JPS6041229A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその製造装置Info
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- JPS6041229A JPS6041229A JP14923783A JP14923783A JPS6041229A JP S6041229 A JPS6041229 A JP S6041229A JP 14923783 A JP14923783 A JP 14923783A JP 14923783 A JP14923783 A JP 14923783A JP S6041229 A JPS6041229 A JP S6041229A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、被膜のエソチング工程に改良を加えた半導体
装置の製造方法及びその製造装置に関する。
装置の製造方法及びその製造装置に関する。
従来技術と問題点
一般に、半導体装置を製造するにばウェハ上に形成した
所定の被膜の不要箇所を除去するエソヂング工程が必す
存在している。
所定の被膜の不要箇所を除去するエソヂング工程が必す
存在している。
そのエソチング工程には、半導体素子の微細化に伴ない
、ドライ・エツチング法が適用されるようになった。そ
して、そのドライ・エツチング法の中でも、特にエツチ
ング形状に異方性を示し、且つ、エツチング物質とその
下地物質との間でエツチング速度の比、即ち、選択比を
大きく採ることができる反応性イオン・エツチング法が
重要視されている。
、ドライ・エツチング法が適用されるようになった。そ
して、そのドライ・エツチング法の中でも、特にエツチ
ング形状に異方性を示し、且つ、エツチング物質とその
下地物質との間でエツチング速度の比、即ち、選択比を
大きく採ることができる反応性イオン・エツチング法が
重要視されている。
この反応性イオン・エツチング法は、高周波に依り所定
エツチング・ガスをプラズマ状態にして分解し、その一
部を被エツチング物質と化学的に反応させてエツチング
を行ない、他の一部を物理的なスパツタリングに利用し
てエツチングをしているものであり、このように化学的
な過程と、物理的な過程を含んでいるごとに依り、その
エツチングは異方性を示し、また、大きな選択比が得ら
れているのである。
エツチング・ガスをプラズマ状態にして分解し、その一
部を被エツチング物質と化学的に反応させてエツチング
を行ない、他の一部を物理的なスパツタリングに利用し
てエツチングをしているものであり、このように化学的
な過程と、物理的な過程を含んでいるごとに依り、その
エツチングは異方性を示し、また、大きな選択比が得ら
れているのである。
ところで、ごの反応性イオン・エツチング法に於いては
、エツチング進行中の成る時期には、電界に依って加速
されたイオン或いは電子が下地物WFを直撃するので、
それに依る[1j傷は回避することができない。
、エツチング進行中の成る時期には、電界に依って加速
されたイオン或いは電子が下地物WFを直撃するので、
それに依る[1j傷は回避することができない。
若し、前記下地物質が半導体装置の能動領域、例えばバ
イポーラ・トランジスタのエミッタ領域であって、その
エミソクfifl域の」二の被膜をエツチングする場合
等は問題である。
イポーラ・トランジスタのエミッタ領域であって、その
エミソクfifl域の」二の被膜をエツチングする場合
等は問題である。
このような反応(I+イオン・エツチング法の欠点を解
消しようとし′6光化学反応を利用したエツチング法、
所謂、光エツチング法が開発された。
消しようとし′6光化学反応を利用したエツチング法、
所謂、光エツチング法が開発された。
この光エツチング法は、エツチング・ガスを解離してエ
ノチャンI・を生成する為に光エネルギを利用するもの
であり、このエネルギの大きさは、光m子1個当り次式
で表される。
ノチャンI・を生成する為に光エネルギを利用するもの
であり、このエネルギの大きさは、光m子1個当り次式
で表される。
イ ・・・・ (1)
1)ニブランク定数 6.(i26 X In−’ (
J S)C:光速 2.998 X 1108(S ’
)λ:光の波長 式(1)に於いて、h及びCは定数である為、光の波長
λが短いほど光量子1個当りが有するエネルギは大きい
ことになる。
J S)C:光速 2.998 X 1108(S ’
)λ:光の波長 式(1)に於いて、h及びCは定数である為、光の波長
λが短いほど光量子1個当りが有するエネルギは大きい
ことになる。
従って、充分に波長が短い紫外光を用いれば、ガス分子
は解811され、エツチングに有用な分子、原子、ラジ
カル等のエッチャントが生成される。
は解811され、エツチングに有用な分子、原子、ラジ
カル等のエッチャントが生成される。
このように、光エツチング法では、エツチングに寄与す
る原子、ラジカル等のエッチャントを光エネルギに依っ
て生成しζいる為、電界に依って加速されたイオン或し
料J電子などは存在せず、従って、下地物質のm fK
L:j生じない。
る原子、ラジカル等のエッチャントを光エネルギに依っ
て生成しζいる為、電界に依って加速されたイオン或し
料J電子などは存在せず、従って、下地物質のm fK
L:j生じない。
前記したように、光エツチング法は下地物質を損傷しな
い旨の大きな利点を有しているが、未だ解決されない問
題を包含している。
い旨の大きな利点を有しているが、未だ解決されない問
題を包含している。
例えば、塩素(C7りガスに依り多結晶シリコン層をエ
ツチングする場合には次の式に見られる反応を生ずる。
ツチングする場合には次の式に見られる反応を生ずる。
紫り1光
↓
この時、多結晶シリ5コン層表面に付着しζいるCl1
2が光化学反応に依り分解してCX原子が形成されてS
iがエソートソグされる場合(前者)及び多結晶シリコ
ン層表面でなく、気相中でc7!b子が形成されて拡t
itに依り多結晶シリコン層表面に到達してSiと反応
する場合(後者)の二つの過程が存在する。
2が光化学反応に依り分解してCX原子が形成されてS
iがエソートソグされる場合(前者)及び多結晶シリコ
ン層表面でなく、気相中でc7!b子が形成されて拡t
itに依り多結晶シリコン層表面に到達してSiと反応
する場合(後者)の二つの過程が存在する。
そごで、前者の反応が支配的であれば、光を多結晶シリ
コン層に垂直に入射させることに依り、光の直進性を利
用した異方性エツチングが可能である。
コン層に垂直に入射させることに依り、光の直進性を利
用した異方性エツチングが可能である。
第11321は前記異方性エツチングが行なわれたこと
を表わす半導体装置の要部切断側面し1である。
を表わす半導体装置の要部切断側面し1である。
図に於いて、1ばシリコン半導体基板、2は二酸化シリ
コン(Si02)欣、3は多結晶シリコン層、4はマス
クである5102膜をそれぞれ示している。
コン(Si02)欣、3は多結晶シリコン層、4はマス
クである5102膜をそれぞれ示している。
図から判るように、マスクであるS i O2膜4の形
状がそのまま多結晶シリコン層3に転写されている。
状がそのまま多結晶シリコン層3に転写されている。
また、後者の反応が支配的であれば、解離したC71原
子がランダムな速度成分を有して多結晶シリコン層に到
達する為、エツチングは異方性とはならずに等方性にな
る。
子がランダムな速度成分を有して多結晶シリコン層に到
達する為、エツチングは異方性とはならずに等方性にな
る。
第2図は前記等方性エツチングが行なわれたことを表わ
す半導体装置の要部切断側面図であり、第1図に関して
説明した部分と同部分は同記号で[汁示しである。
す半導体装置の要部切断側面図であり、第1図に関して
説明した部分と同部分は同記号で[汁示しである。
図から判るように、マスクである5iOz膜4の下部に
在る多結晶シリコン層3もエツチングされてしまい、設
計値寸法通りの素子形成番才困難になる。
在る多結晶シリコン層3もエツチングされてしまい、設
計値寸法通りの素子形成番才困難になる。
発明の目的
本発明4才、光エツチング法を実施するに際し、被エツ
チング物質!−(或いは基板)表面に付着しているエツ
チング・ガスを光化学反応で分解してエッチャントを生
成することに依り被エツチング物質I!4(或いL4基
板)がエツチングされる現象を支配的とするように制御
し、當に異方性エツチングがなされて微細11つ絹布な
バターニングが可能である半導体装置の製造方法及びそ
れを実施する装置を提供する。
チング物質!−(或いは基板)表面に付着しているエツ
チング・ガスを光化学反応で分解してエッチャントを生
成することに依り被エツチング物質I!4(或いL4基
板)がエツチングされる現象を支配的とするように制御
し、當に異方性エツチングがなされて微細11つ絹布な
バターニングが可能である半導体装置の製造方法及びそ
れを実施する装置を提供する。
発明の構成
一般に、ガス分子の固体表面への吸着に関しては、吸着
に要するエネルギが小さい場合、吸着速度Radsば次
の民で表わされる。
に要するエネルギが小さい場合、吸着速度Radsば次
の民で表わされる。
p:反応室内圧力
T:固体温度
C:定数
この式(3)から明らかなように、被エツチング物質層
(固体)温度を低−トさせることに依り、吸着速度Ra
d5を一定に維持したままで反応室内圧力を低下さ−l
るごとかできる。
(固体)温度を低−トさせることに依り、吸着速度Ra
d5を一定に維持したままで反応室内圧力を低下さ−l
るごとかできる。
光化学反応にthリエソチング・ガスの分解を行ない所
定物質をエツチングする場合、前記現象を利用し、被エ
ツチング物質層を冷却すれば、エツチング・ガス分子の
被エツチング物質層への付着速度を大きくすることがで
き、従って、反応室内のエツチング・ガス圧力を低下さ
せても被エツチング物質層表面には充分なエツチング・
ガス分子が付着されることになり、しかも、前記した光
照射に依る気相中でのエツチング・ガスの解離を低減す
ることが可能となり、被エツチング物質層表面に付着し
たエツチング・ガス分子への光照射に依る解離反応を支
配的にすることができ、第1図に見られるようなマスク
通りの微細加工が実現される。
定物質をエツチングする場合、前記現象を利用し、被エ
ツチング物質層を冷却すれば、エツチング・ガス分子の
被エツチング物質層への付着速度を大きくすることがで
き、従って、反応室内のエツチング・ガス圧力を低下さ
せても被エツチング物質層表面には充分なエツチング・
ガス分子が付着されることになり、しかも、前記した光
照射に依る気相中でのエツチング・ガスの解離を低減す
ることが可能となり、被エツチング物質層表面に付着し
たエツチング・ガス分子への光照射に依る解離反応を支
配的にすることができ、第1図に見られるようなマスク
通りの微細加工が実現される。
そこで、本発明は、反応室内に被エツチング物質層(或
いは基板)を配置し、次いで、該被工・7チング物質層
(或G料J°基板)を冷却し、次いで、前記反応室内に
エツチング・ガスを導入してから該エツチング・ガスを
光化学反応で解離することに依り得られるエッチャント
で前記被エツチング層(或いは基板)のエツチングを行
なう工程を採ることを特徴とし、また、その工程を実施
する装置として、ガス供給管及び排気管を有する反応室
、該反応室内に露出されて光が照射され得る位置に配置
され目、つ載置された被エツチング物質N(或いは基板
)を冷却する冷却器を備えるなることを特徴としている
。
いは基板)を配置し、次いで、該被工・7チング物質層
(或G料J°基板)を冷却し、次いで、前記反応室内に
エツチング・ガスを導入してから該エツチング・ガスを
光化学反応で解離することに依り得られるエッチャント
で前記被エツチング層(或いは基板)のエツチングを行
なう工程を採ることを特徴とし、また、その工程を実施
する装置として、ガス供給管及び排気管を有する反応室
、該反応室内に露出されて光が照射され得る位置に配置
され目、つ載置された被エツチング物質N(或いは基板
)を冷却する冷却器を備えるなることを特徴としている
。
発明の実施例
第3図は本発明に於りる半導体装置の製造方法の一例を
実施する本発明に依る半導体装置の製造装置を説明する
要部説明図である。
実施する本発明に依る半導体装置の製造装置を説明する
要部説明図である。
図に於いて、11はエキシマ・レーザ光発生器、12は
ミラー、13は集光用レンズ、14ば反応室、I5は紫
外光透過窓、16はエツチング・ガス供給管、17ば排
気管、18はX−Yステージ、19は冷却器、2(H:
l被エツチング物質基板をそれぞれ示し“ζいる。
ミラー、13は集光用レンズ、14ば反応室、I5は紫
外光透過窓、16はエツチング・ガス供給管、17ば排
気管、18はX−Yステージ、19は冷却器、2(H:
l被エツチング物質基板をそれぞれ示し“ζいる。
この一実施例の製造装置を用いて製造方法の一例を実施
する場合を説明する。
する場合を説明する。
最初、被エツチング物質基板20を反応室14内に露出
されている冷却器19−ヒにセットする。
されている冷却器19−ヒにセットする。
次いで、残留ガスの影響を低減させる為に約IX 10
−6(To r r)程度まで真空排気する。
−6(To r r)程度まで真空排気する。
次いで、被エツチング物質基板20の冷却を開始する。
ここで、エツチング時の反応室14内に於ける圧力を被
エツチング物質基板20の冷却をしない場合の1710
に低下させようとすると、前記式(3)から次の関係が
得られる。
エツチング物質基板20の冷却をしない場合の1710
に低下させようとすると、前記式(3)から次の関係が
得られる。
T2=TI/4.64 ・・・・ (4)T、:冷却な
しの場合の基板温度 室温を20〔℃〕とすると T1は293(K) T2:冷却ありの場合の基板温度 従って、式(4)の関係から、TIを室温と劣えるとT
2は63(K)となる。そこで、被エツチング物質基板
20の温度を63(K)まで低下させる。
しの場合の基板温度 室温を20〔℃〕とすると T1は293(K) T2:冷却ありの場合の基板温度 従って、式(4)の関係から、TIを室温と劣えるとT
2は63(K)となる。そこで、被エツチング物質基板
20の温度を63(K)まで低下させる。
次いで、エツチング・ガスである塩素を反応室14中に
導入する。尚、その際の反応室14中の圧力は5X]0
−3(Torr)とする。
導入する。尚、その際の反応室14中の圧力は5X]0
−3(Torr)とする。
0
次いで、エキシマ・レーザ光発生器11からの紫外光を
被エツチング物質基板20に照射する。
被エツチング物質基板20に照射する。
この場合の光源としては、紫外波長に於いて高111力
が得られるエキシマ・レーザ或いは水銀ランプを用いる
ことが好ましい。
が得られるエキシマ・レーザ或いは水銀ランプを用いる
ことが好ましい。
前記説明した工程を経ることに依り、光照射された被エ
ツチング物質基板20の表面では前記式(2)で示した
反応をη二じ、被エツチング物質、例えば多結晶シリコ
ンの異方性エツチングができる。尚、X−Yステージ1
8を駆動することに依り、被エツチング物質基板20全
面での選択的エツチングが可能であることは云うまでも
ない。
ツチング物質基板20の表面では前記式(2)で示した
反応をη二じ、被エツチング物質、例えば多結晶シリコ
ンの異方性エツチングができる。尚、X−Yステージ1
8を駆動することに依り、被エツチング物質基板20全
面での選択的エツチングが可能であることは云うまでも
ない。
発明の効果
本発明に依れば、ガス供給管及び排気管を有する反応室
内に露出されて光が照射され1iIる位置に配置されて
いる冷却器上に被エツチング物質層(或いは乱扱)を配
置し、次いで、該被エツチング物質層(或い6才基板)
を冷却し、次いで、前記反応室内にエツチング・ガスを
導入してから該エツチング・ガスを光化学反応で解離す
ることに依り1 得られるエッチャントで前記被エツチング物質層(或い
は基板)をエツチングするようにしているので、エツチ
ング・ガス分子が被エツチング物質層へ付着する速度を
大きくすることができ、従って、反応室内のエツチング
・ガスの圧力を低下させることが可能になり、その結果
、光照射に依る気相中でのエツチング・ガスの解離を抑
制して、被エツチング物質層(或いは基板)表面に付着
したエツチング・ガス分子への光照射に依る解離反応を
支配的にすることができ、それに依り、エツチングは異
方性になり、微細パターンの形成に有効となるものであ
る。
内に露出されて光が照射され1iIる位置に配置されて
いる冷却器上に被エツチング物質層(或いは乱扱)を配
置し、次いで、該被エツチング物質層(或い6才基板)
を冷却し、次いで、前記反応室内にエツチング・ガスを
導入してから該エツチング・ガスを光化学反応で解離す
ることに依り1 得られるエッチャントで前記被エツチング物質層(或い
は基板)をエツチングするようにしているので、エツチ
ング・ガス分子が被エツチング物質層へ付着する速度を
大きくすることができ、従って、反応室内のエツチング
・ガスの圧力を低下させることが可能になり、その結果
、光照射に依る気相中でのエツチング・ガスの解離を抑
制して、被エツチング物質層(或いは基板)表面に付着
したエツチング・ガス分子への光照射に依る解離反応を
支配的にすることができ、それに依り、エツチングは異
方性になり、微細パターンの形成に有効となるものであ
る。
第1図及び第2図は異方性エツチング及び等方性エツチ
ングを説明する為の半導体装置の要部切断側面図、第3
図は本発明一実施例である半導体装置の製造装置の要部
説明図である。 図に於いて、1はシリコン半導体基板、2は二酸化シリ
コン(Si02)膜、3は多結晶シリコン層、4はマス
クであるS i O2膜、11ばエキ2 シマ・レーデ光発生器、12はミラー、13は集光用レ
ンズ、14は反応室、15は紫外光透過窓、16はエツ
チング・ガス供給管、17は排気管、18はX−Yステ
ージ、1つは冷却器、2oば被エツチング物質基板であ
る。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 3 151− 第1図 第 2 図
ングを説明する為の半導体装置の要部切断側面図、第3
図は本発明一実施例である半導体装置の製造装置の要部
説明図である。 図に於いて、1はシリコン半導体基板、2は二酸化シリ
コン(Si02)膜、3は多結晶シリコン層、4はマス
クであるS i O2膜、11ばエキ2 シマ・レーデ光発生器、12はミラー、13は集光用レ
ンズ、14は反応室、15は紫外光透過窓、16はエツ
チング・ガス供給管、17は排気管、18はX−Yステ
ージ、1つは冷却器、2oば被エツチング物質基板であ
る。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 3 151− 第1図 第 2 図
Claims (2)
- (1)反応室内に被エツチング体を配置して冷却し、次
いで、前記反応室内にエツチング・カスを導入してから
該エツチング・ガスを光化学反応で解離することに依り
得られるエッチャントで前記被エツチング体のエツチン
グを行なう工程が含まれてなることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - (2)ガス供給管及び排気管を有する反応室、該反応室
内に露出されて光が照射され得る位置に配置され且つ載
置された被エツチング体を冷却する冷却器を備えてなる
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14923783A JPS6041229A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14923783A JPS6041229A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6041229A true JPS6041229A (ja) | 1985-03-04 |
JPH0478005B2 JPH0478005B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15470874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14923783A Granted JPS6041229A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6041229A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61283129A (ja) * | 1985-06-08 | 1986-12-13 | Sony Corp | エツチング方法 |
JPS62174969A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6365648A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JPS63110726A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Hitachi Ltd | エツチング方法 |
JPH01103836A (ja) * | 1987-07-02 | 1989-04-20 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
JPH01295424A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光励起エッチング方法 |
JPH02220438A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-03 | Hitachi Ltd | レーザ処理方法およびその装置 |
JPH0342825A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
JP2021094711A (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | Toyo Tire株式会社 | 空気入りタイヤの製造装置及び製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55149643A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-21 | Perkin Elmer Corp | Method and device for chemically treating material to be treated |
JPS57202732A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Fine pattern formation |
JPS5863136A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Seiko Epson Corp | 光ドライエツチング装置 |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP14923783A patent/JPS6041229A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55149643A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-21 | Perkin Elmer Corp | Method and device for chemically treating material to be treated |
JPS57202732A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Fine pattern formation |
JPS5863136A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Seiko Epson Corp | 光ドライエツチング装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61283129A (ja) * | 1985-06-08 | 1986-12-13 | Sony Corp | エツチング方法 |
JPS62174969A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6365648A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JPS63110726A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Hitachi Ltd | エツチング方法 |
JPH01103836A (ja) * | 1987-07-02 | 1989-04-20 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
JPH01295424A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光励起エッチング方法 |
JPH02220438A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-03 | Hitachi Ltd | レーザ処理方法およびその装置 |
JPH0342825A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
JP2021094711A (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | Toyo Tire株式会社 | 空気入りタイヤの製造装置及び製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0478005B2 (ja) | 1992-12-10 |
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