JPS6054931B2 - １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 - Google Patents
１，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法Info
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- JPS6054931B2 JPS6054931B2 JP56186826A JP18682681A JPS6054931B2 JP S6054931 B2 JPS6054931 B2 JP S6054931B2 JP 56186826 A JP56186826 A JP 56186826A JP 18682681 A JP18682681 A JP 18682681A JP S6054931 B2 JPS6054931 B2 JP S6054931B2
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- Japan
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- catalyst
- pressure
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定の触媒の存在下にヘキサフルオロアセト
ンＣＦ、Ｃ０ＣＦ３（以下ＨＦＡと略記）を水素で還元
することからなる１、１、１、３、３、３−ヘキサフル
オロー２−プロパノールＣＦ３ＣＨＯＨＣＦ３（以下Ｈ
ＦＩＰＡと略記）の製法に関する。
ンＣＦ、Ｃ０ＣＦ３（以下ＨＦＡと略記）を水素で還元
することからなる１、１、１、３、３、３−ヘキサフル
オロー２−プロパノールＣＦ３ＣＨＯＨＣＦ３（以下Ｈ
ＦＩＰＡと略記）の製法に関する。
ＨＦＩＰＡは、界面活性剤、乳化剤、あるいはいくつか
のポリマーの溶媒として有用である。
のポリマーの溶媒として有用である。
また、ＨＦＩＰＡは種々の含フッ素化合物の合成中間体
としても価値があり、たとえばＨＦＩＰＡを出発原料と
して、ＨＦＩＰＡのアルコール基の水素をメチル、フル
オロメチル、エチル基で置換したエーテルは吸入麻酔剤
としても提案されている。かかるＨＦＩＰＡの製法とし
ては従来より各種の一方法が知られており、ＨＦＡを触
媒の存在下に水素で還元することからなる製法も提案さ
れている。そして、かかる還元反応触媒としてはＰｔ系
触媒、Ｐｄ系触媒、Ｃｕ−Ｃｒ。Ｏ。系触媒などが知ら
れ、ているが、いずれも原料■Ａの転化率が不充分。て
あり、目的とするＨＦＩＰＡの収率が低く、高い反応温
度や高い反応圧力を必要とし、原料中の不純物や反応副
生物により反応活性を阻害され、あるいは触媒の耐久性
に劣るなどの難点をもつている。即ち、米国特許３４１
８３３７号公報にはＰｔ０触媒を用いる液相反応が示さ
れているが、２００〜９叩気圧の極めて高い反応圧力を
必要としている。
としても価値があり、たとえばＨＦＩＰＡを出発原料と
して、ＨＦＩＰＡのアルコール基の水素をメチル、フル
オロメチル、エチル基で置換したエーテルは吸入麻酔剤
としても提案されている。かかるＨＦＩＰＡの製法とし
ては従来より各種の一方法が知られており、ＨＦＡを触
媒の存在下に水素で還元することからなる製法も提案さ
れている。そして、かかる還元反応触媒としてはＰｔ系
触媒、Ｐｄ系触媒、Ｃｕ−Ｃｒ。Ｏ。系触媒などが知ら
れ、ているが、いずれも原料■Ａの転化率が不充分。て
あり、目的とするＨＦＩＰＡの収率が低く、高い反応温
度や高い反応圧力を必要とし、原料中の不純物や反応副
生物により反応活性を阻害され、あるいは触媒の耐久性
に劣るなどの難点をもつている。即ち、米国特許３４１
８３３７号公報にはＰｔ０触媒を用いる液相反応が示さ
れているが、２００〜９叩気圧の極めて高い反応圧力を
必要としている。
また、米国特許３６０７９５訝公報には同じくｐｔＯ触
媒を用いて液相反応をより低い反応圧力下で進行させる
方法が示されているが、目的生成物であるＨＦＩＰＡを
反応当初より系に添加しておく必要がある。
媒を用いて液相反応をより低い反応圧力下で進行させる
方法が示されているが、目的生成物であるＨＦＩＰＡを
反応当初より系に添加しておく必要がある。
また、***特許２１１３５５１号公開公報によればＰｄ
／活性炭をＮａ２ＣＯ、などのアルカリで処理した触媒
を用いる液相反応でＨＦＩＰＡを得ているが、かかる触
媒の調製は複雑かつ煩瑣である。一方、気相法によるＨ
ＦＡの水素還元でＨＦＩＰＡを得る触媒としてはＣｕ−
Ｃｒ、Ｏｓ−ＣａＦ、触媒（特公昭３９−８２１０号公
報）、Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒（米国特許３４６８９６４
号公報）、Ｐｄ／ Ｃ触媒（特公昭４８−２１９２５号
公報）が知られているが、高い反応温度を必要としたり
、触媒の活性、耐久性に不満足であるなどの難点を有し
ている。本発明者は、ＨＦＡの水素によるＨＦＩＰＡへ
の接触還元反応について、これらの難点を解決し、優れ
た触媒を提供すべく種々の研究を重ねた結果、次の如き
新規知見を得、かかる知見に基づいて本発明を完成した
ものである。
／活性炭をＮａ２ＣＯ、などのアルカリで処理した触媒
を用いる液相反応でＨＦＩＰＡを得ているが、かかる触
媒の調製は複雑かつ煩瑣である。一方、気相法によるＨ
ＦＡの水素還元でＨＦＩＰＡを得る触媒としてはＣｕ−
Ｃｒ、Ｏｓ−ＣａＦ、触媒（特公昭３９−８２１０号公
報）、Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒（米国特許３４６８９６４
号公報）、Ｐｄ／ Ｃ触媒（特公昭４８−２１９２５号
公報）が知られているが、高い反応温度を必要としたり
、触媒の活性、耐久性に不満足であるなどの難点を有し
ている。本発明者は、ＨＦＡの水素によるＨＦＩＰＡへ
の接触還元反応について、これらの難点を解決し、優れ
た触媒を提供すべく種々の研究を重ねた結果、次の如き
新規知見を得、かかる知見に基づいて本発明を完成した
ものである。
即ちロジウム触媒はこの還元反応に対し高活性を有する
と共に目的ＨＦＩＰＡの生成率の点でも優れており、さ
らに耐久性や不純物に影響されにくい点においても優れ
るものである。かくして、本発明は、ＨＦＡをロジウム
触媒の存在下に水素で還元することを特徴とする８１Ｐ
Ａの製法を新規に提供するものである。本発明において
は、ロジウム触媒を使用することが重要である。
と共に目的ＨＦＩＰＡの生成率の点でも優れており、さ
らに耐久性や不純物に影響されにくい点においても優れ
るものである。かくして、本発明は、ＨＦＡをロジウム
触媒の存在下に水素で還元することを特徴とする８１Ｐ
Ａの製法を新規に提供するものである。本発明において
は、ロジウム触媒を使用することが重要である。
ロジウム触媒としては還元ロジウム、または酸化ロジウ
ム、水酸化ロジウム、塩化ロジウムなどのロジウム化合
物があげられ、ロジウムを含有する錯体であつてもよく
、いずれもロジウムの酸化数は特には問わない。なかで
もＯ価のロジウムが効果的で、還元ロジウムは好ましい
例である。また、還元ロジウムは反応当初から存在して
いても、反応中にたとえば過渡的に存在してもよい。か
かるロジウム触媒をたとえば液相反応系によるこの還元
反応に使用する場合にはそのまま反応系に懸濁あるいは
溶解させて用いてもよいが、通常は適宜の担体に担持さ
せて気相反応系あるいは液相反応系に使用するのが好便
である。担体としては、活性炭、アルミナ、シリカ、シ
リカ−アルミナ、マグネシア、アスベスト、ケイソウ土
、その他の酸化物、硫酸塩、炭酸塩、フッ化物などが採
用でき、なかでも活性炭、アルミナが好便である。担持
触媒におけるロジウム分の担持量は特には限定されない
が、金属ロジウム換算で担体重量に対し０．１〜２鍾量
％、特には０．５〜１唾量％が好ましい。担体の粒径は
特には限定さ．れないが、触媒を懸濁させた液相反応系
などを採用する場合には、触媒の系内での分布の均一化
を容易にし反応物と触媒との接触を多くするように、微
粉末状の担体を使用するのが一般に好ましい。また、固
定床触媒による気相反応系または液．相反応系などを採
用する場合には、触媒層に触媒を保持でき、かつ流体流
通抵抗を適切な圧力損失範囲に維持できるように、１朗
以上の粒径の担体を使用するのが一般に好ましい。さら
にまた、流動床方式による反応なども適宜の粒径の触媒
を用・いて採用できる。かかるロジウム触媒の調製には
担持方法も含めて公知乃至周知の各種方法が採用でき、
また市販の各種のロジウム触媒も使用しうる。
ム、水酸化ロジウム、塩化ロジウムなどのロジウム化合
物があげられ、ロジウムを含有する錯体であつてもよく
、いずれもロジウムの酸化数は特には問わない。なかで
もＯ価のロジウムが効果的で、還元ロジウムは好ましい
例である。また、還元ロジウムは反応当初から存在して
いても、反応中にたとえば過渡的に存在してもよい。か
かるロジウム触媒をたとえば液相反応系によるこの還元
反応に使用する場合にはそのまま反応系に懸濁あるいは
溶解させて用いてもよいが、通常は適宜の担体に担持さ
せて気相反応系あるいは液相反応系に使用するのが好便
である。担体としては、活性炭、アルミナ、シリカ、シ
リカ−アルミナ、マグネシア、アスベスト、ケイソウ土
、その他の酸化物、硫酸塩、炭酸塩、フッ化物などが採
用でき、なかでも活性炭、アルミナが好便である。担持
触媒におけるロジウム分の担持量は特には限定されない
が、金属ロジウム換算で担体重量に対し０．１〜２鍾量
％、特には０．５〜１唾量％が好ましい。担体の粒径は
特には限定さ．れないが、触媒を懸濁させた液相反応系
などを採用する場合には、触媒の系内での分布の均一化
を容易にし反応物と触媒との接触を多くするように、微
粉末状の担体を使用するのが一般に好ましい。また、固
定床触媒による気相反応系または液．相反応系などを採
用する場合には、触媒層に触媒を保持でき、かつ流体流
通抵抗を適切な圧力損失範囲に維持できるように、１朗
以上の粒径の担体を使用するのが一般に好ましい。さら
にまた、流動床方式による反応なども適宜の粒径の触媒
を用・いて採用できる。かかるロジウム触媒の調製には
担持方法も含めて公知乃至周知の各種方法が採用でき、
また市販の各種のロジウム触媒も使用しうる。
調製済の触媒をそのまま使用したり、あるいは適宜活性
化処理して使用してさしつかえない。本発明に使用する
ＨＦＡは各種の方法により調製しうるが、調製に伴なう
不純物が混入されていても本発明の原料として使用しう
る。
化処理して使用してさしつかえない。本発明に使用する
ＨＦＡは各種の方法により調製しうるが、調製に伴なう
不純物が混入されていても本発明の原料として使用しう
る。
たとえばヘキサクロルアセトンから得られ、したがつて
モノクロルペンタフルオロアセトンなどを不純物として
含むＨＦ′Ａであつてもよく、あるいはヘキサフルオロ
プロペン（以下ＨＦＰと略記）から直接川こ、またはヘ
キサフルオロプロペンエポキシドを経由して得られ、し
たがつてＨＦＰｌヘキサフルオロプロペンエポキシド、
ペンタフルオロプロピオニルフルオリドなどを不純物と
して含むＨＦＡであつてもよい。さらにまた、他の含フ
ッ素ある・いは含塩素の化合物を不純物として含んでい
てもさしつかえない。適宜な精製法でこれらの不純物を
減少もしくは除去したものても使用しうることは言うま
でもない。本発明は液相法、気相法のいずれの方法で行
な・つてもよい。
モノクロルペンタフルオロアセトンなどを不純物として
含むＨＦ′Ａであつてもよく、あるいはヘキサフルオロ
プロペン（以下ＨＦＰと略記）から直接川こ、またはヘ
キサフルオロプロペンエポキシドを経由して得られ、し
たがつてＨＦＰｌヘキサフルオロプロペンエポキシド、
ペンタフルオロプロピオニルフルオリドなどを不純物と
して含むＨＦＡであつてもよい。さらにまた、他の含フ
ッ素ある・いは含塩素の化合物を不純物として含んでい
てもさしつかえない。適宜な精製法でこれらの不純物を
減少もしくは除去したものても使用しうることは言うま
でもない。本発明は液相法、気相法のいずれの方法で行
な・つてもよい。
本発明を液相法で行なう場合には溶媒または希釈剤を用
いてもよいし、用いなくてもよい。使用しうる溶媒また
は希釈剤としてはＨＦ′ＩＰＡ，．ＣＦ３ＣＨ２ＯＨｌ
メタノール、エタノール、シクロヘキサノールなどのア
ルコール類、ＣＦ２ＣｌＣＦＣｌ２，ＣＦ２Ｃｌ２，Ｈ
ＦＰなどのハロゲン化炭化水素類、ヘプタン、シクロヘ
キサンなどの炭化水素類、ヘキサフルオロプロペンエポ
キシド、ジオキサンなどのエーテル類などの挙げること
ができるが、目的生成物でもあるＨＦＩＰＡを溶媒とす
ることは好適である。水を溶媒とし、あるいは混入させ
ることは、ＨＦＡが水と反応して、還元を受けにくい（
ＣＦ３）２Ｃ（０Ｈ）２となるので、どちらかといえば
好適でない。反応温度、反応圧力などの反応条件につい
ては特には限定がなく、従来より公知乃至周知の条件が
採用できる。反応開始時に原料１ＦＡの全量を仕込むバ
ッチ式またはセミバッチ式液相反応に例をとれば、反応
圧力は水素分圧を含めて０．５〜７０気圧、特には１〜
５洩圧が好ましく、反応温度は０〜２００℃、特には２
０〜１００℃が好ましい。触媒の使用量は金属ロジウム
換算で供給８Ａ重量に対し０．０００１〜１Ｗｔ％、特
には０．００１〜０．１ｗｔ％が好ましい。反応時間は
反応温度など他の反応条件あるいは操作条件にもよるが
、例えば１分〜５０Ｃ＠間程度が採用しうる。水素は単
独で供給してもよく、窒素などの不活性ガスと混合して
供給してもよい。水素分圧は０．３〜５０気圧、特には
０．５〜（至）気圧が好ましい。水素供給総量は原料Ｈ
ＦＡと等モル以上であればよく、これより過剰に水素を
供給してもさしつかえない。また、原料ＨＦＡモル数よ
り少ないモル数の水素を供給することによりＨＦ′ＩＰ
Ａへの転化率を１００％以下の適宜の数値にとどめたり
、反応速度や反応温度を適宜調整することも可能である
。水素供給総量を反応開始時に一度に反応系に供給して
もよく、反応進行とともに複数回に分割供給してもよく
、また連続的に供給してもよい。水素供給総量を反応開
始時に一度に供給する場合には、反応圧力および水素分
圧は水素供給直後に上述した圧力範囲であることが好ま
しいが、反応終了時にはこの圧力範囲を下回つてもよい
。
いてもよいし、用いなくてもよい。使用しうる溶媒また
は希釈剤としてはＨＦ′ＩＰＡ，．ＣＦ３ＣＨ２ＯＨｌ
メタノール、エタノール、シクロヘキサノールなどのア
ルコール類、ＣＦ２ＣｌＣＦＣｌ２，ＣＦ２Ｃｌ２，Ｈ
ＦＰなどのハロゲン化炭化水素類、ヘプタン、シクロヘ
キサンなどの炭化水素類、ヘキサフルオロプロペンエポ
キシド、ジオキサンなどのエーテル類などの挙げること
ができるが、目的生成物でもあるＨＦＩＰＡを溶媒とす
ることは好適である。水を溶媒とし、あるいは混入させ
ることは、ＨＦＡが水と反応して、還元を受けにくい（
ＣＦ３）２Ｃ（０Ｈ）２となるので、どちらかといえば
好適でない。反応温度、反応圧力などの反応条件につい
ては特には限定がなく、従来より公知乃至周知の条件が
採用できる。反応開始時に原料１ＦＡの全量を仕込むバ
ッチ式またはセミバッチ式液相反応に例をとれば、反応
圧力は水素分圧を含めて０．５〜７０気圧、特には１〜
５洩圧が好ましく、反応温度は０〜２００℃、特には２
０〜１００℃が好ましい。触媒の使用量は金属ロジウム
換算で供給８Ａ重量に対し０．０００１〜１Ｗｔ％、特
には０．００１〜０．１ｗｔ％が好ましい。反応時間は
反応温度など他の反応条件あるいは操作条件にもよるが
、例えば１分〜５０Ｃ＠間程度が採用しうる。水素は単
独で供給してもよく、窒素などの不活性ガスと混合して
供給してもよい。水素分圧は０．３〜５０気圧、特には
０．５〜（至）気圧が好ましい。水素供給総量は原料Ｈ
ＦＡと等モル以上であればよく、これより過剰に水素を
供給してもさしつかえない。また、原料ＨＦＡモル数よ
り少ないモル数の水素を供給することによりＨＦ′ＩＰ
Ａへの転化率を１００％以下の適宜の数値にとどめたり
、反応速度や反応温度を適宜調整することも可能である
。水素供給総量を反応開始時に一度に反応系に供給して
もよく、反応進行とともに複数回に分割供給してもよく
、また連続的に供給してもよい。水素供給総量を反応開
始時に一度に供給する場合には、反応圧力および水素分
圧は水素供給直後に上述した圧力範囲であることが好ま
しいが、反応終了時にはこの圧力範囲を下回つてもよい
。
これは、即ち反応進行により水素が消費され、蒸気圧の
大きい８Ａが減少し、蒸気圧の小さい８１ＰＡが増加し
、結果として反応圧力、水素分圧とも低下するからであ
る。
大きい８Ａが減少し、蒸気圧の小さい８１ＰＡが増加し
、結果として反応圧力、水素分圧とも低下するからであ
る。
この点は水素を複数回に分割して間欠的に供給する場合
も同様である。また、水素、ＨＦＡｌさらに必要に応じ
て溶媒または希釈剤を連続的に反応系に供給する流通式
液相反応、あるいは原料の一部もしくは全部をリサイク
ルして反応系に供給する循環式液相反応なども適宜採用
しうる。なお、上記記載において液相反応とは反応系に
おいて判然とした液相が存在する場合のみならず、凝液
相、即ち、気相と液相との判然とした区別が不能の臨界
温度以上の温度における物質の状態にある場合をも包含
するものである。本発明を気相法で行なう場合には、水
素および１（ＦＡを連続的に固定触媒層に通する気相流
通反応法は好適な一例である。
も同様である。また、水素、ＨＦＡｌさらに必要に応じ
て溶媒または希釈剤を連続的に反応系に供給する流通式
液相反応、あるいは原料の一部もしくは全部をリサイク
ルして反応系に供給する循環式液相反応なども適宜採用
しうる。なお、上記記載において液相反応とは反応系に
おいて判然とした液相が存在する場合のみならず、凝液
相、即ち、気相と液相との判然とした区別が不能の臨界
温度以上の温度における物質の状態にある場合をも包含
するものである。本発明を気相法で行なう場合には、水
素および１（ＦＡを連続的に固定触媒層に通する気相流
通反応法は好適な一例である。
反応ガスには窒素などの不活性ガスや、ＨＦＰ，ＣＦ２
ＣｌＣＦＣｌ２などの希釈剤を同時に、あるいは間欠的
に通じても差しつかえない。反応条件は特には限定され
ないが、反応温度は５０〜４００特Ｃ１特には１５０〜
３０００Ｃが好ましく、反応圧力は０．５〜Ｗ気圧、特
には１〜４気圧が好ましい。Ｉ（Ｆ′Ａに対する水素の
供給モル比は１以上てあることが好ましく、特には１．
５〜５の範囲であることが好ましい。接触時間は、たと
えは担持触媒を使用する場合にあつてはロジウム分の担
持率などによつて変えうるが０．１〜１０００秒、特に
は１〜１（１）秒が好ましい。また、この還元反応は発
熱反応であるので不活性ガスその他の希釈剤をあわせ通
することにより触媒温度が過度に上昇することを防止ま
たは抑制するのはしばしば触媒寿命の延長などにつなが
つて有効であり、同様な目的などから触媒を不活性また
は低活性の充填体と混合して用いるなどの手法も採用で
きる。なお、固定床反応方式に限定されす、移動床方式
または流動床方式なども適宜採用しうる。液相法にあつ
ても気相法にあつても、一度反応に供した触媒を水素処
理、減圧脱気処理その他の適宜の方法で再活性化するこ
とも採用できる。かくして本発明の方法によれば、■漬
の水素還元によりＨＦＩＰＡが好便な反応条件により高
活性、高収率で得られ、また、触媒の耐久性にすぐれ、
ないしは不純物に影響されにくいなどの効果を奏するも
のであるが、さらに本発明の実施例について具体的に説
明する。なお、かかる説明によつて本発明が何ら限定さ
れるものでないことは言うまでもない。実施例１ 圧力計、導入口およびニードルバルブを有する内容積約
５０ｍ１のＳＵＳ製たて型円筒状耐圧容器に、ロジウム
担持率２Ｗｔ％の金属ロジウム／活性炭微粉末担持触媒
（日本エンゲルハルド社製）０．２５ｙとテフロン９被
覆攪拌子を入れたのち、系内を室温で真空脱気した。
ＣｌＣＦＣｌ２などの希釈剤を同時に、あるいは間欠的
に通じても差しつかえない。反応条件は特には限定され
ないが、反応温度は５０〜４００特Ｃ１特には１５０〜
３０００Ｃが好ましく、反応圧力は０．５〜Ｗ気圧、特
には１〜４気圧が好ましい。Ｉ（Ｆ′Ａに対する水素の
供給モル比は１以上てあることが好ましく、特には１．
５〜５の範囲であることが好ましい。接触時間は、たと
えは担持触媒を使用する場合にあつてはロジウム分の担
持率などによつて変えうるが０．１〜１０００秒、特に
は１〜１（１）秒が好ましい。また、この還元反応は発
熱反応であるので不活性ガスその他の希釈剤をあわせ通
することにより触媒温度が過度に上昇することを防止ま
たは抑制するのはしばしば触媒寿命の延長などにつなが
つて有効であり、同様な目的などから触媒を不活性また
は低活性の充填体と混合して用いるなどの手法も採用で
きる。なお、固定床反応方式に限定されす、移動床方式
または流動床方式なども適宜採用しうる。液相法にあつ
ても気相法にあつても、一度反応に供した触媒を水素処
理、減圧脱気処理その他の適宜の方法で再活性化するこ
とも採用できる。かくして本発明の方法によれば、■漬
の水素還元によりＨＦＩＰＡが好便な反応条件により高
活性、高収率で得られ、また、触媒の耐久性にすぐれ、
ないしは不純物に影響されにくいなどの効果を奏するも
のであるが、さらに本発明の実施例について具体的に説
明する。なお、かかる説明によつて本発明が何ら限定さ
れるものでないことは言うまでもない。実施例１ 圧力計、導入口およびニードルバルブを有する内容積約
５０ｍ１のＳＵＳ製たて型円筒状耐圧容器に、ロジウム
担持率２Ｗｔ％の金属ロジウム／活性炭微粉末担持触媒
（日本エンゲルハルド社製）０．２５ｙとテフロン９被
覆攪拌子を入れたのち、系内を室温で真空脱気した。
ついで、この耐圧容器を１２０℃に加熱しながら約３紛
間真空脱気をつづけて、活性炭担体に吸着している水分
などを除去した。”ついで、この耐圧容器を閉じたまま
ドライアイス／アセトン浴で冷却し、ＨＦＡ容器と接続
して２５ｙの粗ＨＦＡを導入した。この粗ＨＦ′Ａは純
度約９０％で主たる不純物は１ＩＦ′Ｐであつた。つい
で、この耐圧容器を水素ボンベと接続すると共に、ウ・
オーターバスに入れて約６５゜Ｃに加熱し、あわせて電
磁攪拌機により耐圧容器内容物を攪拌した。圧力は２直
圧を示した。浴温をこの温度に維持し、かつ攪拌をつづ
けながら水素を導入して圧力を３４気圧とした。ただち
に圧力が３５気圧まで上昇した）のち、約１分後には（
至）気圧まで低下した。再び水素を導入して圧力を３５
気圧とした。圧力は３６気圧まで上昇したのち、その約
１．紛後には２蜆圧まで低下した。このようにして圧力
が２９〜３観圧に低下するごとに間欠的に水素を導入し
て圧力を３５〜３６気圧にすることを反復して第１回の
水素導入後１時間で計１１回の水素導入を行なうことが
できた。反応時間の経過と共に圧力低下速度は遅くなり
、したがつて導入回数を重ねる毎に導入間隔は長くなつ
た。１時間後に耐圧容器をウォーターバスからとり出し
、ドライアイス／アセトン浴で冷却し、残存する水素を
ゆつくりと放出した。
間真空脱気をつづけて、活性炭担体に吸着している水分
などを除去した。”ついで、この耐圧容器を閉じたまま
ドライアイス／アセトン浴で冷却し、ＨＦＡ容器と接続
して２５ｙの粗ＨＦＡを導入した。この粗ＨＦ′Ａは純
度約９０％で主たる不純物は１ＩＦ′Ｐであつた。つい
で、この耐圧容器を水素ボンベと接続すると共に、ウ・
オーターバスに入れて約６５゜Ｃに加熱し、あわせて電
磁攪拌機により耐圧容器内容物を攪拌した。圧力は２直
圧を示した。浴温をこの温度に維持し、かつ攪拌をつづ
けながら水素を導入して圧力を３４気圧とした。ただち
に圧力が３５気圧まで上昇した）のち、約１分後には（
至）気圧まで低下した。再び水素を導入して圧力を３５
気圧とした。圧力は３６気圧まで上昇したのち、その約
１．紛後には２蜆圧まで低下した。このようにして圧力
が２９〜３観圧に低下するごとに間欠的に水素を導入し
て圧力を３５〜３６気圧にすることを反復して第１回の
水素導入後１時間で計１１回の水素導入を行なうことが
できた。反応時間の経過と共に圧力低下速度は遅くなり
、したがつて導入回数を重ねる毎に導入間隔は長くなつ
た。１時間後に耐圧容器をウォーターバスからとり出し
、ドライアイス／アセトン浴で冷却し、残存する水素を
ゆつくりと放出した。
ついて系を閉じたまま温水て解凍し、氷水で冷却したな
かて溶存していた水素、未反応ＨＦＡ．ＨＦＰなどをゆ
つくりと放出したのち、耐圧容器を開いて生成物を回収
した。Ｆｌ９−ＮＭＲおよびガスクロマトグラフで分析
したところ、得られた生成物はほとんどがＨＦＩＰＡで
、供給した正味のＨＦＡを基準とするＨＦＩＰＡのモル
比率は９５％であつた。比較例１主として触媒を変えた
他は実施例１とほぼ同様にして粗ＨＦＡ（７）Ｈ２によ
る液相接触還元反応を行なつた結果を次表に示す。
かて溶存していた水素、未反応ＨＦＡ．ＨＦＰなどをゆ
つくりと放出したのち、耐圧容器を開いて生成物を回収
した。Ｆｌ９−ＮＭＲおよびガスクロマトグラフで分析
したところ、得られた生成物はほとんどがＨＦＩＰＡで
、供給した正味のＨＦＡを基準とするＨＦＩＰＡのモル
比率は９５％であつた。比較例１主として触媒を変えた
他は実施例１とほぼ同様にして粗ＨＦＡ（７）Ｈ２によ
る液相接触還元反応を行なつた結果を次表に示す。
いずれの場合も圧力低下速度は実施例１の場合より遅く
、かつパラジウム／活性炭触媒の場合の他は当初の１〜
２回の水素導入後はほとんど圧力低下が認められなくな
つた。また、パラジウム／活性炭触媒の場合は、１時間
の反応時間に水素供給は６回しかできなかつた。内径８
Ｔ！ｎφのＵ字型ＳＵＳ製反応管にロジウム担持率２ｗ
ｔ％の金属ロジウム／粒状活性炭（１０〜２０メッシュ
）担持触媒（日本エンケルハルド社製）１０ｍ１を充填
した。
、かつパラジウム／活性炭触媒の場合の他は当初の１〜
２回の水素導入後はほとんど圧力低下が認められなくな
つた。また、パラジウム／活性炭触媒の場合は、１時間
の反応時間に水素供給は６回しかできなかつた。内径８
Ｔ！ｎφのＵ字型ＳＵＳ製反応管にロジウム担持率２ｗ
ｔ％の金属ロジウム／粒状活性炭（１０〜２０メッシュ
）担持触媒（日本エンケルハルド社製）１０ｍ１を充填
した。
系内をＮ２で置換したのち、反応管を１８０℃の塩浴に
入れて加熱した。窒素、ついで水素を通じて前処理した
のち、実施例１に用いたと同様の粗ＨＦＡと水素とをそ
れぞれ１０〜１５ｍ１１ｍｉｎ（室温換算、以下同じ）
、約３０ｍ１′Ｍｉｎの流量になるように混合して反応
系に供給した。反応）管出口ガスは２段の氷水浴トラッ
プを経てベントに放出した。凝縮物の多くは第１段の氷
水浴トラップに捕促され、実質的にそのすべてがＨＦＩ
ＰＡであつた。１時間毎にトラップを交換して凝縮物を
分析したところ３．０〜３時間までのＨＦＩＰＡモル・
収率は実質的に１００％であり、つぎのｌ時間のＨＦ′
ＩＰＡモル比率は９８％であつた。
入れて加熱した。窒素、ついで水素を通じて前処理した
のち、実施例１に用いたと同様の粗ＨＦＡと水素とをそ
れぞれ１０〜１５ｍ１１ｍｉｎ（室温換算、以下同じ）
、約３０ｍ１′Ｍｉｎの流量になるように混合して反応
系に供給した。反応）管出口ガスは２段の氷水浴トラッ
プを経てベントに放出した。凝縮物の多くは第１段の氷
水浴トラップに捕促され、実質的にそのすべてがＨＦＩ
ＰＡであつた。１時間毎にトラップを交換して凝縮物を
分析したところ３．０〜３時間までのＨＦＩＰＡモル・
収率は実質的に１００％であり、つぎのｌ時間のＨＦ′
ＩＰＡモル比率は９８％であつた。
比較例２
触媒をパラジウム担持率ａ％の金属パラジウム／粒状活
性炭（１０〜２０メッシュ）担持触媒田”本エンゲルハ
イド社製）に代えた他は実施例２とほぼ同様にして粗Ｈ
ＦＡの還元反応を行なつた。
性炭（１０〜２０メッシュ）担持触媒田”本エンゲルハ
イド社製）に代えた他は実施例２とほぼ同様にして粗Ｈ
ＦＡの還元反応を行なつた。
０〜３時間まてのＨＦＩＰＡモル収率は９０％であ、つ
ぎの１時間のＨＦＩＰＡモル比率は７５％であつた。
ぎの１時間のＨＦＩＰＡモル比率は７５％であつた。
また、粗ＨＦＡの代りに小型ボンベ入りの高純度試薬Ｈ
ＦＡを用いてほぼ同様の還元反応を行なつた。０〜３時
間までのＨＦＩＰＡモル比率は８４〜９４％であつた。
ＦＡを用いてほぼ同様の還元反応を行なつた。０〜３時
間までのＨＦＩＰＡモル比率は８４〜９４％であつた。
この結果はパラジウム／活性炭系触媒はかなり高活性で
あり、かつ８Ａ中の不純物にも比較的影響されにくいが
、ロジウム系触媒の方がさらに活性、耐久性にまさり、
かつ不純物にも影響されないことを示している。比較例
３ 触媒をパラジウム担持率０．５Ｗｔ％の金属パラジウム
／粒状活性Ａｌ２Ｏ３（１０〜２０メッシュ）担持触媒
（日本エンゲルハルド社製）に代え、反応温度を１２０
℃に代えた他は実施例２とほぼ同様にして粗ＨＦ′Ａお
よび高純度試薬ＨＦＡの還元反応を行なつた。
あり、かつ８Ａ中の不純物にも比較的影響されにくいが
、ロジウム系触媒の方がさらに活性、耐久性にまさり、
かつ不純物にも影響されないことを示している。比較例
３ 触媒をパラジウム担持率０．５Ｗｔ％の金属パラジウム
／粒状活性Ａｌ２Ｏ３（１０〜２０メッシュ）担持触媒
（日本エンゲルハルド社製）に代え、反応温度を１２０
℃に代えた他は実施例２とほぼ同様にして粗ＨＦ′Ａお
よび高純度試薬ＨＦＡの還元反応を行なつた。
Claims (1)
- １ ヘキサフルオロアセトンをロジウム触媒の存在下に
水素で還元することを特徴とする１、１、１、３、３、
３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186826A JPS6054931B2 (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186826A JPS6054931B2 (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888330A JPS5888330A (ja) | 1983-05-26 |
| JPS6054931B2 true JPS6054931B2 (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=16195282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186826A Expired JPS6054931B2 (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054931B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03115824U (ja) * | 1989-11-28 | 1991-12-02 | ||
| WO2018139441A1 (ja) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 住友化学株式会社 | 組成物及び該組成物を用いて得られる発光素子 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2599665B2 (ja) * | 1991-05-01 | 1997-04-09 | 大塚製薬株式会社 | ピラジン誘導体 |
| JPWO2002026679A1 (ja) * | 2000-09-27 | 2004-02-05 | 旭硝子株式会社 | フッ素化アルコールの製造方法 |
| JP5028731B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2012-09-19 | 旭硝子株式会社 | ハロゲン化アルコ−ルの製造方法 |
| JP5076739B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2012-11-21 | セントラル硝子株式会社 | ヘキサフルロイソプロパノールの製造方法 |
| US7524995B1 (en) | 2008-06-12 | 2009-04-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Continuous process to produce hexafluoroisopropanol |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP56186826A patent/JPS6054931B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03115824U (ja) * | 1989-11-28 | 1991-12-02 | ||
| WO2018139441A1 (ja) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 住友化学株式会社 | 組成物及び該組成物を用いて得られる発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5888330A (ja) | 1983-05-26 |
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