JP2002009349A - Ｌｅｄ面発光装置およびその製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄ面発光装置およびその製造方法Info
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光効率の向上と歩留まり向上を図ったＬＥ
Ｄ面発光装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 この装置は、マザー基板２上に、サブマ
ウント基板３を介して複数のＬＥＤチップ４を搭載した
ものでり、ＬＥＤチップ４は、サブマウント基板３に対
向する面側に正負一対の電極４ａ，４ｂを有し、一対の
電極４ａ，４ｂが一対のバンプ３７ａ，３７ｂを介して
サブマウント基板３に接続されている。複数のＬＥＤチ
ップ４からの光は、電極が設けれていない光出射面から
出射される。
Ｄ面発光装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 この装置は、マザー基板２上に、サブマ
ウント基板３を介して複数のＬＥＤチップ４を搭載した
ものでり、ＬＥＤチップ４は、サブマウント基板３に対
向する面側に正負一対の電極４ａ，４ｂを有し、一対の
電極４ａ，４ｂが一対のバンプ３７ａ，３７ｂを介して
サブマウント基板３に接続されている。複数のＬＥＤチ
ップ４からの光は、電極が設けれていない光出射面から
出射される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に複数のＬ
ＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）チップ
を搭載したＬＥＤ面発光装置およびその製造方法に関
し、特に、発光効率の向上と歩留まり向上を図ったＬＥ
Ｄ面発光装置およびその製造方法に関する。
ＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）チップ
を搭載したＬＥＤ面発光装置およびその製造方法に関
し、特に、発光効率の向上と歩留まり向上を図ったＬＥ
Ｄ面発光装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＥＤ面発光装置として、例え
ば、実開平５−８１８７４号公報に示されるものがあ
る。
ば、実開平５−８１８７４号公報に示されるものがあ
る。
【０００３】図１２は、そのＬＥＤ面発光装置を示す。
この装置は、基板１０３に形成された多数の発光ドット
１０１が配線基板１０２にマトリクス状に搭載されてい
る。配線基板１０２の表面の所定位置にはＬＥＤチップ
１０８が配設され、このＬＥＤチップ１０８の一方の電
極と配線基板１０２上の配線パターン１０９との間がボ
ンディングワイヤ１１０によって接続されている。更
に、ＬＥＤチップ１０８の他方の電極は、スルーホール
１１１を通して裏面にまで布線されている配線パターン
１１２に接続されている。基板１０３には、ＬＥＤチッ
プ１０８を取り囲むようにして円錐穴１１３が形成され
ている。この円錐穴１１３内には透明樹脂１１４が埋め
込まれ、凹レンズになるようにしている。
この装置は、基板１０３に形成された多数の発光ドット
１０１が配線基板１０２にマトリクス状に搭載されてい
る。配線基板１０２の表面の所定位置にはＬＥＤチップ
１０８が配設され、このＬＥＤチップ１０８の一方の電
極と配線基板１０２上の配線パターン１０９との間がボ
ンディングワイヤ１１０によって接続されている。更
に、ＬＥＤチップ１０８の他方の電極は、スルーホール
１１１を通して裏面にまで布線されている配線パターン
１１２に接続されている。基板１０３には、ＬＥＤチッ
プ１０８を取り囲むようにして円錐穴１１３が形成され
ている。この円錐穴１１３内には透明樹脂１１４が埋め
込まれ、凹レンズになるようにしている。
【０００４】以上の構成において、図示しない駆動回路
によりＬＥＤチップ１０８を点灯すると、円錐穴１１３
は表面に向かって断面積が拡大する形状であるため、透
明樹脂１１４によって形成されるレンズにより、ＬＥＤ
チップ１０８の出力光は放射状に拡大投光されるので、
ＬＥＤチップ１０８の出力光を正面だけでなく斜めの方
向からも見ることができる。
によりＬＥＤチップ１０８を点灯すると、円錐穴１１３
は表面に向かって断面積が拡大する形状であるため、透
明樹脂１１４によって形成されるレンズにより、ＬＥＤ
チップ１０８の出力光は放射状に拡大投光されるので、
ＬＥＤチップ１０８の出力光を正面だけでなく斜めの方
向からも見ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の面発光
装置によると、ＬＥＤチップの光出射面である上面に電
極が設けられているため、電極やボンディグワイヤが影
となり、それらの面積分発光面積が減少して発光効率が
十分ではなかった。また、面内の発光むらを防止するた
め、ほぼ同じ発光光量のＬＥＤチップ同士を装置に組み
込み、発光光量がある範囲から外れているＬＥＤチップ
を排除していたため、歩留まりが悪かった。
装置によると、ＬＥＤチップの光出射面である上面に電
極が設けられているため、電極やボンディグワイヤが影
となり、それらの面積分発光面積が減少して発光効率が
十分ではなかった。また、面内の発光むらを防止するた
め、ほぼ同じ発光光量のＬＥＤチップ同士を装置に組み
込み、発光光量がある範囲から外れているＬＥＤチップ
を排除していたため、歩留まりが悪かった。
【０００６】従って、本発明の目的は、発光効率の向上
を図ったＬＥＤ面発光装置を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、歩留まり向上を図ったＬＥＤ
面発光装置の製造方法を提供することにある。
を図ったＬＥＤ面発光装置を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、歩留まり向上を図ったＬＥＤ
面発光装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、基板と、前記基板に対向する面側に正負一
対の電極を有し、前記一対の電極が一対の接合用バンプ
を介して前記基板に電気的に接続された複数のＬＥＤチ
ップとを備えたことを特徴とするＬＥＤ面発光装置を提
供する。上記構成によれば、複数のＬＥＤチップからの
光は、電極が設けれていない光出射面から出射される。
「一対の接合用バンプ」には、正負の極にそれぞれ１つ
のバンプを用いた場合に限らず、一方の極に１つ、他方
の極に複数のバンプを用いた場合や、正負の極にそれぞ
れ複数のバンプを用いた場合が含まれる。本発明は、上
記目的を達成するため、基板上に搭載された複数のＬＥ
Ｄチップを有するＬＥＤ面発光装置の製造方法におい
て、複数の前記ＬＥＤチップの発光量を測定して発光量
の多少に応じて少なくとも第１、第２、第３の３つのグ
ループに分類し、前記複数のＬＥＤチップの総発光量が
所定の範囲内となるように前記３つのグループから選択
して前記複数のＬＥＤチップを構成することを特徴とす
るＬＥＤ面発光装置の製造方法を提供する。上記構成に
よれば、発光光量の多いものと少ないものも装置に組み
込むことが可能となる。
成するため、基板と、前記基板に対向する面側に正負一
対の電極を有し、前記一対の電極が一対の接合用バンプ
を介して前記基板に電気的に接続された複数のＬＥＤチ
ップとを備えたことを特徴とするＬＥＤ面発光装置を提
供する。上記構成によれば、複数のＬＥＤチップからの
光は、電極が設けれていない光出射面から出射される。
「一対の接合用バンプ」には、正負の極にそれぞれ１つ
のバンプを用いた場合に限らず、一方の極に１つ、他方
の極に複数のバンプを用いた場合や、正負の極にそれぞ
れ複数のバンプを用いた場合が含まれる。本発明は、上
記目的を達成するため、基板上に搭載された複数のＬＥ
Ｄチップを有するＬＥＤ面発光装置の製造方法におい
て、複数の前記ＬＥＤチップの発光量を測定して発光量
の多少に応じて少なくとも第１、第２、第３の３つのグ
ループに分類し、前記複数のＬＥＤチップの総発光量が
所定の範囲内となるように前記３つのグループから選択
して前記複数のＬＥＤチップを構成することを特徴とす
るＬＥＤ面発光装置の製造方法を提供する。上記構成に
よれば、発光光量の多いものと少ないものも装置に組み
込むことが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明の第１
の実施の形態に係るＬＥＤ面発光装置を示し、図１
（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図、同図（ｃ）は底
面図、図２（ａ）は図１（ａ）のＡ部拡大図、図２
（ｂ）は図１（ａ）のＢ部拡大図、図２（ｃ）はＬＥＤ
チップの底面図である。
の実施の形態に係るＬＥＤ面発光装置を示し、図１
（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図、同図（ｃ）は底
面図、図２（ａ）は図１（ａ）のＡ部拡大図、図２
（ｂ）は図１（ａ）のＢ部拡大図、図２（ｃ）はＬＥＤ
チップの底面図である。
【０００９】このＬＥＤ面発光装置１は、表面２ａおよ
び裏面２ｂに配線パターンが形成されたマザー基板２を
有する。
び裏面２ｂに配線パターンが形成されたマザー基板２を
有する。
【００１０】このマザー基板２の表面２ａには、図１
（ａ），（ｂ）、および図２に示すように、サブマウン
ト基板３を介して列状に配置された複数のＬＥＤチップ
４と、各ＬＥＤチップ４を封止する透明樹脂からなる複
数の封止部材５と、マザー基板２の表面２ａに配置され
たスペーサ６と、ＬＥＤチップ４からの光を図１（ａ）
において上方に反射するリフレクタ７と、内部を保護す
るとともに、ＬＥＤチップ４からの光を透過させる透明
板８と、この装置１全体を保護するカバー９とを設けて
いる。
（ａ），（ｂ）、および図２に示すように、サブマウン
ト基板３を介して列状に配置された複数のＬＥＤチップ
４と、各ＬＥＤチップ４を封止する透明樹脂からなる複
数の封止部材５と、マザー基板２の表面２ａに配置され
たスペーサ６と、ＬＥＤチップ４からの光を図１（ａ）
において上方に反射するリフレクタ７と、内部を保護す
るとともに、ＬＥＤチップ４からの光を透過させる透明
板８と、この装置１全体を保護するカバー９とを設けて
いる。
【００１１】このマザー基板２の裏面２ｂには、図１
（ｃ）に示すように、後述するＬＥＤ駆動回路を構成す
る複数の抵抗素子１０と、１つのツェナーダイオード１
１とを設けている。なお、図１において左側の１２Ａ，
１３Ａと右側の１２Ｂ，１３Ｂは複数のＬＥＤチップ４
に電圧を印加するための接続端子であり、本装置１組み
付け時の配線引き出し方向に応じて左右の接続端子１２
Ａ，１３Ａ，１２Ｂ，１３Ｂを使い分けるようにしてい
る。
（ｃ）に示すように、後述するＬＥＤ駆動回路を構成す
る複数の抵抗素子１０と、１つのツェナーダイオード１
１とを設けている。なお、図１において左側の１２Ａ，
１３Ａと右側の１２Ｂ，１３Ｂは複数のＬＥＤチップ４
に電圧を印加するための接続端子であり、本装置１組み
付け時の配線引き出し方向に応じて左右の接続端子１２
Ａ，１３Ａ，１２Ｂ，１３Ｂを使い分けるようにしてい
る。
【００１２】複数のＬＥＤチップ４は、図１（ａ）に示
すように、マザー基板２上にサブマウント基板３を介し
て縦方向に４個、横方向に１２個の計４８個配列されて
いる。ＬＥＤチップ４は、フリップチンプボンディング
（ＦＣＢ）によってサブマウント基板３に搭載されてい
る。ＬＥＤチップ４は、透明の絶縁体であるサファイア
基板上に窒化ガリウム等の半導体層を積層させ、図２に
示すように、チップ４の下面４ｂとなる半導体層の表面
に正電極４０ａと負電極４０ｂを形成したものであり、
チップ４の上面４ａとなるサファイア基板の底面が光出
射面となる。本実施の形態では、例えば、３８０ｎｍの
波長を有する紫外線を発光するＧａＮ（窒化ガリウム）
系の半導体を用いる。
すように、マザー基板２上にサブマウント基板３を介し
て縦方向に４個、横方向に１２個の計４８個配列されて
いる。ＬＥＤチップ４は、フリップチンプボンディング
（ＦＣＢ）によってサブマウント基板３に搭載されてい
る。ＬＥＤチップ４は、透明の絶縁体であるサファイア
基板上に窒化ガリウム等の半導体層を積層させ、図２に
示すように、チップ４の下面４ｂとなる半導体層の表面
に正電極４０ａと負電極４０ｂを形成したものであり、
チップ４の上面４ａとなるサファイア基板の底面が光出
射面となる。本実施の形態では、例えば、３８０ｎｍの
波長を有する紫外線を発光するＧａＮ（窒化ガリウム）
系の半導体を用いる。
【００１３】マザー基板２は、基材の表面２ａおよび裏
面２ｂに配線パターンを印刷したものである。マザー基
板２の基材は、サブマウント基板３の実装の際に、変形
や強度低下を起こさないように耐熱性と低膨張係数を有
し、さらに、ＬＥＤチップ４の発光波長（例えば、紫外
線の波長）に対して高い光反射率と低い光吸収率を有す
る材料が好ましい。このような材料として、例えば、紫
外線に対して４２％程度の高い光反射率を有するガラス
エポキシ樹脂等を用いることができる。また、マザー基
板２よりもＬＥＤチップ４に近いサブマウント基板３の
基材として、紫外線に対して４２％程度の高い光反射率
を有する材料を用いた場合には、それよりも光反射率の
低い１０〜２２％程度のガラスエポキシ樹脂等を用いて
もよい。この他に、放熱性と強度を重視する場合は、ア
ルミニュウム等の金属、アルミナ等のセラミックスを用
いることもできる。
面２ｂに配線パターンを印刷したものである。マザー基
板２の基材は、サブマウント基板３の実装の際に、変形
や強度低下を起こさないように耐熱性と低膨張係数を有
し、さらに、ＬＥＤチップ４の発光波長（例えば、紫外
線の波長）に対して高い光反射率と低い光吸収率を有す
る材料が好ましい。このような材料として、例えば、紫
外線に対して４２％程度の高い光反射率を有するガラス
エポキシ樹脂等を用いることができる。また、マザー基
板２よりもＬＥＤチップ４に近いサブマウント基板３の
基材として、紫外線に対して４２％程度の高い光反射率
を有する材料を用いた場合には、それよりも光反射率の
低い１０〜２２％程度のガラスエポキシ樹脂等を用いて
もよい。この他に、放熱性と強度を重視する場合は、ア
ルミニュウム等の金属、アルミナ等のセラミックスを用
いることもできる。
【００１４】封止部材５は、ＬＥＤチップ４を所定の外
形形状で封止することにより、ＬＥＤチップ４が発する
光に所定の配光特性を付与するものである。また、封止
部材５は、ＬＥＤチップ４の発光波長に対して耐久性を
有する透明樹脂材料が好ましい。例えば、紫外線に対し
てはシリコーンを用いることができる。
形形状で封止することにより、ＬＥＤチップ４が発する
光に所定の配光特性を付与するものである。また、封止
部材５は、ＬＥＤチップ４の発光波長に対して耐久性を
有する透明樹脂材料が好ましい。例えば、紫外線に対し
てはシリコーンを用いることができる。
【００１５】スペーサ６は、図２（ａ）に示すように、
複数のＬＥＤチップ４が配置される位置に複数の円形の
開口６ａが設けられ、例えば、シリコーンゴム等の弾性
を有する部材から形成されている。スペーサ６は、カバ
ー９によってリフレクタ７とマザー基板２との間で挟持
されているので、装置１内部が密閉され、装置１内部に
対する防塵・防湿を図ることができる。また、このよう
な構成により、透明板８等の各部品の厚み方向のばらつ
きあるいは誤差を吸収し、装置１全体のゆがみやソリ等
を防止あるいは緩和することができ、さらに、ガラスか
らなる透明板８をカバー９とともに保護することができ
る。
複数のＬＥＤチップ４が配置される位置に複数の円形の
開口６ａが設けられ、例えば、シリコーンゴム等の弾性
を有する部材から形成されている。スペーサ６は、カバ
ー９によってリフレクタ７とマザー基板２との間で挟持
されているので、装置１内部が密閉され、装置１内部に
対する防塵・防湿を図ることができる。また、このよう
な構成により、透明板８等の各部品の厚み方向のばらつ
きあるいは誤差を吸収し、装置１全体のゆがみやソリ等
を防止あるいは緩和することができ、さらに、ガラスか
らなる透明板８をカバー９とともに保護することができ
る。
【００１６】リフレクタ７は、ＬＥＤチップ４に対応す
る位置に開口７ａ有し、その開口の７ａ周囲は図２
（ａ）に示すようにコーン状の反射面７ｂを形成してい
る。このリフレクタ７は、湿度・熱・紫外線等に対する
十分な耐候性を有し、ＬＥＤチップ４の発光波長に対し
て高い光反射率を有する材料から形成するのが好まし
い。本実施の形態では、図１（ａ），（ｂ）および図２
（ａ）に示すように、銅，スレンレス等からなる金属板
を絞り加工してＬＥＤチップ４に対応する位置に開口７
ａ有し、その開口の７ａ周囲はコーン状の反射面７ｂを
形成し、表面に高い光反射率を有するような処理、例え
ば、光沢Ｎｉメッキを施している。このようなリフレク
タ７を設けることにより、チップ４から透明体８に向う
方向（前方向）に対する光量を更に向上させることがで
きる。なお、リフレクタ７は、樹脂に金属をメッキある
いは蒸着してもよい。これにより、全体が金属の物に比
べての軽量化が図れる。また、リフレクタ７は、樹脂等
の基体に薄い金属カバーを接合したものでもよい。これ
により、金属カバーを薄い金属板の絞り加工等の工法に
よって形成することが可能であるため、材料コスト・加
工コストが安く、全体が金属の物に比べての軽量化も図
れる。
る位置に開口７ａ有し、その開口の７ａ周囲は図２
（ａ）に示すようにコーン状の反射面７ｂを形成してい
る。このリフレクタ７は、湿度・熱・紫外線等に対する
十分な耐候性を有し、ＬＥＤチップ４の発光波長に対し
て高い光反射率を有する材料から形成するのが好まし
い。本実施の形態では、図１（ａ），（ｂ）および図２
（ａ）に示すように、銅，スレンレス等からなる金属板
を絞り加工してＬＥＤチップ４に対応する位置に開口７
ａ有し、その開口の７ａ周囲はコーン状の反射面７ｂを
形成し、表面に高い光反射率を有するような処理、例え
ば、光沢Ｎｉメッキを施している。このようなリフレク
タ７を設けることにより、チップ４から透明体８に向う
方向（前方向）に対する光量を更に向上させることがで
きる。なお、リフレクタ７は、樹脂に金属をメッキある
いは蒸着してもよい。これにより、全体が金属の物に比
べての軽量化が図れる。また、リフレクタ７は、樹脂等
の基体に薄い金属カバーを接合したものでもよい。これ
により、金属カバーを薄い金属板の絞り加工等の工法に
よって形成することが可能であるため、材料コスト・加
工コストが安く、全体が金属の物に比べての軽量化も図
れる。
【００１７】透明板８は、ＬＥＤチップ４の発光波長
（例えば紫外線の波長）に対して高透過率を有する材料
から形成されていることが好ましい。このような材料と
して、例えば、ガラスを用いることができる。
（例えば紫外線の波長）に対して高透過率を有する材料
から形成されていることが好ましい。このような材料と
して、例えば、ガラスを用いることができる。
【００１８】カバー９は、図１（ａ）に示すように、４
つのＬＥＤチップ４に対応した細長形状を有する複数の
開口９ａを有する。カバー９は、耐候性と機械的強度を
有する材料から形成することが好ましい。このような材
料として、例えば、鋼材、アルミニウム等の金属板を用
いることができる。
つのＬＥＤチップ４に対応した細長形状を有する複数の
開口９ａを有する。カバー９は、耐候性と機械的強度を
有する材料から形成することが好ましい。このような材
料として、例えば、鋼材、アルミニウム等の金属板を用
いることができる。
【００１９】抵抗素子１０は、図１（ａ），（ｃ）に示
すように、マザー基板２の裏面２ｂであって各ＬＥＤチ
ップ４から均等に距離が離れるようにＬＥＤチップ４の
間に配置されている。これにより、抵抗素子１０の発熱
がＬＥＤチップ４の出力低下・信頼性低下に影響しない
ようになり、高信頼性が得られる。抵抗素子１０は、各
ＬＥＤチップ４のＶＦ差による電流のばらつきを緩和す
るとともに、各ＬＥＤチップ４への電流の制限を行うも
のである。
すように、マザー基板２の裏面２ｂであって各ＬＥＤチ
ップ４から均等に距離が離れるようにＬＥＤチップ４の
間に配置されている。これにより、抵抗素子１０の発熱
がＬＥＤチップ４の出力低下・信頼性低下に影響しない
ようになり、高信頼性が得られる。抵抗素子１０は、各
ＬＥＤチップ４のＶＦ差による電流のばらつきを緩和す
るとともに、各ＬＥＤチップ４への電流の制限を行うも
のである。
【００２０】図３は、ＬＥＤチップ４のＦＣＢによる搭
載構造を示す。サブマウント基板３は、基材３１を有
し、この基材３１の表面３１ａに、同図（ａ）に示すよ
うに、正リード３２ａおよび負リード３２ｂを形成し、
基材３１の裏面３１ｂに、同図（ｅ）に示すように、正
リード３３ａおよび負リード３３ｂを形成し、表面３１
ａの正リード３２ａおよび負リード３２ｂと裏面３１ｂ
の正リード３３ａおよび負リード３３ｂとをスルーホー
ルめっき３４ａ，３４ｂによって各々接続し、表面３１
ａの正リード３２ａに正極側であることを表示する正極
性表示部３５を延在して形成している。これらのリード
３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂ、および正極性表示部
３５は、エッチング法等の通常の半導体製造技術におけ
る電極配線技術を使用して形成され、例えば、Ｃｕ＋Ｎ
ｉ等の下地金属層にＡｕ等の金属めっき層を積層して形
成される。また、基材３１の表面３１ａの正リード３２
ａおよび負リード３２ｂの対角線上に、一対のＡｕから
なる位置認識用メッキバンプ３６ａ，３６ｂを形成し、
表面３１ａの正リード３２ａおよび負リード３２ｂにＡ
ｕからなる搭載用メッキバンプ３７ａ，３７ｂを各々形
成している。搭載用メッキバンプ３７ａ，３７ｂは、同
図（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ４の搭載前は、超
音波によるボンディングの際の超音波振動方向１６に垂
直な方向に長い楕円、長円等の形状を有しており、ＬＥ
Ｄチップ４の搭載後は、同図（ｄ）に示すように、円形
となるようにしている。これらのメッキバンプ３６ａ，
３６ｂ，３７ａ，３７ｂは、例えば、ホトリソグラフィ
法等によって一括形成される。搭載用メッキバンプ３７
ａ，３７ｂを同図（ｃ）に示すような形状とすることに
より、ショートを防止しながら、接合面積を大きくして
接合強度の向上を図ることができる。なお、搭載用メッ
キバンプ３７ａ，３７ｂは、スタッドバンプでもよい。
載構造を示す。サブマウント基板３は、基材３１を有
し、この基材３１の表面３１ａに、同図（ａ）に示すよ
うに、正リード３２ａおよび負リード３２ｂを形成し、
基材３１の裏面３１ｂに、同図（ｅ）に示すように、正
リード３３ａおよび負リード３３ｂを形成し、表面３１
ａの正リード３２ａおよび負リード３２ｂと裏面３１ｂ
の正リード３３ａおよび負リード３３ｂとをスルーホー
ルめっき３４ａ，３４ｂによって各々接続し、表面３１
ａの正リード３２ａに正極側であることを表示する正極
性表示部３５を延在して形成している。これらのリード
３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂ、および正極性表示部
３５は、エッチング法等の通常の半導体製造技術におけ
る電極配線技術を使用して形成され、例えば、Ｃｕ＋Ｎ
ｉ等の下地金属層にＡｕ等の金属めっき層を積層して形
成される。また、基材３１の表面３１ａの正リード３２
ａおよび負リード３２ｂの対角線上に、一対のＡｕから
なる位置認識用メッキバンプ３６ａ，３６ｂを形成し、
表面３１ａの正リード３２ａおよび負リード３２ｂにＡ
ｕからなる搭載用メッキバンプ３７ａ，３７ｂを各々形
成している。搭載用メッキバンプ３７ａ，３７ｂは、同
図（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ４の搭載前は、超
音波によるボンディングの際の超音波振動方向１６に垂
直な方向に長い楕円、長円等の形状を有しており、ＬＥ
Ｄチップ４の搭載後は、同図（ｄ）に示すように、円形
となるようにしている。これらのメッキバンプ３６ａ，
３６ｂ，３７ａ，３７ｂは、例えば、ホトリソグラフィ
法等によって一括形成される。搭載用メッキバンプ３７
ａ，３７ｂを同図（ｃ）に示すような形状とすることに
より、ショートを防止しながら、接合面積を大きくして
接合強度の向上を図ることができる。なお、搭載用メッ
キバンプ３７ａ，３７ｂは、スタッドバンプでもよい。
【００２１】基材３１は、ＬＥＤチップ４の実装の際
に、変形や強度低下を起こさないように耐熱性と低膨張
係数を有し、さらに、ＬＥＤチップ４の発光波長（例え
ば、紫外線の波長）に対して高い光反射率と低い光吸収
率を有する材料が好ましい。このような材料として、例
えば、紫外線に対して４２％程度の高い光反射率を有す
るガラスエポキシ樹脂等を用いることができる。この他
に、要求される特性に応じて他の樹脂やセラミックス等
の絶縁体を用いてもよい。
に、変形や強度低下を起こさないように耐熱性と低膨張
係数を有し、さらに、ＬＥＤチップ４の発光波長（例え
ば、紫外線の波長）に対して高い光反射率と低い光吸収
率を有する材料が好ましい。このような材料として、例
えば、紫外線に対して４２％程度の高い光反射率を有す
るガラスエポキシ樹脂等を用いることができる。この他
に、要求される特性に応じて他の樹脂やセラミックス等
の絶縁体を用いてもよい。
【００２２】図４は、マザー基板２の表面２ａの配線パ
ターンを示す。配線パターン２０は、エッチング法等の
通常の半導体製造技術における電極配線技術を使用して
形成され、例えば、Ｃｕ＋Ｎｉ等の下地金属層にＡｕ等
の金属めっき層を積層して形成される。サブマウント基
板３が搭載される位置には、同図（ｂ）に示すように、
サブマウント基板３の裏面３１ｂの正リード３３ａおよ
び負リード３３ｂがそれぞれ銀ペーストを介して接続さ
れる一対の接続領域２０ａ，２０ｂが形成されている。
また、マザー基板２の表面２ａのサブマウント基板３が
搭載される以外のスペースの複数の個所（本実施の形態
では３個所）に、同図（ｃ）に示すように、テスト用の
接続領域２０ａ，２０ｂが形成されている。
ターンを示す。配線パターン２０は、エッチング法等の
通常の半導体製造技術における電極配線技術を使用して
形成され、例えば、Ｃｕ＋Ｎｉ等の下地金属層にＡｕ等
の金属めっき層を積層して形成される。サブマウント基
板３が搭載される位置には、同図（ｂ）に示すように、
サブマウント基板３の裏面３１ｂの正リード３３ａおよ
び負リード３３ｂがそれぞれ銀ペーストを介して接続さ
れる一対の接続領域２０ａ，２０ｂが形成されている。
また、マザー基板２の表面２ａのサブマウント基板３が
搭載される以外のスペースの複数の個所（本実施の形態
では３個所）に、同図（ｃ）に示すように、テスト用の
接続領域２０ａ，２０ｂが形成されている。
【００２３】図５は、ＬＥＤ駆動回路を示す。このＬＥ
Ｄ駆動回路は、同図に示すように、複数のＬＥＤチップ
４のアノードに接続された接続端子１２と、複数のＬＥ
Ｄチップ４に抵抗素子１０を介して接続された複数のＬ
ＥＤチップ４と、複数のＬＥＤチップ４のカソードに接
続された接続端子１３と、過電圧を防止するツェナーダ
イオード１１とを備えている。なお、ツェナーダイオー
ド１１は、これに限定されず、アバランシェダイオー
ド、その他のダイオードを用いることができる。
Ｄ駆動回路は、同図に示すように、複数のＬＥＤチップ
４のアノードに接続された接続端子１２と、複数のＬＥ
Ｄチップ４に抵抗素子１０を介して接続された複数のＬ
ＥＤチップ４と、複数のＬＥＤチップ４のカソードに接
続された接続端子１３と、過電圧を防止するツェナーダ
イオード１１とを備えている。なお、ツェナーダイオー
ド１１は、これに限定されず、アバランシェダイオー
ド、その他のダイオードを用いることができる。
【００２４】図６〜図８は、第１の実施の形態の製造方
法を示す。まず、多数個取り用サブマウント集合基板３
０を準備する（ＳＴ１）。すなわち、図６（ａ），
（ｂ）、および図７（ａ）に示すように、サブマウント
集合基板３０の基材の表面に正リード３２ａおよび負リ
ード３２ｂを形成し、裏面に正リード３３ａおよび負リ
ード３３ｂを形成し、表面の正リード３２ａおよび負リ
ード３２ｂと裏面の正リード３３ａおよび負リード３３
ｂとをスルーホールめっき３４ａ，３４ｂによって各々
接続する。次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト１
４を塗布し、同図（ｃ）に示すように、穴１５ａを有す
るマスク１５の上から紫外線（ＨＶ）を照射し、同図
（ｄ）に示すように、レジスト１４に穴１４ａを形成す
る。次に、同図（ｅ）に示すように、レジスト１４の穴
１４ａ内に搭載用メッキバンプ３７ａ，３７ｂを形成す
る。このとき、同時に位置認識用メッキバンプ３６ａ，
３６ｂも形成する。次に、同図（ｆ）に示すように、レ
ジスト１４を除去する。このようにして基材にリード３
２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂとメッキバンプ３６ａ，
３６ｂ，３７ａ，３７ｂが形成されたサブマウント集合
基板３０が完成する。
法を示す。まず、多数個取り用サブマウント集合基板３
０を準備する（ＳＴ１）。すなわち、図６（ａ），
（ｂ）、および図７（ａ）に示すように、サブマウント
集合基板３０の基材の表面に正リード３２ａおよび負リ
ード３２ｂを形成し、裏面に正リード３３ａおよび負リ
ード３３ｂを形成し、表面の正リード３２ａおよび負リ
ード３２ｂと裏面の正リード３３ａおよび負リード３３
ｂとをスルーホールめっき３４ａ，３４ｂによって各々
接続する。次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト１
４を塗布し、同図（ｃ）に示すように、穴１５ａを有す
るマスク１５の上から紫外線（ＨＶ）を照射し、同図
（ｄ）に示すように、レジスト１４に穴１４ａを形成す
る。次に、同図（ｅ）に示すように、レジスト１４の穴
１４ａ内に搭載用メッキバンプ３７ａ，３７ｂを形成す
る。このとき、同時に位置認識用メッキバンプ３６ａ，
３６ｂも形成する。次に、同図（ｆ）に示すように、レ
ジスト１４を除去する。このようにして基材にリード３
２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂとメッキバンプ３６ａ，
３６ｂ，３７ａ，３７ｂが形成されたサブマウント集合
基板３０が完成する。
【００２５】次に、サブマウント集合基板３０上にフリ
ップチップとしてのＬＥＤチップ４をフリップチップボ
ンディングし、ＬＥＤチップ４を封止部材５によって封
止し（ＳＴ２）、専用の検査装置によって各ＬＥＤチッ
プ４の光量等の特性検査を行う（ＳＴ３）。このとき、
不良のＬＥＤチップ４にはマーキングを行う。次に、サ
ブマウント集合基板３０をＬＥＤチップ４毎に分割して
複数のサブマウント基板３を製作する（ＳＴ４）。
ップチップとしてのＬＥＤチップ４をフリップチップボ
ンディングし、ＬＥＤチップ４を封止部材５によって封
止し（ＳＴ２）、専用の検査装置によって各ＬＥＤチッ
プ４の光量等の特性検査を行う（ＳＴ３）。このとき、
不良のＬＥＤチップ４にはマーキングを行う。次に、サ
ブマウント集合基板３０をＬＥＤチップ４毎に分割して
複数のサブマウント基板３を製作する（ＳＴ４）。
【００２６】一方、複数のサブマウント基板３を搭載さ
れるマザー基板２を準備する（ＳＴ１０）。ここでは、
マザー基板２の基材に配線パターン２０が形成される。
次に、マザー基板２に抵抗素子１０、ツェナーダイオー
ド１１等の回路部品を実装する（ＳＴ１１）。
れるマザー基板２を準備する（ＳＴ１０）。ここでは、
マザー基板２の基材に配線パターン２０が形成される。
次に、マザー基板２に抵抗素子１０、ツェナーダイオー
ド１１等の回路部品を実装する（ＳＴ１１）。
【００２７】次に、上記工程ＳＴ１１で製作されたマザ
ー基板２上に上記工程ＳＴ４で製作された複数のサブマ
ウント基板３を搭載する（ＳＴ１２）。ＬＥＤチップ４
上にシリコンで封止する（ＳＴ１３）。マザー基板２
に、スペーサ６、リフレクタ７、透明板８およびカバー
９を組み込んでＬＥＤ面発光装置１を組み立て（ＳＴ１
４）、装置１全体の検査（ＳＴ１５）で終了する。
ー基板２上に上記工程ＳＴ４で製作された複数のサブマ
ウント基板３を搭載する（ＳＴ１２）。ＬＥＤチップ４
上にシリコンで封止する（ＳＴ１３）。マザー基板２
に、スペーサ６、リフレクタ７、透明板８およびカバー
９を組み込んでＬＥＤ面発光装置１を組み立て（ＳＴ１
４）、装置１全体の検査（ＳＴ１５）で終了する。
【００２８】上記第１の実施の形態によれば、ＧａＮ系
のＬＥＤチップを多数個使用したＬＥＤ面発光装置にお
いてＦＣＢ方式のベアチップ実装を行っているので、発
光効率の向上を図ることができる。また、マザー基板２
およびサブマウント基板３は、搭載するＬＥＤチップ４
の発光波長に対して、光反射率が高く、かつ光吸収率の
少ない材料を使用しているので、発光効率が高くなり、
低電力化が図れる。また、ＬＥＤ駆動回路の入力側にツ
ェナーダイオード１１を設けているので、ＧａＮ系ＬＥ
Ｄチップ４の静電耐圧が低いことによる静電破壊を防ぐ
ことができる。また、ＬＥＤチップ４がＦＣＢ実装され
たサブマウント基板３は、多数個取り用サブマウント集
合基板３０上に多数のＬＥＤチップ４をＦＣＢ実装し、
それを分割することによって製作しているので、コスト
低減を図ることができる。また、サブマウント集合基板
３０上に高密度で一括して多数のバンプを形成すること
により、メッキバンプ工程を短縮化できるので、これに
よってもサブマウント基板３の製造コストを低減するこ
とができる。また、加熱以外に加圧等の他のストレスが
加わるＬＥＤチップ４のＦＣＢ実装をサブマウント基板
３に対して行っているので、マザー基板２への搭載部品
やマザー基板２の材質の選択の自由度が大きくなる。ま
た、サブマウント集合基板３０のサイズを統一すること
により、ＦＣＢ実装用の高精度な治具を統一することが
できる。また、サブマウント基板３をマザー基板２に実
装しているので、汎用のハンドリングマシンの使用が可
能となり、ハンドリングし易くなる。また、光量テスト
を行った後、マザー基板２上にＬＥＤチップ４がＦＣＢ
実装されたサブマウント基板３を実装できるので、予め
単体での選別が容易になるため、面発光装置１としての
光量ムラを緩和するための選別搭載が可能になり、リペ
アが不要になる。また、マザー基板２上にＬＥＤチップ
４がＦＣＢ実装されたサブマウント基板３を実装した後
に封止部材５をモールド形成しているので、実装後にそ
の封止部材５の形状を決定することか可能となるため、
その形状選択性が拡がり、希望の配光特性が実現しやす
くなる。また、本面発光装置１は、全体がカバー９によ
り保護されているので、信頼性・機械的強度を確保する
ことができる。
のＬＥＤチップを多数個使用したＬＥＤ面発光装置にお
いてＦＣＢ方式のベアチップ実装を行っているので、発
光効率の向上を図ることができる。また、マザー基板２
およびサブマウント基板３は、搭載するＬＥＤチップ４
の発光波長に対して、光反射率が高く、かつ光吸収率の
少ない材料を使用しているので、発光効率が高くなり、
低電力化が図れる。また、ＬＥＤ駆動回路の入力側にツ
ェナーダイオード１１を設けているので、ＧａＮ系ＬＥ
Ｄチップ４の静電耐圧が低いことによる静電破壊を防ぐ
ことができる。また、ＬＥＤチップ４がＦＣＢ実装され
たサブマウント基板３は、多数個取り用サブマウント集
合基板３０上に多数のＬＥＤチップ４をＦＣＢ実装し、
それを分割することによって製作しているので、コスト
低減を図ることができる。また、サブマウント集合基板
３０上に高密度で一括して多数のバンプを形成すること
により、メッキバンプ工程を短縮化できるので、これに
よってもサブマウント基板３の製造コストを低減するこ
とができる。また、加熱以外に加圧等の他のストレスが
加わるＬＥＤチップ４のＦＣＢ実装をサブマウント基板
３に対して行っているので、マザー基板２への搭載部品
やマザー基板２の材質の選択の自由度が大きくなる。ま
た、サブマウント集合基板３０のサイズを統一すること
により、ＦＣＢ実装用の高精度な治具を統一することが
できる。また、サブマウント基板３をマザー基板２に実
装しているので、汎用のハンドリングマシンの使用が可
能となり、ハンドリングし易くなる。また、光量テスト
を行った後、マザー基板２上にＬＥＤチップ４がＦＣＢ
実装されたサブマウント基板３を実装できるので、予め
単体での選別が容易になるため、面発光装置１としての
光量ムラを緩和するための選別搭載が可能になり、リペ
アが不要になる。また、マザー基板２上にＬＥＤチップ
４がＦＣＢ実装されたサブマウント基板３を実装した後
に封止部材５をモールド形成しているので、実装後にそ
の封止部材５の形状を決定することか可能となるため、
その形状選択性が拡がり、希望の配光特性が実現しやす
くなる。また、本面発光装置１は、全体がカバー９によ
り保護されているので、信頼性・機械的強度を確保する
ことができる。
【００２９】図９は、本発明の第２の実施の形態に係る
ＬＥＤ面発光装置の要部を示す。この第２の実施の形態
は、ＬＥＤチップ４をマザー基板２上にダイレクトにＦ
ＣＢにより実装したものであり、他は第１の実施の形態
と同様に構成されている。
ＬＥＤ面発光装置の要部を示す。この第２の実施の形態
は、ＬＥＤチップ４をマザー基板２上にダイレクトにＦ
ＣＢにより実装したものであり、他は第１の実施の形態
と同様に構成されている。
【００３０】図１０は、マザー基板２のＬＥＤチップ４
の搭載位置の詳細を示す。マザー基板２の表面には、配
線パターンの一対の接続領域２０ａ，２０ｂが形成され
るとともに、一対の接続領域２０ａ，２０ｂには、ＬＥ
Ｄチップ４の搭載用メッキバンプ２１ａ，２１ｂ、およ
びその補修・修正のための搭載用メッキバンプ２２ａ，
２２ｂとともに、位置認識用メッキバンプ２３ａ，２３
ｂ、およびその補修・修正のための位置認識用メッキバ
ンプ２４ａ，２４ｂを形成している。補修・修正のため
の搭載用メッキバンプ２２ａ，２２ｂ、および位置認識
用メッキバンプ２４ａ，２４ｂは、ＦＣＢ時に実装不良
が起こった場合のリペア用として用いることができる。
の搭載位置の詳細を示す。マザー基板２の表面には、配
線パターンの一対の接続領域２０ａ，２０ｂが形成され
るとともに、一対の接続領域２０ａ，２０ｂには、ＬＥ
Ｄチップ４の搭載用メッキバンプ２１ａ，２１ｂ、およ
びその補修・修正のための搭載用メッキバンプ２２ａ，
２２ｂとともに、位置認識用メッキバンプ２３ａ，２３
ｂ、およびその補修・修正のための位置認識用メッキバ
ンプ２４ａ，２４ｂを形成している。補修・修正のため
の搭載用メッキバンプ２２ａ，２２ｂ、および位置認識
用メッキバンプ２４ａ，２４ｂは、ＦＣＢ時に実装不良
が起こった場合のリペア用として用いることができる。
【００３１】図１１は、第２の実施の形態の製造工程を
示す。複数のＬＥＤチップ４を搭載するマザー基板２を
準備する（ＳＴ１０）。ここでは、マザー基板２の基材
に印刷によって配線パターン２０およびメッキバンプ２
１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，２４
ａ，２４ｂが形成される。次に、マザー基板２に抵抗素
子１０、ツェナーダイオード１１等の回路部品を実装す
る（ＳＴ１１）。次に、ＬＥＤチップ４をフリップチッ
プボンディングによってマザー基板２上に搭載する（Ｓ
Ｔ１２）。ＬＥＤチップ４を封止部材５によって封止す
る（ＳＴ１３）。マザー基板２に、スペーサ６、リフレ
クタ７、透明板８およびカバー９を組み込んでＬＥＤ面
発光装置１を組み立て（ＳＴ１４）、装置１全体の検査
（ＳＴ１５）で終了する。
示す。複数のＬＥＤチップ４を搭載するマザー基板２を
準備する（ＳＴ１０）。ここでは、マザー基板２の基材
に印刷によって配線パターン２０およびメッキバンプ２
１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，２４
ａ，２４ｂが形成される。次に、マザー基板２に抵抗素
子１０、ツェナーダイオード１１等の回路部品を実装す
る（ＳＴ１１）。次に、ＬＥＤチップ４をフリップチッ
プボンディングによってマザー基板２上に搭載する（Ｓ
Ｔ１２）。ＬＥＤチップ４を封止部材５によって封止す
る（ＳＴ１３）。マザー基板２に、スペーサ６、リフレ
クタ７、透明板８およびカバー９を組み込んでＬＥＤ面
発光装置１を組み立て（ＳＴ１４）、装置１全体の検査
（ＳＴ１５）で終了する。
【００３２】上記第２の実施の形態によれば、第１の実
施の形態と同様に、発光効率の向上を図ることができ
る。また、サブマウント基板が不要であるので、構成の
簡素化を図ることができる。
施の形態と同様に、発光効率の向上を図ることができ
る。また、サブマウント基板が不要であるので、構成の
簡素化を図ることができる。
【００３３】なお、上記第１および第２の実施の形態で
は、ＬＥＤチップを同時点灯する場合について説明した
が、複数のＬＥＤチップをマザー基板上にサブマウント
基板を介してマトリクス状に配列し、複数のＬＥＤチッ
プを画像信号等の点灯信号に応じて選択的に点灯させて
もよい。また、マザー基板上に図１２に示すように円錐
穴１１３を有する基板１０３を配置し、円錐穴１１３内
に凹レンズになるように透明樹脂１１４を埋め込んでも
よい。これにより、ＬＥＤチップの出力光は放射状に拡
大投光されるので、ＬＥＤチップの出力光を正面だけで
なく斜めの方向からも見ることができる。
は、ＬＥＤチップを同時点灯する場合について説明した
が、複数のＬＥＤチップをマザー基板上にサブマウント
基板を介してマトリクス状に配列し、複数のＬＥＤチッ
プを画像信号等の点灯信号に応じて選択的に点灯させて
もよい。また、マザー基板上に図１２に示すように円錐
穴１１３を有する基板１０３を配置し、円錐穴１１３内
に凹レンズになるように透明樹脂１１４を埋め込んでも
よい。これにより、ＬＥＤチップの出力光は放射状に拡
大投光されるので、ＬＥＤチップの出力光を正面だけで
なく斜めの方向からも見ることができる。
【００３４】次に、本発明の第３の実施の形態に係るＬ
ＥＤ面発光装置の製造方法について説明する。この第３
の実施の形態は、第１の実施の形態において、図８に示
すステップＳＴ３の特性検査において、ＬＥＤチップを
発光量の多少に応じて複数のグループ、例えば、光量
大、光量中、光量少の３つのグループに分類し、同図に
示すステップＳＴ１２のサブマウント基板の搭載におい
て、総発光光量が所定の範囲内となるようにマザー基板
に搭載されるＬＥＤチップを上記３つのグループから構
成するものである。これにより、歩留まりが向上し、Ｌ
ＥＤ面発光装置間における総発光量の均一化を図ること
ができる。また、装置間の総発光量の均一化が要求され
るような用途、例えば、交通信号灯、鉄道信号灯の各種
警報等の表示装置、照明用光源や、光触媒の反応促進の
ための光源等に適用することができる。
ＥＤ面発光装置の製造方法について説明する。この第３
の実施の形態は、第１の実施の形態において、図８に示
すステップＳＴ３の特性検査において、ＬＥＤチップを
発光量の多少に応じて複数のグループ、例えば、光量
大、光量中、光量少の３つのグループに分類し、同図に
示すステップＳＴ１２のサブマウント基板の搭載におい
て、総発光光量が所定の範囲内となるようにマザー基板
に搭載されるＬＥＤチップを上記３つのグループから構
成するものである。これにより、歩留まりが向上し、Ｌ
ＥＤ面発光装置間における総発光量の均一化を図ること
ができる。また、装置間の総発光量の均一化が要求され
るような用途、例えば、交通信号灯、鉄道信号灯の各種
警報等の表示装置、照明用光源や、光触媒の反応促進の
ための光源等に適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のＬＥＤ面発
光装置によれば、複数のＬＥＤチップからの光は、電極
が設けれていない光出射面から出射されるので、発光効
率の向上を図ることができる。また、本発明のＬＥＤ面
発光装置の製造方法によれば、発光量の多少に応じて少
なくとも第１、第２、第３の３つのグループに分類し、
複数のＬＥＤチップの総発光量が所定の範囲内となるよ
うに３つのグループから選択して複数のＬＥＤチップを
構成することにより、歩留まり向上を図ることができ
る。
光装置によれば、複数のＬＥＤチップからの光は、電極
が設けれていない光出射面から出射されるので、発光効
率の向上を図ることができる。また、本発明のＬＥＤ面
発光装置の製造方法によれば、発光量の多少に応じて少
なくとも第１、第２、第３の３つのグループに分類し、
複数のＬＥＤチップの総発光量が所定の範囲内となるよ
うに３つのグループから選択して複数のＬＥＤチップを
構成することにより、歩留まり向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤ面発光
装置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）
は底面図である。
装置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）
は底面図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）のＡ部拡大図、（ｂ）は図
１（ａ）のＢ部拡大図、（ｃ）はＬＥＤチップの底面図
である。
１（ａ）のＢ部拡大図、（ｃ）はＬＥＤチップの底面図
である。
【図３】第１の実施の形態のＦＣＢ構造を示し、（ａ）
はＬＥＤチップが搭載されたサブマウント基板の表面
図、（ｂ）は断面図、（ｃ），（ｄ）はＬＥＤチップ搭
載用バンプの形状を示す図、（ｅ）はサブマウント基板
の裏面図である。
はＬＥＤチップが搭載されたサブマウント基板の表面
図、（ｂ）は断面図、（ｃ），（ｄ）はＬＥＤチップ搭
載用バンプの形状を示す図、（ｅ）はサブマウント基板
の裏面図である。
【図４】（ａ）はマザー基板の表面図、（ｂ）は（ａ）
のＤ部拡大図、（ｃ）は（ａ）のＥ部拡大図である。
のＤ部拡大図、（ｃ）は（ａ）のＥ部拡大図である。
【図５】第１の実施の形態のＬＥＤ駆動回路を示す図
【図６】（ａ），（ｂ）は第１の実施の形態のサブマウ
ント基板の製造工程を示す図である。
ント基板の製造工程を示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は第１の実施の形態のサブマウ
ント基板の製造工程を示す図である。
ント基板の製造工程を示す図である。
【図８】第１の実施の形態のＬＥＤ面発光装置の製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤ面発光
装置の要部断面図である。
装置の要部断面図である。
【図１０】第１の実施の形態のマザー基板のＬＥＤチッ
プ搭載位置を示す図である。
プ搭載位置を示す図である。
【図１１】第１の実施の形態のＬＥＤ面発光装置の製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図１２】従来のＬＥＤ面発光装置を示す断面図であ
る。
る。
１ ＬＥＤ面発光装置 ２ マザー基板 ２ａ 表面 ２ｂ 裏面 ３ サブマウント基板 ４ ＬＥＤチップ ４ａ 正電極 ４ｂ 負電極 ５ 封止部材 ６ スペーサ ６ａ 開口 ７ リフレクタ ７ａ 開口 ７ｂ 反射面 ８ 透明板 ９ カバー ９ａ 開口 １０ 抵抗素子 １１ ツェナーダイオード １２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ 接続端子 １４ レジスト １４ａ 穴 １５ マスク １５ａ 穴 ２０ 配線パターン ２０ａ，２０ｂ 接続領域 ２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ 搭載用メッキバンプ ２３ａ，２３ｂ、２４ａ，２４ｂ 位置認識用メッキバ
ンプ ３０ 多数個取り用サブマウント集合基板 ３１ａ 表面 ３１ｂ 裏面 ３２ａ 正リード ３２ｂ 負リード ３３ａ 正リード ３３ｂ 負リード ３４ａ，３４ｂ スルーホールめっき ３５ 正極性表示部 ３６ａ，３６ｂ 位置認識用メッキバンプ ３７ａ，３７ｂ 搭載用メッキバンプ ４０ａ 正電極 ４０ｂ 負電極 １０１ 発光ドット １０２ 配線基板 １０３ 基板 １０８ ＬＥＤチップ １０９ 配線パターン １１０ ボンディングワイヤ １１１ スルーホール １１２ 配線パターン １１３ 円錐穴 １１４ 透明樹脂
ンプ ３０ 多数個取り用サブマウント集合基板 ３１ａ 表面 ３１ｂ 裏面 ３２ａ 正リード ３２ｂ 負リード ３３ａ 正リード ３３ｂ 負リード ３４ａ，３４ｂ スルーホールめっき ３５ 正極性表示部 ３６ａ，３６ｂ 位置認識用メッキバンプ ３７ａ，３７ｂ 搭載用メッキバンプ ４０ａ 正電極 ４０ｂ 負電極 １０１ 発光ドット １０２ 配線基板 １０３ 基板 １０８ ＬＥＤチップ １０９ 配線パターン １１０ ボンディングワイヤ １１１ スルーホール １１２ 配線パターン １１３ 円錐穴 １１４ 透明樹脂
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 25/18 Ｈ０１Ｌ 25/04 Ｚ // Ｆ２１Ｙ 101:02 (72)発明者 手島 聖貴 東京都練馬区東大泉四丁目26番11号 株式 会社光波内 (72)発明者 三溝 宏 東京都練馬区東大泉四丁目26番11号 株式 会社光波内 (72)発明者 黒山 俊宣 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 石田 卓也 神奈川県横須賀市池田町４丁目４番地１号 関東化成工業株式会社内 (72)発明者 柳澤 英夫 神奈川県横須賀市池田町４丁目４番地１号 関東化成工業株式会社内 (72)発明者 菊川 祐介 神奈川県横須賀市池田町４丁目４番地１号 関東化成工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA41 BB04 BB22 BB31 CB22 DA09 DA41 DA61 DA78 EE23 FF06 5F044 KK01 KK17 LL00 RR00 RR01 RR17 RR18
Claims (25)
- 【請求項１】基板と、 前記基板に対向する面側に正負一対の電極を有し、前記
一対の電極が一対の接合用バンプを介して前記基板に電
気的に接続された複数のＬＥＤチップとを備えたことを
特徴とするＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項２】前記基板は、絶縁基材上に配線パターンを
有し、前記配線パターンの前記複数のＬＥＤチップが接
続される複数の位置に前記一対の接合用パンプがそれぞ
れ形成された構成の請求項１記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項３】前記基板は、前記配線パターンの前記複数
の位置に、予備の一対あるいは二対以上のバンプがそれ
ぞれ形成された構成の請求項２記載のＬＥＤ面発光装
置。 - 【請求項４】前記基板は、前記配線パターンの前記複数
の位置に、前記一対の接合用バンプに対して所定の位置
関係を有する自動認識用のバンプがそれぞれ形成された
構成の請求項２記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項５】前記基板を構成する基材は、前記複数のＬ
ＥＤチップの発光波長に対して３０％以上の高い光反射
率を有する材料から形成された構成の請求項２記載のＬ
ＥＤ面発光装置。 - 【請求項６】前記基板の前記配線パターンは、前記ＬＥ
Ｄチップの接合強度等の検査を目的としたダミー配線パ
ターンおよびダミー接合用バンプを含む構成の請求項２
記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項７】前記基板は、配線パターンを有するマザー
基板と、裏面に前記マザー基板の前記配線パターンに接
続される正負一対の裏リード、および表面に前記一対の
裏リードに一対の金属接続部によって接続されるととも
に、前記複数のＬＥＤチップの前記一対の電極が前記一
対の接合用バンプを介して接続される正負一対の表リー
ドを有する複数のサブマウント基板とを備えた構成の請
求項１記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項８】前記マザー基板および前記複数のサブマウ
ント基板を構成する基材は、前記複数のＬＥＤチップの
発光波長に対して３０％以上の高い光反射率を有する材
料から形成された構成の請求項７記載のＬＥＤ面発光装
置。 - 【請求項９】前記マザー基板を構成する基材は、前記複
数のＬＥＤチップの発光波長に対して所定の光反射率を
有する材料から形成され、 前記サブマウント基板を構成する基材は、前記複数のＬ
ＥＤチップの発光波長に対して前記所定の光反射率より
大なる光反射率を有する材料から形成された構成の請求
項７記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項１０】前記マザー基板の前記配線パターンは、
前記ＬＥＤチップおよび前記サブマウント基板の接合強
度等の検査を目的としたダミー配線パターンを含む構成
の請求項７記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項１１】前記マザー基板の前記配線パターンは、
前記サブマウント基板の搭載位置に対して所定の位置関
係を有する自動認識用の配線パターン部を含む構成の請
求項７記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項１２】前記複数のＬＥＤチップは、前記複数の
ＬＥＤチップの周囲に、前記基板に対向する前記面から
前記面と反対側の面に向って広がる複数の反射面を有す
る単一の反射体を備えた構成の請求項１記載のＬＥＤ面
発光装置。 - 【請求項１３】前記複数の反射面は、その内側が透明樹
脂からなる複数の封止部材によって封止された構成の請
求項１２記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項１４】前記複数のＬＥＤチップは、所定の外形
形状によって前記ＬＥＤチップが発する光に所定の配光
特性を付与する透明樹脂からなる複数の封止部材によっ
て封止された構成の請求項１記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項１５】前記一対の接合用バンプは、前記一対の
接合用バンプが配列された方向に垂直な方向に長い楕円
形あるいは長円形を有する構成の請求項１記載のＬＥＤ
面発光装置。 - 【請求項１６】前記一対の接合用バンプは、超音波振動
による接合の際の超音波振動方向に垂直な方向に長い楕
円形あるいは長円形を有する構成の請求項１記載のＬＥ
Ｄ面発光装置。 - 【請求項１７】前記複数のＬＥＤチップは、前記複数の
ＬＥＤチップへの電流を制御する複数の抵抗素子を有す
る駆動回路によって駆動される構成の請求項１記載のＬ
ＥＤ面発光装置。 - 【請求項１８】前記複数の抵抗素子は、前記基板の前記
複数のＬＥＤチップが設けられた面と反対側の面であっ
て、前記複数のＬＥＤチップの間に設けられた構成の請
求項１７記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項１９】前記複数のＬＥＤチップは、過電圧を防
止する共通の保護素子によって保護されている構成の請
求項１記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項２０】前記複数のＬＥＤチップは、同時点灯さ
れる構成の請求項１記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項２１】前記複数のＬＥＤチップは、前記基板上
にマトリクス状に配列され、点灯信号に基づいて選択的
に点灯される構成の請求項１記載のＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項２２】基板と、 前記基板に対向する面側に正負一対の電極を有し、前記
一対の電極が一対のバンプを介して前記基板に電気的に
接続された複数のＬＥＤチップと、 前記複数のＬＥＤチップを封止して、所定の外形形状に
よって前記ＬＥＤチップが発する光に所定の配光特性を
付与する透明樹脂からなる複数の封止部材と、 前記基板の前記複数のＬＥＤチップが設けられた側に配
置された透明体と、 前記基板と前記透明体との間に設けられた弾性部材から
なるスペーサと、 前記複数のＬＥＤチップ、前記透明体および前記スペー
サを覆うように設けられ、前記透明体および前記スペー
サとともに密閉構造を形成するカバーとを備えたことを
特徴とするＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項２３】前記複数のＬＥＤチップは、紫外線を発
光するＬＥＤチップであり、 前記複数の封止部材は、シリコーンからなり、 前記透明体は、ガラスからなる構成の請求項２２記載の
ＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項２４】配線パターンを有するマザー基板と、 裏面に前記マザー基板の前記配線パターンに接続される
正負一対の裏リード、および表面に前記一対の裏リード
に一対の金属接続部によって接続された正負一対の表リ
ードを有する複数のサブマウント基板と、 前記サブマウント基板に対向する面側に正負一対の電極
を有し、前記一対の電極が一対のバンプを介して前記サ
ブマウント基板の前記一対の表リードに接続された複数
のＬＥＤチップと、 前記複数のＬＥＤチップを封止して、所定の外形形状に
よって前記ＬＥＤチップが発する光に所定の配光特性を
付与する透明樹脂からなる複数の封止部材と、 前記複数の封止部材によって封止された前記複数のＬＥ
Ｄチップの周囲に、前記基板に対向する前記面から前記
面と反対側の面に向って広がる複数の反射面を有する単
一の反射体と、 前記複数のサブマウント基板の前記複数のＬＥＤチップ
が設けられた側に配置された透明体と、 前記基板と前記透明体との間に設けられた弾性部材から
なるスペーサと、 前記複数のＬＥＤチップ、前記単一の反射体、前記透明
体および前記スペーサを覆うように設けられ、前記透明
体および前記弾性部材とともに密閉構造を形成するカバ
ーとを備えたことを特徴とするＬＥＤ面発光装置。 - 【請求項２５】基板上に搭載された複数のＬＥＤチップ
を有するＬＥＤ面発光装置の製造方法において、 複数の前記ＬＥＤチップの発光量を測定して発光量の多
少に応じて少なくとも第１、第２、第３の３つのグルー
プに分類し、 前記複数のＬＥＤチップの総発光量が所定の範囲内とな
るように前記３つのグループから選択して前記複数のＬ
ＥＤチップを構成することを特徴とするＬＥＤ面発光装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000191102A JP2002009349A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | Ｌｅｄ面発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002009349A true JP2002009349A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18690455
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000191102A Pending JP2002009349A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | Ｌｅｄ面発光装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002009349A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303373A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具 |
| WO2006132148A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
| JP2007036238A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 保護素子の配置構成を改善した側面型発光ダイオード |
| WO2007141827A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用基板、光源、照明装置、表示装置、交通信号機、及び発光素子実装用基板の製造方法 |
| JP2008091952A (ja) * | 2005-06-07 | 2008-04-17 | Fujikura Ltd | 発光素子実装用ホーロー基板の製造方法および発光素子モジュールの製造方法 |
| JP2008098343A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄランプ装置 |
| JP2008118115A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-22 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | コンパクトな高輝度ｌｅｄ系光源および当該光源を作製するための方法 |
| JP2009004625A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009246343A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-10-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2011044741A (ja) * | 2004-02-03 | 2011-03-03 | Panasonic Corp | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子 |
| US7982230B2 (en) | 2005-06-13 | 2011-07-19 | Fujikura Ltd. | Substrate for mounting light emitting element, light emitting module and lighting apparatus |
| US8042964B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-10-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Illumination device having luminous spots formed by light emitting diodes |
| JP2012009723A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012134529A (ja) * | 2006-05-11 | 2012-07-12 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2013041853A (ja) * | 2006-04-21 | 2013-02-28 | Cree Inc | 全般照明用の固体照明器具 |
| US8692285B2 (en) | 2003-08-28 | 2014-04-08 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus and display element |
| KR101380385B1 (ko) | 2007-06-29 | 2014-04-10 | 서울반도체 주식회사 | 일괄 봉지 기술을 이용하는 ｌｅｄ 패키지 제조방법 |
| KR20150049018A (ko) * | 2013-10-29 | 2015-05-08 | 서울바이오시스 주식회사 | Uv led를 이용한 휴대용 살균 장치 |
| US9478716B2 (en) | 2007-03-15 | 2016-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186189U (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | ||
| JPS62282472A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | Ｌｅｄアレイヘツド |
| JPS6322760U (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | ||
| JPS6413750U (ja) * | 1987-07-17 | 1989-01-24 | ||
| JPH02113336U (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-11 | ||
| JPH0654081U (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-22 | タキロン株式会社 | 発光表示体 |
| JPH08124974A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置 |
| JPH09306936A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Seiko Epson Corp | 突起状電極及びその製造方法 |
| JPH104119A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH1065219A (ja) * | 1996-08-15 | 1998-03-06 | Nippon Retsuku Kk | 光電子部品の製造方法 |
| WO1998034285A1 (fr) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Matsushita Electronics Corporation | Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production |
| JPH10308535A (ja) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Citizen Electron Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH1197493A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | ボンディング方法および装置 |
| JPH11145199A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH11163196A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JPH11268334A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｌｅｄプリントヘッド |
| JP2000031547A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 面状光源 |
| JP2000049384A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Matsushita Electron Corp | チップ型発光装置 |
| JP2000150968A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Agilent Technol Inc | 動作安定性が保証される発光ダイオ―ド装置 |
-
2000
- 2000-06-26 JP JP2000191102A patent/JP2002009349A/ja active Pending
Patent Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186189U (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | ||
| JPS62282472A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | Ｌｅｄアレイヘツド |
| JPS6322760U (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | ||
| JPS6413750U (ja) * | 1987-07-17 | 1989-01-24 | ||
| JPH02113336U (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-11 | ||
| JPH0654081U (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-22 | タキロン株式会社 | 発光表示体 |
| JPH08124974A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置 |
| JPH09306936A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Seiko Epson Corp | 突起状電極及びその製造方法 |
| JPH104119A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH1065219A (ja) * | 1996-08-15 | 1998-03-06 | Nippon Retsuku Kk | 光電子部品の製造方法 |
| WO1998034285A1 (fr) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Matsushita Electronics Corporation | Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production |
| JPH10308535A (ja) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Citizen Electron Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH1197493A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | ボンディング方法および装置 |
| JPH11145199A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH11163196A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JPH11268334A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｌｅｄプリントヘッド |
| JP2000031547A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 面状光源 |
| JP2000049384A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Matsushita Electron Corp | チップ型発光装置 |
| JP2000150968A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Agilent Technol Inc | 動作安定性が保証される発光ダイオ―ド装置 |
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8042964B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-10-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Illumination device having luminous spots formed by light emitting diodes |
| US8692285B2 (en) | 2003-08-28 | 2014-04-08 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus and display element |
| JP2011044741A (ja) * | 2004-02-03 | 2011-03-03 | Panasonic Corp | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子 |
| JP2006303373A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具 |
| JP4692059B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-06-01 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US7997760B2 (en) | 2005-06-07 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Enamel substrate for mounting light emitting elements, light emitting element module, illumination apparatus, display apparatus, and traffic signal |
| KR101002430B1 (ko) | 2005-06-07 | 2010-12-21 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 발광소자 실장용 법랑 기판, 발광소자 모듈, 조명 장치,표시 장치 및 교통 신호기 |
| JP4629091B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2011-02-09 | 株式会社フジクラ | 発光素子実装用ホーロー基板の製造方法および発光素子モジュールの製造方法 |
| JP2008091952A (ja) * | 2005-06-07 | 2008-04-17 | Fujikura Ltd | 発光素子実装用ホーロー基板の製造方法および発光素子モジュールの製造方法 |
| WO2006132148A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
| US7982230B2 (en) | 2005-06-13 | 2011-07-19 | Fujikura Ltd. | Substrate for mounting light emitting element, light emitting module and lighting apparatus |
| JP2007036238A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 保護素子の配置構成を改善した側面型発光ダイオード |
| JP2013041853A (ja) * | 2006-04-21 | 2013-02-28 | Cree Inc | 全般照明用の固体照明器具 |
| US9605835B2 (en) | 2006-04-21 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Solid-state luminaires for general illumination |
| US9882095B2 (en) | 2006-05-11 | 2018-01-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating the same |
| US8680545B2 (en) | 2006-05-11 | 2014-03-25 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device and method for fabricating the same |
| US9564556B2 (en) | 2006-05-11 | 2017-02-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating the same |
| US10580943B2 (en) | 2006-05-11 | 2020-03-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating the same |
| JP2012134529A (ja) * | 2006-05-11 | 2012-07-12 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2012134530A (ja) * | 2006-05-11 | 2012-07-12 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US10243112B2 (en) | 2006-05-11 | 2019-03-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating the same |
| US7980731B2 (en) | 2006-05-30 | 2011-07-19 | Fujikura Ltd. | Light-emitting element mounting substrate, light source, lighting device, display device, traffic signal, and method of manufacturing light-emitting element mounting substrate |
| WO2007141827A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用基板、光源、照明装置、表示装置、交通信号機、及び発光素子実装用基板の製造方法 |
| JP2008118115A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-22 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | コンパクトな高輝度ｌｅｄ系光源および当該光源を作製するための方法 |
| JP2008098343A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄランプ装置 |
| US9966504B2 (en) | 2007-03-15 | 2018-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US9478716B2 (en) | 2007-03-15 | 2016-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US9484502B2 (en) | 2007-03-15 | 2016-11-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US9755115B2 (en) | 2007-03-15 | 2017-09-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2009004625A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| KR101380385B1 (ko) | 2007-06-29 | 2014-04-10 | 서울반도체 주식회사 | 일괄 봉지 기술을 이용하는 ｌｅｄ 패키지 제조방법 |
| JP2009246343A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-10-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2012009723A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
| KR20150049018A (ko) * | 2013-10-29 | 2015-05-08 | 서울바이오시스 주식회사 | Uv led를 이용한 휴대용 살균 장치 |
| KR102233270B1 (ko) | 2013-10-29 | 2021-03-29 | 서울바이오시스 주식회사 | Uv led를 이용한 휴대용 살균 장치 |
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