JPS60260056A

JPS60260056A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPS60260056A
Application number: JP59115604A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-06-07
Filing date: 1984-06-07
Publication date: 1985-12-23
Also published as: JPH0234029B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光壺容部材をしては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭ｊ６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０′２Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１８０号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８．０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、又
は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造と
したりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提
案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計りの許容度に於いて、或いは製造旧の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる、殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。　まして、使用する半導体レ
ーザー光の波長領域が長波長になるにつれ感光層に於け
る該レーザー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現
象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１因に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面ｌｏｌで反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入として、
ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ厚差で不均一であると、反射光ＲＬ、Ｒ，が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のど
ちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光
量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ　−Ｓ　ｉ感光
層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ
−３ｉ系感光層形成の際のプリズマによってダメージを
受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態
の悪化によるその後のＡ−３ｉ系感光層の形成に悪影響
を与えること等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３図に示す
様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表面でそ
の一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、光受容
層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透過光量
、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は、光散
乱されて拡散光Ｋｒ　＋　Ｋ２　＋　Ｋ　３　・・・・
となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一
部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射
光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、
依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下する。という欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２＋第２層での反射光ＲＩ　、支
持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受
容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従っ
て、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表
面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止するこ
とは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロｙト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロフトに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
ってぃた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１の
凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平行
になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ、＝ｍλまた
は２ｎｄｌ＝（ｍ子局）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ＋　
ｌ　ｄ２１　ｄ３１　ｄｒｓの夫々の差の中の最大が一
以上である様な層厚の不拘　ｎ一層があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、゛支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、７層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性のほか、更
に耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、機械的耐久性及び光受容特性に優れた光受容部材を
提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と；シリコン原子を含
む非晶質材料からなり少なくとも一部の層領域が感光性
を有する層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質
材料からなる表面層とからなる光受容層と；を有する光
受容部材であって、前記少なくとも一部の層領域が感光
性を有する層は、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選択される少なくとも一種を層厚方向には不均一な
分布状態で含有する事を特徴とじている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は１本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体（下図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層は
、第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層６０
２の層厚ｄ５からｄ、と連続的に変化している為に、界
面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。

従って、この微小部分（ショートレンジ）Ｊｌに入射し
た可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小
な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０にする反
射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な一関係にある場合ｒ　（Ｂ）Ｊよりも非平行な場合ｒ
　（Ａ）Ｊは干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し
得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の入射光量
は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７４ｄＢ）でも同様に伝える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１．に対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ，、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、−・種のスリットと
して働き、そこで回折現像を生じる。

そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはないゆ又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌであ
る。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分立に於ける層厚の差（ｄｓ　ｄｂ）は、照射光の波長
をλとすると、ｄｓ　ｃｉ６〉　（ｎ’：第２層６０２ｃ７）屈折率）
ｎであるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が、 −さ−（ｎ：層の屈折率）ｎ以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプリズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易に
行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいもの
である。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法に゛よって形成さ
れる凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした鎖線構造を有する。突起部の鎖線構造は
、二重、三重の多重螺線構造、叉は交差鎖線構造とされ
ても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った゛連線構造を
導入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一・され
ていることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自
由度な高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には感光層を構成するＡ−Ｓｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ感光層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００弘ｍ〜
０．３終ｍ、より好ましくは２００　ｇｍ−１ｇｍ、最
適には５０ＪＬｍ〜５ＪＬｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｐｍ〜５ルｍ
、より好ましくは０．３ルｍ〜３終ｍ、最適には０．６
７Ｌｍ〜２ｐＬｍとされるのが望ましい。支持体表面の
四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部
（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度
〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度
〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
・に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはＯ
，ｌｐＬｍ〜２ｇｍ、より好ましくは０．１ｇｍ　〜１
．５ｐｍ、最適にはＱ、２ｐｍ〜ｌｐＬｍとされるのが
望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１０図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１ｏｏｔ側より電荷注入防止層１００３．感光層１
００４．舊面層１００５で構成されている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、
ステンレス、ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又は
これ等の合金があげられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミンク、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面な導電処理され、該導電処理された表面側の他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面にＮｉＣｒ　。

ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ２，５ｎ０２　。

Ｉ　Ｔｏ　（Ｉ　ｎ２０３　＋ｓ　ｎ０２　）等から成
る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであればＮ
ｉＣｒ、ＡＩ　、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ　。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、　
Ｐ、ｔ　、等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は、前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状
、板状等任意の形状として得、所望によって、その形状
は決定されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００
０を電子写真用像形成部材として使用するのであれば連
続複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が十分発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかし
ながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、好ましくは１０．以上とされる
。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−５ｉ（以後ｒＡ−３ｉ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと記す）で構成されると共に伝導性を支配
する物質（Ｃ）が含有される。

電荷注入防止層１００３に含有される伝導性を支配する
物質（Ｃ）としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Ｓｔ・に対
して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性
を与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体的には
、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第
■族原子）例えばＢ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）　
、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、ＴＩ（タリ
ウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａ
である。

ｎ型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第Ｖ
族原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アン
チモン）　、Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に好適に
用いられるのは、Ｐ、Ａｓ。

である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００３が支持
体ｆｏｏｌ上に直に接触して設ｉすられる場合には、該
支持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、
前記電荷注入防止層に直に接触して設けられる他に層領
域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量
が適宜選択される。

５　本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導
性を制御する物質の含有量としては、好適には、０．０
０１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には
０．５〜ｌＸｌ０４ａｔ　ｏｍｉｃｐｐｍ、最適には１
〜５ＸＩＯ３ａｔ　ｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ま
しい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃ’　ｐ
ｐｍ以上、より好適には５０ａｔ　。

ｍｉｃｐｐｍ以上、最適にはｌ　ＯＯａ　ｔ　ｏ　ｍ　
ｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば含有させ
る物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には光受容層の
自由表面がΦ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から
感光層中へ注入される電子の移動を、より効果的に阻止
することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記
のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性
に帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入さ
れる正孔の移動を、より効果的に阻止することが出来る
。

電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは３０人〜
１０ル、より好適には４０人〜８ｐ−９最適には５０人
〜５川とされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成され
、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する
電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両者
を有する。

感光層１００４は層厚としては、好ましくは、１〜１０
０ルｍ、より好ましくは１〜８０井ｍ。

最適には２〜５０ｐｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層１０
０３に含有される実際の量よりも一段と少ない量として
含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くはｏ、ｏｏｉ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好適には０−０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適
には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層１００４に於ける含有量としては、好ましく
は３０　ａｔｏｍｉｃｐｐ、ｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、より
好適には５〜３０ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％どされるの
が望ましい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＩが好ましいものと
して挙げられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、いわゆる障壁
層を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層
１００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、ＡＪ１２０３．ＳｉＯ２，５
ｆ３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の
有機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持と体光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層中には、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から
選択される少なくとも一種−の原子が層厚方向には不均
一な分布状態で含有される。少なくとも一部の層領域が
感光性を有する層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ
）は、少なくとも一部の層領域が感光性を有する層の全
層領域に含有されても良いし、或いは、光受容層の一部
の層領域のみに含有させることで偏在させても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層に設けられる原子（ＯＣＮ）の含有されている層
−領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目
的とする場合には、光受容層の全層領域を占める様に設
けられ、支持体と受容層との間の密着性の強化を図るの
を主たる目的とする場合には、少なくとも一部の層領域
が感光性を有する層の支持体側端部領域を占める様に設
けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層に設けられる層領域（ＯＣＮ）に含有される原子
（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（ＯＣＮ）自体に要求さ
れる特性、或いは該層領域（ＯＣＮ）が支持体に直に接
触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に於
ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量は
、形成される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜法められるが、好ましくは、０　＋　ｏｏ
　１〜５０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好ましくは、０．
００２〜４０＆ｔ　ｏｍｉ　ｃ％最適には、０．００３
〜３０ａｔｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が少なくとも一部の
層領域が感光性を有する層の全域を占めるか、或いは、
少なくとも一部の層領域が感光性を有する層の全域を占
めなくとも、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の
層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣ
Ｎ）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前
記の値より充分小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａ　ｔ　ｏ
　ｍ　ｉ　ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ
％以下、最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが
望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
障壁層には、少なくとも含有されるのが望ましい。詰り
、少なくとも一部の層領域が感光性を有する層の支持体
側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させることで、支
持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出来
る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、　素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、感光層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、少なくとも一部の層領
域が感光性を有する層中に複数種含有させても良い。即
ち、例えば、電荷注入防止層中には、酸素原子を含有さ
せ、感光層中には、窒素原ば酸素原子と窒素原子とを共
存させる形で含有させても良い。

第１７図乃至第２５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１７図乃至第２５図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔ工は支持体側とは反対側のり領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す。

即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は
ｔＢ　側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１７図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１７図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面とｔＢ　よりｔｌ
　の位置までは、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０丁　
なる一定の値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層
領域（ＯＣＮ）に含有され、位置ｔ１　よりは濃度Ｃ７
より界面位置を丁　に至るまで徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔｌ　においては原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは濃度Ｃ３とされる。

第１８図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢ　より位置を丁　に至る
まで濃度Ｃ斗から徐々に連続的に減少して位置ｔＴ　に
おいて濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１９図の場合には、位置し８　より位置１．２　まで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とさ
れ、位置ｔ２　と位置を丁との間におし葛で、徐々に連
続的に減少され、位置を丁　におし）て、分布濃度Ｃは
実質的に零とされてｌ、Ｎる（ここで実質的に零とは検
出限界量未満の場合である）。

第２０図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ＴＢ　より位置ｔ７　に至るまで、濃度Ｃ＆より連続
的に徐々に減少され、位置を丁において、実質的に零と
されている。

第２１図に示す零においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置Ｔ６と位置ｔ３　間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置１丁においては濃度ＣＩＯとされる
。位置ｔ３　と位置を丁　との間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３　より位置を丁に至るまで減少され
ている。

第２２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂ　より位置ｔ←までは濃度Ｃ＋＋　の一定値を取り、
位置し　より位置ｔ−ｒ　までは濃度ＣＩ２よ手り濃度Ｃ１３までは一次関数的に減少する分布状態とさ
れている。

第２３図に示す例においては、位置ｔ５　より位置ｔｌ
　に至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ
４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第２４図においては、位置ｔＢ　より位置ｔｖ　に至る
までは原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ＋５より
Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ　と位置を丁
　との間においては、濃度ＣＩ４の一層定植とされた例が示されている。

第２５図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいては濃度Ｃ，７であり、位
置ｔ６　に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やか
に減少され、ｔ６　の位置付近においては、急激に減少
されて位置ｔ６　では濃度Ｃｒ＆とされる。

位置ｔも　と位置ｔ７　との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置
ｔヮ　で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７　と位置脣　との
間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ＆　
において、濃度Ｃ２ｏに至る。位置ｔ　と位置計τ　の
間においては、濃度ＣＺＯより実に質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されたいる。

以」二、第１７図乃至第２５図により、層領域（ＯＣＮ
）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方行の分布状態
の典型例の幾くつかを説明した様に、本発明においては
、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃ
は支持体側に較べて可成り低くされた部分を有する原子
（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に設けられて
いる。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１６図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔ８　より５ｐＬ以内
に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂ　より５ｐ−までの全領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかが、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局材領域ＣＢ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｗａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５延以内（
ｔ［？から５延の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｗａ
ｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に大洲される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えばぜ第１７図乃至第２０図、第２３図
及び第２５図に示される分布状態となる様に、原子（Ｏ
ＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい
。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するＡ−３ｉ　（ｒＡ−３ｉ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊ　と記す）で構成される感光層を形成するには例
えばグロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブ
レーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
って成される。例えば、グロー放電法によって、ａ−３
ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光層を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原
料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ−３ｉ
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッ
タリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の
不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使用して、必
要に応じてＨｅ　、Ａ　ｒ等の稀釈ガスで稀釈された水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスの
プラズマ雰囲気を形成して前記のターゲフトをスパフタ
リングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々法発源として蒸着ポー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
轡蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，５ｉｚＨ６、Ｓ　ｉ３　
ＨＨ、Ｓ　ｉｇ−ＨＩ３等のガス状態の又はガス化し得
る水素化　素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳ　ｉＨｚ　、Ｓ　ｉ２Ｈ，；　
、が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得る／＼ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、Ｂｒ、Ｆ、Ｃ見Ｆ、ＣｆＬＦＡ　、ＢｒＦ５
　、ＢｒＦ３　、’ＩＦ３　、ＩＦ７＋　ＩＣＭ、ＩＢ
ｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含むホウ素化合物、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｆ６　、ＳｉＣ、Ｑ４，５ｉＢｒ
ｎ等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
ホウ素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲ
ン原子を含むａ−３ｔから成る感光層を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となる／＼ロゲン化硅素とＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むホウ素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含むホ
ウ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。又、水素原
子を導入する場合は、水素原子導入用の原料ガス、・例
えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類のガス類をスパッ
タリング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰
囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ、ＨＣｕ、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素
、ＳｉＨ２Ｆ２゜ＳｉＨ２Ｉ　、ＳｉＨ２Ｃ文２，５ｉ
ＨＣ文３　。

５ｉＨ２Ｂｒ２　．５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化ホウ素等のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。これ笠の物質の中、水素原子を含むハロ
ゲン化物は、感光層形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子を導入されるので、本発明においては好適な
／＼ロゲン導入用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第ｍ族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様
な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとし゛て
は、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な第■族原子導入の出発物質として具体的には硼
素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４　ＨＩＯ，ＢＳ
　Ｈ５，１３５）（Ｉ＋　＋、Ｂｂ　Ｈ’＋。

＋　Ｂ　６　Ｈ１１＋　Ｂ６　Ｈ１％等の水素化硼素、
ＢＦ３　。

ＢＣｌ３　、ＢＢ　ｒ３等のハロゲン化ホウ素等が挙げ
られる。この他、Ａ文Ｃ１３、ＧａＣｕ３　’＋　Ｇａ
（ＣＨ３）　３＋　Ｉ　ｎ　ＣＪＪ３　、Ｔ文Ｃ文３等
も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、Ｐ　Ｈ３
，Ｐ　２　Ｈｎ等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３　、Ｐ
Ｆ−、ＰＣｌ３　、ＰＣＣ５０、ＰＢｒ３　、ＰＢｒ３
　、ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他Ａｓ
Ｈ３、ＡｓＦ３．Ａｓ００文。

、ＡｓＢｒ３　、ＡｓＦ５　、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３　。

５ｂＦ９．Ｓｂ０文３．．５ｂＣｕ５．ＢｉＨ３。

’Ｂ　１ｃＪ１．４．　Ｂ　ｉＢ　ｒ３等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を
有する層に原子（ＯＣＮ）の含有された層領域（ＯＣＮ
）を設けるには、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層の形成の際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を
前記した光受容層形成用の出発物質と共に使用して、形
成される層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い
。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０２）’、、オゾン（０３）
、−・酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二
酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）ｌ画工
酸化窒素（Ｎ２０４　）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、
二酸化窒素（Ｎｏ３）シリコン原子（Ｓ　ｉ）と酸素原
子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば
、ジシロキサン（Ｈ１ＳｉＯ３ｉＨＡ）、）ジシロキサ
ン（Ｈ３Ｓ　ｉＯ３ｉ　Ｈ２０Ｓ　ｉＢ３　）等の低級
シロキサン、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、
プロパン（Ｃｊ’　Ｈｅ、）＋　ｎ−ブタン（ｎ−’Ｃ
（ｌ　Ｈ＋ｏ）　＋ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数
１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピ
レン（Ｃ３Ｈｂ）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−
２（０４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ１１）、ペンテ
ン（ＣｓＨ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈｂ　）等の炭素数２〜４のアセ
チレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３
）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３
Ｎ）３．アジ化アンモニウム（ＮＨ，ｌＮ３　）　、三
弗化窒素（Ｆ３　Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等々を
挙げることが出来る。スパッタリング法の場合には、原
子（ＱＣＮ）導入用の出発物質としては、グロー放電法
の際に列挙した前記のガス化可能な出発物質の他に、固
体化出発物質として、ＳｉＯ□　、Ｓｉ３Ｎ４、カーボ
ンブラック等を挙げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等
のターゲットと共にスパッタリング用のターゲントとし
ての形で使用される。

本発明において、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層の形成の際に、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）を設吠る場合、該層領域（ＯＣＮ）に含有
される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃを層厚方向に変化さ
せて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆ
ｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）を形成するには、グ
ロー放電の場合には、分布濃度Ｃを変化させるべき原子
（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を
所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室内
に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状８（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには
、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。第二にはスパッタリング用のタ
ーゲットを、例えばＳｔとＳ　ｉ　ＯＺ　との混合され
たターゲットを使用するのであれば、ＳｉとＳ　ｉ　Ｏ
ｃ　との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め
変化させておくこおによって成される。

第１０図に示される光受容部材１０００においては、感
光層１００４上に形成される表面層１００５は自由表面
を有し、主に耐湿性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、
使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性において本発
明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、ｒａ−（Ｓｉｃｋ）ｘ　ｘ、（Ｈ，Ｘ）ｌ　Ｊ　と記す。但し、Ｏ（ｘ、ｙ≦１）
で構成される。

ａ−（Ｓｉ　Ｃ１）　（Ｈ，Ｘ）＋　、でｘ　−ｘ　ｙ構成される表面層１００５の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法、（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビー
ム法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光受容部誉を製造するための作製条件の制
御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及
びハロゲン原子を、作製する表面層１００５中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或はスパ
ッターリング法が好適に採用される。更に、本発明に於
いては、グロー放電法とスパッターリング法とを同一装
置系内で併用して表面層１００５を形成してもよい。

グロー放電法によって表面層１００５を形成するにはａ
　（ＳｉＣ□’　）　（Ｈ’、Ｘ）４　ｙｘ　−ｘｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体上に形成されであ
る層上にａ７（Ｓｉ　Ｃ＋　）　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙｘ　−ｘ　ｙ、を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉＣＨ）ｘ　ｘｙ（Ｈ，Ｘ）＋　形成用の原料ガスとしては、シ　ｙリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）
、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中ノ一つとシテ、Ｓｔを構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えば、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、
必要に応じて、Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及び
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で、混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料
ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｔとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｔとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００５中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ。

ＣＭ、Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、ＣＭが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、表面層１００５を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００５形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｆとＨとを構成原子とする
Ｓ　Ｉ　Ｈａ　、　Ｓ　１２　Ｈ６、Ｓ　１３　Ｈｔ＋
　、　Ｓ　ｉ４　ＨＸ、等のシラｙ（ＳｉＵａｎｅ）類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば、炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素
等を挙げる事ができる。具体的には、飽和炭化水素とし
てはメタン（Ｃ）（４）　、　エタ７　（Ｃ２Ｈ６）　
、プロパン（ｃ：＋Ｈｅ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ，＋　
Ｈ）。）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン炭化水素
としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレフ（Ｃ３１
１ｒ、）、プ７７　１　（Ｃ４Ｈｅ　）　、プ７ｙ　−
２（Ｃｏ　Ｈｅ　）、イソブチＬ／７　（Ｃ７１Ｈｓ　
）　、ペンテン（Ｃ５ＨＸ））、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ７）、メチルアセチレン
（Ｃ，３Ｈａ　）　、ブチン（Ｃ４Ｈｂ）、ハロゲン単
体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、ＦＨ，ＨＩ、Ｈｅ文、Ｈ
’Ｂｒ、ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ、ＣｕＦ、
ＣｕＦ３　、Ｃ文Ｆ、、’ＢｒＦ５．．ＢｒＦ３　＋　
ＩＦ７　＋ＩＦｓ　、ＩＣ文、ＩＢｒ、ハロゲン化硅素
としては、ＳｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｆ６．５ｉＣｕ３　Ｂ
ｒ、５ｉＣ１２Ｂｒ２　、Ｓｉ０文Ｂｒ３　．５ｉＣＪ
１３　Ｉ　。

ＳｉＢｒ４．ハロゲン置換水素化硅素としては、ＳｉＨ
２Ｆ２　．５ｉＨ２Ｃ１３，５ｉＨ３ｃｕ。

５ｉＨ３Ｂｒ、５ｔＨ３Ｂｒ、ＳｉＨ２Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒ３、水素化硅素としては、Ｓ　ｉＨ４＋Ｓｉ
２　ＨＢ　、Ｓｉ３　ＨＢ　、５ｉ４Ｈ）Ｏ等のシラン
（Ｓｉｉａｎｅ）類、等々を挙げることができる。

これ等の他にＣＦ　４　、ＣＣｌ　４　、ＣＢ　ｒ　ａ
　＋ＣＨＦ３　、ＣＨ２Ｆ２　、ＣＨ３Ｆ　、ＣＨ３Ｃ
Ｊ２１ＣＨ３Ｂｒ、ＣＨ３Ｉ　＋Ｃ２Ｈ，ｃ！：１．、
等のハロゲン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ、、ＳＦ
。

のフッ素化硫黄化合物、Ｓ　１（ＣＨ３）　４１　Ｓ’
（Ｃ２Ｈ！、）４、等のケイ化アルキルやＳ、ｉＣ文（
ＣＨ３）３．８１０文２　（ＣＨ３）２　＋５ｉＣ１、
、ＣＨ，等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘
導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００５形成物質は形成される表面層１
００５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有される
様に、表面層１００５の形成の際に所′望に従って選択
されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（Ｃ）（３）４と、ハロゲンガスを含有されるものとし
ての５ｉＨＣ文３，５ｆＨ２Ｃ文２．ＳｉＣ見。、或い
は、５ｉＨＢＣ文等を所定の混合比にして、ガス状態で
表面層１００５形成用の装置内に導入してグロー放電を
生起させことにとッテａ　−（Ｓ　ｉ　Ｃ１）　（ｃｌ
＋Ｈｘ　−ｙ）１−ｙ　から成る表面層１００５を形成することがで
きる。

スパッターリング法によって表面層１００５を形成する
には、単結晶又は、多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行え
ば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としては、先述したグロー放電の例、で示し
た表面ｆｉ１００５形成用の物質がスパッターリング法
の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等が
好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００５は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｔ　、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　（
Ｓ　Ｉ　ＸＣ＋　）　（Ｈ，Ｘ）！−が形成される様に
、−ｘ　ｙ　ｙ所望に従ってその作成条件の選択が厳密に戒さ、れる。

例えば、表面層１００５を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設けるには、ａ　（Ｓ　ｉｘ　Ｃ１）　（）（
、Ｘ）１　は使用環境に於いて電−ｘ　ｙ　−ｙ気絶練性的挙動の顕著な非晶質材料として作成、される
。　又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主
たる目的として表面層１００５が設けられる場合にｔ４
上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射され
る光に対しである程度の感度を有する非晶質材料として
ａ−（ＳｉＣ（−）　（Ｈ，Ｘ）＋　−作成がされる。

Ｘ　ｙ　ｙ第２の層表面にａ　（Ｓ　Ｉ　Ｃ、）　（Ｈ＋ｘ　ｘ　
ｙＸ）＋　から成る表面層１００４を形成する際、−メ層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重要な因子であって、本発明に於いては、目
的とする特性を有するａ−（ＳｉＸＣ＋　）　（Ｈ，Ｘ
）＋　が所望通りに作−ｘ　ｙ　、−ｙ成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され
るのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００５の形成が実行されるが好ましく
は、２０〜４００°Ｃ１より好適には５０〜３５０℃、
最適にはｉｏｏ〜３００°Ｃとされるのが望ましいもの
である。表面層１００５の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて
、比較的容易である事等のために、グロー放電法やスパ
ッターリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成
法で表面層１００５を形成する場合には前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（
Ｓｉ　Ｃ１）　（Ｈ’。

Ｘ　−Ｘ　ｙＸ）＋、の特性を左右する重要な因子の−っである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
−（Ｓｔ　Ｃ１）　（Ｈ，Ｘ）ｔ　ｙｘ　−ｘ　ｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件
としては好ましくはｉｏ−ｔｏｏｏｗ、より好適には２
０〜７ｊＯＷ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室のガス圧は好ましくは０．０１〜ＩＴ。

ｒｒ、より好適には０．１−０．５Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１００５を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に、決められるものではなく、所望特
性のａ　（Ｓ　ｉｘ　Ｃ１−ｘ）ｙ（Ｈｌｘ）１　から
成る表面層１．０　ｙＯ５が形成される様に相互的有機的関連性に基づいて各
層作成ファクターの最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００５の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００５が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１００５を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｔ（，１）ｘ　ｘｙ（Ｈ，Ｘ）＋−メ　で示される非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後、ｒ　ａ−Ｓ　ｉ　ａＣＩ、Ｊと記す。但し、０
＜’ａ＜、１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓｔ　Ｃ＋−
）　Ｈ＋　Ｊと記す。

ｂ　ｂ　ｃ　−Ｃ但し、Ｏ＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒ　ａ　（Ｓ　ｉｄＣ１１）　（Ｈ，Ｘ
）ｌ　、］　と記す。但しＯｄｄ。

ｄ　ｅ　−６ｅｅ１）、に分類される。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−３ｉａＣ，−で
構成される場合、表面層１００５に含有される炭素原子
の量は好ましくは、Ｉ　Ｘ　Ｉ　Ｏ’〜９０ａｔｏｍｉ
ｃ％、より好適には１〜８０ａｔｏｍｆ、ｃ％、最適に
は１０〜７５．ａｔ　ｏｍｊ　ｃ％とされるのが望まし
ものである。即ち、先のａ−Ｓｉ　ＣＨのａの表示で行
えば、ａが好まａ　−ａしくは０．１〜０．９９９９９、より好適には０．２〜
０．９９、最適には、０，２５〜０，９である。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−（ＳｔｂＣｌ　
ｂ）。Ｈ，、で構成される場合、表面層１００５に含有
される炭素原子の量は、好ましくはｌＸｌ０’　〜９０
ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは、１〜９０　ａ
　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、最適にはｌＯ〜８０ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原子の含
有量としては、好ましくは１〜４０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　
ｉ　ｃ％、より好ましくは２〜３５　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　
ｉ　ｃ％、最適には５〜３０ａｔ　。

ｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含
有量がある場合に形成される光受容部材は、実際面に於
いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（Ｓｔ　Ｃ１−ｂ）　。Ｈｓ　−６の表
示で行なえばｂが好ましくは、０．１〜０゜９９９９９
、より好適には、０．１〜０．９９、最適には、０．１
５〜０．９、Ｃが好ましくは、０．６〜０．９９、より
好適には０．６５〜０゜９８、最適には０．７〜０．９
５であるのが望ましい。

表面層１００５が、ａ　（Ｓ　ｉｄＣｓ　６　）　ｅ（
Ｈ、ｘ）　ｌ−で構成される場合には、表面層１００５
中に含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは
、ｌＸ１０’９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には、１〜
９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には１０〜８０　ａ　ｔ
　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるのが望ましいものである。

ハロゲン原子の含有量としては、好ましくは、１〜２０
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に
ハロゲン原子含有量がある場合に作成される光受容部材
を実際面に充分適用させ得るものである。必要に応じて
含有される水素原子の含有量としては、好ましくは１９
ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましいものである。

即ち、先ｃｙ）ａ−（Ｓｉ　Ｃ，、）　（Ｈ，Ｘ）ｄ　
−ｄｅｌ　ｅのｄ、ｅの表示で行なえば、ｄが好ましくは、０
．１〜０．９９９９９、より好適には、０．１〜０，９
９、最適には０．１５〜０．９、ｅが好ましくは、０．
８〜０゜９９、より好適には０．８２〜０．９９、最適
には０．８５〜０．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚の数範囲は本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つであ
る。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、表面層１ｏｏ５の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１の層、第２の層の層厚との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。本発明に於ける表
面層り、　ＯＯ５の層厚としては、好ましくは０．００
３〜３０ｕＬ、好適にはｏ、ｏ。

４〜２０ｇ、最適には、０．００５〜１０ｇとされるの
が望ましいものである。

表面層１０ｏ５には、機械的耐久性に対する保護層とし
ての働き、及び光学的には反射防止層としての働きを主
に荷ゎせることができる。

表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射防止層と
しての機能を果すのに適している。

即ち、表面層１００５の屈折率をｎ１層厚をｄ入射光の
波長を入とすると、のとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。又、感光層の屈折率をｎａとした場
合、表面層の屈折率ｎがｎ”　４を満し、且つ表面層の層厚ｄが又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ−３ｉ：Ｈを感光層として用いる場合、
ａ−３ｔ：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層
としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−Ｓ
ｉ：ＨはＣの量を調整することにより、このような値の
屈折率とすることができ、かつ機械的耐久性、居間の密
着性及び電気的特性も十分に満足させることができるの
で、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層１００５を反射防止層としての役割に重点を
置く場合には、表面層の層厚として１１．０．０５〜２
ｇｍとされるのがより望ましし）。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１本実施例ではスポット系８０　ｇ　ｍ、の半導体レーザ
ー（波長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−３ｉ
：Ｈを堆積させる円筒状のＡｎ支持体（長さくＬ）、３
５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ）上に旋盤で螺線状の溝を
作成した。このときの溝の断面形状を第１１図（Ｂ）に
示す。

乙のＡＬ；Ｌ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止
層、感光層、を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１２０４はＡ文支特
体回転用モータ、１２０５はＡｎ支持体、１２０６はＡ
文支特体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２０
８は高周波導入用カソード電極、１２０９はシールド板
、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５゜１２
４１〜１２４５はバルブ、１２３１〜１２３５はマスフ
ロコントローラー、１２５１〜１２５５はレギュレータ
ー、１２６１は水素（Ｈ２）ボンベ、１２６２はシラン
（ＳｉＨ４）ボンベ、１２６３はジポラン（Ｂ２Ｈ２）
ボンベ、１２６４は酸化窒素（Ｎｏ）ボンベ、１２６５
はメタン（Ｃ）ｉｎ）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１２６１−１２６’５のボン
ベの元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラ
ーおよびバルブを開け、１２０３の拡散ポンプにより堆
積装置内を１Ｏ−７Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同時
に１２０６のヒータにより１２０５のＡｎ支持体を２５
０℃まで加熱し２５０℃で一定に保った。１２０５のＡ
ｌ１支、特休の温度が２５０℃で一定になった後１２２
１〜１２２５．１２４１〜１２４５．１２５１〜１２５
５のバルブを閉じ、１２６１〜１２６５のボンベの元栓
を開け、１２０３の拡散ポンプをメカニカルブースター
ポンプに代える。１２５１〜１２５５のレギュレーター
付きバルブの二次圧を１゜５Ｋｇ／ｃｍ’に設定した。

１２３１のマスフロコントローラーを３００３ＣＣＭに
設定し、１２４１のバルブと１２２１のバルブを順に開
き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次に１２６１のＳｉＨ，ガスを１２３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０ｓｅｃＭに設定して、Ｈ２ガ
スの導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積装置に導入
した０次に１２６３のＢ２Ｈ６ガス流量をＳ　ｉ　Ｈ４
ガス流量に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐｍになるよう
にｌ　２３　：Ｊのマスフローコントローラーを設定し
て、Ｈ２ガスの導入と同様な操作でＢ２Ｈ６ガスを堆積
装置内に導入した。

次にボンベ１２６４のＮｏガス流量をＳｉＨ４ガス流量
に対して、３．４Ｖｏ１％になるように１２３４のマス
フローコントローラーを設定シて、Ｈ２ガスの導入と同
様な操作でＮｏガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、１２０１の高周波電源のスイッチを入れ１２０２のマ
ツチングボックスを調節して、１２０５のＡＩ支持体と
１２０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、高
周波電力を１５０ｗとし５ｇｍ厚でＡ−３ｔ：Ｈ：Ｂ：
０層（Ｂ、０を含むＰ型のＡ−３ｔ：Ｈ層となる）を堆
積した（電荷注入防止層）。この際、Ｎｏガス流量をＳ
ｉＨ４ガス流量に対して、第２３図に示す様に変化させ
、層作成終了時にはＮｏガス流量が零になる様にした。

この様にして５ルｍ厚のＡ−３ｉ：Ｈ：Ｂ：Ｏ（Ｐ型）
を堆積したのち放電を切らずに、１２２３のバルブを閉
めＢｚＨらの流入を止める。

そして高周波電力１５０Ｗで２０ｇｍ厚のＡ−Ｓｆ　：
Ｈ層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｃｉ）を堆積した（感光層）。

その後、１２３２のマスフロコントローラーの設定を３
５３ＣＣＭに変え、１２６５のＣＨ４ガス流量がＳｉＨ
４ガス流量に対して流量比がＳ　ｉ　Ｈ４／　ＣＨ４＝
　ｌ　／　３０となる様にあらかじめ設定されている１
２３５のマスフロコントローラーから、バルブ１２２５
を開けることによってＣＨ４ガスを導入し、高周波電力
１５０Ｗで０．５ｐＬｍ厚のａ−３ｉＣ（Ｈ）を堆積し
た（表面層）。

高周波電源及びガスのバルブをすべて閉じ堆積装置を排
気し、ＡＩ支持体の温度を室温まで下げて、光受容層を
形成した支持体を取り出した。

この光受容部材は第１１図（Ｂ）、（Ｃ）のように感光
層の表面と支持体の表面とは非平行であった。この場合
Ａｌ支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２
ｇｍであった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーをスポット径８０ルｍで第１３図に
示す装置で画像露光し、作像、現像、クリーニング工程
を約５万回繰り返した後、画像評価を行なったところ、
干渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特性を
示すものであった。

実施例　２実施例１と同様な方法で、支持体上に感光層まで形成し
たものを７本作成した。

次に、１２６．１の水素（Ｈ層）ボンベをアルゴン（Ａ
　ｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソ
ード電極上に、第１表（条件Ｎｏ１０１）に示す表面層
材料を一面にはる。前記感光層まで形成したものの１本
を設置し、堆積装置内を、拡散ポンプで十分に減圧する
。その後、アルゴンガスを０．０１５Ｔｏｒｒまで導入
し、高周波電力１５０Ｗでグロー放電を起こし、表面材
料をスパッタリングして、前記支持体上に、第１表（条
件Ｎｏ、１０１）の表面層を堆積した。（サンプルＮｏ
ｔ　０１）同様に残りの６木について、第１表（条件Ｎ
ｏ１０２〜１０７）の条件で表面層を堆積した。（サン
プルＮｏ１０２〜１０７）これらは第１１図（Ｂ）、、
（Ｃ）のように感光層の表面と支持体の表面とは非平行
であった。この場合Ａ文支特体の中央と両端部とでの平
均層厚の層厚差は２ｇ、ｍであった。

以上７種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの反導体レーザーをスポット径８０μｍで第１
３図に示す装置で画像露光を行い、作像、現像、クリー
ニング工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なっ
たところ第１表の如き結果を得た。

実施例　３表面層の形成時、５ｆＨ４ガスとＣＨ４ガスとの流量比
を変えて、表面層におけるシリコン原子と炭素原子の含
有量を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法によ
って電子写真用の光受容部材のそれぞれを作成した。こ
うして得られた電子写真用光受容部材のそれぞれにつき
、実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの
工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なったとこ
ろ、第２表の如き結果を得た。

実施例　４表面層の形成時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス
、ＣＨ４ガスの流量比を変えて、表面層におけるシリコ
ン原子と炭素原子の含有量を変化させる以外は実施例１
と全く同様な方法によって電子写真用の光受容部材のそ
れぞれを作成した。こうして得られた電子写真用光受容
部材のそれぞれにつき、実施例１と同様にレーザーで画
像露光し、転写までの工程を約５万回繰り返した後、画
像評価を行なったところ、第３表の如き結果を得た。

実施例　５表面層の層厚を変える以外は実施例１と全く同様な方法
によって電子写真用の光受容部材のそれぞれを作成した
。こうして得られた電子写真用光受容部材のそれぞれに
つき、実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写ま
での工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なった
ところ、第４表の如き結果を得た。

実施例　６表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層厚を
２ｇｍとする以外は実施例１と全く同様な方法によって
電子写真用光受容部材の表面層の平均層厚差は、中央と
両端で０．５７ｚｍであった。また微少部分での層厚差
は０．１Ｂｍであった。

この様な電子写真用光受容部材では、干渉縞模様は観察
されず、また実施例１と同様な装置で作像、現像、クリ
ーニング工程を繰り返し行なったが、実用に十分なもの
であった。

実施例　７シリンダー状Ａｎ支持体の表面を旋盤で、第１４図のよ
うに加工した。

このシリンダー状Ａｎ支特体各々に実施例１と同様な条
件でＡ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容部材を作製した。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に第１３図
の装置で画像露光を行い、現像、転写して画像を得た。

この場合の転写画像には、干渉縞はみられず実用上十分
な特性であった。

実施例　８第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第５表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。この際、ＮＨ３ガス流量をＳｉＨ４ガス流量
に対して、第２３図に示す様に変化させ、層作成終了時
にはＮＨ３ガス流量が零になる様にした。

これら電子写真用光受容部材については、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合、得られた画像の総てに於て干渉縞は見られず
、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１０万
回目の画像の間には、何等差違はなく、高品質の画像で
あった。

実施例　９第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第６表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。この際、ＮＨ３ガス流量を５ｉ）（４ガス流
量に対して、第２３図に示す様に変化させ、層作成終了
時にはＮＨ３ガス流量が零になる様にした。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例　１０第１５図、第１６に示す表面性のシリンダー状Ａ４ｕ支
持体上に、第７表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。この際、ＣＨ４ガス流量をＳｉＨ４ガス流量
に対して、第２３図に示す様に変化させ、層作成終了時
にはＣＨ４ガス流量が零になる様にした。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像、露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

実施例　１１第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状ＡＭ支
持体上に、第８表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。この際、ＣＨ４ガス流量をＳｉＨ４ガス流量
に対して、第２３図に示す様に変化させ、層作成終了時
にはＣＨ４ガス流量が零になる様にした。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光を用いて、画像露光を行い、現像、転写、
定着して、普通紙上に可視画像を得た。

実施例１２第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｉ支
持体上に、第９表に示す条件と第２６図に示すＮｏとＳ
ｉＨ，のガス流量比の変化率曲線に従って電子写真用光
受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の条件と
手順に従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光を用いて、画像露光を行い・現像、転写、
定着して、普通紙上に可視画像を得た。

実施例１３第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａ文支
持体上に、第１Ｏ表に示す条件と第２７図に示すＮｏと
ＳｉＨ４のガス流量比の変化率曲線に従って電子写真用
光受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の条件
と手順に従った。

実施例１４第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第１１表に示す条件と第２８図に示すＮＯと
Ｓｉ’Ｈ４のガス流量比の変化率曲線に従って電子写真
用光受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の条
件と手順に従った。

実施例１５第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第１２表に示す条件と第２９図に示すＮＯと
ＳｉＨ４のガス流量比の変化率曲線に従って電子写真用
光受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の条件
と手順に従った。

実施例１６第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｌｌ
支持体上に、第１３表に示す条件と第３０図に示すＮ　
Ｏ、！ｌ：Ｓ　ｉ　Ｈａのガス流量比の変化率曲線に従
って電子写真用光受容部材を形成した。その他は実施例
１と同様の条件と手順に従った。

［発明の効果］以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、月つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更には、高光感度性、高ＳＮ比特性、及び支持体との間
に良好な電気的接触性を有し、デジタル画像記録に好適
で、しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性、及び光受容特
性に優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面状
態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。第１３図は、実施例で使用した画像露光装置である。第１１図、第１４図、第１５図、第１６図は、実施例で
使用したＡｎ支持体の表面状態の説明図である。第１７図乃至第２５図は夫々層領域（ＯＣＮ）中の原子
（ＯＣＮ）の分布状態を説明する為の図、第２６図乃至
第３０図は夫々本発明の実施例に於けるガス流量比の変
化率曲線を示す説明図である。１０００’　、　１１００・・・・・・・・・光受容部
材１００２゜１１０６・・・・・・・・・光受容層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・Ａ又支特体１００３・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電荷注入防止層１００４・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・感光層１
００５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・表面層１３０１・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・電子写真用光受容部材１３０２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レ
ーザー１３０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・ｆθレンズ１３０４・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラー１３０５
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露
光装置の平面図１３０６・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・露光装置の側面図第　３　図第　４　図憤　５　翻イｉ　夏＠　６　図（Ｄ）第　７　図（Ａ）　（Ｅｌ）（Ｃ）ＩＦ？弧置１４１３　図第　１４　ｍ第１５　図（μｍ）第　１６　図Ｃνｍ）第　１７　因一第旧図 ′＠１９　図第２０図第　２１　図し第　２２図第２３　図Ｉ！２４６し＠　２５　因第２６図＠’２７　図＠２８図０　０．０５　０．１力°又二１尤− ＠２９Ｎが′ス〉征９ｐｔ

Claims

【特許請求の範囲】（１）　所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピ
ークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成
されている支持体と；シリコン原子を含む非晶質材料か
らなり少なくとも一部の層領域が感光性を有する層と、
シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表
面層とからなる光受容層と；を有する光受容部材であっ
て、前記少なくとも一部の層領域が感光性を有する層は
、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選択される
少なくとも一種を層厚方向には不均一な分布状態で含有
する事を特徴とする光受容部材。（２）　前記層領域が、光導電性を有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。（３）　前記光受容層が多層構造を有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。（４）　前記凸部が規則的に配列されている特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。（５）　前記凸部が周期的に配列されている特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。（６゛）　前記凸部の夫々は、−次近似的に同一形状を
有する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。（７）　前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。（８）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
して対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。（９）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
して非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光
受容部材。（１’　Ｏ）　前記凸部は、機械的加工によって形成さ
れた特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。