JPS6025257A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体装置に係り導電性の金属片(ターミナル
チップ)を有する半導体装置の改良に閃する。
チップ)を有する半導体装置の改良に閃する。
ψ)技術の背景
半導体チップを収納する半導体パッケージには大別して
セラミックパッケージとプラスチックパッケージとがあ
りプラスチックパッケージの中では七ランク基板間にリ
ードフレームをはさみガラス封止する通常サーデツプ(
Cardip)と呼ばれているパッケージが、メタライ
ズ層を設けてメタル封止する多層セラミックパッケージ
に比べて安価に作成され、しかも信頼性が高いため一般
に広く用いられている。
セラミックパッケージとプラスチックパッケージとがあ
りプラスチックパッケージの中では七ランク基板間にリ
ードフレームをはさみガラス封止する通常サーデツプ(
Cardip)と呼ばれているパッケージが、メタライ
ズ層を設けてメタル封止する多層セラミックパッケージ
に比べて安価に作成され、しかも信頼性が高いため一般
に広く用いられている。
(C)従来技術と問題点
従来上記サーデツプ型パッケージに半導体チップが組立
てられた半導体装置について第1図に要部断面図(第2
図の■〜1′断面)、第2図にパッケージ基体の平面図
、第8図に導電性の金属片(ターミナルチップ)の拡大
断面図を示す。
てられた半導体装置について第1図に要部断面図(第2
図の■〜1′断面)、第2図にパッケージ基体の平面図
、第8図に導電性の金属片(ターミナルチップ)の拡大
断面図を示す。
第1図においてはパッケージ基体、2は該パッケージ基
体に形成されたメタライズ層、3は外部リード4を接着
してなるガラス材、5は半導体チップ、6は導電性の金
属片、7は金属細線、8はキャップ、9は接着封止用ガ
ラスを示す。
体に形成されたメタライズ層、3は外部リード4を接着
してなるガラス材、5は半導体チップ、6は導電性の金
属片、7は金属細線、8はキャップ、9は接着封止用ガ
ラスを示す。
図示したようにパッケージ基体1の中央四部の底面に設
けられたメタライズ層2上に半導体チクブイの背面がオ
ーミック接続になるように接続されている。
けられたメタライズ層2上に半導体チクブイの背面がオ
ーミック接続になるように接続されている。
れている。
所で一般にサーチツブパッケージのメタライズ層3は多
層セラミックパッケージと異なり/ぐツケーヅ基体1上
面に接着封止用ガラス8によって接着された外部リード
フレーム4と電気的に絶縁されているため半導体チップ
5の基板背面に導通が必要な場合にはメタライズ層2上
に第2図に示すように導電性部材よりなる金属片(ター
ミナルチップ)6を配設し、外部リードフレーム4の一
端子4Aとの間に金線細線10によってワイヤボンデン
グし電気的に接続せしめ該ターミナルチップ6を介して
半導体チップ5の基板に均油が行なわれている。尚半導
体チップ5上に形成されたワイヤボンデングバッド11
はそれぞれ外部リードフレーム4にワイヤ7にて接続さ
れている。又−力半導体素子は高集積、高連化のため、
耐熱性において弱い設計となっており、出来るだけ低温
処理を行なうことが望ましい。そのため接着封止用ガラ
ス3・9は出来るだけ低い封着温度(約400−480
℃)の部材で構成される場合がある。
層セラミックパッケージと異なり/ぐツケーヅ基体1上
面に接着封止用ガラス8によって接着された外部リード
フレーム4と電気的に絶縁されているため半導体チップ
5の基板背面に導通が必要な場合にはメタライズ層2上
に第2図に示すように導電性部材よりなる金属片(ター
ミナルチップ)6を配設し、外部リードフレーム4の一
端子4Aとの間に金線細線10によってワイヤボンデン
グし電気的に接続せしめ該ターミナルチップ6を介して
半導体チップ5の基板に均油が行なわれている。尚半導
体チップ5上に形成されたワイヤボンデングバッド11
はそれぞれ外部リードフレーム4にワイヤ7にて接続さ
れている。又−力半導体素子は高集積、高連化のため、
耐熱性において弱い設計となっており、出来るだけ低温
処理を行なうことが望ましい。そのため接着封止用ガラ
ス3・9は出来るだけ低い封着温度(約400−480
℃)の部材で構成される場合がある。
前記導電性部材よりなる々−ミナルチップ6は第3図の
拡大断面図に示すようにコバール(鉄−ニッケル・コバ
ルト合金)、又は42ア四イ(鉄−ニッケル42%合金
)よりなる金属片12の底部13即ちメタライズ層2上
に対向する部分はたとえば金シリコンよりなる部材で形
成され、上部14はたとえばアルミニウムーシリコン部
材より構成されており、上記ターミナルチップ6をメタ
ライズ層2上に接合する場合には約400−480℃の
温度を加えて金−シリコン合金を溶融して接着が行なわ
れる。
拡大断面図に示すようにコバール(鉄−ニッケル・コバ
ルト合金)、又は42ア四イ(鉄−ニッケル42%合金
)よりなる金属片12の底部13即ちメタライズ層2上
に対向する部分はたとえば金シリコンよりなる部材で形
成され、上部14はたとえばアルミニウムーシリコン部
材より構成されており、上記ターミナルチップ6をメタ
ライズ層2上に接合する場合には約400−480℃の
温度を加えて金−シリコン合金を溶融して接着が行なわ
れる。
しかしながらかかる多−ミナルチップは作業温度におい
て前記ガラス8が軟化し接着された外部リードフレーム
4の移動がおこる問題があった。
て前記ガラス8が軟化し接着された外部リードフレーム
4の移動がおこる問題があった。
(d−)発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に低みなされたもので外部
リードフレームの移動を防止し、かつ半導体素子の劣化
を生じない構造を有する半導体装置の提供にある。
リードフレームの移動を防止し、かつ半導体素子の劣化
を生じない構造を有する半導体装置の提供にある。
(−)発明の構成
その目的を達成するため本発明はパッケージ基体に形成
されたメタライズ層に半導体チップと導11L牲の金属
片とが固着され、かつ該金属片上にワイヤボンデングが
なきれてなり、該金属片は該メタウィズ層と対向する面
に鉛、又は鉛系合金層を有することを特徴とする。
されたメタライズ層に半導体チップと導11L牲の金属
片とが固着され、かつ該金属片上にワイヤボンデングが
なきれてなり、該金属片は該メタウィズ層と対向する面
に鉛、又は鉛系合金層を有することを特徴とする。
(0発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して船ul+す
る。第4図は本発明の一実施例の半導体装置内に固着さ
れる導電性の金属片の拡大Mi面図であり前図と同等の
部分については同一符号を付している。
る。第4図は本発明の一実施例の半導体装置内に固着さ
れる導電性の金属片の拡大Mi面図であり前図と同等の
部分については同一符号を付している。
同図において彷・来と異なるijは力市1性の金属片(
ターミナルチップ)20のパッケージ基板に形成された
メタライズ層と対向する面に鉛、又は鉛合金系金属21
を有する点である。
ターミナルチップ)20のパッケージ基板に形成された
メタライズ層と対向する面に鉛、又は鉛合金系金属21
を有する点である。
即ち鉛、又は鉛合金系金属、たとえば鉛−錫一銀の所定
比に混合された合金、或は鉛−インジウムの所定比より
なる合金で形成されておりQ)かるIF# +s′?の
々−ミナルチツプ20を用いて約320℃以下σ)温度
でターミナルチップ20をメタライズ@2(第1図)l
に接着出来る構造にしたことにある。
比に混合された合金、或は鉛−インジウムの所定比より
なる合金で形成されておりQ)かるIF# +s′?の
々−ミナルチツプ20を用いて約320℃以下σ)温度
でターミナルチップ20をメタライズ@2(第1図)l
に接着出来る構造にしたことにある。
かかる構造によればパッケージ基体上面に接着された外
部リードフレームの移動が防止され、かつ低い封着温度
のガラスを使用することにより半導体素子の特性劣化の
危険性を防止することが可能となる。
部リードフレームの移動が防止され、かつ低い封着温度
のガラスを使用することにより半導体素子の特性劣化の
危険性を防止することが可能となる。
特性の劣化を防止し、かつ外部リードフレームの移動を
防止することが可能となり、製品の品質向上に効果があ
る。
防止することが可能となり、製品の品質向上に効果があ
る。
第1図は、従来装置の要Pilll断面図、第2図は同
じくパッケージ基体の平面図、第3図は同じく導電性の
金属片の拡大断面図、第4図は本発明の一実施例の半導
体装置内に固着される導電性の金属片の拡大断面図であ
る。 同図において1はパッケージ基体、2はメタライズ層、
5は半導体チップ、IOはワイヤ、20は導電性の金属
片、21は談金属片の対向な面の鉛、又は鉛合金系金4
を示す。 第1図 第2[IW
じくパッケージ基体の平面図、第3図は同じく導電性の
金属片の拡大断面図、第4図は本発明の一実施例の半導
体装置内に固着される導電性の金属片の拡大断面図であ
る。 同図において1はパッケージ基体、2はメタライズ層、
5は半導体チップ、IOはワイヤ、20は導電性の金属
片、21は談金属片の対向な面の鉛、又は鉛合金系金4
を示す。 第1図 第2[IW
Claims (1)
- パッケージ基体に形成されたメタライズ層に半導体チッ
プと導′llj、牲の金属片とが固着され、かつ該金民
片上にワイヤボンデングがなされてなり、該金属ハは該
メタライズ層と対向する面に、船又は鉛系合金−を有す
ることを特徴とする半導体装1行。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58134031A JPS6025257A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58134031A JPS6025257A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6025257A true JPS6025257A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=15118754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58134031A Pending JPS6025257A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6025257A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58429B2 (ja) * | 1974-08-07 | 1983-01-06 | ヒサミツセイヤク カブシキガイシヤ | シンキナ 2− オキソ −1,2,3,4− テトラヒドロピリド ( 2,3−d ) ピリミジンユウドウタイ オヨビ ソノサンフカエンノ セイゾウホウ |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP58134031A patent/JPS6025257A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58429B2 (ja) * | 1974-08-07 | 1983-01-06 | ヒサミツセイヤク カブシキガイシヤ | シンキナ 2− オキソ −1,2,3,4− テトラヒドロピリド ( 2,3−d ) ピリミジンユウドウタイ オヨビ ソノサンフカエンノ セイゾウホウ |
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