JPH01200628A

JPH01200628A - ドライエッチング方法

Info

Publication number: JPH01200628A
Application number: JP2515588A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Hayasaka; 伸夫早坂; Haruo Okano; 晴雄岡野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-02-05
Filing date: 1988-02-05
Publication date: 1989-08-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、半導体素子の製造プロセスのうち、特に表面
洗浄やフォトレジストの除去等に用いられるドライエツ
チング方法に関する。

（従来の技術）半導体素子の製造プロセス等における微細加工技術、又
その他の分野の加工技術（例えば、プリント基板加工、
コンパクトディスク、レーザディスクの加工プロセス等
）において、感光性フォトレジスト等の有機化合物膜の
有機レジストを用いたフォトエツチングプロセス（Ｐｈ
ｏｔｏ　ＥｔｃｈｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓ　；　Ｐ　Ｅ　
Ｐ　）は重要、且つ必須のプロセスである。この有機レ
ジストは、これをマスクとして下地の処理（エツチング
、イオン打込み等）が終った段階で取除かれる。その方
法としては、Ｈ２ＳＯ４とＨ２０□の混合溶液或いはこ
れにＨ２Ｏを加えた溶液等に代表される溶液中で除去す
る方法か、酸素（０□）ガスの放電中でのドライアッシ
ング（沃化）で除去する方法が、現在主に用いられてい
る。

ところが、前者の溶液を用いたプロセスでは、溶液の管
理及び作業の安全性等の点が問題である。

特に、液体を用いたプロセスを嫌う半導体素子の製造プ
ロセス等には不向きである。また、半導体素子製造プロ
セス等で用いられる電極材料のアルミニウム（ＡＩ）金
属等のパターニングに有機化合物膜のフォトレジストを
用いた場合、Ｈ２ＳＯ４とＨ２０□の混合溶液中では、
金属が腐蝕されてしまう等、用途が限られてしまうとい
う問題がある。

また、後者のドライアッシング方法は、バレル型又は平
行平板型等の放電を発生せしめる反応容器中に有機化合
物膜の形成された試料を配置し、例えば０２ガス又は０
２ガスとＦ系ガスの混合ガスを放電させ、有機化合物膜
を剥離する方法である。この方法によれば、前述の溶液
を用いる方法に比べ、簡単且つ下地材料が金属等でもよ
く下地の材料を制限する必要がない。しかしながらこの
ドライアッシング方法は、実用的な所定の除去速度を得
るために必要な放電中に試料配置することから、試料の
表面にダメージ或いはレジストの残渣を生じる問題があ
る。

０２プラズマによるフォトエツチングプロセスの具体的
な例を第７図の概略図を用いて説明する。

第７図は、例えばシリコン等の基板にＭＯ８型デバイス
のゲート電極を形成する工程を示した断面斜視図である
。

まず、第７図（ａ）に示すように、半導体基板７０上に
ゲート酸化膜７１を介してゲート電極となる多結晶シリ
コン膜を形成した後、燐（Ｐ）等のイオン注入により燐
添加多結晶シリコン膜７２を形成する。続いて、有機化
合物膜であるレジスト７３を全面に塗布する。その後、
第７図（ｂ）に示すように、ゲート電極となる多結晶シ
リコン膜７２の所望の部分上にレジスト７３ａが残るよ
うにパターン露光を行ない現像する。

次いで、第７図（ｅ）に示すように、レジスト７３ａを
マスクとして、反応性イオンエツチング（ＲＩ　Ｅ）法
等によりゲート電極７２ａを残して・その他の多結晶シ
リコン膜７２を除去する。その後、前述した０□プラズ
マを使用してレジスト７３ａを除去するが、この際、第
７図（ｄ）に示す如く、ゲート電極７２ａの表面或いは
ゲート酸化膜７１に残渣７４が残る。更に、プラズマ中
の荷電粒子等の入射により。ＳｉＯ２又はその下地に照
射損傷が誘起される。このような工程を経てＭＯ８型デ
バイスを形成しても後のプセスで残渣が悪影響を及ぼし
たり、酸化膜の絶縁耐圧が低下するなど半導体素子の特
性への悪影響が生じるという問題がある。

このような試料表面へのダメージ又は残渣の問題は、バ
レル型と平行平板型いずれのア・ソシング装置を、用い
た場合にも起こり、後者の場合、放電中の荷電粒子の試
料表面への入射が多く、ダメージの発生は前者より顕著
である。また、０□プラズマドライアツシングによるフ
オトエ・ソチングプロセスでは、第７図において述べた
ように、試料をＲＩＥ法でエツチングする場合のように
放電に晒された有機レジストか、イオン打ち込みのマス
クとして用いイオン衝撃に晒された有機レジストを除去
する場合、これらのプロセス工程を経ない場合に比較し
て、除去し難く残渣が残り易いという問題がある。

有機化合物膜の残渣を完全に除去するためには、約１時
間以上の長時間０２アツシングを行わなければならず、
このように長時間のアッシングを行った場合、今度は試
料へのダメージが増加してしまうという問題が生じる。

また、有機化合物膜を除去するための処理に時間がかか
るのは製造プロセスとしては不利である。有機化合物を
高速に除去するために試料の温度を１００℃以上に上昇
させる方法も行われるが、残渣の発生は高温はど発生し
易いということがある。さらに、場合によっては、長時
間のアッシング処理でも除去できない残渣もある。

このような問題点を解決する方法として、Ｆ系ガスを用
いるダウンフロー型のレジストアッシング方法、又は、
Ｆ系活性種とＨ２Ｏ，Ｈ２等を用いるアッシング方法が
報告されている。これらの方法はダメージ、残渣の点で
０２アツシングより有利であるが、下地に、処理中又は
処理後のプロセスで腐蝕を発生させること等が問題とな
る。更に、これらの方法では残渣の除去はできるものの
、残渣の除去にはやはり時間がかかる。即ち、除去しよ
うとするレジストの大部分は短時間に除去できるが、任
かに残った残渣の除去のためにその処理時間の大半を使
わなければならない。

（発明が解決しようとする課題）このように従来、レジスト等の有機化合物膜を除去する
際に溶液を用いると、溶液管理が難しく、安全性の確保
も困難であり、また下地の材料が限定されるという問題
がある。さらに、ドライ０□アツシングによる方法では
、試料へのダメージが発生し、あるプロセスを経たもの
は残渣等が生じて除去し難く、その場合処理時間が長く
かかってしまう等の問題がある。また、Ｆ系のガスを用
いるダウンフロー型の方法においても、処理時間の大半
が残渣を除去するために用いられることかあり、この時
間を短くすることは工業上極めて有効である。

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、有機化合物膜を高速に、且つ残渣を生
じなく除去することができ、レジストの除去や表面処理
等に適したドライエツチング方法を提供することにある
。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明の骨子は、弗素系のガスを用いて有機化合物膜を
除去する際に、被処理基体を冷却することにある。

即ち本発明は、表面にレジスト等の有機化合物膜か形成
された被処理基体を反応容器内に配置し、該容器内に所
定のガスを導入して有機化合物膜を除去するドライエツ
チング方法において、前記被処理基体を前記有機化合物
膜の炭化反応が生じない温度に冷却すると共に、前記容
器内に導入するガスとして、少なくともハロゲン元素を
含むガス（例えばＮＦ、、ＣＦ、）　、又は少なくとも
ハロゲン元素を含むガスと他のガス（例えば０２゜Ｈ２
，Ｈ２Ｏ）との混合ガスを用いるようにした方法である
。

（作　用）はじめに、有機化合物膜の除去における残渣の発生につ
いて、フォトレジストの沃化方法を例に取り説明する。

０系の活性種（０ラジカル、オゾン等）によるフォトレ
ジストを除去する方法において、活性種とレジストの反
応は、温度が１００９Ｃ以上程度に高くならないと実用
的な速さでは進まない。従って、０系の活性種のみを用
いるレジストアッシング法では、プラズマ中に試料を置
き、プラズマから熱或いはそれに代えるエネルギーを受
けないとアッシングは行えない。また、プラズマを用い
ない場合には、試料を加熱する等の方法を用いる。とこ
ろで、このレジストの加熱はレジストの月質に熱変化を
もたらし、レジスト内部を炭化させてしまう。この炭化
した構造のレジストはＯ系の活性種では除去でき難く、
残渣となってしまう。このように、アッシング時の残渣
の原因としては、レジストの加熱による炭化現象が大き
な要因となる。

即ち、０系の活性種を用いるアッシングでは、本質的に
残渣に対して不利である。

一方、Ｆ系の活性種（例えば、Ｆラジカル）と０系の活
性種を混合して用いた場合には、０系の活性種を用いる
場合に比較し、レジストのアッシング速度も速いし、ま
た残渣の発生も軽減される。

これは、Ｆ系の活性種（例えば、Ｆラジカル）がレジス
トアッシングを効率的に進めると共に、残渣の除去にも
役立っているからである。即ち、Ｏラジカル雰囲気でＦ
ラジカルがレジストとまず反応することにより、０ラジ
カルとレジストの反応を促進する効果があること等であ
る。また、０ラジカルアツシングで発生させた残渣をＦ
ラジカルに晒すと残渣が除去できるという事実からも、
Ｆの効果が明らかである。

ところが、この系においても一旦しシストの沃化反応が
進むと、その反応熱により、レジストの温度は上昇する
。第５図に、レジスト沃化処理時間に対するレジスト温
度の上昇の変化を示す。なお、このレジスト沃化は、Ｃ
ＦＪ　十〇□ガスのマイクロ波放電により生成した活性
種を、被処理基体を収容した容器内に供給して行った。

第５図から、レジスト沃化が進み始めると、レジスト温
度は１５０℃以上にも上昇することが判る。このように
レジスト温度が上昇することにより、（０系の沃化方法
において）前述したように残渣形成の要因（レジストの
炭化）をつくることになる。

しかし、Ｆ系の活性種を用いるアッシングでは、レジス
トの温度上昇は沃化の本質ではなく、低温においても沃
化は行える。例えば、ＮＦ３のマイクロ波放電により生
成したＦラジカルとＨ２Ｏを別゛々に被処理基体に供給
する沃化方法において、被処理基体温度とレジストのア
ッシング速度の関係を測定した結果を第６図に示す。基
板温度を室温以下に下げてもレジストの沃化速度は実用
的な値を保っていることが明らかである。なお、−４０
℃以下で沃化速度が急激に０になるのは、Ｈ２Ｏの露点
に関係し、水が被処理基体表面に結露するためである。

ここで、残渣の発生について見てみると、被処理基体温
度をコントロールせず、反応熱による温度上昇をさせた
ままレジストを沃化した場合と、室温以下にコントロー
ルして沃化した場合では、残渣のなくなる沃化時間が約
半分に減少する。即ち、被処理基体の温度を下げて沃化
の反応熱を奪いながら沃化することにより残渣の発生を
極めて効果的に抑制することができる。このことは、前
述したＣＦＪ　＋ｏ２ガスを用いる方法でも、他のＦ系
ガスを用いる方法でも同様の効果があることが確認され
ている。

従って本発明によれば、弗素系ガスによるレジストの沃
化処理に加え、基板冷却を行うことにより、レジストの
炭化反応を抑制することができ、残渣の発生なしに短時
間でレジストを除去することが可能となる。

（実施例）以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は本発明の第１の実施例方法に使用したドライエ
ツチング装置を示す概略構成図である。

図中１１はチャンバ（反応容器）であり、チャンバ１内
には被処理体２が収容されている。チャンバ１にはフッ
素（Ｆ）等のハロゲン元素を含む活性種を供給するため
の第１のバイブ４が接続されている。前記活性種のチャ
ンバ１内への供給は、前記バイブ４の他端７からフッ素
等のハロゲン元素を含むガスを導入し、マイクロ波電源
５と接続され、バイブ４に接続された放電管６を介して
行われる。また、チャンバ１内は、排気口３から真空排
気されるようになっている。

また、チャンバ１には、水蒸気体、水素ガス或いは水素
元素を含む化合物ガスを導入する第２のバイブ、８が設
けられている。このバイブ８は流量コントロール用のバ
ルブ１１を介して、水（Ｈ２０）を溜めたベッセル９と
接続されており、ベッセル９−にはバイブ１０が接続さ
れている。水蒸気体を導入する場合、水（Ｈ２Ｏ）を溜
めたベッセル９の水にバイブ１０からキャリアガスを導
入し、水中をバブリングして水素と水素気体をチャンバ
１内に送るようになっている。Ｈ２０等の蒸気圧の低い
ガスを導入する場合には特にキャリアガスを用いて導入
するのが効果的である。また、水素ガス或いは水素元素
を含むガスを導入する場合には、ベッセル９を介さずに
、直接ガスを導入するようにしてもよい。

１２は、前記被処理体２を装置するための試料台である
。１３は、試料台を冷却するための冷媒を送り込むパイ
プである。冷媒としては、例えば水、エチレングリコー
ル、オイル等の液体、或いはガスを用いても良い。この
ように試料台１２の温度は冷却され、これにより被処理
基体２も冷却されるものとなっている。

次に、半導体基板上に形成された有機化合物膜としての
フォトレジストを除去する方法について説明する。ここ
では、ハロゲン元素であるＦ（フッ素）を含むガスとし
て、ＮＦ３ガスを用い、キャリアガスは用いず、Ｈ２０
を直接導入する。

第２図は、第１図に示した装置のチャンバ１内に収容す
る被処理基体２のエツチングプロセスを示す斜視断面図
である。ここで用いる被処理基体は、第２図（ａ）に示
すようにＭＯ３ＩＣの製造工程において、半導体基板２
１上にゲート絶縁膜２２を介して形成されたゲート電極
２３を、このゲート電極２３上に形成された有機化合物
膜であるフォトレジスト２４をマスクとしてＲＩＥによ
りエツチングして形成したものである。

第２図（ａ）に示す被処理基体を前記第１図に示す装置
のチャンバ１内に収容し、ＮＦ、ガスを第１のパイプ４
から供給し、放電管６でこのガスを励起し、これにより
生成される弗素（Ｆ）ラジカルをチャンバ１内に導入す
るようにする。チャンバ１内には、別に設けられた第２
のパイプ８により、ベッセル９内のＨ２０が直接ガスと
して供給される。ここで、ＮＦ３及びＨ２Ｏの分圧は、
それぞれ０．１Ｔｏｒｒで一定としたが、ＮＦ３ガスや
Ｈ２０の分圧は、所要のエラチング速度と選択比が得ら
れる範囲で適宜変更することができる。

上記の条件で、本実施例方法を実際に電極材料としてＡ
Ｉ（或いはＡ１化合物）をレジスト（０ＦＰＩ？−８０
０，東京応化型）をマスクとしてＲＩＨした後のレジス
トの剥離に応用した。基板冷却を行わない場合、反応ガ
スを導入しレジストの沃化が開始され始めて約１分間で
レジスト温度は１００℃以上に上昇する。約１分間の処
理で大半のレジストは除去されるが、Ａｌのラインパタ
ーンの中央部に前記第７図中７４に示すような残渣が残
る。

この残渣を完全に除去するためには５分以上の処理時間
が必要となる。

これに対し、本実施例法において、試料台１２を冷却し
て被処理基体２の温度を０℃に保ち、反応性゛ガスを流
してレジストアッシングを行うと、約３分間の処理時間
で、残渣が全くないアッシングを行えることが確認され
た。このように、試料温度を冷却することにより、処理
時間を約半分にすることができる。

かくして本実施例方法によれば、Ａ１等からなるゲート
電極の上にマスクとして形成した有機物レジストを、Ｎ
Ｆ、＋Ｈ２０を用いたアッシングにより除去するように
しているので、基板温度を上げることなくレジストを高
速で除去することができる。さらに、アッシングによる
基板の温度上昇を抑えているので、レジストの炭化を抑
制することができ、残渣の発生をなくすことができ、こ
れによりレジスト除去に要する時間をより短縮すること
ができる。また、ドライ０２アツシングとは異なり、ダ
メージの影響も極めて少ない。

なお、本実施例方法では、Ｈ２０の導入のキャリアガス
を用いなかったが、キャリアガスを用いる方法において
も同様のことが言える。例えば、キャリアガスとしてＨ
２ガスを用いる方法がある。

その他にも、Ａｒ、Ｎ２等のキャリアガスを用いてもか
まわないし、また水蒸気体とＨ２の代わりに水蒸気体の
みかＣＨ３０Ｈ，Ｃ２Ｈ５０Ｈ等のアルコールか、ＣＨ
４１Ｃ２Ｈ６等のハイドロカーボンガス等の少なくとも
水素元素を含むガスを用いても有機化合物膜の除去を残
渣なく、且つ高速に行うことができる。また、弗素（Ｆ
）等のハロゲン元素を含む活性種を生成する°ガスとし
ては、ＣＤ　Ｅ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｄｒｙ　Ｅｔｃ
ｈｌｎｇ）に用いられるものと同様のものでよく、例え
ばＮＦ３の他に、ＳＦ６．ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆｇ
、ＣＦ４　＋０２・　Ｃ２Ｆ６　＋０２・　Ｃ３Ｆ２＋
０２・）（ＣＦ２．Ｆ２等のフッ素元素を含むガスやフ
ッ素以外のハロゲン元素を含むガスであればよい。

次に、本発明の第２の実施例方法について説明する。前
述の実施例はＦを含む活性種とＦ２０等のＨを含むガス
を用いたものであったが、本発明はＦを含むガスとＯを
含むガスとの混合のアッシング方法でも適用できる。第
３図にこの方法を実施するための装置の概略構成を示す
。基本的な構成は第１図と同じであり、同一の符号のも
のは同一の構成を示すものであり、その説明は省略する
。

第３図の装置を用いガスとしてＣＦ４　＋ｏ２ガスを用
いて、前述と同様のＡＩパターン上のレジストを除去す
る方法について説明する。試料の構造は第２図（ａ）に
示したものと同様であり、この場合２４はＲＩＥ時のレ
ジストマスクであり（０ＦＰＲ−８００，東京応化製）
を用いている。さらに、２３はＡＩ、２２は下地のＳｉ
Ｏ２，２１はＳｔ基板である。ＣＦ４を１０８００Ｍ、
　Ｏ□を１１００５ＣＣの流量で混合し、圧力を０．２
Ｔｏｒｒとし、マイクロ波放電させる。そこで生成した
活性種を、容器１内に供給する。

ここで、試料台１２の温度コントロールをしない場合、
レジストは約１分間の処理で１５０℃以上にも温度が上
がる。このような条件でレジストをアッシングした場合
、レジストの大半を除くのには１分間程度しか時間がか
からないが、ＡＩパターン上に残渣が残り、残渣は１０
分以上の処理においても除去できない。この場合、Ｓｉ
Ｏ２のエツチング速度は極めて遅いが、長時間の処理で
はＳｉＯ２も極かに除去されるため、薄い５ｉｎ２の下
地の場合問題となる。また、ＡＩの場合にはよいが、多
結晶Ｓｉパターン上のレジストをアッシングしようとし
た場合、多結晶ＳｉはＳｉＯ□より速くエツチングされ
てしまうため、長時間の処理は行えない。　　　　。

そこで、試料台１２を０℃程度に冷却して、同様の処理
を行うと、約３分間の処理で残渣なくレジストアッシン
グできる。基板冷却により、５ｉｎ２．多結晶ＳＬのエ
ツチング速度も遅くなるため、選択比の点でも改善され
、それらへの処理中のエツチングダメージは減少する。

この実施例では、Ｆを含むガスとしてＣＦ４を用いてい
るが、この他にＮＦ３．Ｃ２Ｆｂ、Ｃｓ　Ｆ８＋ＸｅＦ
２．ＳＦ６等のＦを含むガスであるならば何でもよく、
冷却の効果は同様である。

次に、本発明の第３の実施例方法について説明する。前
述の２４の実施例は、ダウンフロー型の装置を用いたも
のであったが、本発明の方法は試料°をプラズマ中に設
置するアッシング方法にも適用できる。第４図に、この
実施例方法に使用した平行平板型のアッシング装置の概
略構成を示す。

６１．６２は放電を生起させるための電極であり、試料
２は下部の接地電極６２上に置かれている。

そして、この接地電極６２は試料台１２上に固定されて
、冷却されるものとなっている。上部電極６１は励起電
極であり、例えばＬｉ２Ｓ　ＭＨｚの高周波電源６３に
接続されている。また、６４はガスの導入口である。

第４図の装置を用いて、前述と同様の試料についてのレ
ジストアッシングを行った。ガスは０２＋ＣＦａ　　（
０２：５０ＳＣＣＭ、　ＣＦ４　　；　３ＳＣＣＭ）で
圧力０．５Ｔｏｒｒとして、高周波（１３，５（ｉＭＨ
ｚ　）励起により（電力５００Ｖ）放電を生成させる。

試料台１２の温度をコントロールしない場合には試料温
度は２００℃近くまで上昇し、レジストアッシング後に
残渣が生じるが、温度を０℃まで下げた場合には残渣な
くアッシングが行える。

本装置では一般に０２ガスをベースとしてＦ系のガスを
添加することにより行われるが、Ｆを含むガスの供給と
しては、Ｆを含むガスのみでなく、例えば弗素樹脂等の
Ｆを含む固体をプラズマ中に設置することにより、それ
からＦを含むガスが放出され同様のアッシングが行える
。この場合にも同様の冷却の効果がある。また、プラズ
マ中に試料を置く他の方法として、バレル型の装置を用
いる方法があるが、この装置を用いても同様の効果が得
られる。

また、上述した第１．２．３の実施例では弗素を含むガ
スとしてＮＦ３やＣＦ４を用いたが、第１の実施例で述
べた他の弗素を含むガスを用いてもよいし、塩素を含む
ガスＣ１２，ＣＣｌ４゜５ｉＣ１４，ＰＣｌ３．ＢＣＩ
、等やブロムを含むガスＢｒ２．ＣＢｒ、、、ＣＢｒＦ
３、更には要素を含むガスＩ２或いはＣＦＣ１３。

ＣＦ２Ｃｌ□、ＣＦ３Ｃｌ等を用いてもよい。

［発明の効果］以上詳述したように本発明によれば、弗素系のガスを用
いて有機化合物膜を除去する際に、被処理基体を冷却す
ることにより、被処理基体上に残渣を残すことなく、有
機化合物膜を高速に除去することができる。従って、レ
ジストや表面処理等に適用して絶大なる効果を発揮する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例方法に使用したドライエ
ツチング装置を示す概略構成図、第２図は同実施例方法
によるレジストアッシング工程を示す斜視図、第３図は
本発明の第２の実施例方法に使用した装置を示す概略構
成図、第４図は本発明の第３の実施例方法に使用した装
置を示す（概略構成図、第５図及び第６図は本発明の詳
細な説明するためのもので第５図はアッシング時間とレ
ジスト温度との関係を示す特性図、第６図は基板温度と
エツチング速度との関係を示す特性図、第７図は従来方
法の問題点を説明するための工程図である。１・・・反応容器、２・・・試料、３・・・排気口、４
・・・第１のパイプ、５・・・マイクロ波電源、６・・
・放電管、８・・・第２のパイプ、９・・・ベッセル、
１２・・・試料台、１３・・・冷却パイプ、２１・・・
Ｓｉ基板、２２・・・ゲート酸化膜、２３・・・ゲート
電極、２４・・・）第１・レジスト。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第２図り第４図詩　閣　（公）　− 第５図・１４８− 温Ｌ（”Ｃ）　　　− 第６図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）表面に有機化合物膜が形成された被処理基体を反
応容器内に配置し、該容器内に所定の、反応性ガスを導
入して有機化合物膜を除去するドライエッチング方法に
おいて、前記被処理基体を前記有機化合物膜の炭化反応
が生じない温度に冷却すると共に、前記容器内に導入す
るガスとして、少なくともハロゲン元素を含む反応性ガ
ス、又は少なくともハロゲン元素を含む反応性ガスと他
のガスとの混合ガスを用いたことをことを特徴とするド
ライエッチング方法。
（２）前記ハロゲン元素を含む反応性ガスは、ＣＦ＿４
、Ｃ＿２Ｆ＿６、Ｃ＿３Ｆ＿８、Ｆ＿２、ＮＦ＿３、Ｘ
ｅＦ＿２、Ｆ＿３Ｃｌ、ＦＣＩ＿３、ＣｌＦ＿５、ＳＦ
＿６、ＳｉＦ＿４のいずれか、若しくはこれらの混合ガ
ス、又はこれらのガスと他のガスとの混合ガスを、前記
容器内とは別の領域で熱、光、放電又は荷電ビームで励
起し、そこで反応性ガスを生成させたものであり、容器
内に導入されることを特徴とする請求項１記載のドライ
エッチング方法。
（３）前記ハロゲン元素を含むガスは、ＣＦ＿４、Ｃ＿
２Ｆ＿６、Ｃ＿３Ｆ＿８、Ｆ＿２、ＮＦ＿３、ＸｅＦ＿
２、Ｆ＿３Ｃｌ、ＦＣｌ＿３、ＣｌＦ＿５、ＳＦ＿６、
ＳｉＦ＿４のいずれか、若しくはこれらの混合ガス、又
はこれらのガスと他のガスとの混合ガスを、前記容器内
でガスの放電を行うことにより励起し、生成された反応
性ガスであることを特徴とする請求項１記載のドライエ
ッチング方法。
（４）表面に有機化合物膜が形成された被処理基体を反
応容器内に配置し、被処理基体を有機化合物膜の炭化反
応が生じない温度に冷却し、前記容器内に弗素を含むガ
スを該容器とは別の領域で励起して生成したＦの活性種
と酸素若しくは水素との混合ガスを導入し、前記有機化
合物膜を沃化して該有機膜を除去することを特徴とする
ドライエッチング方法。