JPS60249339A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS60249339A JPS60249339A JP10471584A JP10471584A JPS60249339A JP S60249339 A JPS60249339 A JP S60249339A JP 10471584 A JP10471584 A JP 10471584A JP 10471584 A JP10471584 A JP 10471584A JP S60249339 A JPS60249339 A JP S60249339A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
この発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、
更に詳細には、従来の樹脂封止型半導体装置よりも密封
性及び耐湿性が高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方
法に関するものである。
更に詳細には、従来の樹脂封止型半導体装置よりも密封
性及び耐湿性が高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方
法に関するものである。
[発明の技術的背景〕
第9図乃至第11図は従来公知の樹脂封止型半導体装置
の外観及び縦断面を示したちのである。
の外観及び縦断面を示したちのである。
該半導体装置は図に示すように樹脂モールド部1と該樹
脂モールド部1から突出する外部接続用リード部2aと
を有しており、外部接続用リード部2aは樹脂モールド
部1内に内蔵されたリードフレーム2と一体となってい
る。 リードフレーム2は第11図に示すように半導体
チップ3が取り付けられるチップ取付部(ディスク)を
構成しているとともに外部接続用リード部2aと反対の
側に肉薄の腕部2bを有している。 この腕部2bは樹
脂モールド部1の成形工程で第12図に示すように樹脂
モールド部成形用金型のキャビティC内にリードフレー
ム2を架橋状態に支持するための部分であり、下金型4
の型合せ面に形成された浅い溝内に支持されるようにな
っている。 リードフレームを支持した金型は、上金型
5と下金型4との型合せ面に形成された湯口6から図示
矢印「1のように溶融樹脂をキャビティC内に注入した
後、該樹脂を硬化させて樹脂モールド部1を形成する。
脂モールド部1から突出する外部接続用リード部2aと
を有しており、外部接続用リード部2aは樹脂モールド
部1内に内蔵されたリードフレーム2と一体となってい
る。 リードフレーム2は第11図に示すように半導体
チップ3が取り付けられるチップ取付部(ディスク)を
構成しているとともに外部接続用リード部2aと反対の
側に肉薄の腕部2bを有している。 この腕部2bは樹
脂モールド部1の成形工程で第12図に示すように樹脂
モールド部成形用金型のキャビティC内にリードフレー
ム2を架橋状態に支持するための部分であり、下金型4
の型合せ面に形成された浅い溝内に支持されるようにな
っている。 リードフレームを支持した金型は、上金型
5と下金型4との型合せ面に形成された湯口6から図示
矢印「1のように溶融樹脂をキャビティC内に注入した
後、該樹脂を硬化させて樹脂モールド部1を形成する。
樹脂モールド部1を金型のキャビティC内から取り出
した後、湯口6の部分は上金型5の突部5aの位置で切
断除去されるが、リードフレーム2に腕部2bはわずか
に残るため、該腕部2bの端面ば第9図乃至第11図に
示すように樹脂モールド部1の表面に露出することにな
る。
した後、湯口6の部分は上金型5の突部5aの位置で切
断除去されるが、リードフレーム2に腕部2bはわずか
に残るため、該腕部2bの端面ば第9図乃至第11図に
示すように樹脂モールド部1の表面に露出することにな
る。
なお、第11図及び第12図において、7は半導体チッ
プ3を被覆しているエンキャップ樹脂、8ば半導体チッ
プ3上の電極パッドとリードフレーム2の接続用リード
部2aとを接続するポンディングワイヤ、4aは樹脂封
止型半導体装置の樹脂モールド部に取付用孔1a (第
9図及び第11図)を形成するために下金型4のキャビ
ティ内に突設された孔抜き用ボスである。
プ3を被覆しているエンキャップ樹脂、8ば半導体チッ
プ3上の電極パッドとリードフレーム2の接続用リード
部2aとを接続するポンディングワイヤ、4aは樹脂封
止型半導体装置の樹脂モールド部に取付用孔1a (第
9図及び第11図)を形成するために下金型4のキャビ
ティ内に突設された孔抜き用ボスである。
[背景技術の問題点]
前記のごとき従来の樹脂封止型半導体装置では樹脂モー
ルド部1の表面にリードフレーム2の腕部2bが露出し
ているため、使用の際に前記腕部2bの露出面が他の装
置の導体部分と接触したり、或いは前記腕部2bの露出
面にごみや水分が付着したりして電気的特性が著しく劣
化づる等の事態を生じゃずいという欠点があった。 ま
た、前記従来装置では前記腕部2bの端面が樹脂モール
ド部1の表面に露出しているので樹脂モールド部1内に
湿気が侵入しやすく、従って信頼性の面では大きな欠陥
となっていた。
ルド部1の表面にリードフレーム2の腕部2bが露出し
ているため、使用の際に前記腕部2bの露出面が他の装
置の導体部分と接触したり、或いは前記腕部2bの露出
面にごみや水分が付着したりして電気的特性が著しく劣
化づる等の事態を生じゃずいという欠点があった。 ま
た、前記従来装置では前記腕部2bの端面が樹脂モール
ド部1の表面に露出しているので樹脂モールド部1内に
湿気が侵入しやすく、従って信頼性の面では大きな欠陥
となっていた。
すなわち、一般にモールド樹脂とリードフレームとは熱
膨張係数がかなり相違するので、成形直後には互いに隙
間なく固着していたとしても周囲温度の昇降による熱ナ
イクルが繰り返されると、リードフレームとモールド樹
脂との相互接着面間には微小な隙間が生じるようになり
、その結果、該腕部2bに沿って湿気の侵入通路が形成
されるからである。
膨張係数がかなり相違するので、成形直後には互いに隙
間なく固着していたとしても周囲温度の昇降による熱ナ
イクルが繰り返されると、リードフレームとモールド樹
脂との相互接着面間には微小な隙間が生じるようになり
、その結果、該腕部2bに沿って湿気の侵入通路が形成
されるからである。
従って、従来は樹脂モールド部成形後に樹脂モールド部
1の表面に露出したリードフレーム2の腕部2bの露出
面とその周囲に■ボキシ樹脂等を塗り重ねて樹脂被覆を
行い、樹脂モールド部1の表面に湿気侵入通路が生じな
いようにしていた。
1の表面に露出したリードフレーム2の腕部2bの露出
面とその周囲に■ボキシ樹脂等を塗り重ねて樹脂被覆を
行い、樹脂モールド部1の表面に湿気侵入通路が生じな
いようにしていた。
しかしながら、このような対策では防湿が十分でないう
え、熱衝撃試験を行うと前記樹脂被覆が剥離してしまう
という事態が生じることがあった。
え、熱衝撃試験を行うと前記樹脂被覆が剥離してしまう
という事態が生じることがあった。
[発明の目的]
この発明の目的は、リードフレームが外部接続用リード
部を除いて樹脂モールド部の表面に露出しない、防湿性
の高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方法を提供する
ことである。
部を除いて樹脂モールド部の表面に露出しない、防湿性
の高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方法を提供する
ことである。
[発明の概要]
この発明によって得られる樹脂封止型半導体装置は、外
部接続用リード部以外は樹脂モールド部の外表面に露出
しないリードフレームを用いて構成されているものであ
る。 そして、この発明の方法は、樹脂封止工程に先立
って該リードフレームの外部接続用リード部以外の部分
に該リードフレームを支持するための絶縁物を固着して
おき、樹脂封止工程では詮リードフレームを樹脂−し−
ルビ成形用金型のキャビディ内に該リードフレームの外
部接続用リード部以外の部分が該キャビティから突出し
ないように設置して樹脂モールド部の成形を行うことを
特徴とするものである。
部接続用リード部以外は樹脂モールド部の外表面に露出
しないリードフレームを用いて構成されているものであ
る。 そして、この発明の方法は、樹脂封止工程に先立
って該リードフレームの外部接続用リード部以外の部分
に該リードフレームを支持するための絶縁物を固着して
おき、樹脂封止工程では詮リードフレームを樹脂−し−
ルビ成形用金型のキャビディ内に該リードフレームの外
部接続用リード部以外の部分が該キャビティから突出し
ないように設置して樹脂モールド部の成形を行うことを
特徴とするものである。
[発明の実施例1
以下に第1図及び第2図を参照し−C本発明の一実施例
について説明する。
について説明する。
第1図及び第2図は本発明による樹脂封止型半導体装置
の構造及びその製造方法を説明するための断面図であり
、同図において第9図乃至第12図と同一符号で表示さ
れ!c部分は従来の半導体装置と同じ部分を示1゜ 本発明の方法では、従来のリードフレーム2とは異なっ
て腕部2bのないリードフレーム9を以って構成されて
いることを特徴どするものにある。
の構造及びその製造方法を説明するための断面図であり
、同図において第9図乃至第12図と同一符号で表示さ
れ!c部分は従来の半導体装置と同じ部分を示1゜ 本発明の方法では、従来のリードフレーム2とは異なっ
て腕部2bのないリードフレーム9を以って構成されて
いることを特徴どするものにある。
また、本発明の方法では、該リードフレーム9に対応し
て腕部2bを支持するための浅い溝が型合せ面に形成さ
れていない下金型4Aを使用するどともに該リードフレ
ーム9の一端側を金型のキャビーjイC内に水平に支持
するための絶縁物10がt−’l +f−]−稈に先立
って該リードフレーム9の一端側に取イ]りされること
を特徴とするものである。
て腕部2bを支持するための浅い溝が型合せ面に形成さ
れていない下金型4Aを使用するどともに該リードフレ
ーム9の一端側を金型のキャビーjイC内に水平に支持
するための絶縁物10がt−’l +f−]−稈に先立
って該リードフレーム9の一端側に取イ]りされること
を特徴とするものである。
本発明は以下のごとき工程からなっている。
まず、腕部21) (第11図及び第12図参照)がな
く且つ外部接続用リード部9a以外は樹脂モールド部成
形用金型のキャビディC内に完全に納まってしまう大き
ざのリードフレーム9の上に半導体デツプ3がダイボン
ディングによって取り付りられ、更にワイヤボンディン
グと半導体チップ丁ン:1−ヤツブ゛とが行われる。
ついで、リードフレーム9の外部接続用リード部9aと
は反対側の端部に該リードフレーム9の上下両面から所
定量(例えばリードフレームの上面に対してはi、om
m、下面に対しては0.6mm)ずつ突出する絶縁物1
0が取り付けられる。 この絶縁物は封止樹脂と同じ拐
料であることが好ましく、たとえばエポキシ樹脂系の成
形体である。 リードフレーム9と絶縁物10との結合
は接着剤等によって行われる。
く且つ外部接続用リード部9a以外は樹脂モールド部成
形用金型のキャビディC内に完全に納まってしまう大き
ざのリードフレーム9の上に半導体デツプ3がダイボン
ディングによって取り付りられ、更にワイヤボンディン
グと半導体チップ丁ン:1−ヤツブ゛とが行われる。
ついで、リードフレーム9の外部接続用リード部9aと
は反対側の端部に該リードフレーム9の上下両面から所
定量(例えばリードフレームの上面に対してはi、om
m、下面に対しては0.6mm)ずつ突出する絶縁物1
0が取り付けられる。 この絶縁物は封止樹脂と同じ拐
料であることが好ましく、たとえばエポキシ樹脂系の成
形体である。 リードフレーム9と絶縁物10との結合
は接着剤等によって行われる。
絶縁物の取付けが終了したリードフレーム9を次の樹脂
封止工程において下金型 4Aのキャビティ内に自動的
に位置決めしくリードフレーム9の孔9bに下金型4A
の小ス14. aを仲人させる)、上金型5を下降して
型締めすると第1図のように絶縁物1oと金型のキャビ
ディの内周壁面との間には空間が形成されるので、リー
ドフレーム9が樹脂モールド部の表面に露出する恐れが
全くなくなる。 第1図のごとき状態で湯口6から溶融
樹脂をキャビティC内に注湯すると、絶縁物10は樹脂
モールド部の中に紡ぐるみされ、また、リードフレーム
9は外部接続用リード部9a以外は樹脂モールド部の中
に完全に鋳ぐるみされる。
封止工程において下金型 4Aのキャビティ内に自動的
に位置決めしくリードフレーム9の孔9bに下金型4A
の小ス14. aを仲人させる)、上金型5を下降して
型締めすると第1図のように絶縁物1oと金型のキャビ
ディの内周壁面との間には空間が形成されるので、リー
ドフレーム9が樹脂モールド部の表面に露出する恐れが
全くなくなる。 第1図のごとき状態で湯口6から溶融
樹脂をキャビティC内に注湯すると、絶縁物10は樹脂
モールド部の中に紡ぐるみされ、また、リードフレーム
9は外部接続用リード部9a以外は樹脂モールド部の中
に完全に鋳ぐるみされる。
本発明の方法、すなわち、外部接続用リード部以外は樹
脂モールド成形用金型のキャビティ内に完全に納まる大
きさの(キャビティ内周縁に達づる部分を有しない)リ
ードフレームを用いるとともに、樹脂封止工程において
該リードフレームの下面をキャビティの下面に接触させ
ぬように支持づるために予め絶縁物支持片を該リードフ
レームの周縁部近傍に取り付けておき、該絶縁物支持片
でリードフレームの一端側を支持しつつ該キャビティ内
にリードフレームを設置することにより樹脂封止を行う
ことを内容とする方法によれば、外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が樹脂モールド部表面に全く露
出しない樹脂封止型半導体装置が形成される。
脂モールド成形用金型のキャビティ内に完全に納まる大
きさの(キャビティ内周縁に達づる部分を有しない)リ
ードフレームを用いるとともに、樹脂封止工程において
該リードフレームの下面をキャビティの下面に接触させ
ぬように支持づるために予め絶縁物支持片を該リードフ
レームの周縁部近傍に取り付けておき、該絶縁物支持片
でリードフレームの一端側を支持しつつ該キャビティ内
にリードフレームを設置することにより樹脂封止を行う
ことを内容とする方法によれば、外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が樹脂モールド部表面に全く露
出しない樹脂封止型半導体装置が形成される。
第3図は絶縁物10とリードフレーム9との固着構造に
関する変形実施例を示したものである。
関する変形実施例を示したものである。
この実施例ではリードフレーム9の端部近傍の上1ζ両
而に突部9fを予め形成しておくことにより、絶縁物1
0どリードフレーム9との結合力を強化している。
而に突部9fを予め形成しておくことにより、絶縁物1
0どリードフレーム9との結合力を強化している。
第4図はリードフレーム9の端面9Cを被覆しない構造
の絶縁物10Aを取り付けた実施例である1、 絶縁物
10Aは予め成形されたものであり、該絶紘物10Aは
接着剤によってリードフレーム9の上下両面に接着され
る。
の絶縁物10Aを取り付けた実施例である1、 絶縁物
10Aは予め成形されたものであり、該絶紘物10Aは
接着剤によってリードフレーム9の上下両面に接着され
る。
第5図は第4図と同じ絶縁物10Aを取り付けであるリ
ードフレーム9のまわりに樹脂モールド部を形成するた
めの金型の変形実施例を示したものである。 この実施
例に示された一L金型5Aと下金型4Bにはそれぞれ絶
縁物10△に当接する突部5b及び4bとが設けられて
いる。 従って、この金型を用いる場合には、樹脂封止
工程では上下の金型の突部5b及び4bによって絶縁物
10Aがリードフレーム9に圧着されるので絶縁物10
Aとリードフレーム9との接着は完全になる。
ードフレーム9のまわりに樹脂モールド部を形成するた
めの金型の変形実施例を示したものである。 この実施
例に示された一L金型5Aと下金型4Bにはそれぞれ絶
縁物10△に当接する突部5b及び4bとが設けられて
いる。 従って、この金型を用いる場合には、樹脂封止
工程では上下の金型の突部5b及び4bによって絶縁物
10Aがリードフレーム9に圧着されるので絶縁物10
Aとリードフレーム9との接着は完全になる。
第6図はリードフレームど絶縁物との双方に関する変形
実施例を示したものである。 この実施例ではリードフ
レームとして孔9dを有するり一ドフレーム9Aが使用
されるとともに絶縁物として該孔9dに嵌着される丸頭
ボルト形の絶縁物10Bが使用されている。 この絶縁
物1’ OBは丸頭ボルト形の頭部10aを有し、該頭
部10aの最大径部分の直径はリードフレーム9Aの孔
9dの直径よりも大きくなっている。 該絶縁物10B
は図に示すようにその頭部10aがリードフレーム9A
の下面から突出するように該孔9d内に嵌入されている
。 該頭部10aの高さ、すなわちリードフレーム9Δ
の下面から突出している高さは、リードフレーム9Aの
下面に被覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっ−
Cいる。また、リードフレーム9Aの上面から該絶縁物
10Bが突出づる高さはリードフレーム9Aの上面に被
覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっている。
実施例を示したものである。 この実施例ではリードフ
レームとして孔9dを有するり一ドフレーム9Aが使用
されるとともに絶縁物として該孔9dに嵌着される丸頭
ボルト形の絶縁物10Bが使用されている。 この絶縁
物1’ OBは丸頭ボルト形の頭部10aを有し、該頭
部10aの最大径部分の直径はリードフレーム9Aの孔
9dの直径よりも大きくなっている。 該絶縁物10B
は図に示すようにその頭部10aがリードフレーム9A
の下面から突出するように該孔9d内に嵌入されている
。 該頭部10aの高さ、すなわちリードフレーム9Δ
の下面から突出している高さは、リードフレーム9Aの
下面に被覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっ−
Cいる。また、リードフレーム9Aの上面から該絶縁物
10Bが突出づる高さはリードフレーム9Aの上面に被
覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっている。
第7図は第6図の実施例において絶縁物10Bとリード
フレーム9Aとの結合構造に関する変形実施例を示した
ものでありこの実施例では絶縁物10Bがかしめ結合に
よってリードフレーム9Aの孔9d内に把持されるよう
になっていることを特徴とするものである。 すなわち
、この実施例では絶縁物10Bを孔9d内に挿入した後
、円筒形の刃を有する工具等を用いてリードフレーム9
Aの上面において孔9dの周囲に環状のハツチ9eを刻
設することによって孔9dの口縁部を縮め、これにより
絶縁物10Bをリードフレーム9Aに対してかしめ結合
させる。
フレーム9Aとの結合構造に関する変形実施例を示した
ものでありこの実施例では絶縁物10Bがかしめ結合に
よってリードフレーム9Aの孔9d内に把持されるよう
になっていることを特徴とするものである。 すなわち
、この実施例では絶縁物10Bを孔9d内に挿入した後
、円筒形の刃を有する工具等を用いてリードフレーム9
Aの上面において孔9dの周囲に環状のハツチ9eを刻
設することによって孔9dの口縁部を縮め、これにより
絶縁物10Bをリードフレーム9Aに対してかしめ結合
させる。
第8図は第6図のごとき絶縁物10Bとリードフレーム
9Aとの結合体に対して使用する金型の変形実施例を示
したものであり、この実施例では上金型として第5図に
示したものと同じ絶縁物10Bの上端面に当接する突部
5 bを佑えた上金型5Aが使用されている。
9Aとの結合体に対して使用する金型の変形実施例を示
したものであり、この実施例では上金型として第5図に
示したものと同じ絶縁物10Bの上端面に当接する突部
5 bを佑えた上金型5Aが使用されている。
以上のいずれの実施例においても、外部接続用リード部
以外は金型のキャビティの内周縁には接触する部分のな
いリードフレームが使用され、該リードフレームの下面
が金型の下面に接触しないように絶縁物と外部接続用リ
ード部とによっC該キャビティ内に該リードフレームを
設置しIc状態で樹脂モールド部の成形が行われ、その
結果、樹脂モールド部の表面には外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が露出することのい本発明の半
導体装置が形成される。 。
以外は金型のキャビティの内周縁には接触する部分のな
いリードフレームが使用され、該リードフレームの下面
が金型の下面に接触しないように絶縁物と外部接続用リ
ード部とによっC該キャビティ内に該リードフレームを
設置しIc状態で樹脂モールド部の成形が行われ、その
結果、樹脂モールド部の表面には外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が露出することのい本発明の半
導体装置が形成される。 。
以上のごとき本発明の方法で製造された本発明の半導体
装置に対してプレッシャークツカーテスト(2気圧、1
21℃)を実施したところ、従来の半導体装置よりもは
るかにすぐれた成績が得られた。 また、多数の試料に
対してリードフレーム裏面の樹脂被覆層の厚さを測定し
たところ、厚みのばらつきは5%以内であり、何らの問
題はないことがわかっl〔。
装置に対してプレッシャークツカーテスト(2気圧、1
21℃)を実施したところ、従来の半導体装置よりもは
るかにすぐれた成績が得られた。 また、多数の試料に
対してリードフレーム裏面の樹脂被覆層の厚さを測定し
たところ、厚みのばらつきは5%以内であり、何らの問
題はないことがわかっl〔。
[発明の効果]
以上のように、本発明の製造方法によれば、従来の樹脂
封止型半導体装置よりもはるかに耐湿性が高く従って信
頼性の高い樹脂1」正型半導体装置が1qられる。
封止型半導体装置よりもはるかに耐湿性が高く従って信
頼性の高い樹脂1」正型半導体装置が1qられる。
また、本発明によれば、前記のごとき本発明の半導体装
置を従来方法よりb高歩留りで生産することのできる半
導体装置製造方法が提供される。
置を従来方法よりb高歩留りで生産することのできる半
導体装置製造方法が提供される。
第1図は本発明方法における樹脂封止工程の断面図、第
2図は第1図の■−■矢視図、第3図は第2図に示した
半導体装置の一部の変形実施例を承り断面図、第4図乃
至第8図は本発明の半導体装置の製造方法においてリー
ドフレーム及び絶縁物の変形実施例と樹脂封止工程で使
用する金型の変形実施例とを示した断面図、第9図は従
来の製造方法で製造された従来の樹脂封止型半導体装置
の斜視図、第10図は第9図の側面図、第11図は第9
図の縦断面図、第12図は第9図の半導体装置を製造づ
−るための従来方法におりる樹脂封止工程の断面図であ
る。 1・・・樹脂モールド部、 1a・・・孔、 2,9゜
9A・・・リードフレーム、 2a 、’9a・・・外
部接続用リード部、 2b・・・腕部、 3・・・半導
体チップ、4.4.A、4B・・・下金型、 5,5Δ
・・・上金型、6・・・湯口、 7・・・エンキャップ
樹脂、 8・・・ボンディングワイヤ、 10,10Δ
、IOB・・・絶縁物、 C・・・キャビティ。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図
2図は第1図の■−■矢視図、第3図は第2図に示した
半導体装置の一部の変形実施例を承り断面図、第4図乃
至第8図は本発明の半導体装置の製造方法においてリー
ドフレーム及び絶縁物の変形実施例と樹脂封止工程で使
用する金型の変形実施例とを示した断面図、第9図は従
来の製造方法で製造された従来の樹脂封止型半導体装置
の斜視図、第10図は第9図の側面図、第11図は第9
図の縦断面図、第12図は第9図の半導体装置を製造づ
−るための従来方法におりる樹脂封止工程の断面図であ
る。 1・・・樹脂モールド部、 1a・・・孔、 2,9゜
9A・・・リードフレーム、 2a 、’9a・・・外
部接続用リード部、 2b・・・腕部、 3・・・半導
体チップ、4.4.A、4B・・・下金型、 5,5Δ
・・・上金型、6・・・湯口、 7・・・エンキャップ
樹脂、 8・・・ボンディングワイヤ、 10,10Δ
、IOB・・・絶縁物、 C・・・キャビティ。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図
Claims (1)
- 1 外部接続用リード部以外は樹脂モールド部の外表面
に露出するリードフレーム部分のない樹脂封止型半導体
装置を製造するにあlCす、外部接続用リード部以外は
樹脂モールド成形用金型のキャビティの周縁部に達する
部分のないリードフレームにその上下両面から所定量ず
つ突出する絶縁物を取り付けておき、樹脂封止工程では
該リードフレームを該絶縁物と該リード部とを介して樹
脂モールド成形用金型のキャどティ内に設置して該リー
ドフレームの外部接続用リード部以外の部分が該キャビ
テイ面に接しない状態を保ちつつ、該樹脂モールド部の
成形を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10471584A JPS60249339A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10471584A JPS60249339A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60249339A true JPS60249339A (ja) | 1985-12-10 |
Family
ID=14388176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10471584A Pending JPS60249339A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60249339A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03132046A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10471584A patent/JPS60249339A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03132046A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
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