JPS6059723B2 - 正特性サ−ミスタの製造方法 - Google Patents

正特性サ−ミスタの製造方法

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JPS6059723B2
JPS6059723B2 JP10473378A JP10473378A JPS6059723B2 JP S6059723 B2 JPS6059723 B2 JP S6059723B2 JP 10473378 A JP10473378 A JP 10473378A JP 10473378 A JP10473378 A JP 10473378A JP S6059723 B2 JPS6059723 B2 JP S6059723B2
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JP
Japan
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temperature coefficient
positive temperature
coefficient thermistor
manufacturing
electroless plating
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Expired
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JP10473378A
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JPS5530880A (en
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通一 竹内
捷 小谷
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は正特性サーミスタの製造方法に関する。
正特性サーミスタとは、正の抵抗温度係数を有するチタ
ン酸バリウム系半導体磁器のことである。この正特性サ
ーミスタは、キュリー温度を適、警’6一、田に→ 呼
11゛− ゛ 、A、イ゛一41に金↓【■ヤ身、j
’口゛ ゛− ること、またキュリー温度を超えると抵
抗値が急激に増加して電流を絞る自己温度制御機能を有
し過熱の危険がないこと等の優れた特長があり、最近各
種の発熱装置の発熱体として使用されるようになつてき
た。 第1図は正特性サーミスタの一般的な構造を示す
説明図である。図に示す如く、正特性サーミスタは、薄
円板状に形成された正特性サーミスタ素体1の両面1a
、lbにNi無電解メッキ層2、2を被着し、更にこの
Ni無電解メッキ層2、2の全表面に銀電極3、4を被
着した構成である。 第1図に示す正特性サーミスタは
、第2図に示すような工程を径て製造される。すなわち
正特性サーミスタ素体1の両面1a、lbを平面ラップ
等で研磨レた後、該正特性サーミスタ素体1に対してN
i無電解メッキ処理を施し、その全表面をNi無電解メ
ッキ層2によつて覆う。次に両面1a、lb上に被着さ
れているNi無電解メッキ12の全面に銀合金ペースト
スクリーン印刷等の方法により銀電極3、4を被着する
。次に熱処理工程など必要な処理を施した後、センタレ
ス研磨によつて、正特性サーミスタ素体1の外周部に被
着されたNi無電解メッキ層2aを削除する。 第3図
A、Bは上述のセンタス研磨の詳細を示す説明図である
。図に示す如くセンタレス研磨は、電極3,4を被着し
た後の正特性サーミスタをw個〜b個重ね、これを、砥
石5とゴムローラ6との間に接して配置すると共に、ブ
レード板7、ストッパ8および押棒9等で押圧保持し、
前記砥石5およびゴムローラ6を矢印A,bの方向に回
転させて行なう。正特性サーミスタ群は、ゴムローラ6
の弾発力を受けて回転している砥石5の外周に圧接され
、それによつて外周部のNi無電解メッキ層2aが削除
される。しかし上述の正特性サーミスタの製造方法は、
両面1a,1bの全子面上に銀電極3,4を被着した正
特性サーミスタを10−拓個程度一連に重ね、これを一
度にセンタレス研磨する方法であるから次のような欠点
がある。
(1)正特性サーミスタ素体1の外周部に被着されたN
i無電解メッキ層2aだけをセンタレス研磨しようとし
ても、銀電極3,4が正特性サーミスタ素体1の両面1
a,1bの全平面上に被着されているため、N1無電解
メッキ層2aと一諸に銀電極3,4の外周部も研削され
てしまう。この結果、第4図に示す如く、隣接する正特
性サーミスタの銀電極3,4相互が、その外周部分で互
に絡み合い、互に連絡されたような状態になるため、隣
接する正特性サーミスタ相互を互に分離するのが非常に
面倒かつ因難になる。正特性サーミスタを一個づつセン
タレス研磨にかければ上述のような欠点はなくなるが、
それではセンタレス研磨作業能率が悪く実用に向かない
。(2)センタレス研磨中に注水された水が、隣接す.
る正特性サーミスタの銀電極間隙間に侵入し、薄い水膜
が形成されるため、正特性サーミスタ相互が一層強く密
着し、正特性サーミスタ相互の分離がさらに因難になる
(3)しかも正特性サーミスタ相互は、表面が非常一に
フラットな銀電極全面で互に密着しており、前記水膜に
よる密着性が非常に強く、かつ正特性サーミスタを互に
分離するための手掛りが全くなく分離作業がよソー層因
難になる。本発明は上述のような分離作業の因難性を伴
わ−ない正特性サーミスタの製造方法を提供することを
目的とするものである。
上記目的を達成するため本発明は、それぞれ両面に電極
を被着した複数個の正特性サーミスタを一連に重ね、そ
の外周部を同時に研磨する正特性サーミスタの製造方法
において、前記電極を前記面の外周部よりは内側にかつ
周囲よりは高くなる如く被着させることを特徴とする。
以下実施例たる添付図面を参照し本発明の内容を詳説す
る。第5図は本発明に係る正特性サーミスタの製造方法
の説明図である。この実施例では正特性サーミスタ素体
1の全表面にNi無電解メッキ層2を被着した後、正特
性サーミスタ素体1の両面1a,1b上のNi無電解メ
ッキ層2上に、該Ni無電解メッキ層2を含む正特性サ
ーミスタ素体1の外周径よりは小径の銀電極3″,4″
を被着してある。上述のような構成の正特性サーミスタ
を、第3図に示す如く、10〜b個程度一連に重ねた場
合、各正特性サーミスタの間には、銀電極3″と銀電極
4″の厚みの和だけの間隙dが形成されることになる。
この結果第3図に示したセンタレス研磨を行なつた場合
、銀電極3″,4″が研磨されることがないから、銀電
極3″,4″の絡み、展延を生じることがない。しかも
間隙dが存在することで水の薄膜による密着性も極めて
弱くなるし、更に正特性サーミスタを互に分離する際の
手掛を与えることにもなる。したがつて、センタレス研
磨後の正特性サーミスタの相互分離が非常に容易になり
、作業能率が著しく向上する。本発明者の実験によると
、前述の間隔dは0.01〜0.1順程度であればよく
、銀電極3″,4″の厚みも通常の値で充分であること
が解つた。
第6図は本発明に係る正特性サーミスタの製造方法の別
の実施例における説明図を示している。
この実施例の特徴は、正特性サーミスタ素体1の中央部
1aをその周囲より高くし、この中央部1a上に被着さ
れたNi無電解メッキ層2上に、銀電極3″,4″を被
着したことである。このような構成にしても第3図に示
すセンタレス研磨を行なつた場合も、正特性サーミスタ
間に間隔dが形成され、かつ銀電極3″,4″の研磨を
避けることができるから同様の効果を得ることができる
。しかもこの実施例の場合は中央部1aの高さを自由に
変えることができから、間隔dを任意の値に選定し得る
利点がある。以上詳説する如く、本発明はそれぞれ両面
に電極を被着した複数個の正特性サーミスタを一連に重
ね、その外周部を同時に研磨する正特性サーミスタの製
造方法において、前記電極を前記面の外周部よりは内側
にかつ周囲よりは高くなる如く被着し、前記電極より外
側の外周部を研磨することを特徴とするから、次のよう
な効果がある。
(1)センタレス研磨時に電極が研磨されるのを避け、
電極相互の絡みをなくして正特性サーミスタ相互を簡単
に分離することができる。(2)正特性サーミスタ相互
間に間隔を形成し、センタレス研磨時の注水に基づく密
着性を弱め、正特性サーミスタの分離性を良好にするこ
とができる。
(3)同時に間隔dの存在により、分離の際の手掛りが
得られ、正特性サーミスタを容易に分離することができ
るようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は正特性サーミスタの断面図、第2図は正特性サ
ーミスタの製造工程のフローチヤ丁卜、第3図はセンタ
レス研磨の説明図、第4図はセンタレス研磨の電極の絡
みを説明する説明図、第5図は本発明に係る正特性サー
ミスタの製造方法を示す説明図、第6図は同じく他の実
施例における説明図をそれぞれ示している。 1・・・・・・正特性サーミスタ素体。 1a,1b・・面、2・・・・・・Ni無電解メッキ層
、3,3″,4,4″・・・・・・銀電極、5・・・・
・・砥石、6・・・・・ゴムローラ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 それぞれ両面に電極を被着した複数個の正特性サー
    ミスタを一連に重ね、その外周部を同時に研磨する正特
    性サーミスタの製造方法において、前記電極を面の外周
    部よりは内側にかつ周囲よりは高くなる如く被着し、前
    記電極より外側の外周部を研磨することを特徴とする正
    特性サーミスタの製造方法。 2 平面状の両面を有する正特性サーミスタ素体の全表
    面にNi無電解メッキ層を形成した後、前記両面上に位
    置するNi無電解メッキ層上に前記正特性サーミスタ素
    体の前面両面の径よりは小径の銀電極を被着することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の製造方法。 3 中央部を突出させた両面を有する正特性サーミスタ
    素体の全表面にNi無電解メッキ層を形成した後、前記
    中央部上に位置するNi無電解メッキ層上に銀電極を被
    着することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    製造方法。
JP10473378A 1978-08-28 1978-08-28 正特性サ−ミスタの製造方法 Expired JPS6059723B2 (ja)

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JPS5530880A JPS5530880A (en) 1980-03-04
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60103338U (ja) * 1983-12-20 1985-07-15 松下電工株式会社 配線装置
JPS62197937U (ja) * 1986-06-10 1987-12-16
JPH0312270Y2 (ja) * 1986-10-30 1991-03-22
JPH0332263Y2 (ja) * 1985-04-30 1991-07-09

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JPS5896701A (ja) * 1981-12-04 1983-06-08 株式会社村田製作所 正特性サ−ミスタの製造方法

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