され、モノクロメータM Nの通過帯
域、即ちスリット幅はスリット制御手段ISOにより選
択される。ツC電子増倍管検出器DETは振幅がモノク
ロメータM Nから生じる放射の強度に比例する電圧イ
を号を出力し、対数変換器LGがこの光電子増倍管検出
器DETの出力の対数に比例して増幅され7と電圧信号
を出力する。
MWoにより選択され、モノクロメータM Nの通過帯
域、即ちスリット幅はスリット制御手段ISOにより選
択される。ツC電子増倍管検出器DETは振幅がモノク
ロメータM Nから生じる放射の強度に比例する電圧イ
を号を出力し、対数変換器LGがこの光電子増倍管検出
器DETの出力の対数に比例して増幅され7と電圧信号
を出力する。
アトマイザATに供給されて分析されたサンプルの元素
の濃度は本質的に対数要(カ器LGの出力信号に比例す
る。
の濃度は本質的に対数要(カ器LGの出力信号に比例す
る。
ランプ)IOLI〜I(OL4の各々の2個の電極がラ
ンプ電源装置I、PSに接続されるが、第4図では、中
空陰極’+’+、i極CA1等の接続をそれぞれ1本の
接1絖線で511′、AQXJに示しているだけである
。分光yC度計の作6j、IJ ニ当ッテは、ランフH
OL 1 □HCL 4 ニ取付けたカードOC1〜0
04をyt学コード読取器00RI〜ocn4内に挿入
されると直ちにこれらyc学コード読取器がこれらカー
ド上の光学コードを?& 取る。この読取りはバックグ
ランドチェックルーチンとして繰返され、このルーチン
は分光光度計によって生ぜしめられるアナログ信号、例
えば対数変(カ器LGの出力をアナログ−デジタル変換
器ADOを経てマイクロプロセッサに供給する必要かあ
る1祭に中断される。このバックグランドチェックルー
チンは例えばランプが所妾位置に存在しない場合に誤り
信号を発生させるのに用いることができる。
ンプ電源装置I、PSに接続されるが、第4図では、中
空陰極’+’+、i極CA1等の接続をそれぞれ1本の
接1絖線で511′、AQXJに示しているだけである
。分光yC度計の作6j、IJ ニ当ッテは、ランフH
OL 1 □HCL 4 ニ取付けたカードOC1〜0
04をyt学コード読取器00RI〜ocn4内に挿入
されると直ちにこれらyc学コード読取器がこれらカー
ド上の光学コードを?& 取る。この読取りはバックグ
ランドチェックルーチンとして繰返され、このルーチン
は分光光度計によって生ぜしめられるアナログ信号、例
えば対数変(カ器LGの出力をアナログ−デジタル変換
器ADOを経てマイクロプロセッサに供給する必要かあ
る1祭に中断される。このバックグランドチェックルー
チンは例えばランプが所妾位置に存在しない場合に誤り
信号を発生させるのに用いることができる。
マイクロコンピュータMOPはマイクロプロセッサμP
と、このマイクロプロセッサμPで処理するためにデー
タを一時釣に保持する揮発性の読取り一貫込みメモリR
AMと、マイクロプロセッサμPの動作を制御するプロ
グラム情報を保持する、メモリROMとを具える。メモ
リROMは通常読取り専用メモリである。バスBSはマ
イクロプロセッサμPを読取り一會込みメモ!JRAM
、読取り専用メモリROM 、アナログ−デジタル変換
器ADO,ランチ回路手段LH1ランプ電源装置LPS
、タレット制御手段TUO,自動すンフラ制御手段AS
O,アトマイザ制御手段ATO,スリット制御手段I
SOおよび波長制御手段MWOに接続する。
と、このマイクロプロセッサμPで処理するためにデー
タを一時釣に保持する揮発性の読取り一貫込みメモリR
AMと、マイクロプロセッサμPの動作を制御するプロ
グラム情報を保持する、メモリROMとを具える。メモ
リROMは通常読取り専用メモリである。バスBSはマ
イクロプロセッサμPを読取り一會込みメモ!JRAM
、読取り専用メモリROM 、アナログ−デジタル変換
器ADO,ランチ回路手段LH1ランプ電源装置LPS
、タレット制御手段TUO,自動すンフラ制御手段AS
O,アトマイザ制御手段ATO,スリット制御手段I
SOおよび波長制御手段MWOに接続する。
読取り専用メモリROMは、プログラム情報を保持する
のに加えて、分光光度計に使用しうる複数個の単−元素
中空陰ネ](ランプの各々の元素関連情報をも保持する
。60個以上のこのような単一元素中空陰極ランプが存
在しうるも、任意の一時にカードをコード読取器OCR
内に挿入、して分光1光度肝内に配置しつるのは1個ま
たは数個のみ、例えば4個のランプHOLI NHOL
4である。マイクロプロセッサμPは1個まlこは数個
のランプの元素を識別する状態にしておく。第4図に示
す4個のランプHCLI〜HOL 4の場合、この識別
はマ、イクpプロセッサがラッチ回路手段L I(ヲ介
しマ。
のに加えて、分光光度計に使用しうる複数個の単−元素
中空陰ネ](ランプの各々の元素関連情報をも保持する
。60個以上のこのような単一元素中空陰極ランプが存
在しうるも、任意の一時にカードをコード読取器OCR
内に挿入、して分光1光度肝内に配置しつるのは1個ま
たは数個のみ、例えば4個のランプHOLI NHOL
4である。マイクロプロセッサμPは1個まlこは数個
のランプの元素を識別する状態にしておく。第4図に示
す4個のランプHCLI〜HOL 4の場合、この識別
はマ、イクpプロセッサがラッチ回路手段L I(ヲ介
しマ。
順次に間合わせる光学コード読取器00RI〜0CR4
の出力に応谷する。マイクロプロセッサμPは更に、元
素が識別され且つ分光光度計の光路内に存在する1つの
ランプに対し読取り専用メモリROMから取出された波
長′177報を波長制御手段Mwcに供給する。タレッ
)TUおよびタレント制御手段TUGはマイクロプロセ
ッサμPが分光光度計の光路内に存在するランプを識別
しうるようにする手段を含んでいる。
の出力に応谷する。マイクロプロセッサμPは更に、元
素が識別され且つ分光光度計の光路内に存在する1つの
ランプに対し読取り専用メモリROMから取出された波
長′177報を波長制御手段Mwcに供給する。タレッ
)TUおよびタレント制御手段TUGはマイクロプロセ
ッサμPが分光光度計の光路内に存在するランプを識別
しうるようにする手段を含んでいる。
読取り専用メモリROMはまたランプ電流情報をも保持
している。マイクロプロセッサμPは元素が光学コード
読取手段OCRを介して識別された1個または数個のラ
ンプに対するこのランプ電流’I7J報を用いてランプ
電源装置LPSを制御する。
している。マイクロプロセッサμPは元素が光学コード
読取手段OCRを介して識別された1個または数個のラ
ンプに対するこのランプ電流’I7J報を用いてランプ
電源装置LPSを制御する。
マイクロプロセッサμPは、光学コード読取器により光
学コードから取出したjσ大ラうプTE流情報と売取り
専用メモリROMから取出したランプ電流情報とを組合
せて用いてランプ電源装置Hi、 P Sを制御するよ
うにするのが有利である。光学コー、ドがそれぞれのラ
ンプの最大ランプ動作電流を表わす情報エレメントを含
まない場合には、読取り専用メモIJ ROM内のラン
プ’iu 5iE情報を分光光度計に用いうる複数個の
中空陰極ランプの各々の各元素と関連する記憶位置に保
持しておき、それぞれのランプの動作電流を完全に決定
しうるようMできる。
学コードから取出したjσ大ラうプTE流情報と売取り
専用メモリROMから取出したランプ電流情報とを組合
せて用いてランプ電源装置Hi、 P Sを制御するよ
うにするのが有利である。光学コー、ドがそれぞれのラ
ンプの最大ランプ動作電流を表わす情報エレメントを含
まない場合には、読取り専用メモIJ ROM内のラン
プ’iu 5iE情報を分光光度計に用いうる複数個の
中空陰極ランプの各々の各元素と関連する記憶位置に保
持しておき、それぞれのランプの動作電流を完全に決定
しうるようMできる。
情報が読取り専用メモリに苗わえられている後数個の中
実陰極ランプの1つの単一元素に関して1個以上の試料
を分析する分光yC度度肝当該分析動作を行なうために
は元素に関する情報と試料に閃する情報との両刀が必要
である。分光光度肝の自動動作はこれら両刀のJ4 ’
J’ftの情報を組合せて情報の組を形成し、この情報
の組を少なくとも当該分析の持続詩同中不揮兄性の読取
り一舎込みメモリNVM内に常に蓄わえるようにするこ
とにより容易となる。マイクロプロセッサμPはノくス
BSによりメモリNVMに接ワ゛シされていて、この情
報の組を用いて前記の分析を制御するようになっている
。
実陰極ランプの1つの単一元素に関して1個以上の試料
を分析する分光yC度度肝当該分析動作を行なうために
は元素に関する情報と試料に閃する情報との両刀が必要
である。分光光度肝の自動動作はこれら両刀のJ4 ’
J’ftの情報を組合せて情報の組を形成し、この情報
の組を少なくとも当該分析の持続詩同中不揮兄性の読取
り一舎込みメモリNVM内に常に蓄わえるようにするこ
とにより容易となる。マイクロプロセッサμPはノくス
BSによりメモリNVMに接ワ゛シされていて、この情
報の組を用いて前記の分析を制御するようになっている
。
、 メモIJ M V M内の各情報の組のうちの元素
に関連する情報は、それぞれのランプの元素が減刑され
た際にマイクロプロセッサμPにより、読取り専用メモ
IJ ROMから取出されたメモリN V Mに転送さ
れる。この元素に関連する情報は前述した波長情報と、
スリット制御手段MSOに供給されるスリット幅情報と
を含む。アトマイザATか人 。
に関連する情報は、それぞれのランプの元素が減刑され
た際にマイクロプロセッサμPにより、読取り専用メモ
IJ ROMから取出されたメモリN V Mに転送さ
れる。この元素に関連する情報は前述した波長情報と、
スリット制御手段MSOに供給されるスリット幅情報と
を含む。アトマイザATか人 。
炎形の場合は、読取り専用メモIJ ROMから読取ら
れる元素関連情報には、アトマイザ制御手段ATOに供
給される燃料のNli煩および流1’rtを識別する情
報を含み、また−)0定時間情報をも含むこともできる
。対数変換器LGおよびアナログ−デジタル変換器AD
Oを介して供給される検出器DETの出力信号かその信
号の雑音を小さくするためにマイクロプロセッサμPに
より平均化される時fd)は上記の測定時間情報により
決まる。アトマイザATが電熱炉形の場合にも、元素に
関連する情報に波長′l’+’j報とスリット幅情報と
を含ませ、この元素関連情報には更にアトマイザ制御手
段A、TOに供給される炉加熱サイクル情報を含ませる
。更に、検出器DETの出力信号のピークの高さおよび
ピークの範囲を決める為の測定時間情報をこの元素関連
情報に含めることもでざる。
れる元素関連情報には、アトマイザ制御手段ATOに供
給される燃料のNli煩および流1’rtを識別する情
報を含み、また−)0定時間情報をも含むこともできる
。対数変換器LGおよびアナログ−デジタル変換器AD
Oを介して供給される検出器DETの出力信号かその信
号の雑音を小さくするためにマイクロプロセッサμPに
より平均化される時fd)は上記の測定時間情報により
決まる。アトマイザATが電熱炉形の場合にも、元素に
関連する情報に波長′l’+’j報とスリット幅情報と
を含ませ、この元素関連情報には更にアトマイザ制御手
段A、TOに供給される炉加熱サイクル情報を含ませる
。更に、検出器DETの出力信号のピークの高さおよび
ピークの範囲を決める為の測定時間情報をこの元素関連
情報に含めることもでざる。
メモIJ N V M内の各′111報の組のうち試料
に関連する情報は、分光光度肝の使用者がバスBSを介
してマイクロプロセラづμFに接続されているキーバッ
ドKPDによりメモリN V M内の適当な記憶位置に
入れることができる。この試料関連情報には自動ザンプ
ラAS内に保持すべき標準濃度の試料の数とこれらの標
i4+S試相のi5:i度を識別する情報とを含む。分
光光度泪には通′j(3バックグランド補正手段(これ
は周知であり、詳述しない)が設けられており、この場
合試Ji関連情報が特定の分析でバックグランド補正を
用いるべさか否かをも指示する。この元素関連117
報には、モノクロメータを通過ずべさ放射の波長が成る
値以上である元素に対してバックグランド補正をスイッ
チオフさせるオーバーライド(無効)命令を含めること
もできる。
に関連する情報は、分光光度肝の使用者がバスBSを介
してマイクロプロセラづμFに接続されているキーバッ
ドKPDによりメモリN V M内の適当な記憶位置に
入れることができる。この試料関連情報には自動ザンプ
ラAS内に保持すべき標準濃度の試料の数とこれらの標
i4+S試相のi5:i度を識別する情報とを含む。分
光光度泪には通′j(3バックグランド補正手段(これ
は周知であり、詳述しない)が設けられており、この場
合試Ji関連情報が特定の分析でバックグランド補正を
用いるべさか否かをも指示する。この元素関連117
報には、モノクロメータを通過ずべさ放射の波長が成る
値以上である元素に対してバックグランド補正をスイッ
チオフさせるオーバーライド(無効)命令を含めること
もできる。
単一元素に閃して1個以上のit【i: Flを分析し
た結、果はマイクロコンピュータ−MCPの揮発性の読
取り−i)込みメモIJ RA Hに一時的に蓄わえら
れ、最終的には適当なレコーダ、例えばバスBSにより
マイクロプロセッサμPに接続されている図示のプリン
タPRIに、場合に応じ表示装置(図示せず)にも出力
される。
た結、果はマイクロコンピュータ−MCPの揮発性の読
取り−i)込みメモIJ RA Hに一時的に蓄わえら
れ、最終的には適当なレコーダ、例えばバスBSにより
マイクロプロセッサμPに接続されている図示のプリン
タPRIに、場合に応じ表示装置(図示せず)にも出力
される。
説明の都合上、自動サンプラASは場合に応じ火炎形ア
トマイザATまたは電熱炉形アトマイザATのいずれか
と使用するのに特に適した種類のものとする。また、自
動サンプラ制御手段ASOは通常は部分的に特定の自動
サンプラAsに特有なもので、この自動サンプラ内に配
置されており、更に部分的にマイクロプロセッサμPと
永久的に関連して分光光度肝の本体内に配置されている
。
トマイザATまたは電熱炉形アトマイザATのいずれか
と使用するのに特に適した種類のものとする。また、自
動サンプラ制御手段ASOは通常は部分的に特定の自動
サンプラAsに特有なもので、この自動サンプラ内に配
置されており、更に部分的にマイクロプロセッサμPと
永久的に関連して分光光度肝の本体内に配置されている
。
原子殴九分元う°C度肝には本来的にある一種のアトマ
イザを設け、且つこの分ツ0元度計を付属品としての他
の種類のアトマイザと使用しうるようにすることは周知
である。例えは本来的には火炎モードで使用されるが、
電熱炉モードでも使用しうる原子吸ツC分光yC度計が
知られている。この場合電2熱炉用のアトマイザ制御手
段ATOはこの電熱炉1とともに伺属品として設けられ
、この電熱炉心は、装置の本体内に配置されて永久的に
マイクロプロセッサμPと関連するものではない。また
適当なセンサ(図示せず)を設け、自動サンプラAsお
よびアトマイザATの種類をi& 別し、マイクロプロ
セッサμPを適切に動作させるようにする。ここに述べ
たアトマイザ制御手段が分光光度計の付属品として設け
られる上述した場合には、これGこ不揮発性の読取り一
書込みメモリを設け、複数組の炉加熱サイクル情報をこ
のメモリに蓄ねえるようにすることができる。この情報
は上述したところでは読取り専用メモIJ ROMから
取り出されるものとして述べられているか、このように
せずに電熱炉アトマイザ制御手段ATOの不揮発性読取
り書込みメモリ内に蓄わえ、この不揮発性読取り一書込
みメモリが分析のための全部の情報の組を蓄わえる不揮
発性読取り一τ15込みメモIJNVM(7)一部とみ
なしうるようにすることができる。
イザを設け、且つこの分ツ0元度計を付属品としての他
の種類のアトマイザと使用しうるようにすることは周知
である。例えは本来的には火炎モードで使用されるが、
電熱炉モードでも使用しうる原子吸ツC分光yC度計が
知られている。この場合電2熱炉用のアトマイザ制御手
段ATOはこの電熱炉1とともに伺属品として設けられ
、この電熱炉心は、装置の本体内に配置されて永久的に
マイクロプロセッサμPと関連するものではない。また
適当なセンサ(図示せず)を設け、自動サンプラAsお
よびアトマイザATの種類をi& 別し、マイクロプロ
セッサμPを適切に動作させるようにする。ここに述べ
たアトマイザ制御手段が分光光度計の付属品として設け
られる上述した場合には、これGこ不揮発性の読取り一
書込みメモリを設け、複数組の炉加熱サイクル情報をこ
のメモリに蓄ねえるようにすることができる。この情報
は上述したところでは読取り専用メモIJ ROMから
取り出されるものとして述べられているか、このように
せずに電熱炉アトマイザ制御手段ATOの不揮発性読取
り書込みメモリ内に蓄わえ、この不揮発性読取り一書込
みメモリが分析のための全部の情報の組を蓄わえる不揮
発性読取り一τ15込みメモIJNVM(7)一部とみ
なしうるようにすることができる。
不揮発性読取り一書込みメモIJ N V M &ま上
述し、た複数の情報組を蓄わえる記憶容置を有する。斯
くして自動サンプラAS内に保持されている1個以上の
試別を一組の元素の各々について順次に分析する分光光
度計の分析シーケンスは、複数の情報組の各々を順次に
用いるように、すなわち元素の組の各元素につき1つの
情報組を用いるようにしであるマイクロプロセッサμP
により制御される。’tM hのff7報組は少なくと
も分析シーケンスの持続時間中読取り一書込みメモIJ
N V bi内に常に蓄わえておく。例えばメモ+J
N V Mは第4図に示した4個の単一元素中空陰極
ランプIf OL 1〜HOL4の各々に対し1つの情
報組となる少なくとも4つの情報組を蓄わえる容量を有
する。このような4個のンンプを用いる場合、各情報組
内の元素関連情報は読取り専用メモIJ ROMから取
出される。
述し、た複数の情報組を蓄わえる記憶容置を有する。斯
くして自動サンプラAS内に保持されている1個以上の
試別を一組の元素の各々について順次に分析する分光光
度計の分析シーケンスは、複数の情報組の各々を順次に
用いるように、すなわち元素の組の各元素につき1つの
情報組を用いるようにしであるマイクロプロセッサμP
により制御される。’tM hのff7報組は少なくと
も分析シーケンスの持続時間中読取り一書込みメモIJ
N V bi内に常に蓄わえておく。例えばメモ+J
N V Mは第4図に示した4個の単一元素中空陰極
ランプIf OL 1〜HOL4の各々に対し1つの情
報組となる少なくとも4つの情報組を蓄わえる容量を有
する。このような4個のンンプを用いる場合、各情報組
内の元素関連情報は読取り専用メモIJ ROMから取
出される。
分ツC元度計は、それぞれの元素を識別するように符号
化され第1および2図につき説明したランプ以外のラン
プにも適用することができる。例えば4個のタレットラ
ンプ位置の各々に通常の単一元素中空陰極ランプを装着
することもできる。この、場合には分光光度計の使用者
は、キーバンドKPDにより各ランプの元素を識別する
情報をマイクロプロセッサμPに簡単に与えることがで
き、マイクロプロセッサμPはこれに応答して読取り専
用メモIJ ROMから必要なすべての元素関連情報を
取出し、それを不揮発性メモIJ N V Mに転送し
て用いうCようにすることができる。イ曳の例では、通
常の無電極放電ランプを4個のタレットランプ位置の各
々に装置することができる。この場合も使用者はキーバ
ッドKPDによりランプのそれぞれの元素を識別する情
報を与え、この場合使用者は更に無電極放電管を動作さ
せるための補助電源用の情報を与える必要がある。更に
他の例では多元素中空陰極ランプを使用することができ
る。これらのランプは通常のランプとすることができ、
この場合は使用者はキーバッドKPDによりランプが多
元素ランプであると識別する情報と、ランプの元素を識
別する情報と、ランプ電流情報とを与える。その変形例
としては、多元素中空陰極ランプに光学的に符号化され
たカードを設け、この、カードを光学コード読取器によ
り読取ることによりランプ電流゛ト?1報とこのランプ
を多元素ランプであると識別する情報とを生せしめるよ
うにすることができる。この場合は使用者がキーバッド
KPDによりランプの元素を品別する情報を与えるもの
であり、マイクロプロセッサμPは読取り専用メモIJ
R01,iから元素関連情報を取出してこれを各元素
に対する不揮発性読取り一書込みメモIJNVM内の個
別の情報組に転送するようになっている。
化され第1および2図につき説明したランプ以外のラン
プにも適用することができる。例えば4個のタレットラ
ンプ位置の各々に通常の単一元素中空陰極ランプを装着
することもできる。この、場合には分光光度計の使用者
は、キーバンドKPDにより各ランプの元素を識別する
情報をマイクロプロセッサμPに簡単に与えることがで
き、マイクロプロセッサμPはこれに応答して読取り専
用メモIJ ROMから必要なすべての元素関連情報を
取出し、それを不揮発性メモIJ N V Mに転送し
て用いうCようにすることができる。イ曳の例では、通
常の無電極放電ランプを4個のタレットランプ位置の各
々に装置することができる。この場合も使用者はキーバ
ッドKPDによりランプのそれぞれの元素を識別する情
報を与え、この場合使用者は更に無電極放電管を動作さ
せるための補助電源用の情報を与える必要がある。更に
他の例では多元素中空陰極ランプを使用することができ
る。これらのランプは通常のランプとすることができ、
この場合は使用者はキーバッドKPDによりランプが多
元素ランプであると識別する情報と、ランプの元素を識
別する情報と、ランプ電流情報とを与える。その変形例
としては、多元素中空陰極ランプに光学的に符号化され
たカードを設け、この、カードを光学コード読取器によ
り読取ることによりランプ電流゛ト?1報とこのランプ
を多元素ランプであると識別する情報とを生せしめるよ
うにすることができる。この場合は使用者がキーバッド
KPDによりランプの元素を品別する情報を与えるもの
であり、マイクロプロセッサμPは読取り専用メモIJ
R01,iから元素関連情報を取出してこれを各元素
に対する不揮発性読取り一書込みメモIJNVM内の個
別の情報組に転送するようになっている。
分光光度計には手動オーバーライド機能を持たせ、これ
によらなければ読取り専用メモIJ ROMから取出さ
れる情報とは異なる元素関連情報を使用者がキーバッド
KPDにより不揮発性読取り一書込みメモ’J NVM
内の情報組内に入れるようにすることかでざる。
によらなければ読取り専用メモIJ ROMから取出さ
れる情報とは異なる元素関連情報を使用者がキーバッド
KPDにより不揮発性読取り一書込みメモ’J NVM
内の情報組内に入れるようにすることかでざる。
外部の81算機(図示せず)を適当なインタフェース回
路を介してバスBSに接続することができる。外部計算
機の1つの用途は不揮発性読取り一書込みメモリNVM
の機能を増強ざゼることにより分yCyC度計の自動動
作を更に容易にすることに、ある。例えば前述したよう
に元素関連情報と試料関連情報とから戎る情報組が特定
の分析のために不揮発性メモIJ N V M内に一旦
入れられると、中途で不揮発性メモ!J N V 1/
Lの記憶容iItが他の分析の為に完全に用いられてい
るとしても前記の情報組を外部コンピュータに111&
送し、これを後の任意の時刻に再び呼出して前記のq′
予定の分析を反復するのに使用することができる。
路を介してバスBSに接続することができる。外部計算
機の1つの用途は不揮発性読取り一書込みメモリNVM
の機能を増強ざゼることにより分yCyC度計の自動動
作を更に容易にすることに、ある。例えば前述したよう
に元素関連情報と試料関連情報とから戎る情報組が特定
の分析のために不揮発性メモIJ N V M内に一旦
入れられると、中途で不揮発性メモ!J N V 1/
Lの記憶容iItが他の分析の為に完全に用いられてい
るとしても前記の情報組を外部コンピュータに111&
送し、これを後の任意の時刻に再び呼出して前記のq′
予定の分析を反復するのに使用することができる。
第4図につき上述した原子吸yC分)′C光度肝の説明
においては、このような分光ツC度計の本発明に関連す
る特徴だけを述べたが、通常の他の特徴も存在させるこ
とができる。例えば、ランプ電源装置の出力は通常変調
されており、検出器DE’I’からの信号はこれに応じ
て対数変換器LGで処理する前に復調する。また検出器
DETに自動とすることができる利得制御をかけること
もできる。また二重ビーム動作を行なわせること、すな
わちアトマイザを側路する基準)°C路を設け、この基
準yr路から1得られる信号を用いて機器、特に中空陰
極ランプの出力および検出器出力のドリフトを除去、す
る基線補正を行なうことは原子吸光分光光度計。
においては、このような分光ツC度計の本発明に関連す
る特徴だけを述べたが、通常の他の特徴も存在させるこ
とができる。例えば、ランプ電源装置の出力は通常変調
されており、検出器DE’I’からの信号はこれに応じ
て対数変換器LGで処理する前に復調する。また検出器
DETに自動とすることができる利得制御をかけること
もできる。また二重ビーム動作を行なわせること、すな
わちアトマイザを側路する基準)°C路を設け、この基
準yr路から1得られる信号を用いて機器、特に中空陰
極ランプの出力および検出器出力のドリフトを除去、す
る基線補正を行なうことは原子吸光分光光度計。
で周知の選択弔項である。長時間に亘り自動動作できる
第4図につき前述した分ツC光度計の場合は、二重ビー
ム動作は特に有利であり、殆んどの場合これを用いる。
第4図につき前述した分ツC光度計の場合は、二重ビー
ム動作は特に有利であり、殆んどの場合これを用いる。
第4図に示した分光yC度計の動作の流れ図を第5図に
示す。
示す。
動作1は「スイッチオン」で、使用者が分光光度計への
11源をスイッチオンする。動作2は「?/J期1設定
」で、使用者は4個の単一元素中空陰極ランプHOL
1〜II OL 4をタレットTU内に納め電気接続す
ることにより装着し、4組の対応する情報を不揮発性読
取り一書込みメモIJ N V Mに入れる。
11源をスイッチオンする。動作2は「?/J期1設定
」で、使用者は4個の単一元素中空陰極ランプHOL
1〜II OL 4をタレットTU内に納め電気接続す
ることにより装着し、4組の対応する情報を不揮発性読
取り一書込みメモIJ N V Mに入れる。
ランプの製着位置は唯一つしかなく、これはランプが分
yC元度計の光軸上に位置する位置、即ち、第4図に示
したようにランプHOLIの位置と一致する。各ランプ
が順次に製箔される際、マイクロプロセッサμPが光学
的なコード読取器0CR1〜OCR4によって読取られ
たコードからランプコードの各1個を識別するのに応答
してこのマイク、ロプロセッサμPは各別の情報の組に
対する適切な元素関連情報を読取り専用メモリROMか
ら不揮発性メモIJ N V M内の適当な位i4に転
送しうる。
yC元度計の光軸上に位置する位置、即ち、第4図に示
したようにランプHOLIの位置と一致する。各ランプ
が順次に製箔される際、マイクロプロセッサμPが光学
的なコード読取器0CR1〜OCR4によって読取られ
たコードからランプコードの各1個を識別するのに応答
してこのマイク、ロプロセッサμPは各別の情報の組に
対する適切な元素関連情報を読取り専用メモリROMか
ら不揮発性メモIJ N V M内の適当な位i4に転
送しうる。
各ランプが装着(1’l置にあれば、使用者は各別の情
報の組に対し適切な試料関連情報をキーバッドKPDお
よびマイクロプロセッサμPによりメモIJ N V
M内に入れることができる。自動サンプラAS内の試料
の組が新たなものとなった場合には、同じランプHOL
I〜HOL4の元素に関して他のサンプルの組に対する
直前の分析が繰返されるように分光光度計を作動させる
必要かある。ランプがすでに装着されており、対応する
情報の組か不揮発性メモ’J N V bi内にすでに
存在していれは、「スイッチオン」動作1および「初期
設定」動作2を使用者が行なう心安がない。動作3「ラ
ンプへの給電」では使用者は各ランプに対するランプ電
源装置LPSを順次にスイッチオンし、各ランプに対す
るこの動作に応答してマイクロプロセッサμPにより不
揮発性メモリN V Mから適当なランプ電流情報を取
り出し、ランプ電源装W、 L P S、に供紹する。
報の組に対し適切な試料関連情報をキーバッドKPDお
よびマイクロプロセッサμPによりメモIJ N V
M内に入れることができる。自動サンプラAS内の試料
の組が新たなものとなった場合には、同じランプHOL
I〜HOL4の元素に関して他のサンプルの組に対する
直前の分析が繰返されるように分光光度計を作動させる
必要かある。ランプがすでに装着されており、対応する
情報の組か不揮発性メモ’J N V bi内にすでに
存在していれは、「スイッチオン」動作1および「初期
設定」動作2を使用者が行なう心安がない。動作3「ラ
ンプへの給電」では使用者は各ランプに対するランプ電
源装置LPSを順次にスイッチオンし、各ランプに対す
るこの動作に応答してマイクロプロセッサμPにより不
揮発性メモリN V Mから適当なランプ電流情報を取
り出し、ランプ電源装W、 L P S、に供紹する。
アトマイザATが火炎形の場合はアトマイザATの炎を
点火するのに動作2又は3の後に使用者による操作を含
む動作(図示せず)が必要となる。動作4「自動サンプ
ラの始動」では使用者は自動゛す′ンブラAsの動作を
開始させ、この動作にI応答して適当な’fi7 +;
;が自動サンプラ制御手段ASOから読取り一書込みメ
モIJ RA Mに入れられ、その俵は分光光度ifの
動作は使用者が更に介在することなくマイクロプロセッ
サμPの制御の下で完全に自動化されうる。
点火するのに動作2又は3の後に使用者による操作を含
む動作(図示せず)が必要となる。動作4「自動サンプ
ラの始動」では使用者は自動゛す′ンブラAsの動作を
開始させ、この動作にI応答して適当な’fi7 +;
;が自動サンプラ制御手段ASOから読取り一書込みメ
モIJ RA Mに入れられ、その俵は分光光度ifの
動作は使用者が更に介在することなくマイクロプロセッ
サμPの制御の下で完全に自動化されうる。
υノ作4にj応答してマイクロプロセッサμPは動作5
JN==1にセット」を行なう。ここでNはタレットの
カウントを表わす。タレットのカウントNは自1Tjl
lサンプラASの実行、即ち1個の元素についての試料
の分析中に4個のランプHOLI〜HCL4のどの1つ
がX路内に1霞かれるべきかを決め、不揮発性メモIJ
N V M内のどの情報の組がこの分析中にマイクロ
プロセッサμPによって用いられるかをも決める。タレ
ットカウントNは各分析中読取り一の込みメモIJ R
A M内に作詩され、る。動作5に1心答してマイクロ
プロセッサμPは動作6「ランプタレットをNにセット
する」を行なう。この動作ではタレッ)TUはタレット
制御手段TUOにより位置Nに駆動される(この段階で
はランプHOLIに相当するN=1である)。
JN==1にセット」を行なう。ここでNはタレットの
カウントを表わす。タレットのカウントNは自1Tjl
lサンプラASの実行、即ち1個の元素についての試料
の分析中に4個のランプHOLI〜HCL4のどの1つ
がX路内に1霞かれるべきかを決め、不揮発性メモIJ
N V M内のどの情報の組がこの分析中にマイクロ
プロセッサμPによって用いられるかをも決める。タレ
ットカウントNは各分析中読取り一の込みメモIJ R
A M内に作詩され、る。動作5に1心答してマイクロ
プロセッサμPは動作6「ランプタレットをNにセット
する」を行なう。この動作ではタレッ)TUはタレット
制御手段TUOにより位置Nに駆動される(この段階で
はランプHOLIに相当するN=1である)。
動作6に応答してマイクロプロセッサμPは動作7「ス
リットをセットする」を制御し、モノクロメータMNの
スリット幅が不揮発性メモリRAM内の情報の組から得
らコ′するスリット幅情報を用いるスリット制御手段M
SOにより設定される。次にマイクロプロセッサμPは
動作8「波長をセットする」を制御し、不揮発性メモリ
RAM内の情報の組から得られる波長情報を用いる波長
制御手段MWOによりモノクロメータINの波長を設定
する。通例通り、検出器DETの利得はモノクロメータ
の波長を設定することと関連して自動的に調整される。
リットをセットする」を制御し、モノクロメータMNの
スリット幅が不揮発性メモリRAM内の情報の組から得
らコ′するスリット幅情報を用いるスリット制御手段M
SOにより設定される。次にマイクロプロセッサμPは
動作8「波長をセットする」を制御し、不揮発性メモリ
RAM内の情報の組から得られる波長情報を用いる波長
制御手段MWOによりモノクロメータINの波長を設定
する。通例通り、検出器DETの利得はモノクロメータ
の波長を設定することと関連して自動的に調整される。
また動作6に応答してマイクロプロセッサμPは測定時
間情報を不揮発性メモIJNVMから揮発性読取り一書
込みメモ!JRAMへ転送し、マイクロプロセッサμP
が次の一元素についての、試料の測定時にごの測定時間
情報を利用できるようにする。
間情報を不揮発性メモIJNVMから揮発性読取り一書
込みメモ!JRAMへ転送し、マイクロプロセッサμP
が次の一元素についての、試料の測定時にごの測定時間
情報を利用できるようにする。
動作8に続いてマイクロブ1コセンナμPは動作9「ブ
ランクの測定」を制御する。この動作9では自動サンプ
ラ制御手段ASOによる制御の下で自動サンプラASが
1組のサンプルを分析する必要のある1元素の濃度が通
常ゼロである試料をアトマイザATに提供する。この試
料はアトマイザ制御手段ATOによる制御の下でアトマ
イザATによって噴霧化される。検出器DETの出方信
号は対数変換器LGおよびアナログ−デジタル変換1A
DOを介してマイクロプロセッサμPに送られ、その結
果は元素に対する試料の組の分析中当該元素のゼロ濃度
を表わす測定基線として読取り書込みメモIJ RA
M内に記憶される。アトマイヤATが火炎形の場合、マ
イクロプロセッサμPは不揮発性メモIJ N V M
がらアトマイザ制御手段ATOに燃料の種類と流量につ
いての情報を与え、当該ブランク試料と特定の元素につ
いて分析を行なう後の全ての試料とを噴鰐化するように
する。
ランクの測定」を制御する。この動作9では自動サンプ
ラ制御手段ASOによる制御の下で自動サンプラASが
1組のサンプルを分析する必要のある1元素の濃度が通
常ゼロである試料をアトマイザATに提供する。この試
料はアトマイザ制御手段ATOによる制御の下でアトマ
イザATによって噴霧化される。検出器DETの出方信
号は対数変換器LGおよびアナログ−デジタル変換1A
DOを介してマイクロプロセッサμPに送られ、その結
果は元素に対する試料の組の分析中当該元素のゼロ濃度
を表わす測定基線として読取り書込みメモIJ RA
M内に記憶される。アトマイヤATが火炎形の場合、マ
イクロプロセッサμPは不揮発性メモIJ N V M
がらアトマイザ制御手段ATOに燃料の種類と流量につ
いての情報を与え、当該ブランク試料と特定の元素につ
いて分析を行なう後の全ての試料とを噴鰐化するように
する。
、アトマイザATが電熱炉形の場合は、マイクロプロセ
ッサμPは不揮発性メモリNVMからアトマイザ制御手
段ATOへ炉加熱サイクル情報を与え、当該ブランク試
料と特定の元素の分析を行なう後の全ての試料とを噴霧
化するようにする。動作9に続いてマイクロプロセッサ
μPは動作・10「標準試料測定」を制御する。この動
作では、予じめ定められた数(この数は不揮発性メモリ
N V M内の関連情報の組内に存在する)の標準試料
すなわち既知の濃度の試料を次々に自動サンプラASに
よりアトマイザATへ与える。各場合において検出器D
ETの出力信号はアナログ−デジタル変換器A D O
を経てマイクロプロセッサμPに与えられ、吸光結果は
読取り一書込みメモIJ RA M内の測定基線と比較
することにより計算され、次に読取り一書込みメモリR
A M内に蓄わえられる。動作10の次にマイクロプロ
セッサμPは動作11「較正」を行なう。この動作では
マイクロプロセッサμPは不揮発性メモリRAM内の関
連情報の組から標準試料の既知の濃度値を取り出し、こ
れ、らの濃度値を、動作10で読取り一書込みメモリR
AMに既に蓄わえられている標準試料の吸光結果と共に
使用して一組の較正係数を計算し・次にこれら較正係数
を一元素に対する分析中読取り一書込みメモリRAMに
蓄わえておく。これらの較正係数は目盛りの拡大および
曲率補正として知られている機能を後の試料測定に与え
うるようにする。
ッサμPは不揮発性メモリNVMからアトマイザ制御手
段ATOへ炉加熱サイクル情報を与え、当該ブランク試
料と特定の元素の分析を行なう後の全ての試料とを噴霧
化するようにする。動作9に続いてマイクロプロセッサ
μPは動作・10「標準試料測定」を制御する。この動
作では、予じめ定められた数(この数は不揮発性メモリ
N V M内の関連情報の組内に存在する)の標準試料
すなわち既知の濃度の試料を次々に自動サンプラASに
よりアトマイザATへ与える。各場合において検出器D
ETの出力信号はアナログ−デジタル変換器A D O
を経てマイクロプロセッサμPに与えられ、吸光結果は
読取り一書込みメモIJ RA M内の測定基線と比較
することにより計算され、次に読取り一書込みメモリR
A M内に蓄わえられる。動作10の次にマイクロプロ
セッサμPは動作11「較正」を行なう。この動作では
マイクロプロセッサμPは不揮発性メモリRAM内の関
連情報の組から標準試料の既知の濃度値を取り出し、こ
れ、らの濃度値を、動作10で読取り一書込みメモリR
AMに既に蓄わえられている標準試料の吸光結果と共に
使用して一組の較正係数を計算し・次にこれら較正係数
を一元素に対する分析中読取り一書込みメモリRAMに
蓄わえておく。これらの較正係数は目盛りの拡大および
曲率補正として知られている機能を後の試料測定に与え
うるようにする。
動作11に続いてマイクロプロセッサμPは動作12「
試料測定、計算、濃度蓄積」を制御する。
試料測定、計算、濃度蓄積」を制御する。
この動作では自動サンプラASにより1つの試料を単一
元素につき分析すべき試料の組からアトマイザATに与
える。検出器DETの出力信号から導き出された試料の
吸光結果を読取り一書込みメモリRA 1.(に送り、
この読取り一書込みメモリRAM内に苔わえられている
較正係数をこの吸光結果に与えて濃度結果を得、この濃
度結果を読取り一書込みメモリRAM内に蓄わえる。動
作12の次にマイクロプロセッサμPは動作xar自m
Jサンプラ終了?」を制御する。この動作において、、
自動サンプラ制御手段ASOは自動サンプラASがその
実行動作の終了点に達し、測定すべき試料がもうないか
否かを検出する。答えが[NQJであれば、次の試料に
つき動作12を反復する。動作12が全部の試料につき
行なわれ、それぞれの濃度結果が読取り一書込みメモI
J RA Mに蓄ゎえられている時は、動作13は答え
「Yes Jを出力し、マイクロプロセッサμPは動作
14「N=Limit ?J ニa tr。この動作に
おいてはタレットカウントNがチェックされ、それがタ
レット位置の数、例えば第4図に示すような4個のタレ
ット位置に対応するか否かを判定する。動作5によりセ
ットされたように第1の分析N=1では動作14は答r
No Jを出力する。そしてこれに応答してマイクロ
プロセッサμPは動作15rNミN+1」を実行し、タ
レットカラン)Nの値を増す。
元素につき分析すべき試料の組からアトマイザATに与
える。検出器DETの出力信号から導き出された試料の
吸光結果を読取り一書込みメモリRA 1.(に送り、
この読取り一書込みメモリRAM内に苔わえられている
較正係数をこの吸光結果に与えて濃度結果を得、この濃
度結果を読取り一書込みメモリRAM内に蓄わえる。動
作12の次にマイクロプロセッサμPは動作xar自m
Jサンプラ終了?」を制御する。この動作において、、
自動サンプラ制御手段ASOは自動サンプラASがその
実行動作の終了点に達し、測定すべき試料がもうないか
否かを検出する。答えが[NQJであれば、次の試料に
つき動作12を反復する。動作12が全部の試料につき
行なわれ、それぞれの濃度結果が読取り一書込みメモI
J RA Mに蓄ゎえられている時は、動作13は答え
「Yes Jを出力し、マイクロプロセッサμPは動作
14「N=Limit ?J ニa tr。この動作に
おいてはタレットカウントNがチェックされ、それがタ
レット位置の数、例えば第4図に示すような4個のタレ
ット位置に対応するか否かを判定する。動作5によりセ
ットされたように第1の分析N=1では動作14は答r
No Jを出力する。そしてこれに応答してマイクロ
プロセッサμPは動作15rNミN+1」を実行し、タ
レットカラン)Nの値を増す。
動作15に応答してマイクロプロセッサμPは動作6を
行ない、そこでタレッ)TUを次の位置に進め、次のラ
ンプI(C!L2を分光光度計の光路内に入れ、動作7
〜13を繰り返し・次のランプ、EfOL2の単一元素
に関して自動サンプラAS内の同じ試料の組に対して他
の一組の濃度結果を続取り一書込みメモリRAMに与え
る。最終的に動作14が答IJYesJを出力する時マ
イクロプロセッサμPは動作16′「結果のプリントお
よび停止」を実行する。この動作ではタレツ)TU内に
ある全ての単一元素ランプHG!LX NHOL4の元
素についての自動サンプラAS内の試料の組の全ての試
料の濃度結果が読取り一書込みメモリRA Mから取り
出され、表にまとめられ、プリンタPRIよりプリント
され、次に分光光度計が停止され、すなわち殆んどの電
源がスイッチオフされ、休止状態にセットされる。新し
い試料の組を分析するには、使用者が動作1からの動作
の全系列を開始させる必要がある。
行ない、そこでタレッ)TUを次の位置に進め、次のラ
ンプI(C!L2を分光光度計の光路内に入れ、動作7
〜13を繰り返し・次のランプ、EfOL2の単一元素
に関して自動サンプラAS内の同じ試料の組に対して他
の一組の濃度結果を続取り一書込みメモリRAMに与え
る。最終的に動作14が答IJYesJを出力する時マ
イクロプロセッサμPは動作16′「結果のプリントお
よび停止」を実行する。この動作ではタレツ)TU内に
ある全ての単一元素ランプHG!LX NHOL4の元
素についての自動サンプラAS内の試料の組の全ての試
料の濃度結果が読取り一書込みメモリRA Mから取り
出され、表にまとめられ、プリンタPRIよりプリント
され、次に分光光度計が停止され、すなわち殆んどの電
源がスイッチオフされ、休止状態にセットされる。新し
い試料の組を分析するには、使用者が動作1からの動作
の全系列を開始させる必要がある。
第1図は、光学的なコードを外側面に設けた単一元素中
空陰極ランプの形態の共鳴線光源ランプの一例を示す線
図、 第2図は、光学的なコードを有するカードを取、付けた
中空陰極ランプを示す斜視図、第3図は、第2図に示す
ランプを4個および光学コード読・取益を4個有するラ
ンプタレットを示す平面図、 第4図は、第2図に示すようなランプを4個用いる原子
吸光衿元yt度計を示すブロック線図、第5図は、第4
図に示す分光ye度計の動作を説明するための流れ図で
ある。 HOL・・・中空陰極ランプ SE・・・容器 OA・・・中空陰極電極AN・・・陽
極型&BA・・・口金 PL 、 P2・・・端子ヒン L、A・・・バーコー
ドラベルLPS・・・ランプ電源装置 μP・・・マイ
クロプロセッサCo・・・カード TU・・・タレット
aaS・・・溝 OCR・・・光学コード読取器 AT・・・アトマイザ ATO・・・アトマイザ制御手
段AS・・・自動サンプラ ASC・・・自動サンプラ制御手段 MN・・・モノクロメータ MS(3・・・スリット制
御手段MWC・・・波長制御手段 DET・・・光電子増倍管検出器 LG・・・対数変換器 ADO・・・アナログ−デジタル変換器RAM・・・読
取り一書込みメモリ ROM・・・読取り専用メモリ LH・・・ラッチ回路手段 TUO・・・タレント制御手段 MVM・・・不揮発性読取り一書込みメモリKPD・・
・キーバッド ROトド・・読取り専用メモリ RAM・・・読取り一書込みメモリ 〜β・ HCl2 匹”>−−−−−
空陰極ランプの形態の共鳴線光源ランプの一例を示す線
図、 第2図は、光学的なコードを有するカードを取、付けた
中空陰極ランプを示す斜視図、第3図は、第2図に示す
ランプを4個および光学コード読・取益を4個有するラ
ンプタレットを示す平面図、 第4図は、第2図に示すようなランプを4個用いる原子
吸光衿元yt度計を示すブロック線図、第5図は、第4
図に示す分光ye度計の動作を説明するための流れ図で
ある。 HOL・・・中空陰極ランプ SE・・・容器 OA・・・中空陰極電極AN・・・陽
極型&BA・・・口金 PL 、 P2・・・端子ヒン L、A・・・バーコー
ドラベルLPS・・・ランプ電源装置 μP・・・マイ
クロプロセッサCo・・・カード TU・・・タレット
aaS・・・溝 OCR・・・光学コード読取器 AT・・・アトマイザ ATO・・・アトマイザ制御手
段AS・・・自動サンプラ ASC・・・自動サンプラ制御手段 MN・・・モノクロメータ MS(3・・・スリット制
御手段MWC・・・波長制御手段 DET・・・光電子増倍管検出器 LG・・・対数変換器 ADO・・・アナログ−デジタル変換器RAM・・・読
取り一書込みメモリ ROM・・・読取り専用メモリ LH・・・ラッチ回路手段 TUO・・・タレント制御手段 MVM・・・不揮発性読取り一書込みメモリKPD・・
・キーバッド ROトド・・読取り専用メモリ RAM・・・読取り一書込みメモリ 〜β・ HCl2 匹”>−−−−−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 11種以上の元素に特有の共鳴線放射を生じる光源ラン
プと、1種以上の元素に特有の選択波長の放射を通すモ
ノクロメータと、供給される波長情報に応答し、前記の
モノクロメータを前記の選択波長に設定する波長制御装
着ト、マイクロプロセッサと、複数個の前記の光源ラン
プのそれぞれの1種以上の元素の各々と関連する位置に
波長情報を保持するメモリと、前記のマイクロプロセッ
サが前記の光源ランプの1種以上の元3K ’?i:識
別しうるようにするイネーブル装置とを具える原子吸光
分光光度計であって、前記のマイクロプロセッサは識別
された元素に対し前記メモリから取出された波長情報を
前記の波長制御装置に供給するように構成されている原
子吸光分光光度計において、前記の光源ランプご前記の
1種以上の元素?表わすコードにより符号化し、分光つ
°C度計には更に光学コード読取器と、この光学コード
読取器の出力信号をマイクロプロセッサに供給してこの
マイクロプロセッサが前記の1種以上の元素を識別しう
るようにする手段とを設けたことを特徴とする原子吸光
分光光度計。 2、、特許請求の範囲1記載の原子吸光分光光度計にお
いて、yC源ランプには光学コードを有するカードが取
付けられており、光学フード読取器には、前記のカード
が挿入されて前記のコードを読取りつるようにする溝が
設けられていることを特徴とする原子吸光分光yC度計
。 8、 特許請求の範囲1記載の原子吸光分光光度&tに
おいて、光源ランプにはその外側表面に光学コードを有
するラベルが設けられていること7i:特徴とする原子
吸光分光光度計。 4 段数の光源ランプを保持するランプタレットを有す
る特許請求の範囲1〜8のいずれか1つに記載の原子吸
光分光光度計において、タレット上の各ランプ位置に対
し光学コード読取器が設けられていることを特徴とする
原子吸光分光光度計。 1 特許請求の範囲1〜4のいずれが1つに記載の原子
吸光分光光度計において、光学コードがランプ動作電流
をも表わし、分光光度計ハランプ電源装置を有し、前記
のメモリはランプ電流情報を保持し、マイクロプロセッ
サは前記のメモリからの前記のランプ電流情報と1光学
コード読取器に、より光学コードがら取出された他のラ
ンプ電流情報とを一緒に用いて前記のランプ電源装置を
制御するようになっていることを特徴とする原子吸光分
光光度計。 a 特許請求の範囲1〜5のいずれが1つに記載の原子
吸光分光光度計において、メモリは読取り専用メモリで
あることを特徴とする原子吸光分光光度肝。 1、 メモリを読取り専用メモリとした特許請求の範囲
1記載の原子吸光分光光度計において、1つの前記ラン
プの1つの元素に対して1つ以上の試料を分析する分)
°C光度計の分析作動が、少くともこの分析の持続時間
中読取り一書込みメモリ内に常に蓄わえられている1つ
の’l’l II fJlを用いるようになっているマ
イクロプロセッサにより制御され、前記の情報相は、前
記の元素に対し読取り専用メモリから取出すことができ
前記の波長情報を含む元素関連情報を、前記の1つ以上
の試料しこ対し他の個所から取出しうる試料関連情報と
一緒に有していることを特徴とする原子吸光分光光度計
。 & 特許請求の範囲7記載の原子吸光分光光度計におい
て、分ツC光度計が1個よりも多い複数のyC源ランプ
を一時に保持する保持手段を具え、このように保持され
た光源ランプの各々に対し光学コード読取器が設けられ
ており、これら光学コード読取器の出力端子は前記のマ
イクロプロセッサに接続されており、分光光度肝が更に
、前記のランプのうち一時に1個のランプをモノクロメ
ータの光路内に保持するように位置決めする位置決め手
段を具え1組の元素のうちの各元素に対して前記の1つ
以上の試料を順次に分析する分光光度肝の分析作動シー
ケンスは、前記の1組の元素の各元素を表わす放射を放
出する前記のランプをモノクロメータの光路中に順次に
配置するように前記の保持および位置決め手段を制御す
るマイク0プロセツサであって前記の1組の元素の各元
素に対し1つの情報相となるように複数の情報相の各情
報相を順次に使用するようにしたマイクロプロセッサに
より制御し、前記の1組の元素の各元素に対する光源ラ
ンプは前記の複数の光源ランプの一部であり、前記の複
数の情報相は少くとも前記の分析作動シーケンスの持続
時間中宮に読取り一書込みメモリ内に蓄わえておくこと
を特徴とする原子吸光分光光度肝。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB08315472A GB2141220B (en) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | Atomic absorption spectrophotometer |
GB8315472 | 1983-06-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607343A true JPS607343A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=10543858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59114692A Pending JPS607343A (ja) | 1983-06-06 | 1984-06-06 | 原子吸光分光光度計 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607343A (ja) |
AU (1) | AU564819B2 (ja) |
DE (1) | DE3419739C2 (ja) |
FR (1) | FR2547052B1 (ja) |
GB (1) | GB2141220B (ja) |
IT (1) | IT1176246B (ja) |
SE (1) | SE8402984L (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01146145U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | ||
JP2014502760A (ja) * | 2010-12-30 | 2014-02-03 | パーキンエルマー シンガポール ピーティーイー エルティーディー | 中空陰極ランプ経過時間記録システム |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3538780A1 (de) * | 1985-10-31 | 1987-05-07 | Bodenseewerk Perkin Elmer Co | Vorrichtung zur identifizierung einer lichtquelle in einem atomabsorptions-spektrometer |
EP0600636A1 (en) * | 1992-11-19 | 1994-06-08 | Varian Associates, Inc. | Self-calibrated power meter |
CN1043816C (zh) * | 1992-12-04 | 1999-06-23 | 中国人民解放军第二○二医院 | 时间分辨背景校正原子吸收光谱仪 |
DE4241905C2 (de) * | 1992-12-11 | 1995-01-26 | Bruker Analytische Messtechnik | Spektrometer mit dynamisch kodierten Komponenten |
AUPO551197A0 (en) * | 1997-03-07 | 1997-03-27 | Varian Australia Pty Ltd | Spectroscopic analysis method and apparatus |
CN105977776B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-03-19 | 中国科学院光电研究院 | 一种绝对波长标定和校准装置及其方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3600571A (en) * | 1969-06-06 | 1971-08-17 | Bausch & Lomb | Multiple lamp housing and burner assembly for photometric apparatus |
US3909203A (en) * | 1974-08-04 | 1975-09-30 | Anatronics Corp | Analysis system having random identification and labeling system |
US4300834A (en) * | 1980-05-22 | 1981-11-17 | Baird Corporation | Inductively coupled plasma atomic fluorescence spectrometer |
GB2109922B (en) * | 1981-11-11 | 1985-03-20 | Philips Electronic Associated | Atomic resonance line source lamps and spectrophotometers for use with such lamps |
-
1983
- 1983-06-06 GB GB08315472A patent/GB2141220B/en not_active Expired
-
1984
- 1984-05-26 DE DE3419739A patent/DE3419739C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-01 IT IT21232/84A patent/IT1176246B/it active
- 1984-06-04 SE SE8402984A patent/SE8402984L/ not_active Application Discontinuation
- 1984-06-05 FR FR8408776A patent/FR2547052B1/fr not_active Expired
- 1984-06-05 AU AU29060/84A patent/AU564819B2/en not_active Ceased
- 1984-06-06 JP JP59114692A patent/JPS607343A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01146145U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | ||
JP2014502760A (ja) * | 2010-12-30 | 2014-02-03 | パーキンエルマー シンガポール ピーティーイー エルティーディー | 中空陰極ランプ経過時間記録システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8402984D0 (sv) | 1984-06-04 |
GB8315472D0 (en) | 1983-07-13 |
AU2906084A (en) | 1984-12-13 |
SE8402984L (sv) | 1984-12-07 |
IT8421232A1 (it) | 1985-12-01 |
GB2141220A (en) | 1984-12-12 |
FR2547052B1 (fr) | 1987-11-27 |
IT8421232A0 (it) | 1984-06-01 |
AU564819B2 (en) | 1987-08-27 |
DE3419739C2 (de) | 1995-02-23 |
FR2547052A1 (fr) | 1984-12-07 |
GB2141220B (en) | 1987-04-01 |
DE3419739A1 (de) | 1984-12-06 |
IT1176246B (it) | 1987-08-18 |
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