JPS60245173A - 絶縁ゲイト型半導体装置 - Google Patents
絶縁ゲイト型半導体装置Info
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- JPS60245173A JPS60245173A JP10025184A JP10025184A JPS60245173A JP S60245173 A JPS60245173 A JP S60245173A JP 10025184 A JP10025184 A JP 10025184A JP 10025184 A JP10025184 A JP 10025184A JP S60245173 A JPS60245173 A JP S60245173A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は半導体集積回路、液晶表示パネル等に用いられ
る絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（以下ＩＧＦという
）に関する。
る絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（以下ＩＧＦという
）に関する。
「従来の技術ｊ
単結晶珪素を用いたＩＧＦは広く半導体分野に用いられ
ている。その代表例は本発明人の発明になる特公昭５Ｏ
−１９８６ｒ半導体装置およびその作製方法」である。
ている。その代表例は本発明人の発明になる特公昭５Ｏ
−１９８６ｒ半導体装置およびその作製方法」である。
しかしチャネル形成領域を単結晶半導体を用いるのでは
なく、水素またはハロゲン元素が１原子％以上の濃度に
添加された非単結晶半導体により設けられたＩＧＦは本
発明人の出願による特願昭５３−１２４０２１ ｒ半導
体装置およびその作製方法」（昭和５３年１０月７日出
願）がその代表例である。
なく、水素またはハロゲン元素が１原子％以上の濃度に
添加された非単結晶半導体により設けられたＩＧＦは本
発明人の出願による特願昭５３−１２４０２１ ｒ半導
体装置およびその作製方法」（昭和５３年１０月７日出
願）がその代表例である。
かかる水素またはハロゲン元素が添加された半導体特に
珪素半導体がチャネル形成領域に用いられたＩＧＦは、
オフ電流が従来より公知の単結晶半導体を用いた場合に
比べて１０３〜１０５分の１も小さい。そのため液晶表
示パネル制御用ＩＧＦとして用いることが有効であると
されている。このＴＧＦは前記した引例のごとく、ゲイ
ト電極がチャネル形成領域の半導体に対しその上側に設
けられた横チャネル型ＩＧＦ 、また本発明人の出願に
なる特願昭５６−００１７６７ ｒ絶縁ゲイト型半導体
装置およびその作製方法」（昭和５６年１月９日）に示
された縦チャネル型ＩＧＦ 、およびゲイト電極がチャ
ネル形成領域を構成する半導体の下側に設けられたいわ
ゆる一般的に公知の薄膜ＩＧＦ ）ランジスタ型が知ら
れている。そのうち後２者に比べ前者の前記した構造は
従来より公知の単結晶珪素を用いたＩＧＦと構造が同じ
であるため、すでに出来上がった技術を応用できるとい
うきわめて優れた特長を有するものであった。
珪素半導体がチャネル形成領域に用いられたＩＧＦは、
オフ電流が従来より公知の単結晶半導体を用いた場合に
比べて１０３〜１０５分の１も小さい。そのため液晶表
示パネル制御用ＩＧＦとして用いることが有効であると
されている。このＴＧＦは前記した引例のごとく、ゲイ
ト電極がチャネル形成領域の半導体に対しその上側に設
けられた横チャネル型ＩＧＦ 、また本発明人の出願に
なる特願昭５６−００１７６７ ｒ絶縁ゲイト型半導体
装置およびその作製方法」（昭和５６年１月９日）に示
された縦チャネル型ＩＧＦ 、およびゲイト電極がチャ
ネル形成領域を構成する半導体の下側に設けられたいわ
ゆる一般的に公知の薄膜ＩＧＦ ）ランジスタ型が知ら
れている。そのうち後２者に比べ前者の前記した構造は
従来より公知の単結晶珪素を用いたＩＧＦと構造が同じ
であるため、すでに出来上がった技術を応用できるとい
うきわめて優れた特長を有するものであった。
しかし他方、かかるＩＧＦにおいては、ソース、ドレイ
ンの作製をＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法を含む）により
薄膜のディボジソションにより行うのではなくイオン注
入等により添加し、かつその添加物を４００℃以下の水
素またはハロゲン元素が脱気しない温度範囲でアニール
により活性のドナーまたはアクセプタとしなければなら
ない。
ンの作製をＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法を含む）により
薄膜のディボジソションにより行うのではなくイオン注
入等により添加し、かつその添加物を４００℃以下の水
素またはハロゲン元素が脱気しない温度範囲でアニール
により活性のドナーまたはアクセプタとしなければなら
ない。
加えて、ソース、ドレイン、特にドレインとチャネル形
成領域との間での逆耐圧の向上がめられている。
成領域との間での逆耐圧の向上がめられている。
「問題を解決するための手段」
本発明は上記の問題を解決するためのものであり、不純
物の添加のないまたはきわめて少ない非単結晶半導体（
以下水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体を単に半導体または非単結晶半導体と略記する）上に
ゲイト絶縁膜およびその上にゲイト電極を選択的に設り
た。さらにこのディト電極をマスクとしてイオン注入法
等によりソース、ドレイン用の不純物例えばＮチャネル
型ではリンまたは砒素、Ｐチャネル型ではホウ素を非単
結晶半導体内部に添加し不純物領域を構成させた。この
後この不活性の不純物が添加された領域に対し、４００
℃以下の温度で強光照射をし、強光アニール（以下単に
光アニールという）を行い、水素またはハロケン元素が
添加残存し、かっ結晶化度がチャネル形成領域よりも助
長された半導体、特に著しくは多結晶または単結晶構造
の半導体にこの不純物領域の半導体を変成せしめ、加え
てこの結晶化をチャネル形成領域にまで延在させること
によりＰＩまたはＮｌ接合部を結晶化度の高い領域とし
たものである。かくすることにより、チャネル形成領域
はオフ電流を少なくするための水素またはハロゲン元素
が添加された非単結晶半導体と接合部での耐圧の向上（
アバランシェブレイクダウン電圧の向上）用に多結晶ま
たは単結晶領域をＰＩまたはＮＩ接合界面近傍に設けた
ものである。
物の添加のないまたはきわめて少ない非単結晶半導体（
以下水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体を単に半導体または非単結晶半導体と略記する）上に
ゲイト絶縁膜およびその上にゲイト電極を選択的に設り
た。さらにこのディト電極をマスクとしてイオン注入法
等によりソース、ドレイン用の不純物例えばＮチャネル
型ではリンまたは砒素、Ｐチャネル型ではホウ素を非単
結晶半導体内部に添加し不純物領域を構成させた。この
後この不活性の不純物が添加された領域に対し、４００
℃以下の温度で強光照射をし、強光アニール（以下単に
光アニールという）を行い、水素またはハロケン元素が
添加残存し、かっ結晶化度がチャネル形成領域よりも助
長された半導体、特に著しくは多結晶または単結晶構造
の半導体にこの不純物領域の半導体を変成せしめ、加え
てこの結晶化をチャネル形成領域にまで延在させること
によりＰＩまたはＮｌ接合部を結晶化度の高い領域とし
たものである。かくすることにより、チャネル形成領域
はオフ電流を少なくするための水素またはハロゲン元素
が添加された非単結晶半導体と接合部での耐圧の向上（
アバランシェブレイクダウン電圧の向上）用に多結晶ま
たは単結晶領域をＰＩまたはＮＩ接合界面近傍に設けた
ものである。
「作用」
その結果、本発明のＩＧＦの構造は、ソース、ドレイン
、特にドレインの接合耐圧を単結晶半導体と同様に高く
することができ、従来のアモルファス半導体を含む薄膜
トランジスタに比べ２０Ｖ近くも向上させることができ
た。加えてゲイト電極が基板上のチャネル形成領域を構
成する非単結晶半導体の上方に設けられ、かっこの半導
体の光学的［！ｇ（珪素半導体の場合１．７〜１．８ｅ
Ｖ）に対し１．６〜１．８ｅνと殆ど同し光学的Ｅｇを
有しかつ活性な不純物領域を得ることができた。がくの
ごと＜、Ｅｇがチャネル形成領域と同じまたはｍ略同じ
であるため、ＩＧＦ （７） ｒＯＮＪ 、ｒＯＦｌ’
Ｊに対しオン電流が立ち上がり時に流れにくかったり
、また他方、電流がたち下がり時にダラダラ流れてしま
ったりすることがない、いわゆるオフ電流が少なく、が
っオン、オフを高速応答で行うことができた。
、特にドレインの接合耐圧を単結晶半導体と同様に高く
することができ、従来のアモルファス半導体を含む薄膜
トランジスタに比べ２０Ｖ近くも向上させることができ
た。加えてゲイト電極が基板上のチャネル形成領域を構
成する非単結晶半導体の上方に設けられ、かっこの半導
体の光学的［！ｇ（珪素半導体の場合１．７〜１．８ｅ
Ｖ）に対し１．６〜１．８ｅνと殆ど同し光学的Ｅｇを
有しかつ活性な不純物領域を得ることができた。がくの
ごと＜、Ｅｇがチャネル形成領域と同じまたはｍ略同じ
であるため、ＩＧＦ （７） ｒＯＮＪ 、ｒＯＦｌ’
Ｊに対しオン電流が立ち上がり時に流れにくかったり
、また他方、電流がたち下がり時にダラダラ流れてしま
ったりすることがない、いわゆるオフ電流が少なく、が
っオン、オフを高速応答で行うことができた。
以下に実施例により本発明を説明する。
「実施例１」
基板（１）として第１図（＾）に示すごとく、厚さ１
、１ｍｍの石英ガラス基板１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍを用
いた。この上面に、シラン（Ｓｉ１１４）のプラズマＣ
ＶＤ（高周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度２１０’Ｃ
）により水素が１原子％以上の濃度に添加されたアモル
ファス構造を含む非単結晶半導体（２）を０．２μの厚
さに形成した。
、１ｍｍの石英ガラス基板１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍを用
いた。この上面に、シラン（Ｓｉ１１４）のプラズマＣ
ＶＤ（高周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度２１０’Ｃ
）により水素が１原子％以上の濃度に添加されたアモル
ファス構造を含む非単結晶半導体（２）を０．２μの厚
さに形成した。
さらにこの上面に光ＣＶＤ法により窒化珪素膜（３）を
ゲイト絶縁膜として積層した。即ち５ｉｚｌｌａ とア
ンモニアまたはヒドラジンとの反応（２５３７人の波長
を含む低圧水銀灯、基板温度２５０°Ｃ）により、ｓｉ
、Ｎ４を水銀増感法を用いることなしに１０００人の厚
さに作製した。
ゲイト絶縁膜として積層した。即ち５ｉｚｌｌａ とア
ンモニアまたはヒドラジンとの反応（２５３７人の波長
を含む低圧水銀灯、基板温度２５０°Ｃ）により、ｓｉ
、Ｎ４を水銀増感法を用いることなしに１０００人の厚
さに作製した。
この後、ＴＧＦを形成する領域（５）を除く他部をプラ
ズマエツチング法により除去した。反応はＣＦ４十０２
（５χ）で１３．５６ＭＨｚ、室温で行った。このゲイ
ト絶縁膜上にＮ“の導電型の微結晶または多結晶半導体
を０．３ μの厚さに積層した。このＮ゛の半導体膜を
レジスト（６）を用いてフォトエツチング法で除去した
後、このレジストとＮ＋半導体のゲイト電極部（４）と
をマスクとしてソース、ドレインとなる領域にイオン注
入法によりＩ Ｘ １０”ｃｍ−３の濃度に第１図（Ｂ
）に示すごとくリンを添加し、一対の不純物領域（７）
、（８）を形成した。
ズマエツチング法により除去した。反応はＣＦ４十０２
（５χ）で１３．５６ＭＨｚ、室温で行った。このゲイ
ト絶縁膜上にＮ“の導電型の微結晶または多結晶半導体
を０．３ μの厚さに積層した。このＮ゛の半導体膜を
レジスト（６）を用いてフォトエツチング法で除去した
後、このレジストとＮ＋半導体のゲイト電極部（４）と
をマスクとしてソース、ドレインとなる領域にイオン注
入法によりＩ Ｘ １０”ｃｍ−３の濃度に第１図（Ｂ
）に示すごとくリンを添加し、一対の不純物領域（７）
、（８）を形成した。
さらにこの基板全体に対し、ゲイト電極のレジストを除
去した後、強光（１０）の光アニールを行った。即ち、
超高圧水銀灯（出力５ＫＷ、波長２５０〜６００ｎｎ＋
、光径１５ｍｍφ、長さ１８０ｍｍ）に対し裏面側は放
物面の反射鏡を用い前方に石英のシリンドリカルレンズ
（焦点距離１５０ｃｍ、集光部中２ｍｍ、長さ１８０ｍ
ｍ）により線状に照射部を構成した。この照射部に対し
基板の照射面を５〜５０ｃｍ／分の速度例えば１０ｃｍ
／分の速さで走査（スキャン）し、基板１０ｃｍ Ｘ
ｌ０ｃｍの全面に強光が照射されるようにした。
去した後、強光（１０）の光アニールを行った。即ち、
超高圧水銀灯（出力５ＫＷ、波長２５０〜６００ｎｎ＋
、光径１５ｍｍφ、長さ１８０ｍｍ）に対し裏面側は放
物面の反射鏡を用い前方に石英のシリンドリカルレンズ
（焦点距離１５０ｃｍ、集光部中２ｍｍ、長さ１８０ｍ
ｍ）により線状に照射部を構成した。この照射部に対し
基板の照射面を５〜５０ｃｍ／分の速度例えば１０ｃｍ
／分の速さで走査（スキャン）し、基板１０ｃｍ Ｘ
ｌ０ｃｍの全面に強光が照射されるようにした。
かくするとゲイト電極部はゲイト電極側にリンが多量に
添加されているため、この電極は十分光を吸収し多結晶
化した。また不純物領域（７） 、 （８）は一度溶融
し再結晶化することにより走査する方向即ちＸ方向に溶
融、再結晶がシフト（移動）させた。その結果単に全面
に均一に加熱または光照射するのみに比べ、成長機構が
加わるため結晶粒径を大きくすることができた。
添加されているため、この電極は十分光を吸収し多結晶
化した。また不純物領域（７） 、 （８）は一度溶融
し再結晶化することにより走査する方向即ちＸ方向に溶
融、再結晶がシフト（移動）させた。その結果単に全面
に均一に加熱または光照射するのみに比べ、成長機構が
加わるため結晶粒径を大きくすることができた。
この強光アニールにより多結晶化した領域を、不純物領
域の外側の全領域にまで及ぼしめた。このため図面に示
されるごとく、その底面は基板（１）上にまで至り、破
線（１１）、（１１’）に示したごとく、不純物領域（
７） 、 （８）の接合界面（１７）、（１７°）より
もチャネル形成領域に０．３〜３μの深さにわたって設
けられ、モホロジ的な界面（１５）、（１５°）はゲイ
ト電極下に設けられている。即ちその端部（１５）（１
５’）はゲイト電極の端部（１６） 、 （１６’）よ
りもチャネル形成領域内側にわたって設けられている。
域の外側の全領域にまで及ぼしめた。このため図面に示
されるごとく、その底面は基板（１）上にまで至り、破
線（１１）、（１１’）に示したごとく、不純物領域（
７） 、 （８）の接合界面（１７）、（１７°）より
もチャネル形成領域に０．３〜３μの深さにわたって設
けられ、モホロジ的な界面（１５）、（１５°）はゲイ
ト電極下に設けられている。即ちその端部（１５）（１
５’）はゲイト電極の端部（１６） 、 （１６’）よ
りもチャネル形成領域内側にわたって設けられている。
かくのどと＜ 、Ｎ（７） 、 （８）−１（２）接合
界面（１７） 、 （１７’ ）が結晶化領域内部に設
けられているため、逆バイアスに対し接合の破壊電圧が
大きくなり高耐圧ＩＧＦを作ることができた。このＩ型
半導体内の結晶化半導体の領域の程度は光アニールの走
査スピード、強度（照度）によって決めることができる
。
界面（１７） 、 （１７’ ）が結晶化領域内部に設
けられているため、逆バイアスに対し接合の破壊電圧が
大きくなり高耐圧ＩＧＦを作ることができた。このＩ型
半導体内の結晶化半導体の領域の程度は光アニールの走
査スピード、強度（照度）によって決めることができる
。
図面においては、この第１図（Ｂ）の工程の後、ＰＩＱ
を全面に２μの厚さにコートし、さらに電極穴（１３）
（１３’）に形成した後、アルミニュームのオームコ
ンタクトおよびそのリード（１４） 、 （１４°）を
形成している。この２層目の（１４） 、 （１４°）
の形成の際、ゲイト電極（４）と連結してもよい。
を全面に２μの厚さにコートし、さらに電極穴（１３）
（１３’）に形成した後、アルミニュームのオームコ
ンタクトおよびそのリード（１４） 、 （１４°）を
形成している。この２層目の（１４） 、 （１４°）
の形成の際、ゲイト電極（４）と連結してもよい。
この光アニールの結果、不純物領域のシート抵抗が光照
射前の４Ｘ１０−３（０ｃｍ） −’より１×１０＋！
（０ｃｍ） −’に比べ光照射アニールの後の電気伝導
度特性の変化により明らかにすることができた。
射前の４Ｘ１０−３（０ｃｍ） −’より１×１０＋！
（０ｃｍ） −’に比べ光照射アニールの後の電気伝導
度特性の変化により明らかにすることができた。
さらにそのドレイン耐圧は第２図曲線（２１）に示され
るごとく、チャネル形成領域の長さが１０μの（９） 場合、チャネル１１が１ｍｍの条件下において、６０Ｖ
まで作ることができた。これはゲイト電圧ＶＧＧ−１０
Ｖとした時の条件である。
るごとく、チャネル形成領域の長さが１０μの（９） 場合、チャネル１１が１ｍｍの条件下において、６０Ｖ
まで作ることができた。これはゲイト電圧ＶＧＧ−１０
Ｖとした時の条件である。
これはこの接合領域がアモルファス構造の従来より公知
の薄膜トランジスタにおいては、３０へ・５０Ｖと大き
くばらつくことを考えると、大きな進歩であった。
の薄膜トランジスタにおいては、３０へ・５０Ｖと大き
くばらつくことを考えると、大きな進歩であった。
「効果」
本発明は下側から漸次被膜を形成し加工するという製造
工程を採用したため、大面積大規模集積化を行うことが
可能になった。そのため大面積例えば３０ｃｍ Ｘ ３
０ｃｍのパネル内に５００ Ｘ５００ケのＩＧＦの作製
すらも可能とすることができ、液晶表示素子の制御用Ｉ
ＧＦとして応用することができた。
工程を採用したため、大面積大規模集積化を行うことが
可能になった。そのため大面積例えば３０ｃｍ Ｘ ３
０ｃｍのパネル内に５００ Ｘ５００ケのＩＧＦの作製
すらも可能とすることができ、液晶表示素子の制御用Ｉ
ＧＦとして応用することができた。
光アニールプロセスにより多結晶化または単結晶化した
半導体をチャネル形成領域にまで延在させた。このため
ドレイン耐圧を従来より２０Ｖ以上向上させることがで
きるようになった。
半導体をチャネル形成領域にまで延在させた。このため
ドレイン耐圧を従来より２０Ｖ以上向上させることがで
きるようになった。
この光アニールを紫外線で行うため、半導体の表面より
内部方向への結晶化を助長させた。この（１０） ため十分に多結晶化または単結晶化した表面近傍の不純
物領域へチャネル形成領域におけるゲイト絶縁膜のごぐ
近傍に流れる電流制御を支障なく行うことが可能となっ
た。
内部方向への結晶化を助長させた。この（１０） ため十分に多結晶化または単結晶化した表面近傍の不純
物領域へチャネル形成領域におけるゲイト絶縁膜のごぐ
近傍に流れる電流制御を支障なく行うことが可能となっ
た。
基板として単結晶半導体をまったく用いていない。この
ため光照射アニール工程に際し、チャネル形成領域のソ
ース、ドレインより離れた内部はまったく何等の影響を
受けず非単結晶半導体の状態を保持できる。そのためオ
フ電流を単結晶半導体の１／１０３〜１／１０’にする
ことができた。
ため光照射アニール工程に際し、チャネル形成領域のソ
ース、ドレインより離れた内部はまったく何等の影響を
受けず非単結晶半導体の状態を保持できる。そのためオ
フ電流を単結晶半導体の１／１０３〜１／１０’にする
ことができた。
ゲイトを作った後ソース、ドレインを光アニールで作製
するため、ゲイト絶縁物界面に汚物が付着することがな
く特性が安定していた。
するため、ゲイト絶縁物界面に汚物が付着することがな
く特性が安定していた。
さらに従来より公知の方法に比べ、基板材料として石英
ガラスのみならず任意の基板であるソーダガラス、耐熱
性有機フィルムをも用いることができる。
ガラスのみならず任意の基板であるソーダガラス、耐熱
性有機フィルムをも用いることができる。
異種材料界面であるチャネル形成領域を構成する半導体
−ゲイト絶縁物−ゲイト電極の形成と同一反応炉内での
プロセスにより、大気に触れさせ（１１） ることなく作り得るため、界面単位の発生が少ないとい
う特長を有する。
−ゲイト絶縁物−ゲイト電極の形成と同一反応炉内での
プロセスにより、大気に触れさせ（１１） ることなく作り得るため、界面単位の発生が少ないとい
う特長を有する。
なお本発明において、チャネル形成領域の非単結晶半導
体の酸素、炭素および窒素のいずれもが５ Ｘ１０１８
ｃｍ−”以下の不純物濃度であることが好ましい。即ち
これらが従来公知のＩＧＦにおいてはチャネル層に１〜
３ Ｘ １０２０ｃｍ−３の濃度に混合してしまった。
体の酸素、炭素および窒素のいずれもが５ Ｘ１０１８
ｃｍ−”以下の不純物濃度であることが好ましい。即ち
これらが従来公知のＩＧＦにおいてはチャネル層に１〜
３ Ｘ １０２０ｃｍ−３の濃度に混合してしまった。
アモルファス珪素半導体を用いる場合においては、キャ
リア特にホールのもつライフタイムが短くなり、特性が
本発明が有する特性の１／３以下の電流しか流れない。
リア特にホールのもつライフタイムが短くなり、特性が
本発明が有する特性の１／３以下の電流しか流れない。
加えてヒステリシス特性を１００ ＶＧＧ特性にドレイ
ン電界を２ｘ１０６Ｖ／ｃｍ以上加える場合に観察され
てしまった。また他方酸素を５ ＸＩＯ”ｃｍ−”以下
とすると、３Ｘ１０６Ｖ／ｃｍの電圧においてもヒステ
リシスの存在が観察されなかった
ン電界を２ｘ１０６Ｖ／ｃｍ以上加える場合に観察され
てしまった。また他方酸素を５ ＸＩＯ”ｃｍ−”以下
とすると、３Ｘ１０６Ｖ／ｃｍの電圧においてもヒステ
リシスの存在が観察されなかった
第１図は本発明の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の製
造工程の縦断面図を示す。 第２図はドレイン電流−ドレイン電圧の特性を示す。 （１２） 茎１０ ト−Ｌｌシ１シンＥ（、し） 京Ｐω
造工程の縦断面図を示す。 第２図はドレイン電流−ドレイン電圧の特性を示す。 （１２） 茎１０ ト−Ｌｌシ１シンＥ（、し） 京Ｐω
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのチャネル形成
領域は水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなり、該半導体に隣接するソースおよびドレイ
ンを構成する一対の不純物領域は前記非単結晶半導体よ
りも結晶化が助長されて設けられ、かつ該結晶化が助長
されて設けられた領域は前記ゲイト電極下のチャネル形
成領域の内部にわたって設けられたことを特徴とする絶
縁ゲイト型半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、水素またはハロゲ
ン元素が１原子％以上の濃度に添加されたチャネル形成
領域は非単結晶半導体と該半導体に比べて結晶化が助長
されて設けられた半導体とにより設けられたことを特徴
とする絶縁ゲイト型半導体装置。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025184A JPS60245173A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
| US06/912,498 US4727044A (en) | 1984-05-18 | 1986-09-29 | Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain |
| US07/153,477 US4959700A (en) | 1984-05-18 | 1988-02-03 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US07/707,178 US5142344A (en) | 1984-05-18 | 1991-05-24 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| JP4333725A JP2648784B2 (ja) | 1984-05-18 | 1992-11-20 | 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
| US07/987,179 US5315132A (en) | 1984-05-18 | 1992-12-08 | Insulated gate field effect transistor |
| US08/054,842 US5313077A (en) | 1984-05-18 | 1993-04-30 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US08/171,769 US6660574B1 (en) | 1984-05-18 | 1993-12-22 | Method of forming a semiconductor device including recombination center neutralizer |
| US08/473,953 US5543636A (en) | 1984-05-18 | 1995-06-07 | Insulated gate field effect transistor |
| US08/944,136 US6680486B1 (en) | 1984-05-18 | 1997-10-06 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US08/947,731 US6221701B1 (en) | 1984-05-18 | 1997-10-16 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US09/406,791 US6734499B1 (en) | 1984-05-18 | 1999-09-28 | Operation method of semiconductor devices |
| US09/406,794 US6635520B1 (en) | 1984-05-18 | 1999-09-28 | Operation method of semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025184A JPS60245173A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4333725A Division JP2648784B2 (ja) | 1984-05-18 | 1992-11-20 | 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
| JP6314313A Division JP2996888B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245173A true JPS60245173A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14269004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10025184A Pending JPS60245173A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245173A (ja) |
Cited By (22)
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-
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- 1984-05-18 JP JP10025184A patent/JPS60245173A/ja active Pending
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