JPS60254729A - マスク基板上のマスクパタ−ンの修正方法 - Google Patents
マスク基板上のマスクパタ−ンの修正方法Info
- Publication number
- JPS60254729A JPS60254729A JP59111929A JP11192984A JPS60254729A JP S60254729 A JPS60254729 A JP S60254729A JP 59111929 A JP59111929 A JP 59111929A JP 11192984 A JP11192984 A JP 11192984A JP S60254729 A JPS60254729 A JP S60254729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ink
- mask pattern
- pattern
- laser beam
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はたとえば電気回路パターン形成のために用い
られるフォトマスク基板上に施されたｍ光性パターンの
欠損等の欠陥を修正する方法に関する。
られるフォトマスク基板上に施されたｍ光性パターンの
欠損等の欠陥を修正する方法に関する。
従来、フォトマスク基板上に銀エマルジョン層等の連光
パターンをフォトリンクラフイ技術等を利用して形成し
たのちに、このイ０られた遮光パターンに欠損等の欠陥
を発見した場合、その部分を筆により喝で修正すること
がおこなわれている。
パターンをフォトリンクラフイ技術等を利用して形成し
たのちに、このイ０られた遮光パターンに欠損等の欠陥
を発見した場合、その部分を筆により喝で修正すること
がおこなわれている。
しかし、この従来の壷による修正では熟練を要求され、
しかも熟練者の場合でも量先の太さなどからして欠損部
の大きさが巾３０μｍ程度が限度であり、それ以下の小
さい欠損部の修正は不可能であった。したがって、近時
、ますます微細化の傾同にある微細パターンの無欠陥の
ものを炸裂することは極めて困難な情況にあった。
しかも熟練者の場合でも量先の太さなどからして欠損部
の大きさが巾３０μｍ程度が限度であり、それ以下の小
さい欠損部の修正は不可能であった。したがって、近時
、ますます微細化の傾同にある微細パターンの無欠陥の
ものを炸裂することは極めて困難な情況にあった。
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、数
μｍｍ変度ａ元パターンの欠損でも容易に修正すること
ができるフォトマスク基板上のマスクパターンの修正方
法を提供することを目的とする。
μｍｍ変度ａ元パターンの欠損でも容易に修正すること
ができるフォトマスク基板上のマスクパターンの修正方
法を提供することを目的とする。
すなわち、この発明はマスクパターンを被着したマスク
基板の該マスクパターンの欠損部を、まずレーザ光蒸発
性インキにより、該欠損部よりはみ出る程度に大きく充
填し、ついで、不必要なインキはみ出し部分をレーザ光
により蒸発させることを特徴とするマスク基板上のマス
クパターンの修正方法を提供するものである。
基板の該マスクパターンの欠損部を、まずレーザ光蒸発
性インキにより、該欠損部よりはみ出る程度に大きく充
填し、ついで、不必要なインキはみ出し部分をレーザ光
により蒸発させることを特徴とするマスク基板上のマス
クパターンの修正方法を提供するものである。
この発明は、手修正では修正困難な微細なマスクパター
ン欠陥部を、レーザ光照射により蒸発するインキ（すな
わちレーザ光蒸発性インキ）を用いて、この欠陥部を拡
大視しながら欠陥部をその範囲からはみ出る程度に大ま
かに修正し、ついで、適当に細いレーザ光を照射装置を
用い、拡大視しながら、そのはみ出し部に照射させて蒸
発除去する方法であり、特定のインキとレーザ光との組
合せを利用したところに特徴がある。
ン欠陥部を、レーザ光照射により蒸発するインキ（すな
わちレーザ光蒸発性インキ）を用いて、この欠陥部を拡
大視しながら欠陥部をその範囲からはみ出る程度に大ま
かに修正し、ついで、適当に細いレーザ光を照射装置を
用い、拡大視しながら、そのはみ出し部に照射させて蒸
発除去する方法であり、特定のインキとレーザ光との組
合せを利用したところに特徴がある。
このレーザ光蒸発性インキの具体例としてはランプブラ
ックの有機溶媒溶液（たとえばトルエン＋イソプロピル
アルコール なお、手修正で修正容易な個所については従来通り墨又
はインキにて修正してよい。
ックの有機溶媒溶液（たとえばトルエン＋イソプロピル
アルコール なお、手修正で修正容易な個所については従来通り墨又
はインキにて修正してよい。
以下、この発明を図面を参照して説明する。
第１図はマスクパターン基板ｌ上に被着された銀エマル
ジョン遮光パターン２，３およびその欠損＠２ａ，３ａ
を示している。まず、これら欠損部２ｍ，３ｍ．を拡大
視しながら、これら欠損部２ｍ，３ｍを、第２図に示す
如くそれぞれ埋めつくし、かつ一部が所定の線２ｂ，３
ｂから、はみ出る程度に借又その他の筆記手段によりレ
ーザ光蒸発性インキ４（たとえばランプブラック１値５
（昭和インキ工業（株）製、商品名）１０重量′ｔ１眠
トルエン６０重量部、イソプロビルアイレコール３
０ｘｉｓからなるインキ）で塗布する。
ジョン遮光パターン２，３およびその欠損＠２ａ，３ａ
を示している。まず、これら欠損部２ｍ，３ｍ．を拡大
視しながら、これら欠損部２ｍ，３ｍを、第２図に示す
如くそれぞれ埋めつくし、かつ一部が所定の線２ｂ，３
ｂから、はみ出る程度に借又その他の筆記手段によりレ
ーザ光蒸発性インキ４（たとえばランプブラック１値５
（昭和インキ工業（株）製、商品名）１０重量′ｔ１眠
トルエン６０重量部、イソプロビルアイレコール３
０ｘｉｓからなるインキ）で塗布する。
ついで、レーザ光照射装置（日本電気（株）製ｓｒ，４
ｓｉｆｆ）で、拡大視しながら各インキはみ出し部４
ａ 、 ４ ｂにレーザ光をスポット照射し、第３図に
示す如くこれらはみ出し部４ ａ 。
ｓｉｆｆ）で、拡大視しながら各インキはみ出し部４
ａ 、 ４ ｂにレーザ光をスポット照射し、第３図に
示す如くこれらはみ出し部４ ａ 。
４１）のインキを蒸発除去することにより修正が完了す
る。
る。
以上、詳述したように、本発明によればマスクパターン
の欠損部の修正をレーザ光蒸発性インキを用いて大まか
におこない、ついでレーザ光線により正確に再度修正す
るようにしたから、修正個所の巾が３０μｍより若干小
さいものはもちろん、数μｍの極めて小さいものでも熟
練を要することなく容易かつ正確におこなうことができ
る。
の欠損部の修正をレーザ光蒸発性インキを用いて大まか
におこない、ついでレーザ光線により正確に再度修正す
るようにしたから、修正個所の巾が３０μｍより若干小
さいものはもちろん、数μｍの極めて小さいものでも熟
練を要することなく容易かつ正確におこなうことができ
る。
第１〜３図は本発明の方法を工程１１に説明するための
マスクパターン基板の一部の平面図である。 図中、ｌ・・・マスクパターン基板、２，３・・・銀エ
マルジョンパターン、２ａ 、３ｍ・・・欠損部、４ｍ
，４ｂ・・・インキはみ出し部。
マスクパターン基板の一部の平面図である。 図中、ｌ・・・マスクパターン基板、２，３・・・銀エ
マルジョンパターン、２ａ 、３ｍ・・・欠損部、４ｍ
，４ｂ・・・インキはみ出し部。
Claims (2)
- （１） マスクパターンを被着したマスク基板の該マス
／７ ハターンの欠損部を、まずレーザ光蒸発性インキ
により、咳欠損部よりはみ出る程度に人きく光重し、つ
いで、不必要なインキはみ出し部分をレーザ元により蒸
発させることを特徴とするマスク基板上のマスクパター
ンの修正方法。 - （２） レーザ光蒸発性インキがランプブラックの有機
溶媒溶液からなる特許請求の範囲第１項記載のマスクパ
ターンの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111929A JPS60254729A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | マスク基板上のマスクパタ−ンの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111929A JPS60254729A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | マスク基板上のマスクパタ−ンの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254729A true JPS60254729A (ja) | 1985-12-16 |
| JPS6311659B2 JPS6311659B2 (ja) | 1988-03-15 |
Family
ID=14573662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59111929A Granted JPS60254729A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | マスク基板上のマスクパタ−ンの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950498A (en) * | 1986-02-24 | 1990-08-21 | Seiko Instruments Inc. | Process for repairing pattern film |
| KR100749976B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2007-08-16 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 포토마스크 및 그 제조 방법, 전자 기기의 제조 방법 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59111929A patent/JPS60254729A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950498A (en) * | 1986-02-24 | 1990-08-21 | Seiko Instruments Inc. | Process for repairing pattern film |
| KR100749976B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2007-08-16 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 포토마스크 및 그 제조 방법, 전자 기기의 제조 방법 |
| US7776492B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-08-17 | Seiko Epson Corporation | Photomask, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311659B2 (ja) | 1988-03-15 |
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