JPS60230635A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPS60230635A JPS60230635A JP8623584A JP8623584A JPS60230635A JP S60230635 A JPS60230635 A JP S60230635A JP 8623584 A JP8623584 A JP 8623584A JP 8623584 A JP8623584 A JP 8623584A JP S60230635 A JPS60230635 A JP S60230635A
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
- C08G73/105—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the diamino moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
- C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、゛配列制御膜を有する強誘電性を示す液晶を
用いた液晶素子における配列制御膜の改良に関する。
用いた液晶素子における配列制御膜の改良に関する。
従来の時計や電卓等に用いている液晶表示素子はネマチ
ック液晶をねじれ構造にしたツイスト・ネマチック（Ｔ
Ｎ）モードが主流である。
ック液晶をねじれ構造にしたツイスト・ネマチック（Ｔ
Ｎ）モードが主流である。
このモードの応答速度は２０ ｍｓ が現状では限度で
ある。スメクチック液晶の中に強誘電性を示す液晶（８
ｍＯ”、 ＳｎＨ” ）がマイヤー（Ｍａｙｅｒ ）等
により発見された〔ジュルナル、ド、フィジーク（Ｊ、
ｄｓ 、Ｐｙｓ、） ５６、Ｌ６９．１９７５年又は特
開昭５６−１０７２１６号公５（米国籍許第４５６７９
２４号明細書〕。この液晶が１ ｍｓ 以下の高速応答
を示すことがクラーク（０１ａｒｋ ）等に、ｃｔ）報
告された〔アプライド、フィジカル、レタース（Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ）上玉、８９９．１９８
０年〕。この素子における最も重要な技術課題は強誘電
性液晶分子を基板面に平行あるいは略平行なある優先方
位にそろえて配列させることである。上記公開公報によ
れば強磁場の印加あるいはずＶ応力を加えることによっ
て、上記配列が得られるとの報告がされている。しかし
、一般に液晶層が数μｍの薄さになるとかなり強い磁場
を加えても一様に配列した素子を得るのが難しく、仮に
得られるとしても生産プ四セス上実用性が乏しいと言え
る。ずり応力の場合も同様で、実用性に乏しい。
ある。スメクチック液晶の中に強誘電性を示す液晶（８
ｍＯ”、 ＳｎＨ” ）がマイヤー（Ｍａｙｅｒ ）等
により発見された〔ジュルナル、ド、フィジーク（Ｊ、
ｄｓ 、Ｐｙｓ、） ５６、Ｌ６９．１９７５年又は特
開昭５６−１０７２１６号公５（米国籍許第４５６７９
２４号明細書〕。この液晶が１ ｍｓ 以下の高速応答
を示すことがクラーク（０１ａｒｋ ）等に、ｃｔ）報
告された〔アプライド、フィジカル、レタース（Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ）上玉、８９９．１９８
０年〕。この素子における最も重要な技術課題は強誘電
性液晶分子を基板面に平行あるいは略平行なある優先方
位にそろえて配列させることである。上記公開公報によ
れば強磁場の印加あるいはずＶ応力を加えることによっ
て、上記配列が得られるとの報告がされている。しかし
、一般に液晶層が数μｍの薄さになるとかなり強い磁場
を加えても一様に配列した素子を得るのが難しく、仮に
得られるとしても生産プ四セス上実用性が乏しいと言え
る。ずり応力の場合も同様で、実用性に乏しい。
また、国内においては、福田等がスペーサエツジから一
様な配列を提案している（「自然」、７月号、１９８３
年又は「オプトロニクス」、９月号、１９８５年）。
様な配列を提案している（「自然」、７月号、１９８３
年又は「オプトロニクス」、９月号、１９８５年）。
これも一様な配列をする幅が１００μｍ と非常に狭い
ため、スペーサの形状が問題となり、やはり生産プロセ
スには実用性が乏しい。他方、従来のネマチック液晶や
コレステリック液晶の配列制御に用いていたＳｉＯ斜方
蒸着（特公昭５４−１２０６７号公報）あるいは有機高
分子膜（％公昭５５−１０１８０号公報）を特定な方向
に布等でこする（ラビング）方法などを、当該強誘電性
液晶に用いたが、一様な配向が得られず、コントラスト
も悪いといった問題がある。また、有機高分子膜のＰ工
Ｑ（ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン：日立化
成社製、商品名）膜をラビングし、一様な配向會得てい
る（特開昭５８−１７５７１８号公報）。しかし、この
場合にも液晶を一度等方性液体（アイソトロピック）に
し、徐冷しながら高電界全印加して一様な配列を得てお
り、プロセス上、複雑で危険が伴うという問題がある。
ため、スペーサの形状が問題となり、やはり生産プロセ
スには実用性が乏しい。他方、従来のネマチック液晶や
コレステリック液晶の配列制御に用いていたＳｉＯ斜方
蒸着（特公昭５４−１２０６７号公報）あるいは有機高
分子膜（％公昭５５−１０１８０号公報）を特定な方向
に布等でこする（ラビング）方法などを、当該強誘電性
液晶に用いたが、一様な配向が得られず、コントラスト
も悪いといった問題がある。また、有機高分子膜のＰ工
Ｑ（ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン：日立化
成社製、商品名）膜をラビングし、一様な配向會得てい
る（特開昭５８−１７５７１８号公報）。しかし、この
場合にも液晶を一度等方性液体（アイソトロピック）に
し、徐冷しながら高電界全印加して一様な配列を得てお
り、プロセス上、複雑で危険が伴うという問題がある。
第１図に強誘電性液晶表示素子を示す。すなわち第１図
は強誘電性液晶音用いた液晶表示素子の１例の断面概略
図である。第１図において符号１は強誘電性液晶、２は
ガラス基板、３は透明電極、４は絶縁配列制御膜、５は
スペーサ、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は
光源、工・ は入射光、■は透過光を示す。二枚のガラ
ス基板２には通称工Ｔｏ膜（酸化インジウムと酸化スズ
の薄膜）といわれる透明電極６が形成されており、その
上にポリイミドのような高分子の薄膜をガーゼや布のよ
うな繊維でラビングして、液晶層ラビング方向に並べる
絶縁配列制御膜４が形成されている。この二枚のガラス
基板２はスペーサ５によって任意の間隔に保たれており
、その間に強誘電性液晶１が封入されている。透明電極
３からはリード線によって外部の電源７に接続されてい
る。またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合せで
ある。第１図は透過型であるので、光源９全備えている
。
は強誘電性液晶音用いた液晶表示素子の１例の断面概略
図である。第１図において符号１は強誘電性液晶、２は
ガラス基板、３は透明電極、４は絶縁配列制御膜、５は
スペーサ、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は
光源、工・ は入射光、■は透過光を示す。二枚のガラ
ス基板２には通称工Ｔｏ膜（酸化インジウムと酸化スズ
の薄膜）といわれる透明電極６が形成されており、その
上にポリイミドのような高分子の薄膜をガーゼや布のよ
うな繊維でラビングして、液晶層ラビング方向に並べる
絶縁配列制御膜４が形成されている。この二枚のガラス
基板２はスペーサ５によって任意の間隔に保たれており
、その間に強誘電性液晶１が封入されている。透明電極
３からはリード線によって外部の電源７に接続されてい
る。またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合せで
ある。第１図は透過型であるので、光源９全備えている
。
光源９から出た入射光ＩＯは液晶素子を透過して透過光
Ｉとなり、観察者の目に入る。
Ｉとなり、観察者の目に入る。
第２図は第１図の液晶１に電圧を印加したときの強誘電
性液晶分子の動きを説明する概略図である。第２図にお
いて符号１０は液晶分子、１２はラビング方向、８１は
偏光軸方向、１０１は液晶分子長軸方向、ＩＯは入射光
、工は透過光、θはチルト角、Ｂは電界方向を示す。
性液晶分子の動きを説明する概略図である。第２図にお
いて符号１０は液晶分子、１２はラビング方向、８１は
偏光軸方向、１０１は液晶分子長軸方向、ＩＯは入射光
、工は透過光、θはチルト角、Ｂは電界方向を示す。
電極６全通して液晶１に電界］ｌＢを印加すると、電界
の向きに応じて状態（Ａ）か状態（Ｂ）のような配列構
造をとる。（Ａ）の状態は液晶分子１０の長軸方向１０
１が偏光板８の偏光軸方向８１と一致している。（Ｂ）
の状態は長軸方向１０１が偏光軸方向８１から離れた状
態で液晶分子１０は配向方向１２（この場合ラビング方
向）となす角度θ分だけ動く。よって（Ａ）の状態では
長袖方向に吸収をもつ液晶では観察者に対して透過光重
の強度は弱く、暗く見える。（Ｂ）の状態では長軸方向
１０１が偏光軸方向８１から２０離れるので、透過光ｘ
ｔ４明るく見える。このように電界の向きを変える、す
なわち（＋）、Ｈすることによって、表示をする。なお
θはπ／４（４５）でコントラストは最大となる。
の向きに応じて状態（Ａ）か状態（Ｂ）のような配列構
造をとる。（Ａ）の状態は液晶分子１０の長軸方向１０
１が偏光板８の偏光軸方向８１と一致している。（Ｂ）
の状態は長軸方向１０１が偏光軸方向８１から離れた状
態で液晶分子１０は配向方向１２（この場合ラビング方
向）となす角度θ分だけ動く。よって（Ａ）の状態では
長袖方向に吸収をもつ液晶では観察者に対して透過光重
の強度は弱く、暗く見える。（Ｂ）の状態では長軸方向
１０１が偏光軸方向８１から２０離れるので、透過光ｘ
ｔ４明るく見える。このように電界の向きを変える、す
なわち（＋）、Ｈすることによって、表示をする。なお
θはπ／４（４５）でコントラストは最大となる。
その他の光変調素子でも、表示装置の有無が相異するの
みで、液晶分子の動きは、上記と原理的に同一である。
みで、液晶分子の動きは、上記と原理的に同一である。
本発明の目的は、生産プロセス上実用性の高い強誘電性
液晶分子の配列制御層を設備し、その結果として応答性
に優れ、かつコントラストの良い強誘電性液晶素子を提
供することにある。
液晶分子の配列制御層を設備し、その結果として応答性
に優れ、かつコントラストの良い強誘電性液晶素子を提
供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は強誘電性液晶素子に関す
る発明であって、基板、電圧印加手段、配列制御層及び
強誘電性液晶層を包含する液晶素子において、該配列制
御層が、下記一般式１： ＋で示される２価の基である〕で表 される構造単位をもつポリイミド系高分子物質を包含す
るものであることを特徴とする。
る発明であって、基板、電圧印加手段、配列制御層及び
強誘電性液晶層を包含する液晶素子において、該配列制
御層が、下記一般式１： ＋で示される２価の基である〕で表 される構造単位をもつポリイミド系高分子物質を包含す
るものであることを特徴とする。
本発明の強誘電性液晶素子には、表示装置の有無に関係
なく、上記要件を満す液晶素子が、すべて含まれる。
なく、上記要件を満す液晶素子が、すべて含まれる。
それは、本発明ｖｃよれば、高いコントラスト比と応答
性が達成されるが、この効果は、全液晶素子において所
望の効果でおるからである。
性が達成されるが、この効果は、全液晶素子において所
望の効果でおるからである。
したがって、以下、本発明全液晶表示素子を例にして具
体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
ポリイミド系高分子物質としては、イミド結合により構
成されるポリイミドが用いられる。
成されるポリイミドが用いられる。
ポリイミド筒分子はイミド結合を有し、一般に溶媒に不
溶であるため、基板上にポリイミド系高分子被膜を設け
るためにはポリアミック酸を後述する浴剤に浴解し、後
述する方法で基板上に塗布した後、加熱処理して脱水閉
環してイミド結合を持たせる方法が好ましい。
溶であるため、基板上にポリイミド系高分子被膜を設け
るためにはポリアミック酸を後述する浴剤に浴解し、後
述する方法で基板上に塗布した後、加熱処理して脱水閉
環してイミド結合を持たせる方法が好ましい。
上記ポリイミドの前駆体のポリアミック酸は、通常ジカ
ルボン酸の無水物とジアミンとの縮合により合成される
。これらの縮合反応は無水条件下、５０℃又はそれ以下
の温度で行われる。
ルボン酸の無水物とジアミンとの縮合により合成される
。これらの縮合反応は無水条件下、５０℃又はそれ以下
の温度で行われる。
ジカルボン酸無水物としては、５．．５，４．４−ジフ
ェニルテトラカルボン酸無水物 が用いられる。ジアミンとしてはｐ−フェニレンジアミ
ン：Ｈ寞Ｎ（瀘ＮＨ！、４，４′−ジアミノジフェニル
エーテル： Ｈ，Ｎ（（訓ｏ−＠）−ＮＨ友、４．４’
−アミノジフェニル（ベンジジン）：ｕ、ｕ（）（ツ
ＨＨ２，４，４−ジアミノターフェノニル：ＨｓＮ（沢
（ト（シＮＨ＊ が用いられる。これらはいずれも耐熱
性が高い芳香族系の化合物である。
ェニルテトラカルボン酸無水物 が用いられる。ジアミンとしてはｐ−フェニレンジアミ
ン：Ｈ寞Ｎ（瀘ＮＨ！、４，４′−ジアミノジフェニル
エーテル： Ｈ，Ｎ（（訓ｏ−＠）−ＮＨ友、４．４’
−アミノジフェニル（ベンジジン）：ｕ、ｕ（）（ツ
ＨＨ２，４，４−ジアミノターフェノニル：ＨｓＮ（沢
（ト（シＮＨ＊ が用いられる。これらはいずれも耐熱
性が高い芳香族系の化合物である。
ポリアミック酸を基板上に塗布する［は、ポリアミック
酸を、まず、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンなどの溶剤に溶解して［１，１へ３０重量％溶液、
好ましくは１〜１０重量％溶液とする。この溶液を刷毛
塗り法、浸洟法、回転塗布法、スプレー法、印刷法など
により塗布し、基板上に塗膜を形成する。塗布後、１０
０〜４５０℃、好ましくは２００〜５５０℃で加熱処理
を行い、脱水閉環してポリイミド系高分子被膜を設ける
。しかる後、この被膜面を布等で一方向にラビングして
、絶縁配列制御膜を得る。
酸を、まず、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンなどの溶剤に溶解して［１，１へ３０重量％溶液、
好ましくは１〜１０重量％溶液とする。この溶液を刷毛
塗り法、浸洟法、回転塗布法、スプレー法、印刷法など
により塗布し、基板上に塗膜を形成する。塗布後、１０
０〜４５０℃、好ましくは２００〜５５０℃で加熱処理
を行い、脱水閉環してポリイミド系高分子被膜を設ける
。しかる後、この被膜面を布等で一方向にラビングして
、絶縁配列制御膜を得る。
上記強誘電性を示す液晶は、主として下記に示すような
シップ塩基型液晶である。
シップ塩基型液晶である。
ｐ−へキシルオキシベンジリデン−ｐ″−アミノ−２−
メチルブチル−シンナメート （ＨＯＢＡＭＢＯ） ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−シンナメート （ＯＯＢＡＭＢＣ） Ｈ ｐ−デシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メ
チルブチル−シンナメート （ＤＯＢＡＭＢＯ） ｐ−ドデシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−シンナメート （ＤＤＯＢＡＭＢＯ） ｐ−テトラデシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−
２−メチルブチル−シンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＯ） 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
メチルブチル−シンナメート （ＨＯＢＡＭＢＯ） ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−シンナメート （ＯＯＢＡＭＢＣ） Ｈ ｐ−デシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メ
チルブチル−シンナメート （ＤＯＢＡＭＢＯ） ｐ−ドデシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−シンナメート （ＤＤＯＢＡＭＢＯ） ｐ−テトラデシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−
２−メチルブチル−シンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＯ） 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
なお、第３図は本発明の実施例と従来技術たる比較例と
における印加電圧（Ｖ）（横軸）とコントラスト比（Ｏ
Ｒ）（縦軸）との関係を示すグラフである。
における印加電圧（Ｖ）（横軸）とコントラスト比（Ｏ
Ｒ）（縦軸）との関係を示すグラフである。
実施例１
絶縁層と配列制御層を兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。このポリイミド系高分子被膜として
、５．５： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸無
水物とｐ−フェニレンジアミンとを１＝１のモル比で縮
合し、合成したポリアミック酸から得られるポリイミド
を用いる。
分子被膜を設ける。このポリイミド系高分子被膜として
、５．５： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸無
水物とｐ−フェニレンジアミンとを１＝１のモル比で縮
合し、合成したポリアミック酸から得られるポリイミド
を用いる。
すなわち該ポリアミック酸ｉＮ−メチル−２−ピロリド
ン溶媒で五５重量％に希釈する。この希釈溶液を片面が
酸化インジウム系透明導電膜（工ＴＯ膜）全電極として
設けた透明ガラス基板に、回転塗布法（スピンナー法）
で塗布した。
ン溶媒で五５重量％に希釈する。この希釈溶液を片面が
酸化インジウム系透明導電膜（工ＴＯ膜）全電極として
設けた透明ガラス基板に、回転塗布法（スピンナー法）
で塗布した。
スピンナーの回転数ｆｊ、 ！＋ ５００ ｒ、ｐ、ｍ
、回転時間４０秒で行う。塗布後２５０℃、１時間で加
熱処理した。この時の塗膜の膜厚は約８０ ｎｍ（８０
０Ａ）である。
、回転時間４０秒で行う。塗布後２５０℃、１時間で加
熱処理した。この時の塗膜の膜厚は約８０ ｎｍ（８０
０Ａ）である。
続いて、２枚の基板の塗膜面をそれぞれ布等でラビング
し、ラビング方向が平行で、かつ互に対向するように合
わせる。２枚の基板間には１０μｍのガラスファイバー
をスペーサとして挟持して液晶セルを組立て、液晶を真
空封入した。液晶材料としては、上記のＤＯＢＡＭＢＯ
ｉ用いた。封入後、等方性液体温度まで加熱し、強誘電
性を示すカイラルスメクチック０相温度まで徐冷（０，
５℃／分程度）シ、強誘電性液晶素子を得た。
し、ラビング方向が平行で、かつ互に対向するように合
わせる。２枚の基板間には１０μｍのガラスファイバー
をスペーサとして挟持して液晶セルを組立て、液晶を真
空封入した。液晶材料としては、上記のＤＯＢＡＭＢＯ
ｉ用いた。封入後、等方性液体温度まで加熱し、強誘電
性を示すカイラルスメクチック０相温度まで徐冷（０，
５℃／分程度）シ、強誘電性液晶素子を得た。
この素子を第２図のようにおき、直流電圧全１０．２０
．３０．４０Ｖ印加して、（＋）、←】の電界のときの
コントラスト比（以下ＯＲと略記する）をめた。その結
果を第５図のＯ印で示す。２０Ｖ印加時のＯＲは約１８
であった。高いコントラストを示すことからラビング方
向に一様に液晶分子が平行配向していることがわかる。
．３０．４０Ｖ印加して、（＋）、←】の電界のときの
コントラスト比（以下ＯＲと略記する）をめた。その結
果を第５図のＯ印で示す。２０Ｖ印加時のＯＲは約１８
であった。高いコントラストを示すことからラビング方
向に一様に液晶分子が平行配向していることがわかる。
そして、電圧の増加と共にＯＲは良くなることがわかる
。なお、この被膜の絶縁耐圧をプ四−バを用いて測定し
た結果、４Ｘ１０’Ｖ／ｃｍあシ、現行のネマチック液
晶に用いている絶縁膜とほぼ同じ値である。また、ＯＲ
が１／２になる時間を応答時間とすると、１ｏｖで約８
θμｓであった。
。なお、この被膜の絶縁耐圧をプ四−バを用いて測定し
た結果、４Ｘ１０’Ｖ／ｃｍあシ、現行のネマチック液
晶に用いている絶縁膜とほぼ同じ値である。また、ＯＲ
が１／２になる時間を応答時間とすると、１ｏｖで約８
θμｓであった。
実施例２
絶縁層と配列制御層を兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。このポリイミド高分、＋被膜として
、ｓ、 ５： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物と４，４′−ジアミノジフェニルとを１：１０モ
ル比で縮合し、合成したポリアミック酸から得られるポ
リイミドを用いる。
分子被膜を設ける。このポリイミド高分、＋被膜として
、ｓ、 ５： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物と４，４′−ジアミノジフェニルとを１：１０モ
ル比で縮合し、合成したポリアミック酸から得られるポ
リイミドを用いる。
すなわち該ポリアミック酸をＮ−メチル−２−ピロリド
ン溶媒で五５重量％に希釈する。、この希釈溶液を用い
て、実施例１と同じ方法で、強誘電性液晶素子を得た。
ン溶媒で五５重量％に希釈する。、この希釈溶液を用い
て、実施例１と同じ方法で、強誘電性液晶素子を得た。
この素子の塗膜の厚さは８０ ｎｍ であり、絶縁耐圧
は４ Ｘ １０６ Ｖ／ａｎであった。また実施例１と
同じく、ＣＲｆ測定した結果、第３図の０印で示した修
蟇奉か七＾曲線を示し、２０Ｖ印加時のＣＲは約２０で
あった。高いコントラストを示すことから、液晶分子が
ラビング方向に一様に平行配向していることがわかる。
は４ Ｘ １０６ Ｖ／ａｎであった。また実施例１と
同じく、ＣＲｆ測定した結果、第３図の０印で示した修
蟇奉か七＾曲線を示し、２０Ｖ印加時のＣＲは約２０で
あった。高いコントラストを示すことから、液晶分子が
ラビング方向に一様に平行配向していることがわかる。
そして電圧の増加と共ＶＣＯＲは良くなることがわかる
。応答も同様にして測定した結果、約７０μｓ であっ
た。
。応答も同様にして測定した結果、約７０μｓ であっ
た。
実施例３
絶縁層と配列制御層全兼−ねた層として、ポリイミド系
高分子被膜を般ける。このポリイミド高分子被膜として
、３． ！Ｉ： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン
酸無水物と４．４−ジアミノターフェニルとを１：１の
モル比で縮合し、合成したポリアミック酸から得られる
ポリイミドを用いる。
高分子被膜を般ける。このポリイミド高分子被膜として
、３． ！Ｉ： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン
酸無水物と４．４−ジアミノターフェニルとを１：１の
モル比で縮合し、合成したポリアミック酸から得られる
ポリイミドを用いる。
すなわち該ポリアミック酸をＮ−メチル−２−ピロリド
ン溶媒で五５重量％に希釈する。この希釈浴液を用いて
、実施例１と同じ方法で、強誘電性液晶素子を得た。こ
の素子の塗膜の厚さは約７０ ｎｍ であり、この塗膜
の絶縁耐圧は４Ｘ １０’ Ｖ／ｃｍでおった。また実
施例１と同じくＯＲｉ測定した結果、第３図のΔ印で示
した曲線金示し、２０Ｖ印加時のＯＲは約２３であった
。このように高いコントラスト全話すことから、液晶分
子がラビング方向に一様に平行配向していることがわか
る。応答も同様にして測定した結果、約６５μ８ であ
った。
ン溶媒で五５重量％に希釈する。この希釈浴液を用いて
、実施例１と同じ方法で、強誘電性液晶素子を得た。こ
の素子の塗膜の厚さは約７０ ｎｍ であり、この塗膜
の絶縁耐圧は４Ｘ １０’ Ｖ／ｃｍでおった。また実
施例１と同じくＯＲｉ測定した結果、第３図のΔ印で示
した曲線金示し、２０Ｖ印加時のＯＲは約２３であった
。このように高いコントラスト全話すことから、液晶分
子がラビング方向に一様に平行配向していることがわか
る。応答も同様にして測定した結果、約６５μ８ であ
った。
実施例４
絶縁層と配列制御層を兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。すなわち、３．５：４．４−ジフェ
ニルテトラカルボン酸無水物と、ジアミンとして、ｍ−
フェニレンジアミン、４゜４−ジアミノジフェニルエー
テル、４．４〜ジアミノジフエニルメタンとを、それぞ
れ１：１のモル比で縮合し、合成し、３種類のポリアミ
ック酸を作り、これら′ｆ：Ｎ−メチルー２−ピロリド
ン溶媒で、五５重量％に希釈し、この希釈溶液音用いて
、実施例１と同じ方法で３種類の強誘電性液晶素子全作
製した。
分子被膜を設ける。すなわち、３．５：４．４−ジフェ
ニルテトラカルボン酸無水物と、ジアミンとして、ｍ−
フェニレンジアミン、４゜４−ジアミノジフェニルエー
テル、４．４〜ジアミノジフエニルメタンとを、それぞ
れ１：１のモル比で縮合し、合成し、３種類のポリアミ
ック酸を作り、これら′ｆ：Ｎ−メチルー２−ピロリド
ン溶媒で、五５重量％に希釈し、この希釈溶液音用いて
、実施例１と同じ方法で３種類の強誘電性液晶素子全作
製した。
塗膜の膜厚、絶縁耐圧又は素子にした場合のＯＲ，応答
とも、実施例１と同じ測定法を用いて測定した結果、実
施例１と同じ値全得た。よってこれらの被膜は液晶分子
をラビング方向に一＄ｉｌ［：平行配向し、かつ絶縁性
の良いことがわかった。
とも、実施例１と同じ測定法を用いて測定した結果、実
施例１と同じ値全得た。よってこれらの被膜は液晶分子
をラビング方向に一＄ｉｌ［：平行配向し、かつ絶縁性
の良いことがわかった。
比較例１
絶縁層と配列制御層金兼ねた層として、ポリイミド系高
分子被膜を設ける。すなわち、ポリイミドイソインドロ
キナゾリンジオンの前駆体であるポリアミック酸−１Ｎ
−メチル−２−ピロリドン溶媒で３．５重量％に希釈す
る。この希釈溶液を用いて、実施例１と同じ方法で、強
誘電性液晶素子を得た。この素子の塗膜の厚さは約８０
ｎｍ ′ｃあり、この絶縁抵抗は約１０″″１３Ω／ｃ
ｒｎであった。また実施例１と同じ（ＯＲｉ測定した結
果、第５図の・印で示した曲線を示し、印加電圧に関係
なく、ＯＲは約２であった。この結果、液晶分子はラビ
ング方向に関係なく、全くランダムに配列していること
がわかった。
分子被膜を設ける。すなわち、ポリイミドイソインドロ
キナゾリンジオンの前駆体であるポリアミック酸−１Ｎ
−メチル−２−ピロリドン溶媒で３．５重量％に希釈す
る。この希釈溶液を用いて、実施例１と同じ方法で、強
誘電性液晶素子を得た。この素子の塗膜の厚さは約８０
ｎｍ ′ｃあり、この絶縁抵抗は約１０″″１３Ω／ｃ
ｒｎであった。また実施例１と同じ（ＯＲｉ測定した結
果、第５図の・印で示した曲線を示し、印加電圧に関係
なく、ＯＲは約２であった。この結果、液晶分子はラビ
ング方向に関係なく、全くランダムに配列していること
がわかった。
以上述べたように本発明によれば、高電界を印加するこ
となしで、強誘電性液晶分子が簡単に一様に平行配列で
き、その結果、高いコントラスト比と、従来のネマチッ
ク液晶に比べて、高い応答を示す効果がある。
となしで、強誘電性液晶分子が簡単に一様に平行配列で
き、その結果、高いコントラスト比と、従来のネマチッ
ク液晶に比べて、高い応答を示す効果がある。
１ｇ１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の１例の
断面概略図、第２図（Ａ） 、（Ｂ）は第１図の素子に
電圧を印加したときの、強誘電性液晶分子の動き全説明
する概略図そして第３図は本発明の実施例と比較例とに
おける、印加電圧（Ｖ）（横軸）とコントラスト比（Ｏ
Ｒ）（縦軸）との関係を示すグラフである。 １：強誘電性液晶、２ニガラス基板、３：透明電極、４
：絶縁配列制御膜、５ニスペーサ、６：リード線、７：
電源、８：偏光板、９：光源、１０：液晶分子、１２ニ
ラピング方向、８１：偏光軸方向、１ｏ１：液晶分子長
軸方向、工◎二入射光、工：透過元、θ：チルト角、Ｂ
：電界方向 特許出願人 株式会社日立製作所 代理人 中本 宏 第１図 第２図 （Ａ） （Ｂ） 第３図 印加電圧ＣＶ） 第１頁の続き ○発明者 同局 昭夫 日立車輪 所内
断面概略図、第２図（Ａ） 、（Ｂ）は第１図の素子に
電圧を印加したときの、強誘電性液晶分子の動き全説明
する概略図そして第３図は本発明の実施例と比較例とに
おける、印加電圧（Ｖ）（横軸）とコントラスト比（Ｏ
Ｒ）（縦軸）との関係を示すグラフである。 １：強誘電性液晶、２ニガラス基板、３：透明電極、４
：絶縁配列制御膜、５ニスペーサ、６：リード線、７：
電源、８：偏光板、９：光源、１０：液晶分子、１２ニ
ラピング方向、８１：偏光軸方向、１ｏ１：液晶分子長
軸方向、工◎二入射光、工：透過元、θ：チルト角、Ｂ
：電界方向 特許出願人 株式会社日立製作所 代理人 中本 宏 第１図 第２図 （Ａ） （Ｂ） 第３図 印加電圧ＣＶ） 第１頁の続き ○発明者 同局 昭夫 日立車輪 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板、電圧印加手段、配列制御層及び強誘電性液
晶層全包含する液晶素子において、該配列制御層が、下
記一般式Ｉ： ＄で示される２価の基である〕で 表される構造単位をもつポリイミド系高分子物質を包含
するものであること全特徴とする強誘電性液晶素子。 ２、 該液晶素子が、液晶光変調素子である特許請求の
範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。 ＆ 該液晶素子が、液晶表示素子である特許請求の範囲
第１項記載の強誘電性液晶素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/729,420 US4634228A (en) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | Ferroelectric liquid crystal cell with rubbed polyimide alignment layer |
| JP8623584A JPS60230635A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 強誘電性液晶素子 |
| EP19850105290 EP0160302B1 (en) | 1984-05-01 | 1985-04-30 | Ferroelectric liquid crystal cell |
| DE19853587459 DE3587459T2 (de) | 1984-05-01 | 1985-04-30 | Ferroelektrische Flüssigkristall-Zelle. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8623584A JPS60230635A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60230635A true JPS60230635A (ja) | 1985-11-16 |
Family
ID=13881131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8623584A Pending JPS60230635A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60230635A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627733A (ja) * | 1985-03-10 | 1987-01-14 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 無色透明なポリイミド成形体およびその製法 |
| JPS63191129A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-08-08 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
| JPH039326A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Ricoh Co Ltd | 液晶性高分子薄膜付基板及びその製造方法 |
| US5268780A (en) * | 1989-05-11 | 1993-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having a polyimide alignment film substituted with fluorine or a fluorine-containing group |
| JPH08225645A (ja) * | 1995-12-18 | 1996-09-03 | Nitto Denko Corp | 無色透明なポリイミド成形体およびその製法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130325A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Canon Inc | 電極板の製造法 |
| JPS58173718A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-12 | Hitachi Ltd | 液晶光変調素子およびその製造方法 |
| JPS5915921A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 液晶挾持用基板の製造法 |
-
1984
- 1984-05-01 JP JP8623584A patent/JPS60230635A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130325A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Canon Inc | 電極板の製造法 |
| JPS58173718A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-12 | Hitachi Ltd | 液晶光変調素子およびその製造方法 |
| JPS5915921A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 液晶挾持用基板の製造法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627733A (ja) * | 1985-03-10 | 1987-01-14 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 無色透明なポリイミド成形体およびその製法 |
| JPS63191129A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-08-08 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
| US5268780A (en) * | 1989-05-11 | 1993-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having a polyimide alignment film substituted with fluorine or a fluorine-containing group |
| JPH039326A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-17 | Ricoh Co Ltd | 液晶性高分子薄膜付基板及びその製造方法 |
| JPH08225645A (ja) * | 1995-12-18 | 1996-09-03 | Nitto Denko Corp | 無色透明なポリイミド成形体およびその製法 |
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