JPS6048090A - 螢光表示装置 - Google Patents

螢光表示装置

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JPS6048090A
JPS6048090A JP58155888A JP15588883A JPS6048090A JP S6048090 A JPS6048090 A JP S6048090A JP 58155888 A JP58155888 A JP 58155888A JP 15588883 A JP15588883 A JP 15588883A JP S6048090 A JPS6048090 A JP S6048090A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は螢光体発光を利用して文字・記号等を表示する
螢光表示装置に関し、特に発光エレメントをマトリック
ス状に配列してなる発光表示部を備えた螢光表示装置に
関するものである。
〔従来技術〕
文字・記号等を表示する螢光表示管としては、例えば特
開昭５３−１４１５７０に記載された、所定文字数分の
グリッドとグリッドに対向して複数個の螢光体ドツトを
マトリックス状（例えば５×７ドツト）に配置し、グリ
ッドに順次時分割ノ＜パルスを印加して駆動するものが
実用化さｆｌ、ている。
しかし、このような螢光表示管では、表示文字の多様性
に伴うドツト数の増加および発光文字数の増加、すなわ
ちグリッド数の増加に伴って螢光表示管の管外導出リー
ド線数が増加し、その接続作業が煩雑になるとともにグ
リッドおよびけい光体ドツトを駆動する駆動素子数が増
加して装置ζか高価とならざるを得なかった。また、グ
リッドを順次時分割パルスを印加して駆動するととから
文字数の増加、すなわちグリッド数の増加によりデユー
ティファクターが低下するため、必要輝度を得るために
必要々駆動電圧が高くなり、高価な高耐圧素子を必要と
したシ、あるいは駆動素子の入手が困難な場合も生じて
いた。
その他に、画像表示を行なわせる目的で開発された特公
昭５６−２４９９３、特開昭５７−９９６８８などに記
載・されたものが提案されている。これらは、ＭＯＳ−
ＦＦ、Ｔからなるスイッチング素子と、このスイッチン
グ素子に接続された螢光面形成電極と、コンデンサから
なるメモリ部と、上記スイッチング素子を駆動するシフ
トレジスタ等を同一半導体基板に集積化して表示部を形
成するものである。
しかし、この表示装置は、前述したような螢光表示管の
外部導出リード線数の増加に対しては効果があるものの
、メモリ部がコンデンサによるダイナミックメモリであ
るため、高輝度の表示を得るにはリフレッシュ回数を多
く、すなわち高周波数で駆動する必要があり、特に表示
エレメントが増加するとリフレッシュを必要回数性なう
ことが困難となって輝度の低下もしくは発光のちらつき
を生ずることがあった。
〔発明の目的および構成〕
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、
その目的は、表示管外への導出リード線数が少なく、か
つメモリのリフレッシュの必要がなく低電圧駆動で高輝
度の表示が得られる螢光表示装置を提供することにある
。
このような目的を達成するために、本発明は、フリップ
フロップで構成したスタテックＲＡＭ　（ランダムアク
セスメモリ）（以後５−ＲＡＭと略記する）のＱ出力点
または点用力点に螢光面形成′電極への電圧印加をスイ
ッチングするトランジスタを接続して発光エレメントを
構成し、このエレメントを多数マトリックス配列してな
る発光表示部と、これを制御する駆動部とを同−半等体
集Ｍ基板に形成したものである。以下、実施例を用いて
本発明の詳細な説明する。
〔実施例〕
例えば漢字表示を目的とする発光ドツト数２４×２４ド
ツトの表示装置では、第１図に示すような回路部を１個
の半導体基板に集積化する。そして、表示文字数に相当
する同様の半導体集積基板をガラス等の絶縁基板上に並
置し、表示画素に対向配置したフィラメント状陰極を設
け、その上から透明なカバーガシスをかぶせて絶縁基板
と気密封止した後、内部−を真空排気して目的とする螢
光表示装置が構成される。なお、フィラメント状陰極と
表示画素との間の空間に、全表示画素を覆う１枚のグリ
ッド電極を必要に応じて配置してもよい。
第１図において、１は表示画素部、２はこの表示画素部
１を駆動制御する駆動部を構成する行選択回路、３ａは
入出力回路、３ｂは列選択回路、４は入力データコント
ロール回路、５はパワーダウン回路であシ、表示画素部
１以外は通常の５−ＲＡＭで用いられると同様の回路構
成である。また、Ａａ　−Ａｏ　ｒ　ｌ１０ｚ　〜ｌ１
０８＋　ＷＥ　、　ＯＥの各端子は各表示文字に対応す
る各半導体集積基板間で対応するものをそれぞれ共通接
続し、表示管外に導出して用いる。ＣＳ端子については
各半導体集積基板間に表示文字数に相当する数だけ表示
管外へ導出する。
そこで、次に表示画素部１を形成する１発光エレメント
の構成例を説明する。
第２図は、Ｃ−ＭＯ８基板を用い、駆動用トランジスタ
をＰ−ＭＯ８によって構成した例を示す。同図において
、６はフィラメント状陰極、１はフィラメント電源、８
は螢光表示管駆動電源、９はグリッド、１０は螢光体、
１１は螢光面を形成する発光電極（陽極）、１２は駆動
用トランジスタ、１３はフリップフロップ構成の５−Ｒ
ＡＭ部、１４ａ。
１４ｂは各エレメント間で共通接続されて第１図に示し
た列選択回路３ｂに接続される１および０の各ピットラ
イン、１５は行ごとに共通接続されて＠１図に示す行選
択回路２に接続されるワードセレクトラインを示す。な
お、ＴＬ１＋ＴＬ２およびＴｌ〜Ｔ４は５−ＲＡＭＡｌ
Ｂ１構成するトランジスタである。
上記構成において、ピットライン１４ａまた標二１４ｂ
とワードセレクトライン１５との組合せにょシ、各エレ
メントに発光または非発光の信号が選択付加され、５−
ＲＡＭＡｌＢ１２憶されると、５−ＲＡＭＡｌＢ１２出
力点の電圧により駆動用トランジスタ１２がスイッチン
グし、■ｓ８電源ラインを通じて螢光表示管駆動電源８
の電圧が発光電極１１を介して螢光体１０に供給される
。その結果、フィラメント電源γによシ加熱されグリッ
ド９によって力「速・拡散された熱電子は駆動電源８の
加速電圧により螢光体１０を衝撃して発光表示が行なわ
れる。一度発光表示を開始した螢光体１０は、ピットラ
イン１４ａ、１４ｂとワードセレクトライン１５との組
合せにより非発光の信号が入力されるまで、３−　ＲＡ
ＭＡｌＢ１２憶により発光を持続する。したがって、記
憶状態を発光の持続中リフレッシュする必要がなく、螢
光体１０に直流′電圧が印加さするので低電圧で高輝度
、かつちらつきのない表示が行なえる。なお、先にも述
べた通りグリッド９は必要に応じて設ければよい。
次に、発光エレメントの他の構成例を第３図に示す。同
図は、第２図と同様Ｃ−ＭＯＳ基板を用い、駆動用トラ
ンジスタ１２をＰ−ＭＯ３によって構成した例で、第２
図と同等部分は同一記号で示しである。すなわち、第３
図は８１！２図の回路に、さらに第１の端子がワードセ
レクトライン１５に、第２の端子が発光電極１１に、第
３０婦子が読出しフィン１６にそれぞれ接続された読出
し用トランジスタ１７を付加したもので、読出しライン
１６は列ごとに共通接続されて列選択回路３ｂに接続さ
れる。
上記構成において、基本的な発光表示メカニズムは第２
図の場合と同様であるが、さらに、ワードセレクト２イ
ン１５に検査信号を順次印加して走査することにより読
出しジイン１６を通じて５−ＲＡＭＡｌＢ１２憶状態を
読出すことが可能となり、この半導体集積基板単体で、
その検査が可能となって、表示装置の製造過程での良品
の選別が可能となる。また、この読出しライン１６は、
当該螢光表示装置の駆動中にその発光状態を他の機器に
転送する信号線としても用いることができる。
同様に、第４図にＣ−ＭＯ８基板を用い、駆動用トラン
ジスタ１２をＰ−ＭＯ８、読出し用トランジスタ１７を
Ｎ−ＭＯ８構成とした回路例を、第５図にＣ−ＭＯ８基
板を用い、駆動用トランジスタ１２および読出し用トラ
ンジスタ１７　ｆ：　Ｐ−ＭＯ８構成とした回路例を、
第６図に駆動用トランジスタ１２および読出し用トラン
ジスタ１７をＮ−ＭＯ８構成とした回路例を示す。各図
中、第３図２同一記号は同等部・分を示し、基本的ガ作
用効果も第３図と同様である。
以上、いずれもＣ−ＭＯ８基板を用いた場合を例如とっ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく
、例えばバイポーラトランジスタ、その他どのようなス
イッチング素子構成を用いても、オた基板もシリコン以
外の他の基板を用いても、同様に実施することができる
。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、メモリ部をソリ
ツブフロップを用いたＳ　−ＲＡＭで形成し、かつ当該
フリップフロップのＱもしくは４出力点に螢光面形成電
極への電圧印加をスイッチングするトランジスタを接続
して１発光エレメントを構成し、この発光エレメントを
多数マトリッグス配列した発光表示部を駆動部とともに
同一半導体集積基板に形成したことによシ、表示管外へ
の導出リード線数が少なく、かつメモリのリフレッシュ
の必要がなく低電圧で高輝度の表示が行なえる螢光表示
装置が得られる。さらに、上記構成において螢光面形成
！極の信号状態を読出す読出し用トランジスタを付加し
た場合には、当該半導体集積基板を単体で検査すること
が可能となり、製造過程での良品の選別が容易となる利
点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す同一半導体集積基板に
形成される発光表示部および駆動部［回路のブロック図
、第２図ないし第６図はそ八ぞれ１発光エレメントの構
成例を示す回路図である。 １・・・・表示画素部、２・・・・行選択回路、３ａ・
・・・入出力回路、３ｂ・・・・行選択回路、４・・・
・入力データコントロール回路、６・・・・陰極、８・
・・・螢光表示管駆動電源、１０・・・・螢光体、１１
・・・・発光電極（螢光面形成電極、１２・・・・駆動
用トランジスタ、１３・・・・５−ＲＡＭ　、１５・・
・・ワードセレクトライン、１６・・・・読出しライン
、１７・・・・読出し用トランジスタ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）フリップフロップから々るスタティック化調部と
    、上記フリップ７、ロッゾのＱ出力点またはり出力点に
    接続された第１の端子および螢光面形成電極に接続され
    た第２の端子ならびに電源ラインに接続された第３の端
    子を有する駆動用トラフ２フ２部とで１発光エレメント
    を形成し、この発光エレメントを多数マトリックス状に
    配列した発光表示部と、この発光表示部を制御する駆動
    部とを同一半導体集積基板に一体に形成し、この半導体
    集積基板と、当該半導体集積基板の上記発光表示部搭載
    面に対向配置した陰極とを少なくとも一面が透光性を有
    する真空容器に内蔵してなる螢光表示装置。
  2. （２）フリップフロップからなるスタティックＲＡＭ部
    と、上記フリップフロップのＱ出力点またはり出力点に
    接続された第１の端子および螢光面形成電極に接続され
    た第２の端子ならびに電源ラインに接続された第３の端
    子を有する駆動用トランジスタ部と１．上記スタティッ
    クＲＡＭのワードセレクトラインに接続された第１の端
    子および上記螢光面形成電極に接続された第２の端子な
    らびにデータ読出しラインに接続された第３の端子を有
    する読出し用トランジスタ部とで１発光エレメントを形
    成し、この発光エレメントを多数マトリックス状に配列
    した発光表示部と、この発光表示部を制御する駆動部と
    を同一半導体集積基板に一体に形成し、この半導体集積
    基板と、当該半導体集積基板の上記発光表示部搭載面に
    対向配置した陰極とを少なくとも一面が透光性を有する
    真空容器に内蔵してなる螢光表示装置。
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