JPS6066431A - 位置検知方法及びその装置 - Google Patents
位置検知方法及びその装置Info
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- JPS6066431A JPS6066431A JP58175636A JP17563683A JPS6066431A JP S6066431 A JPS6066431 A JP S6066431A JP 58175636 A JP58175636 A JP 58175636A JP 17563683 A JP17563683 A JP 17563683A JP S6066431 A JPS6066431 A JP S6066431A
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- Japan
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- light
- slit
- beams
- interference fringes
- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、精度の高い位置合わせ装置、特に高密度な半
導体装置（以下ＬＳＩとよぶ）の位置合わせ方法及びそ
の装置に関する。
導体装置（以下ＬＳＩとよぶ）の位置合わせ方法及びそ
の装置に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体装置は最近ますます高密度化され、各々の素ｆ−
の微細パターンの寸法は、１ミクロン以下に及んでいる
。従来からのＬＳ Ｉ％！造時のフォトマスクとＬＳＩ
ウェハの位置合わせは、ウェハに設けた位置合わせマー
クを用いて、ウェハを着装したステージの回転と２軸上
行移動し、フォトマスクＩ−のマークとウェハ」二のマ
ークを屯ね合わせることによって行なっていたが、その
位置合わせ精度は±０．３ ミクロン程度であり、サブ
ミクロンの素子を形成する場合には、合わせ精度が悪く
実用にならない。また、Ｓ、オースチン（Ａｐｐｌｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ、３１ Ｎ
ｏ、７ Ｐ、４２８，１９７７ ）もが示した１″渉法
を用いた位置合わせ方法では、第１図で示したような構
成である。入射レーザビームｌをフォトマスク２に入射
し、フォトマスク２ヒに形成した格子３で回折し、この
回折した光をもう一度、ウェハ４上に形成した格子５に
よって回折することにより、回折光６，７．８・・・を
得る。この回折光は、フォトマスクでの回折次数とウェ
ハでの回折次数の二値表示で表わすと、回折光６は（０
、ｌ） 、回折光７は（１、ｌ） 、回折光８は（−１
，２）・・・で表わすことができる。この回折光をし／
ズにより一点に集め光強度をａｌｌ定する。回折光は入
射レーザビームｌに対して左右対称な位置に光強度を持
ち、フォ］・マスク２とウェハ４との位置合わせには、
左右に観察された回折光の強度を一致させることにより
１１なえる。この方法では、位１合わせ精度は、数１０
０Ａとされている。しかし、この方法においては、フォ
トマスク２とウェハ４との位置合わせは、フォトマスク
２とウェハ４との間隔りに大きく彩管されるため、間隔
りの精度を要求する。また、フォトマスク２とウェハ４
を接近させ、間隔りの精度を保持した状態で位置合わせ
する必要があり装置が複雑となるため実用に問題があっ
た。
の微細パターンの寸法は、１ミクロン以下に及んでいる
。従来からのＬＳ Ｉ％！造時のフォトマスクとＬＳＩ
ウェハの位置合わせは、ウェハに設けた位置合わせマー
クを用いて、ウェハを着装したステージの回転と２軸上
行移動し、フォトマスクＩ−のマークとウェハ」二のマ
ークを屯ね合わせることによって行なっていたが、その
位置合わせ精度は±０．３ ミクロン程度であり、サブ
ミクロンの素子を形成する場合には、合わせ精度が悪く
実用にならない。また、Ｓ、オースチン（Ａｐｐｌｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ、３１ Ｎ
ｏ、７ Ｐ、４２８，１９７７ ）もが示した１″渉法
を用いた位置合わせ方法では、第１図で示したような構
成である。入射レーザビームｌをフォトマスク２に入射
し、フォトマスク２ヒに形成した格子３で回折し、この
回折した光をもう一度、ウェハ４上に形成した格子５に
よって回折することにより、回折光６，７．８・・・を
得る。この回折光は、フォトマスクでの回折次数とウェ
ハでの回折次数の二値表示で表わすと、回折光６は（０
、ｌ） 、回折光７は（１、ｌ） 、回折光８は（−１
，２）・・・で表わすことができる。この回折光をし／
ズにより一点に集め光強度をａｌｌ定する。回折光は入
射レーザビームｌに対して左右対称な位置に光強度を持
ち、フォ］・マスク２とウェハ４との位置合わせには、
左右に観察された回折光の強度を一致させることにより
１１なえる。この方法では、位１合わせ精度は、数１０
０Ａとされている。しかし、この方法においては、フォ
トマスク２とウェハ４との位置合わせは、フォトマスク
２とウェハ４との間隔りに大きく彩管されるため、間隔
りの精度を要求する。また、フォトマスク２とウェハ４
を接近させ、間隔りの精度を保持した状態で位置合わせ
する必要があり装置が複雑となるため実用に問題があっ
た。
また、サブミクロン線幅を持つ素「の位置合わせには、
素Ｅからの二゛−次電子放出の観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、ＬＳＩを製造す
る七でのスループ・ントが小さくなり実用上問題があっ
た。
素Ｅからの二゛−次電子放出の観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、ＬＳＩを製造す
る七でのスループ・ントが小さくなり実用上問題があっ
た。
発明の目的
本発明は、ヒ記のような従来からの問題を解消し、微細
パターンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で
行なえる位置合わせ方法及びその装置を提供することを
目的としている。
パターンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で
行なえる位置合わせ方法及びその装置を提供することを
目的としている。
発明の構成
本発明の第１発明はコヒレンシイを看する光を２方向か
ら入射し、これら２光束の干渉により得られる＋＃縞と
、前記２光束の光路中に配置された格子とによって反射
又は回折した光を、スリットを介して光検知手段に導、
き、光強度を測定することにより、前記２光束の干渉縞
と前記格子との相対位置を検知するものである。
ら入射し、これら２光束の干渉により得られる＋＃縞と
、前記２光束の光路中に配置された格子とによって反射
又は回折した光を、スリットを介して光検知手段に導、
き、光強度を測定することにより、前記２光束の干渉縞
と前記格子との相対位置を検知するものである。
又、第２発明は１−配力法を実施するための装置であっ
て、その構成は、コヒレンシイを有する光を２光束に分
割するビートスプリッタと、このビームスプリッタから
の反射光と透過光とをウェハの格子上にほぼ等しい角度
θをもって入射するよう配設した２つの反射鏡と、ウェ
ハの格ｆ−により回折した反射光をそれぞれスリットを
介して入射するように配設した２つの光検知器と、これ
らの光検知器の出力によ！Ｉ２光末０ト渉縞と格子との
間の平行度およびピッチ方向の相対位置関係を示す光強
度測定回路とから成る位置検知装置である。、１−記の
構成により、２光東の干渉縞と格子との平行度及びピッ
チ方向の相対位置関係が測定でき、半導体素子の位置合
わせを高精度に行なうことを実現できるようになる。
て、その構成は、コヒレンシイを有する光を２光束に分
割するビートスプリッタと、このビームスプリッタから
の反射光と透過光とをウェハの格子上にほぼ等しい角度
θをもって入射するよう配設した２つの反射鏡と、ウェ
ハの格ｆ−により回折した反射光をそれぞれスリットを
介して入射するように配設した２つの光検知器と、これ
らの光検知器の出力によ！Ｉ２光末０ト渉縞と格子との
間の平行度およびピッチ方向の相対位置関係を示す光強
度測定回路とから成る位置検知装置である。、１−記の
構成により、２光東の干渉縞と格子との平行度及びピッ
チ方向の相対位置関係が測定でき、半導体素子の位置合
わせを高精度に行なうことを実現できるようになる。
実施例の説明
第２図に本発明による位置検知方法を実施できるホログ
ラフィック霞光装鐙および光検知器を具備した位置検知
装置を示す。
ラフィック霞光装鐙および光検知器を具備した位置検知
装置を示す。
コヒレンシイな光９をレーザ発生装置（図略）からビー
ムスプリッタ■０に入射させ、はぼ同一・強度の反射光
１１と透過光１２とに振４も１分割し、各々反射鏡１３
と１４に入射し、ウェハ■７の表面に対して双方の反射
光１５．１６がほぼ等しい角１λ０で入用するように、
それぞれを配置する。
ムスプリッタ■０に入射させ、はぼ同一・強度の反射光
１１と透過光１２とに振４も１分割し、各々反射鏡１３
と１４に入射し、ウェハ■７の表面に対して双方の反射
光１５．１６がほぼ等しい角１λ０で入用するように、
それぞれを配置する。
ウェハ１７Ｊ−には格ｆ−１８が形成されており、格子
１８によって回折した反射光１９および２０がｔｆＳ３
図のように前記２光束の干渉縞に対して、長「方向ａを
略平行に配置したスリット２１および２２を介１７て光
検知器２３および２４に入射する。レーザの波長を入、
反射鏡１３．１４からの反射光１５．１６が１渉して作
るＦ渉縞のピッチをＰとすると、ウェハ１７の格子１８
にできる干渉縞は 入 で表わされる。
１８によって回折した反射光１９および２０がｔｆＳ３
図のように前記２光束の干渉縞に対して、長「方向ａを
略平行に配置したスリット２１および２２を介１７て光
検知器２３および２４に入射する。レーザの波長を入、
反射鏡１３．１４からの反射光１５．１６が１渉して作
るＦ渉縞のピッチをＰとすると、ウェハ１７の格子１８
にできる干渉縞は 入 で表わされる。
この［渉縞のピンチＰにほぼ等しいピッチを持つ格子１
８からは、２光東１５．１８のＦ渉した光を波面分割す
る格子によって回折された光が得られ、この光により、
２光東の干渉縞と、格子１８との間のＷ行度およびピッ
チ方向の相対位置関係を示す光強度情報が得られる。第
４図、第５図は、２光束の干渉縞と格子１８に関して１
位置合わせ前の相対（Ｑ置関係を示す。Ｋは干渉縞、α
はに渉縞にと格子１８とのなす角、χは干渉縞にと格子
１８とのピッチづれを示す。
８からは、２光東１５．１８のＦ渉した光を波面分割す
る格子によって回折された光が得られ、この光により、
２光東の干渉縞と、格子１８との間のＷ行度およびピッ
チ方向の相対位置関係を示す光強度情報が得られる。第
４図、第５図は、２光束の干渉縞と格子１８に関して１
位置合わせ前の相対（Ｑ置関係を示す。Ｋは干渉縞、α
はに渉縞にと格子１８とのなす角、χは干渉縞にと格子
１８とのピッチづれを示す。
ウェハ１７を格子１８を有する面の法線回りに微小回転
させ、スリ・ント２２．２２を介して光検知器２３．２
４に導くことにより、第６図のように光強度Ｉの変化が
得られる。縦軸は光強度１．横軸は回転量αを示す。こ
の時、光強度のピーク値はスリット２１．２２の形状に
より異なる。’５６図はスリット２１．２２を第３図に
示すように前記２光束の干渉縞に対して、長手方向ａを
略平行に配置したときの光強度工の変化を７Ｊ＼すもの
である。第７図に前記２光束の干渉縞に対して、スリッ
トの長り方向ａを略垂直に配〜したときの光強度変化を
示す。尚、ｂはスリットの横−ｒ方向を示す。第６図、
第７図よりスリット２１．２２を長手方向ａを２光束に
対して、略平行に配置した方が、回転による光強度情報
の変化をより多く検出することができる。即ち、本実施
例の構成の場合は、２光束の干渉縞にと格Ｊ’−１８と
のなす角αが、α＝０に近づくにつれ、光強度変化が大
きくなり、かつ、そ、の光強度変化は、干渉縞にと平行
な方向において現われる。従って、スリット２１．２２
の長手方向ａと横手方向ｂ０′）長さがａ＞ｂで、かつ
ａが長いほど光強度変化が顕著になる。
させ、スリ・ント２２．２２を介して光検知器２３．２
４に導くことにより、第６図のように光強度Ｉの変化が
得られる。縦軸は光強度１．横軸は回転量αを示す。こ
の時、光強度のピーク値はスリット２１．２２の形状に
より異なる。’５６図はスリット２１．２２を第３図に
示すように前記２光束の干渉縞に対して、長手方向ａを
略平行に配置したときの光強度工の変化を７Ｊ＼すもの
である。第７図に前記２光束の干渉縞に対して、スリッ
トの長り方向ａを略垂直に配〜したときの光強度変化を
示す。尚、ｂはスリットの横−ｒ方向を示す。第６図、
第７図よりスリット２１．２２を長手方向ａを２光束に
対して、略平行に配置した方が、回転による光強度情報
の変化をより多く検出することができる。即ち、本実施
例の構成の場合は、２光束の干渉縞にと格Ｊ’−１８と
のなす角αが、α＝０に近づくにつれ、光強度変化が大
きくなり、かつ、そ、の光強度変化は、干渉縞にと平行
な方向において現われる。従って、スリット２１．２２
の長手方向ａと横手方向ｂ０′）長さがａ＞ｂで、かつ
ａが長いほど光強度変化が顕著になる。
光強瓜のピーク値において、干渉縞にと格ｆ−１８のな
す角αがα＝＝０となる。つまり、干渉ｈ＋ Ｋと格ｆ
−１８とが平行になる６ 又スリｙ ｌ・とじて第９図に、１＜すように、２光束
の干渉縞に対して、・ＩＬｉＪなスリンｉ・２５と、前
記スリット２５に対し、ある角度βｌだけ傾いたスリッ
ト２６と、前記スリ、ト２５に対し、ある角１隻β２だ
け傾いたスリンＩ・２７を配置し、各々のスリットに対
応した位置に光検知器２８，２９．３０を設け、３つの
光検知器の値を比較することにより、１渉縞にと格子１
８とのなす角がα＝０にするだめの回転方向を検出する
ことができる。
す角αがα＝＝０となる。つまり、干渉ｈ＋ Ｋと格ｆ
−１８とが平行になる６ 又スリｙ ｌ・とじて第９図に、１＜すように、２光束
の干渉縞に対して、・ＩＬｉＪなスリンｉ・２５と、前
記スリット２５に対し、ある角度βｌだけ傾いたスリッ
ト２６と、前記スリ、ト２５に対し、ある角１隻β２だ
け傾いたスリンＩ・２７を配置し、各々のスリットに対
応した位置に光検知器２８，２９．３０を設け、３つの
光検知器の値を比較することにより、１渉縞にと格子１
８とのなす角がα＝０にするだめの回転方向を検出する
ことができる。
本実施例ではウェハ１７を回転させたが、２光束を回転
させても同様な位置合わせができる。又、ウェハ１７を
２光束の干渉縞のピッチ方向に微小移動させ、光強度Ｉ
を検出することにより、第８図のように光強度■の変化
が得られる。縦軸は光強度Ｉ、横軸は移動量χを示す。
させても同様な位置合わせができる。又、ウェハ１７を
２光束の干渉縞のピッチ方向に微小移動させ、光強度Ｉ
を検出することにより、第８図のように光強度■の変化
が得られる。縦軸は光強度Ｉ、横軸は移動量χを示す。
格子−１８のピ、チＰ毎に光強度Ｉが周期的に変化する
。又、光強度Ｉの微小な変動は、ある間隔で微細ピ・ソ
チ送りさせただめの変動である。光強度Ｉのピーク値に
おいて、干渉縞にと格子１８とのピッチづれχが、χ−
〇となる。
。又、光強度Ｉの微小な変動は、ある間隔で微細ピ・ソ
チ送りさせただめの変動である。光強度Ｉのピーク値に
おいて、干渉縞にと格子１８とのピッチづれχが、χ−
〇となる。
本実施例では、ウェハ１７を移動させたが２光東を移動
させても、同様な位置合わせができる。回転方向αの位
置合わせ、およびピンチ方向χの位置合わせの順序はど
ちらを先に実施してもよい。
させても、同様な位置合わせができる。回転方向αの位
置合わせ、およびピンチ方向χの位置合わせの順序はど
ちらを先に実施してもよい。
最終的に、光強度Ｉのピーク値において、両方向の位置
合わせが完ｒした状態になり、光強度工のピークイｒＩ
ｉに近づけるほど位置合わせ精度がよりｒη精度になる
。
合わせが完ｒした状態になり、光強度工のピークイｒＩ
ｉに近づけるほど位置合わせ精度がよりｒη精度になる
。
又ゼ他実施例として、格子を第１０図に示すように、ウ
ェハ１７の各スクライブライン３１の交鎖位置に、スク
ライプライン３Ｉに対し、４５廉傾けた格子３２を設け
ることにより、ウェハ１７に設けられた各パターンの回
折像をさけることができ、かつ、高精度な位置合わせな
することができる。
ェハ１７の各スクライブライン３１の交鎖位置に、スク
ライプライン３Ｉに対し、４５廉傾けた格子３２を設け
ることにより、ウェハ１７に設けられた各パターンの回
折像をさけることができ、かつ、高精度な位置合わせな
することができる。
発ＩＪＩＩの効果
１−記のように本発明方法によれば、２光東の干渉によ
りｌ）られる干渉縞と格子とによって、反則又は回折し
た光を、前記２光束の干渉縞に対して、スリットの長−
Ｌ方向を略平行に配置したスリットを介して光検知器に
導き、光強度を検出することにより、２光東の干渉縞と
格子との１１行度およびビ・ンチ方尚の相対位置を検出
することができ、少なくとも、０．０５ルｍ以下の精瓜
の高い位置合わせが＝ｒ能となった。又本発明装置は１
−配力法を実施するもので、人気中に設けることができ
、前記光検知器による光強度の検ＩＪｉにより筒中にＩ
Ｉ。
りｌ）られる干渉縞と格子とによって、反則又は回折し
た光を、前記２光束の干渉縞に対して、スリットの長−
Ｌ方向を略平行に配置したスリットを介して光検知器に
導き、光強度を検出することにより、２光東の干渉縞と
格子との１１行度およびビ・ンチ方尚の相対位置を検出
することができ、少なくとも、０．０５ルｍ以下の精瓜
の高い位置合わせが＝ｒ能となった。又本発明装置は１
−配力法を実施するもので、人気中に設けることができ
、前記光検知器による光強度の検ＩＪｉにより筒中にＩ
Ｉ。
つ精確な測定ができる装置を提供できる。
第１図は従来の位置合わせ装置の原理図、第２図は本発
明による位置合わせ方法の−・実施例を実現する装置の
構成図、第３図は本発明によるスリットの一実施例を示
す拡大平面図、！８４図及び第５図は２光束の干渉縞と
格子に関する位置合わせ前の相対位置関係を示す平面図
、第６図は２光束の干渉縞に対し、長手方向を略平行に
配置したスリットを設けたときの２光束の干渉縞と格子
との回転方向の光強度依存性を示すグラフ、第７図は、
２光束の干渉縞に対し、長−Ｌ方向な略弔直に配置した
スリットを設けたときの、２光束の干渉縞と格子との回
転方向の光強度依存性を示すグラフ、ｆｊ’、８図は本
発明の位置合わせ方法によって得られるピッチ方向の光
強度依存性を示すグラフ、第９図は本発明によるスリッ
トの他実施例を示す一１１’ １ｒｉｉ図、ｉｌＯ図は
未発りＪによる格−ｆの配置の一貰施例を示す平面図で
ある。 ９・・・光 １０・・・ビームスプリッタ１１・・・反
射光 １２・・・透過光 １３．１４・・・反射鏡１５
、ｌＥｉ・・・反射光 Ｉ７・・・ウェハ Ｉ８・・・
格ｆ・１９．２０・・・反射光 ２１．２２・・・スリ
ット２３．２４・・・光検知器 ２５．２８．２７・・
・スリット２８．２１１．３０・・・光検知器 ３１・
・・スクライブラ・イン３２・・・格子 代理人 弁理士 人 島 −・ 公 第１図 第４図 第・６図 回転量へ 第７し１ ｒゴ山テ１し α 第８図 禾多会力量 Ｘ
明による位置合わせ方法の−・実施例を実現する装置の
構成図、第３図は本発明によるスリットの一実施例を示
す拡大平面図、！８４図及び第５図は２光束の干渉縞と
格子に関する位置合わせ前の相対位置関係を示す平面図
、第６図は２光束の干渉縞に対し、長手方向を略平行に
配置したスリットを設けたときの２光束の干渉縞と格子
との回転方向の光強度依存性を示すグラフ、第７図は、
２光束の干渉縞に対し、長−Ｌ方向な略弔直に配置した
スリットを設けたときの、２光束の干渉縞と格子との回
転方向の光強度依存性を示すグラフ、ｆｊ’、８図は本
発明の位置合わせ方法によって得られるピッチ方向の光
強度依存性を示すグラフ、第９図は本発明によるスリッ
トの他実施例を示す一１１’ １ｒｉｉ図、ｉｌＯ図は
未発りＪによる格−ｆの配置の一貰施例を示す平面図で
ある。 ９・・・光 １０・・・ビームスプリッタ１１・・・反
射光 １２・・・透過光 １３．１４・・・反射鏡１５
、ｌＥｉ・・・反射光 Ｉ７・・・ウェハ Ｉ８・・・
格ｆ・１９．２０・・・反射光 ２１．２２・・・スリ
ット２３．２４・・・光検知器 ２５．２８．２７・・
・スリット２８．２１１．３０・・・光検知器 ３１・
・・スクライブラ・イン３２・・・格子 代理人 弁理士 人 島 −・ 公 第１図 第４図 第・６図 回転量へ 第７し１ ｒゴ山テ１し α 第８図 禾多会力量 Ｘ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋） コヒレンシイを有する光を２方向の）ら人Ｑ（
し、これら２光束の干渉により得られるＩ−＃縞と、前
記２光東の光路中に配置された格子とによって、反射又
は回折した光をスＩルントを介して光検知手段に導き、
光強度を測定することにより、Ｊ）う記２光束の干渉縞
と前記格子との相＊Ｊ （：ｔ ８Ｒを検知するように
したことを特徴する位に！ｉ ＃ １ｎ）ｊ法。 （２） スリットとして、２光束の干渉縞に対して、ス
リットの長手方向を略平行に配置したスリットを用いた
特許請求の範囲第１項記載の位置検知方法。 。 （３） スリットとして、２光束の−「渉縞番と対して
、スリットの長り方向な略平行に配置したスリットと、
このスリ・ントに対し、ある角瓜βｌだけ傾いたスリッ
トと、前記ス１ルントに対し、ある角度β２だけ傾いた
スリットと、前記３つの各スリットを通過した光束を、
各々光検知手段に導き、各光検知手段より得られる光強
度を測定することにより、前記２光束の干渉縞に対する
前記格子の傾き方向を検知するようにした特許請求の範
囲第１項記載の位置検知方法。 （４） 格子として、ＩＣウェハの各スクライブライン
の交鎖位置近傍でスクライプラインに対し、４５度傾け
た格子を用いた特許請求の範囲第１項記載の位置検知方
法。 （５） コヒレンシイを有する光を２光束に分１ｒｔｌ
するビームスプリッタと、このビームスプリッタからの
反射光と透過光とをウェハの格ｒヒにほぼ等しい角度θ
をもって入射するよう配設した２つの反射鏡と、ウェハ
の格子により回折した反射光をそれぞれスリットを介し
て入用するように配設した２つの光検知器と、これらの
光検知器の出力により２光束のト渉ｗ４−と格子との間
の乎行度およびピッチ方向の相対位置関係を示す光強度
測定回路とから成ることを特徴とする位置検知装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175636A JPS6066431A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 位置検知方法及びその装置 |
| US06/599,734 US4636077A (en) | 1983-04-15 | 1984-04-12 | Aligning exposure method |
| US07/296,721 USRE33669E (en) | 1983-04-15 | 1989-01-12 | Aligning exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175636A JPS6066431A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 位置検知方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066431A true JPS6066431A (ja) | 1985-04-16 |
| JPH0430734B2 JPH0430734B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=15999546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175636A Granted JPS6066431A (ja) | 1983-04-15 | 1983-09-21 | 位置検知方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0223609A (ja) * | 1988-05-26 | 1990-01-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイス製造方法 |
| JP2009272373A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Canon Inc | 計測装置、計測方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58175636A patent/JPS6066431A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0223609A (ja) * | 1988-05-26 | 1990-01-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイス製造方法 |
| JP2009272373A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Canon Inc | 計測装置、計測方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430734B2 (ja) | 1992-05-22 |
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