JPS60260923A - 液晶光変調素子 - Google Patents
液晶光変調素子Info
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- JPS60260923A JPS60260923A JP11645584A JP11645584A JPS60260923A JP S60260923 A JPS60260923 A JP S60260923A JP 11645584 A JP11645584 A JP 11645584A JP 11645584 A JP11645584 A JP 11645584A JP S60260923 A JPS60260923 A JP S60260923A
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- Japan
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- insulating
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
- G02F1/133723—Polyimide, polyamide-imide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
- C08G73/105—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the diamino moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
- C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
- C09K19/0225—Ferroelectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、強誘電性を示す液晶を用いた液晶光変調素子
に関する。
に関する。
従来の時計や電卓等に用いている液晶表示素子はネマチ
ック液晶をねじれ構造にしたツイスト・ネマチック（Ｔ
Ｎ）モードが主流である。このモードの応答速度は２０
ｍ５が現状では限度である。
ック液晶をねじれ構造にしたツイスト・ネマチック（Ｔ
Ｎ）モードが主流である。このモードの応答速度は２０
ｍ５が現状では限度である。
この素子における最も重要技術課題は強誘電性液晶分子
を基板面に平行あるいは略平行なある優先方位に揃えて
配列させることである。一般に液晶層が数μｍの薄さに
なるとかなり強い磁場を加えても一様に配列した素子を
得るのが難しく、仮に得られるとしても生産プロセス上
実用性乏しいと看える。すり応力の場合も同様で、実用
性に乏しい。
を基板面に平行あるいは略平行なある優先方位に揃えて
配列させることである。一般に液晶層が数μｍの薄さに
なるとかなり強い磁場を加えても一様に配列した素子を
得るのが難しく、仮に得られるとしても生産プロセス上
実用性乏しいと看える。すり応力の場合も同様で、実用
性に乏しい。
光変調素子の代表例として、液晶表示素子がある。第１
図に強誘′成注液晶表示素子を示す。二枚のガラス基板
２には通称ＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズの薄膜
）といわれる透明電極３が形成されており、その上にポ
リイミドのような高分子の薄膜をガーゼや布のような繊
維でラビングして、液晶をラビング方向に並べる絶縁配
列制御膜４が形成されている。この二枚のガラス基板２
はスペーサ５によって任意の間隔に保たれておシ、その
間に強誘電性液晶１が封入されている。透明電極３から
はリード線によって外部の電源７に接続されている。！
、たガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合せである
。第１図は透過型であるので、光源９を備えている。光
源９から出た入射光重０は液晶素子を透過して透過光Ｉ
となり、観察者の目に入る。
図に強誘′成注液晶表示素子を示す。二枚のガラス基板
２には通称ＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズの薄膜
）といわれる透明電極３が形成されており、その上にポ
リイミドのような高分子の薄膜をガーゼや布のような繊
維でラビングして、液晶をラビング方向に並べる絶縁配
列制御膜４が形成されている。この二枚のガラス基板２
はスペーサ５によって任意の間隔に保たれておシ、その
間に強誘電性液晶１が封入されている。透明電極３から
はリード線によって外部の電源７に接続されている。！
、たガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合せである
。第１図は透過型であるので、光源９を備えている。光
源９から出た入射光重０は液晶素子を透過して透過光Ｉ
となり、観察者の目に入る。
第２図は第１図の液晶１に電圧を印加したときの強誘電
性液晶分子１０の動きを説明する図である。電極３を通
して液晶１に電界Ｅを印加すると、電界の向きに応じて
状態（Ａ）か状態（Ｂ）のような配列構造をとる。（Ａ
）の状態は液晶分子１０の長軸方向１０１が偏光板８の
偏光軸方向８１と一致している。（Ｂ）の状態は長軸方
向１０１が偏光軸方向８１から離れた状態で液晶分子１
０１は配向変える、すなわち（ト）、（→することによ
って、表示をする。なおθはπ／４（４５°）でコント
ラストは最大となる。
性液晶分子１０の動きを説明する図である。電極３を通
して液晶１に電界Ｅを印加すると、電界の向きに応じて
状態（Ａ）か状態（Ｂ）のような配列構造をとる。（Ａ
）の状態は液晶分子１０の長軸方向１０１が偏光板８の
偏光軸方向８１と一致している。（Ｂ）の状態は長軸方
向１０１が偏光軸方向８１から離れた状態で液晶分子１
０１は配向変える、すなわち（ト）、（→することによ
って、表示をする。なおθはπ／４（４５°）でコント
ラストは最大となる。
〔発明の目的〕
本発明は生産プロセス上実用性の高い強誘電性液晶分子
の配列制御法を提供し、その結果として応答性に優れ、
かつコントラストの良い液晶光変調素子を得ることを目
的とする。
の配列制御法を提供し、その結果として応答性に優れ、
かつコントラストの良い液晶光変調素子を得ることを目
的とする。
上記目的を達成するために、本発明の構成は、対向配置
された２枚の透明基板と、透明基板の対内面の各々に設
けられた透明電極と、透明電極の対向面の各々に設けら
れると共に、絶縁性を有しかつ近接する液晶分子を前記
基板面に対し平行または略平行な優先方向に配列させる
透明な絶縁配列制御層と、絶縁配列制御層間に挾持され
た強誘電性を示す液晶相と、前記基板の外面側に配置さ
れる偏光子とを含んでいる。前記絶縁配列制御層として
、ポリイミド系高分子を設ける。
された２枚の透明基板と、透明基板の対内面の各々に設
けられた透明電極と、透明電極の対向面の各々に設けら
れると共に、絶縁性を有しかつ近接する液晶分子を前記
基板面に対し平行または略平行な優先方向に配列させる
透明な絶縁配列制御層と、絶縁配列制御層間に挾持され
た強誘電性を示す液晶相と、前記基板の外面側に配置さ
れる偏光子とを含んでいる。前記絶縁配列制御層として
、ポリイミド系高分子を設ける。
ポリイミド系高分子としては、イミド結合によシ構成さ
れるポリイミドが用いられる。ポリイミド高分子はイミ
ド結合を有し、一般に溶媒に不溶であるため、基板上に
ポリイミド系高分子被膜をｅｎ；ＥｙｋＷ＞ＶＣＩｒＪ
、＝Ｎ ＋） ｙｉ ｙｌＣＩＮｃ’＆Ｍｆ７ｄ’ａ剤
′ ） ・溶解し、後述する方法で基板上に塗布した後
、加熱処理して脱水閉環してイミド結合を持たせる方法
が好ましい。
れるポリイミドが用いられる。ポリイミド高分子はイミ
ド結合を有し、一般に溶媒に不溶であるため、基板上に
ポリイミド系高分子被膜をｅｎ；ＥｙｋＷ＞ＶＣＩｒＪ
、＝Ｎ ＋） ｙｉ ｙｌＣＩＮｃ’＆Ｍｆ７ｄ’ａ剤
′ ） ・溶解し、後述する方法で基板上に塗布した後
、加熱処理して脱水閉環してイミド結合を持たせる方法
が好ましい。
上記ポリイミドの前駆体のポリアミック酸はジカルボン
酸とジアミンとの縮合により合成される。
酸とジアミンとの縮合により合成される。
これらの縮合反応は無水条件下、５０Ｃ４たはそれ以下
の温度で行なわれる。ジカルボン酸無水物としては、ピ
ロメリット酸無水物： Ｏ が用いられる。ジアミンとしてはＰ−フェニレンが用い
られる。これらはいずれも耐熱性の高い芳香族系の化合
物である。
の温度で行なわれる。ジカルボン酸無水物としては、ピ
ロメリット酸無水物： Ｏ が用いられる。ジアミンとしてはＰ−フェニレンが用い
られる。これらはいずれも耐熱性の高い芳香族系の化合
物である。
ポリアミック酸を基板上に塗布するには、ポリアミック
酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
などの溶剤に溶解して０．１〜３０％溶液とし、好まし
くは１〜１０％溶液がよい。この溶液を刷毛塗シ法、浸
漬法２回転塗布法、スプレー法、印刷法などにより塗布
し、基板上に塗膜を形成する。塗布後、１００〜４５０
Ｃ。
酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
などの溶剤に溶解して０．１〜３０％溶液とし、好まし
くは１〜１０％溶液がよい。この溶液を刷毛塗シ法、浸
漬法２回転塗布法、スプレー法、印刷法などにより塗布
し、基板上に塗膜を形成する。塗布後、１００〜４５０
Ｃ。
好ましくは２００〜３５０Ｃで加熱処理を行ない、脱水
閉環してポリイミド系高分子被膜を設ける。
閉環してポリイミド系高分子被膜を設ける。
しかる後、この被膜面を布等で一方向にラビングして、
絶縁配列制御膜を得る。
絶縁配列制御膜を得る。
分子膜を貼着し、続いてこのポリイミド系高分子 □膜
をラビングして、ラビングされたポリイミド系高分子膜
が対向するように透明基板を並列させてセルを組立て、
このセル内に強誘電性を示す液晶を導入して密封し、基
板の外面側に偏光子を配置するようにしたものである。
をラビングして、ラビングされたポリイミド系高分子膜
が対向するように透明基板を並列させてセルを組立て、
このセル内に強誘電性を示す液晶を導入して密封し、基
板の外面側に偏光子を配置するようにしたものである。
上記強誘電性を示す液晶は、主として下記に示すような
シック塩基型液晶である。
シック塩基型液晶である。
ＩＩＩ＋１１
１） 雫
Ｑ リ
例 へ 日
ミ
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例Ｉ
絶縁層と配列制御層を兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。このポリイミド系高分子被膜として
、ピロメリット酸無水物とＰ−フェニレンジアミンとを
ｌ：１０モル比で縮合し、合成したポリアミック酸をＮ
−メチル−２−ピロリドン溶剤で３．５％に希釈する。
分子被膜を設ける。このポリイミド系高分子被膜として
、ピロメリット酸無水物とＰ−フェニレンジアミンとを
ｌ：１０モル比で縮合し、合成したポリアミック酸をＮ
−メチル−２−ピロリドン溶剤で３．５％に希釈する。
この希釈溶液を片面が酸化インジウム系透明導電膜（Ｉ
ＴＯ膜）を設けた透明ガラス基板に、回転塗布法（スピ
ンナー法）で塗布した。スピンナーの回転数は３５００
ｒ、Ｐ、Ｒ回転時間４０秒で行なう。塗布後、２５Ｏ
ｒ、１時間で加熱処理した。この時の塗膜の膜厚は約８
００人（８０ｎｍ）である。
ＴＯ膜）を設けた透明ガラス基板に、回転塗布法（スピ
ンナー法）で塗布した。スピンナーの回転数は３５００
ｒ、Ｐ、Ｒ回転時間４０秒で行なう。塗布後、２５Ｏ
ｒ、１時間で加熱処理した。この時の塗膜の膜厚は約８
００人（８０ｎｍ）である。
続いて、２枚の基板の塗膜面をそれぞれ布等でラビング
し、ラビング方向が平行で、かつ互に対向するように合
わせる。２枚の基板間には１０μｍのガラスファイバー
をスペーサとして挾持して液晶セルを組み立て、液晶を
真空封入した。液晶材料としては、上記のＤＯＢＡＭＢ
Ｃを用いた。封入後、等方性液体温度まで加熱し、強誘
電性を示すカイラルスメクチックＣ相温度まで徐冷（０
，５１：’／ｍ程度）シ、強誘電性液晶素子を得た。
し、ラビング方向が平行で、かつ互に対向するように合
わせる。２枚の基板間には１０μｍのガラスファイバー
をスペーサとして挾持して液晶セルを組み立て、液晶を
真空封入した。液晶材料としては、上記のＤＯＢＡＭＢ
Ｃを用いた。封入後、等方性液体温度まで加熱し、強誘
電性を示すカイラルスメクチックＣ相温度まで徐冷（０
，５１：’／ｍ程度）シ、強誘電性液晶素子を得た。
この素子を第２図のようにおき、直流電圧を１０．２０
，３０，４０Ｖ印加して、←）、Ｈの電界のときのコン
トラスト比（ＯＲ）をめた。その結果を第３図の○印で
示す。２０Ｖ印加時のコントラスト比は約１８である。
，３０，４０Ｖ印加して、←）、Ｈの電界のときのコン
トラスト比（ＯＲ）をめた。その結果を第３図の○印で
示す。２０Ｖ印加時のコントラスト比は約１８である。
電圧の増加とともに、コントラスト比は増加する。この
結果、ラビング方向に一様に液晶分子が平行配向してい
ることがわかる。なお、この膜の絶縁耐圧をプローバを
用いて測にした結果、４×１６６■／ｃｒｎあシ、現行
のネマチック液晶に用いている絶縁膜とほぼＩＳであっ
た。
結果、ラビング方向に一様に液晶分子が平行配向してい
ることがわかる。なお、この膜の絶縁耐圧をプローバを
用いて測にした結果、４×１６６■／ｃｒｎあシ、現行
のネマチック液晶に用いている絶縁膜とほぼＩＳであっ
た。
実施例■
絶縁層と配列制御層を兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。このポリイミド高分子被膜として、
ピロメリット酸無水物とベンジジンとを１：１０モル比
で縮合し、合成したボリアミンク酸をＮ−メチル−２−
ピロメリット酸で３．５％に希釈する。この希釈溶液を
用いて、実施例Ｉと同じ方法で、強訴電性液晶米子を得
た。この素子の塗膜の厚さは約８Ｑｎｍであシ、この絶
縁耐圧は４×１０６■／ｃｒｎであった。また実施例■
と同じく、ＣＲを測定した結果、第３図の目印で示し、
２０Ｖ印加時のＣＲは約２３であった。
分子被膜を設ける。このポリイミド高分子被膜として、
ピロメリット酸無水物とベンジジンとを１：１０モル比
で縮合し、合成したボリアミンク酸をＮ−メチル−２−
ピロメリット酸で３．５％に希釈する。この希釈溶液を
用いて、実施例Ｉと同じ方法で、強訴電性液晶米子を得
た。この素子の塗膜の厚さは約８Ｑｎｍであシ、この絶
縁耐圧は４×１０６■／ｃｒｎであった。また実施例■
と同じく、ＣＲを測定した結果、第３図の目印で示し、
２０Ｖ印加時のＣＲは約２３であった。
電圧の増加とともに、ＣＲは増加する。この結果、ラビ
ング方向に液晶分子が一様に平行配向していることかわ
かった。応答も同様にして測定した結果、約７５μｓで
あった。
ング方向に液晶分子が一様に平行配向していることかわ
かった。応答も同様にして測定した結果、約７５μｓで
あった。
実施例■
絶縁層と配列制御層を兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。このポリイミド高分子被膜として・
１°′す２ト酸無水物と４−４’、・ジアミノターフ
ェニルとを１：１のモル比で縮合し、合成したポリアミ
ック酸をＮ−メチル−２−ピロリドン溶媒で３．５％に
希釈する。この希釈溶液を用いて、実施例Ｉと同じ方法
で、強誘電性液晶素子を得た。この素子の塗膜の厚さは
約７Ｑｎｍであシ、この絶縁耐圧は４ Ｘ １０’ Ｖ
／３であった。また実施例Ｉと同じく、ＣＲを測定した
結果、第３図のΔ印で示し、２０Ｖ印加時のＣＢは約２
５であった。電圧の増加とともに、ＣＲは増加する。こ
の結果、ラビング方向に液晶分子が一様に平行配向して
いることがわかった。応答時間も同様にして測定した結
果、約７０μｓであった。
分子被膜を設ける。このポリイミド高分子被膜として・
１°′す２ト酸無水物と４−４’、・ジアミノターフ
ェニルとを１：１のモル比で縮合し、合成したポリアミ
ック酸をＮ−メチル−２−ピロリドン溶媒で３．５％に
希釈する。この希釈溶液を用いて、実施例Ｉと同じ方法
で、強誘電性液晶素子を得た。この素子の塗膜の厚さは
約７Ｑｎｍであシ、この絶縁耐圧は４ Ｘ １０’ Ｖ
／３であった。また実施例Ｉと同じく、ＣＲを測定した
結果、第３図のΔ印で示し、２０Ｖ印加時のＣＢは約２
５であった。電圧の増加とともに、ＣＲは増加する。こ
の結果、ラビング方向に液晶分子が一様に平行配向して
いることがわかった。応答時間も同様にして測定した結
果、約７０μｓであった。
比較例Ｉ
絶縁層と配列制御層を兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。このポリイミド系高分子被膜として
、ＰＩＱ（ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン：
日立化成社製、商品名）をＮ−メチル−２−ピロリドン
溶媒で＆５％に希釈する。この希釈溶液を用いて、実施
例■と同じ方法で、強誘電性液晶素子を得た。この素子
の塗膜の厚さは約Ｂ□ｎｍであシ、この絶縁抵抗は約１
ｏ−ＩＳ Ω／ｃｒｎであった。また実施例Ｉと同じく
ＣＲを測定した結果、第３図の・印で示し、印加電圧に
関係なく、ＣＲは約２であった。この結果、液晶分子は
ラビング方向に関係なく、全くランダムに配列している
ことがわかった。
分子被膜を設ける。このポリイミド系高分子被膜として
、ＰＩＱ（ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン：
日立化成社製、商品名）をＮ−メチル−２−ピロリドン
溶媒で＆５％に希釈する。この希釈溶液を用いて、実施
例■と同じ方法で、強誘電性液晶素子を得た。この素子
の塗膜の厚さは約Ｂ□ｎｍであシ、この絶縁抵抗は約１
ｏ−ＩＳ Ω／ｃｒｎであった。また実施例Ｉと同じく
ＣＲを測定した結果、第３図の・印で示し、印加電圧に
関係なく、ＣＲは約２であった。この結果、液晶分子は
ラビング方向に関係なく、全くランダムに配列している
ことがわかった。
以上述べたように本発明によれば、高電界を印加するこ
となしで、強誘電性液晶分子が簡単に一様に平行配列で
き、その結果、高いコントラスト、従来のネマチック液
晶に比べて、高い応答を示す効果がある。
となしで、強誘電性液晶分子が簡単に一様に平行配列で
き、その結果、高いコントラスト、従来のネマチック液
晶に比べて、高い応答を示す効果がある。
第１図は強訴電性液晶を用いた光変調素子の概略を示す
側断面図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は第１図の素子に電圧
を印加したときの、強誘電性液晶分子の動きを説明する
概略図、第３図は本発明の実施例と従来技術の比較例の
測定結果を示す線図である。 １・・・強誘電性液晶、２・・・ガラス基板、３・・・
透明電極、４・・・絶縁配列制御膜、５・・・スペーサ
、６・・・リード線、７・・・電源、８・・・偏光板、
９・・・光源、ｌＯ・・・液晶分子。 殻２Ｍ （Ａ ） （Ｂ） ＥＴ）７ＪＤ電Ｊｉ（Ｖ） 第１頁の続き ■発明者向尾 昭夫 日立市幸町３丁目１番１号 株式会社日立製作所日立研
究所内
側断面図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は第１図の素子に電圧
を印加したときの、強誘電性液晶分子の動きを説明する
概略図、第３図は本発明の実施例と従来技術の比較例の
測定結果を示す線図である。 １・・・強誘電性液晶、２・・・ガラス基板、３・・・
透明電極、４・・・絶縁配列制御膜、５・・・スペーサ
、６・・・リード線、７・・・電源、８・・・偏光板、
９・・・光源、ｌＯ・・・液晶分子。 殻２Ｍ （Ａ ） （Ｂ） ＥＴ）７ＪＤ電Ｊｉ（Ｖ） 第１頁の続き ■発明者向尾 昭夫 日立市幸町３丁目１番１号 株式会社日立製作所日立研
究所内
Claims (1)
- １、対向配置された２枚の透明基板と、前記透明基板の
対向面の各々に設けられた透明電極と、前記透明電極の
対向面の各々に設けられると共に、絶縁性を有しかつ近
接する液晶分子を前記基板面に対し平行または略平行な
優先方向に配列させる透明な絶縁配列制御層と、前記絶
縁配列制御層間に挾持された強誘電性を示す液晶相と、
前記基板の外面側に配置される偏光子とを含むことを特
徴とする液晶光変調素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/729,420 US4634228A (en) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | Ferroelectric liquid crystal cell with rubbed polyimide alignment layer |
| JP11645584A JPS60260923A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 液晶光変調素子 |
| EP19850105290 EP0160302B1 (en) | 1984-05-01 | 1985-04-30 | Ferroelectric liquid crystal cell |
| DE19853587459 DE3587459T2 (de) | 1984-05-01 | 1985-04-30 | Ferroelektrische Flüssigkristall-Zelle. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11645584A JPS60260923A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 液晶光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260923A true JPS60260923A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=14687538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11645584A Pending JPS60260923A (ja) | 1984-05-01 | 1984-06-08 | 液晶光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60260923A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253237A (ja) * | 1986-04-26 | 1987-11-05 | Makoto Fujinami | 液晶による光通信装置 |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11645584A patent/JPS60260923A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253237A (ja) * | 1986-04-26 | 1987-11-05 | Makoto Fujinami | 液晶による光通信装置 |
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