JPS60261181A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS60261181A JPS60261181A JP59117065A JP11706584A JPS60261181A JP S60261181 A JPS60261181 A JP S60261181A JP 59117065 A JP59117065 A JP 59117065A JP 11706584 A JP11706584 A JP 11706584A JP S60261181 A JPS60261181 A JP S60261181A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体発光素子を導電性のフレーム上に装
着して構成される光半導体装置に関する。
着して構成される光半導体装置に関する。
一般に、ＬＥＤ （Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄ
ｉｏｄｅ ）と称される光半導体装置は、例えば第２図
に示すように構成される。すなわち、まず、ｐ−ｎ接合
によって形成した半導体発光素子１ノを、導電性リード
フレーム１２の素子装着面１３に対して、導電性ペース
ト１４を用いて装着し、高温乾燥により接着する。そし
て、半導体発光素子１１とリードフレーム１２との間を
金属ワイヤ１５によシ接続し、この後、例えばエポキシ
等の樹脂を用いて、上記発光素子１１を含むその周辺部
を樹脂レンズ１６内に封止する。との場合、上記リード
フレーム１２の素子装着面１３の周囲には、メッキ処理
等を施した鏡面反射板１７が形成されている。ここで、
第３図は上記半導体発光素子１１のリードフレームＪ２
に対する装着部分を拡大して示すもので、発光素子１１
はリードフレーム１２上に塗布された導電性イースト１
４内に多少埋れた状態で接着されている。
ｉｏｄｅ ）と称される光半導体装置は、例えば第２図
に示すように構成される。すなわち、まず、ｐ−ｎ接合
によって形成した半導体発光素子１ノを、導電性リード
フレーム１２の素子装着面１３に対して、導電性ペース
ト１４を用いて装着し、高温乾燥により接着する。そし
て、半導体発光素子１１とリードフレーム１２との間を
金属ワイヤ１５によシ接続し、この後、例えばエポキシ
等の樹脂を用いて、上記発光素子１１を含むその周辺部
を樹脂レンズ１６内に封止する。との場合、上記リード
フレーム１２の素子装着面１３の周囲には、メッキ処理
等を施した鏡面反射板１７が形成されている。ここで、
第３図は上記半導体発光素子１１のリードフレームＪ２
に対する装着部分を拡大して示すもので、発光素子１１
はリードフレーム１２上に塗布された導電性イースト１
４内に多少埋れた状態で接着されている。
しかしこのように構成された光半導体装置では、例えば
半導体発光素子１１を装着する際に導電性ペースト１４
のはい上がシ部１８が発生した場合には、導電性ペース
ト１４が半導体発光素子１１のｐ−ｎ接合部１９の側面
に付着するようになり、発光素子１１に短絡不良が生じ
てしまう。また、主に上記ｐ−ｎ接合部１９から放射さ
れる矢印ａで示すような光束は、その何割かが導電性ペ
ースト１４によって遮られ散乱しまた吸収される状態と
なシ、素子１１の高輝度化に悪影響を及ぼしている。
半導体発光素子１１を装着する際に導電性ペースト１４
のはい上がシ部１８が発生した場合には、導電性ペース
ト１４が半導体発光素子１１のｐ−ｎ接合部１９の側面
に付着するようになり、発光素子１１に短絡不良が生じ
てしまう。また、主に上記ｐ−ｎ接合部１９から放射さ
れる矢印ａで示すような光束は、その何割かが導電性ペ
ースト１４によって遮られ散乱しまた吸収される状態と
なシ、素子１１の高輝度化に悪影響を及ぼしている。
ここで、特に、ＬＥＤ製品のＣＤ （Ｃｏ５ｔ Ｄｏｗ
ｎ ）を達成するために、例えば第４図に示すように半
導体発光素子１１を薄形化した場合には、上述したよう
なｐ−ｎ接合部１９における短絡不良が生じる恐れは極
めて大きくなると共に、放射光束ａもそのはとんどが導
電性ペースト１４によって遮られてしまう。
ｎ ）を達成するために、例えば第４図に示すように半
導体発光素子１１を薄形化した場合には、上述したよう
なｐ−ｎ接合部１９における短絡不良が生じる恐れは極
めて大きくなると共に、放射光束ａもそのはとんどが導
電性ペースト１４によって遮られてしまう。
この発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、
例えば半導体発光素子を薄形化するような場合でも、短
絡不良が生じるとと々く、製品歩留の向上が可能になる
と共に、光学特性の優れた光半導体装置を提供すること
を目的とする・ 〔発明の概要〕 すなわちこの発明に係る光半導体装置は、導電性フレー
ムの素子装着面に半導体発光素子よ＃）本手さい径の窪
みを形成し、この窪み内に導電性ペーストを上記素子装
着面を多少上回る程度に注入した後、この導電性ペース
トの上部から上記窪みを塞ぐようにして上記半導体発光
素子を装着するようにしたものである。
例えば半導体発光素子を薄形化するような場合でも、短
絡不良が生じるとと々く、製品歩留の向上が可能になる
と共に、光学特性の優れた光半導体装置を提供すること
を目的とする・ 〔発明の概要〕 すなわちこの発明に係る光半導体装置は、導電性フレー
ムの素子装着面に半導体発光素子よ＃）本手さい径の窪
みを形成し、この窪み内に導電性ペーストを上記素子装
着面を多少上回る程度に注入した後、この導電性ペース
トの上部から上記窪みを塞ぐようにして上記半導体発光
素子を装着するようにしたものである。
以下図面によシこの発明の一実施例を説明する。
第１図は光半導体装置の素子装着部を拡大して示すもの
で、この光半導体装置は導電性フレーム２１ｍ、２１ｂ
を備えている。この導電性フレーム２１ｍの素子装着面
２２中央部には、例えばフレーム成形金型によシ、半導
体発光素子１１よりも小さい径（０，３ｍ＋程度）の窪
み２３を形成し、この後、メッキ処理を施して鏡面反射
板１７を形成する。上記窪み２３内には導電性イースト
１４を注入するもので、この場合導電性ペースト１４は
、上記導電性フレーム２２ｍの素子装着面２２を多少上
回る程度に調節して注入する。そして、この導電性ペー
スト１４の上部から上記半導体発光素子１１を上記フレ
ーム２１ｍに形成した窪み２３を塞ぐようにして装着し
、高温乾燥を施して接着固定する。
で、この光半導体装置は導電性フレーム２１ｍ、２１ｂ
を備えている。この導電性フレーム２１ｍの素子装着面
２２中央部には、例えばフレーム成形金型によシ、半導
体発光素子１１よりも小さい径（０，３ｍ＋程度）の窪
み２３を形成し、この後、メッキ処理を施して鏡面反射
板１７を形成する。上記窪み２３内には導電性イースト
１４を注入するもので、この場合導電性ペースト１４は
、上記導電性フレーム２２ｍの素子装着面２２を多少上
回る程度に調節して注入する。そして、この導電性ペー
スト１４の上部から上記半導体発光素子１１を上記フレ
ーム２１ｍに形成した窪み２３を塞ぐようにして装着し
、高温乾燥を施して接着固定する。
この後、半導体発光素子１１と導電性フレーム２１ｂと
の間を金属ワイヤ１５によ多接続し、このワイヤ１５お
よび半導体発光素子１１を含む導電性フレーム２１ａ、
２１ｂの周囲を、例えばエポキシ等の樹脂を用いて前記
第２図における樹脂レンズ１６内に封止する。
の間を金属ワイヤ１５によ多接続し、このワイヤ１５お
よび半導体発光素子１１を含む導電性フレーム２１ａ、
２１ｂの周囲を、例えばエポキシ等の樹脂を用いて前記
第２図における樹脂レンズ１６内に封止する。
すなわちとのように構成される九半導体装置においては
、導電性フレーム２１ｍの素子装着面２２に対して自み
２３を形成し、導電性に一スト１４の注入量を上記素子
装着面２２の高さを多少上回る程度に抑えるようにした
ので、半導体発光素子１１は、その側面に導電性ペース
ト１４が多量姉付着することなく、充分な接着強度およ
び電気的導通性を保つ状態で装着されるようになる。し
たがって、例えば半導体発光素子１１の薄形化を図った
ような場合でも、素子１１が導電性ペースト１４に埋れ
ることがないので、ｐ−ｎ接合部１９の短絡不良は大幅
に減少されるようになると共に、鏡面反射板１７に対し
て光束ａを充分に照射させることができるので、発光効
率は大幅に向上するようになる。
、導電性フレーム２１ｍの素子装着面２２に対して自み
２３を形成し、導電性に一スト１４の注入量を上記素子
装着面２２の高さを多少上回る程度に抑えるようにした
ので、半導体発光素子１１は、その側面に導電性ペース
ト１４が多量姉付着することなく、充分な接着強度およ
び電気的導通性を保つ状態で装着されるようになる。し
たがって、例えば半導体発光素子１１の薄形化を図った
ような場合でも、素子１１が導電性ペースト１４に埋れ
ることがないので、ｐ−ｎ接合部１９の短絡不良は大幅
に減少されるようになると共に、鏡面反射板１７に対し
て光束ａを充分に照射させることができるので、発光効
率は大幅に向上するようになる。
Ｃ発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、例えば半導体発光素子
を薄形化するような場合でも、短絡不良が生じることな
く、製品歩留を向上することが可能となシ、光学特性の
優れた光半導体装置を提供することができる。
を薄形化するような場合でも、短絡不良が生じることな
く、製品歩留を向上することが可能となシ、光学特性の
優れた光半導体装置を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る光半導体装置の素子
装着部周辺を拡大して示す断面構成図、第２図は光半導
体装置を示す断面構成図、第３図は光半導体装置の従来
の素子装着部周辺を示す断面構成図、第４図は半導体発
光素子を薄形化した場合の従来の素子装着部周辺を示す
断面構成図である。 １１・・・半導体発光素子、１４・・・導電性波−スト
、２１ｍ、２１ｂ・・・導電性フレーム、２２・・・素
子装着面、２３・・・窪み。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図
装着部周辺を拡大して示す断面構成図、第２図は光半導
体装置を示す断面構成図、第３図は光半導体装置の従来
の素子装着部周辺を示す断面構成図、第４図は半導体発
光素子を薄形化した場合の従来の素子装着部周辺を示す
断面構成図である。 １１・・・半導体発光素子、１４・・・導電性波−スト
、２１ｍ、２１ｂ・・・導電性フレーム、２２・・・素
子装着面、２３・・・窪み。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図
Claims (1)
- 半導体発光素子を導電性フレームに装着してなる光半導
体装置において、上記導電性フレームの素子装着面に上
記半導体発光素子よりも少−さい径で形成された窪みと
、この窪み内に上記素子装着面を多少上回る程度に注入
された導電性ペーストと、この導電性ペーストの上部か
ら上記窪みを塞ぐようにして装着された上記半導体発光
素子とを具備したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117065A JPS60261181A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117065A JPS60261181A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261181A true JPS60261181A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=14702551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117065A Pending JPS60261181A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261181A (ja) |
Cited By (11)
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| US9223076B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP59117065A patent/JPS60261181A/ja active Pending
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