JPS6085525A - マスクリペア−方法 - Google Patents
マスクリペア−方法Info
- Publication number
- JPS6085525A JPS6085525A JP58194747A JP19474783A JPS6085525A JP S6085525 A JPS6085525 A JP S6085525A JP 58194747 A JP58194747 A JP 58194747A JP 19474783 A JP19474783 A JP 19474783A JP S6085525 A JPS6085525 A JP S6085525A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- defect
- repaired
- charged particle
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、極少に集束したビーム状の荷電粒子ビームを
用い、修復すべき欠陥を有するマスクまたはレチクル上
に塗布されたホトレジスト等の有機被膜の欠陥領域上に
この荷電粒子ビームを選択的に照射することによシ、有
機被膜を炭素化させ不透明状態にするようにしたマヌー
ク壕−たはレチクルの欠陥を修復する方法に関する。
用い、修復すべき欠陥を有するマスクまたはレチクル上
に塗布されたホトレジスト等の有機被膜の欠陥領域上に
この荷電粒子ビームを選択的に照射することによシ、有
機被膜を炭素化させ不透明状態にするようにしたマヌー
ク壕−たはレチクルの欠陥を修復する方法に関する。
半導体製造工程において用いられるマスクおよびレチク
ルには多くの欠陥が含まれる。この欠陥には２種類あシ
、１つは削られてしまうべき所が残ってしまったもので
、もう１つは残るべき所が削られてしまったものである
。
ルには多くの欠陥が含まれる。この欠陥には２種類あシ
、１つは削られてしまうべき所が残ってしまったもので
、もう１つは残るべき所が削られてしまったものである
。
従来からあるレーザーリペア装置は残してしまった部分
にレーザー光を照射し蒸発させるだけの機能しかないた
め、前者の欠陥の修復はできるが後者の欠陥に対しては
無力″ｃあった。また、後者の欠陥の修復には、リフト
オフ工程が用いられてお）、この方法によるとマスク製
造工程のかなシの部分を繰り返すことになるため、時間
がかかつていた。
にレーザー光を照射し蒸発させるだけの機能しかないた
め、前者の欠陥の修復はできるが後者の欠陥に対しては
無力″ｃあった。また、後者の欠陥の修復には、リフト
オフ工程が用いられてお）、この方法によるとマスク製
造工程のかなシの部分を繰り返すことになるため、時間
がかかつていた。
本発明は、後者の欠陥、すなわち残るべき所が削られ°
てし１った欠陥（欠落欠陥）を効果的に短時間で修復す
る手段を提供することを目的とするものである。
てし１った欠陥（欠落欠陥）を効果的に短時間で修復す
る手段を提供することを目的とするものである。
以下１図面と共に本発明によるマスフリベア一方法につ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第１図（ロ）） 、 （ｂ）に修復すべき欠陥を有する
マスクまたはレチクルの断面図および平面図を示す。
マスクまたはレチクルの断面図および平面図を示す。
１はガラス基板、２はマスクパターンを形成する金属膜
、３は金属膜が欠落した欠陥を示す。第１図において、
本来は、３の領域上にも金属膜パターンが形成されるべ
きところでおるが、マスク製造工程において、３のよう
に欠落欠陥が生じた場合、半導体ウェハーへ露光を行な
う際に、必要な領域外にも光が照射され、製作される半
導体集積回路等の性能全劣化させ、歩留を減少させる原
因となる。
、３は金属膜が欠落した欠陥を示す。第１図において、
本来は、３の領域上にも金属膜パターンが形成されるべ
きところでおるが、マスク製造工程において、３のよう
に欠落欠陥が生じた場合、半導体ウェハーへ露光を行な
う際に、必要な領域外にも光が照射され、製作される半
導体集積回路等の性能全劣化させ、歩留を減少させる原
因となる。
第２図、第３図に本発明による欠陥修復の概略會示す。
まず、欠落欠陥を有するマスクまたはレチクルの全面に
、ホトレジスト等の有機被膜４を塗布する。そして、マ
スクまたはレチクルを郡勤させる丸めのステージ（図示
しない）と荷電粒子ビームを集束、走査、偏向させるた
めの荷電粒子ビーム光学系（図示しない）全操作し、欠
落欠陥領域３ＬＯＬに、十分に集束した荷電粒子−ビー
ム５を照射させる。近年、半導体集積回路の超微細化が
進み、修復すべき欠陥パターンも微細化されておシ、こ
こで用いられる荷電粒子ビームも１μ常以下に集束して
いることが不可欠である。
、ホトレジスト等の有機被膜４を塗布する。そして、マ
スクまたはレチクルを郡勤させる丸めのステージ（図示
しない）と荷電粒子ビームを集束、走査、偏向させるた
めの荷電粒子ビーム光学系（図示しない）全操作し、欠
落欠陥領域３ＬＯＬに、十分に集束した荷電粒子−ビー
ム５を照射させる。近年、半導体集積回路の超微細化が
進み、修復すべき欠陥パターンも微細化されておシ、こ
こで用いられる荷電粒子ビームも１μ常以下に集束して
いることが不可欠である。
このようにして、荷電粒子ビームが照射された有機被膜
３αは、本来の有機被膜の性質を失い、通常用いられる
方法で現象処理を行なうと、第３図に示すように、荷電
粒子ビーム照射領域には被膜が残る。また荷電粒子ビー
ムが照射された有機被膜３αは、有機被膜構成分子が分
解、炭化されておシ、露光に用いられる紫外、可視領域
の光の透過車が低下し、不透明となる。すなわち、第３
図に示す２と３Ｇの領域は光学的に不透明な部分がつな
がシ、マスクパターンが修復されたこととなる。
３αは、本来の有機被膜の性質を失い、通常用いられる
方法で現象処理を行なうと、第３図に示すように、荷電
粒子ビーム照射領域には被膜が残る。また荷電粒子ビー
ムが照射された有機被膜３αは、有機被膜構成分子が分
解、炭化されておシ、露光に用いられる紫外、可視領域
の光の透過車が低下し、不透明となる。すなわち、第３
図に示す２と３Ｇの領域は光学的に不透明な部分がつな
がシ、マスクパターンが修復されたこととなる。
以上のように本発明によるマスクリペア一方法は、少な
い工程で完全な修復が行なえるため、多くの時間と手間
を省くことができる。
い工程で完全な修復が行なえるため、多くの時間と手間
を省くことができる。
第１図（Ａ）は、欠落欠陥をＭするマスクまたはレチク
ルの断面図でアシ、（至）はその平面図である。 第２図は欠陥を修復する過程を示したものである。第３
図（Ａ）は修復後のマスクまたはレチクルの断面図であ
り、ω）はその平面図である。 １はガラス基板、２はマスクパターンを形成する金属膜
、３は欠落欠陥、３αは修復された欠落欠陥、４はマス
クまたはレチクルに塗布された有機被膜、５は集束荷電
粒子ビームである。 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代無人 弁理−１＠ −ヒ 務
ルの断面図でアシ、（至）はその平面図である。 第２図は欠陥を修復する過程を示したものである。第３
図（Ａ）は修復後のマスクまたはレチクルの断面図であ
り、ω）はその平面図である。 １はガラス基板、２はマスクパターンを形成する金属膜
、３は欠落欠陥、３αは修復された欠落欠陥、４はマス
クまたはレチクルに塗布された有機被膜、５は集束荷電
粒子ビームである。 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代無人 弁理−１＠ −ヒ 務
Claims (1)
- 試料ステージ上に設けられ、修復すべき欠陥を有するマ
スクまたはレチクル上にホトレジスト等の有機波＠を塗
布する工程と、このマスクまたはレチクルの修復すべき
微少領域に集束荷電粒子ビームを走査して照射する工程
とよシなル、前記集束荷電粒子ビームにより、前記有機
被膜の所要部分を炭素被膜化させて不透明状態とするよ
うにし几マスクリベ了一方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194747A JPS6085525A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | マスクリペア−方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194747A JPS6085525A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | マスクリペア−方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085525A true JPS6085525A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16329552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58194747A Pending JPS6085525A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | マスクリペア−方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085525A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01150139A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-06-13 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイスのマスク修正プロセスとマスク |
| US6329106B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-12-11 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Repair method for phase shift mask in semiconductor device |
| US6656644B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-12-02 | Hitachi Ltd. | Manufacturing method of photomask and photomask |
| US6794207B2 (en) | 2000-07-07 | 2004-09-21 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing integrated circuit |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58194747A patent/JPS6085525A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01150139A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-06-13 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイスのマスク修正プロセスとマスク |
| US6329106B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-12-11 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Repair method for phase shift mask in semiconductor device |
| US6656644B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-12-02 | Hitachi Ltd. | Manufacturing method of photomask and photomask |
| US6794207B2 (en) | 2000-07-07 | 2004-09-21 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing integrated circuit |
| US6846598B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-01-25 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of photomask and photomask |
| US6902868B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-06-07 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing integrated circuit |
| US6936406B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-08-30 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing integrated circuit |
| US6958292B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-10-25 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing integrated circuit |
| KR100833029B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2008-05-27 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
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