JPS60245172A - 絶縁ゲイト型半導体装置 - Google Patents
絶縁ゲイト型半導体装置Info
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- JPS60245172A JPS60245172A JP10025084A JP10025084A JPS60245172A JP S60245172 A JPS60245172 A JP S60245172A JP 10025084 A JP10025084 A JP 10025084A JP 10025084 A JP10025084 A JP 10025084A JP S60245172 A JPS60245172 A JP S60245172A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は半導体集積回路、液晶表示パネル等に用いられ
る絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（以下ＩＧＦ とい
う）に関する。
る絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（以下ＩＧＦ とい
う）に関する。
「従来の技術ｊ
単結晶珪素を用いたＩＧＦは広く半導体分野に用いられ
ている。その代表例は本発明人の発明になる特公昭５Ｏ
−１９８６ｒ半導体装置およびその作製方法」である。
ている。その代表例は本発明人の発明になる特公昭５Ｏ
−１９８６ｒ半導体装置およびその作製方法」である。
しかしチャネル形成領域を単結晶半導体を用いるのでは
なく、水素またはハロゲン元素が１原子％以上の濃度に
添加された非単結晶半導体により設けられたＩＧＦは本
発明人の出願による特願昭５３−１２４０２１ ｒ半導
体装置およびその作製方法」（昭和５３年１０月７日出
願）がその代表例である。
なく、水素またはハロゲン元素が１原子％以上の濃度に
添加された非単結晶半導体により設けられたＩＧＦは本
発明人の出願による特願昭５３−１２４０２１ ｒ半導
体装置およびその作製方法」（昭和５３年１０月７日出
願）がその代表例である。
かかる水素またはハロゲン元素が添加された半導体特に
珪素半導体がチャネル形成領域に用いられたＩＧＦは、
オフ電流が従来より公知の単結晶半導体を用いた場合に
比べて１０３〜１０５分の１も小さい。そのため液晶表
示パネル制御用ＩＧＦとして用いることが有効であると
されている。このＩＧＦは前記した引例のごとく、ゲイ
ト電極がチャネル形成領域の半導体に対しその上側に設
けられた横チャネル型ＩＧＦ 、また本発明人の出願に
なる特願昭５６−００１７６７ ｒ絶縁ゲイト型半導体
装置およびその作製方法」（昭和５６年１月９日）に示
された縦チャネル型ＩＧＦ 、およびゲイト電極がチャ
ネル形成領域を構成する半導体の下側に設けられたいわ
ゆる一般的に公知の薄膜ＩＧＦ トランジスタ型が知ら
れている。しかしそのうち後２者に比べ前者の前記した
構造は従来より公知の単結晶珪素を用いたＩＧＦと構造
が同じであるため、すでに出来上がった技術を応用でき
るというきわめて優れた特長を有するものであった。
珪素半導体がチャネル形成領域に用いられたＩＧＦは、
オフ電流が従来より公知の単結晶半導体を用いた場合に
比べて１０３〜１０５分の１も小さい。そのため液晶表
示パネル制御用ＩＧＦとして用いることが有効であると
されている。このＩＧＦは前記した引例のごとく、ゲイ
ト電極がチャネル形成領域の半導体に対しその上側に設
けられた横チャネル型ＩＧＦ 、また本発明人の出願に
なる特願昭５６−００１７６７ ｒ絶縁ゲイト型半導体
装置およびその作製方法」（昭和５６年１月９日）に示
された縦チャネル型ＩＧＦ 、およびゲイト電極がチャ
ネル形成領域を構成する半導体の下側に設けられたいわ
ゆる一般的に公知の薄膜ＩＧＦ トランジスタ型が知ら
れている。しかしそのうち後２者に比べ前者の前記した
構造は従来より公知の単結晶珪素を用いたＩＧＦと構造
が同じであるため、すでに出来上がった技術を応用でき
るというきわめて優れた特長を有するものであった。
しかし他方、かかるＩＧＰにおいては、ソース、ドレイ
ンの作製をＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法を含む）により
薄膜のディボジソションを行うのではなくイオン注入等
により添加し、かつその添加物を４００°Ｃ以下の水素
またはハロゲン元素が脱気しない温度範囲でのアニール
により活性のドナーまたはアクセプタとしなければなら
ない。
ンの作製をＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法を含む）により
薄膜のディボジソションを行うのではなくイオン注入等
により添加し、かつその添加物を４００°Ｃ以下の水素
またはハロゲン元素が脱気しない温度範囲でのアニール
により活性のドナーまたはアクセプタとしなければなら
ない。
かかる観点に対し前記した本発明人の出願は必ずしも明
確でない。
確でない。
ｒ問題を解決するための手段」
本発明は上記の問題を解決するだめのものであり、不純
物の添加のないまたはきわめて少ない非単結晶半導体（
以下水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体を単に半導体または非単結晶半導体と略記する）上に
ゲイト絶縁物およびその上にゲイト電極を選択的に設け
た。さらにこのゲイト電極をマスクとしてイオン注入法
等によりソース、ドレイン用の不純物例えばＮチャネル
型ではリンまたは砒素、Ｐチャネル型ではホウ素を非単
結晶半導体内部に添加した。この後この不活性の不純物
が添加された領域に対し、４００℃以下の温度で強光照
射をし、強光アニール（以下単に光アニールという）を
行い、水素またはハロゲン元素が添加残存し、かつ結晶
化度がチャネル形成領域よりも助長された半導体、特に
著しくは多結晶または単結晶構造の半導体に変成せしめ
たことを特徴とするものである。
物の添加のないまたはきわめて少ない非単結晶半導体（
以下水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体を単に半導体または非単結晶半導体と略記する）上に
ゲイト絶縁物およびその上にゲイト電極を選択的に設け
た。さらにこのゲイト電極をマスクとしてイオン注入法
等によりソース、ドレイン用の不純物例えばＮチャネル
型ではリンまたは砒素、Ｐチャネル型ではホウ素を非単
結晶半導体内部に添加した。この後この不活性の不純物
が添加された領域に対し、４００℃以下の温度で強光照
射をし、強光アニール（以下単に光アニールという）を
行い、水素またはハロゲン元素が添加残存し、かつ結晶
化度がチャネル形成領域よりも助長された半導体、特に
著しくは多結晶または単結晶構造の半導体に変成せしめ
たことを特徴とするものである。
即ち本発明は従来より公知の水素またはハロゲン元素が
添加されていない単結晶半導体に対し、イオン注入後レ
ーザアニールを行うのではなく、水素またはハロゲン元
素が１原子％以上一般には５〜２０原子χの濃度に添加
されている非単結晶半導体に対しイオン注入をし、それ
に強光アニールを行い、かつ、好ましくはこの光を基板
表面を一端より他端に走査することにより結晶成長をプ
ロセス上含ませ結晶化度を助長とし不純物領域としたも
のである。
添加されていない単結晶半導体に対し、イオン注入後レ
ーザアニールを行うのではなく、水素またはハロゲン元
素が１原子％以上一般には５〜２０原子χの濃度に添加
されている非単結晶半導体に対しイオン注入をし、それ
に強光アニールを行い、かつ、好ましくはこの光を基板
表面を一端より他端に走査することにより結晶成長をプ
ロセス上含ませ結晶化度を助長とし不純物領域としたも
のである。
「作用」
その結果、本発明のＩＧＦの構造は、ゲイト電極が基板
上のチャネル形成領域を構成する非単結晶半導体の上方
に設けられ、かつこの半導体の光学的Ｅｇ（珪素半導体
の場合１．７〜１．８ｅν）に対し１．６〜１．８ｅＶ
と殆ど同じ光学的Ｅｇを有しかつ活性な不純物領域を得
ることができた。かくのどと＜Ｅｇがチャネル形成領域
と同じまたは概略同じであるため、ＩＧＦのｒＯＮＪ
、ｒＯＦＦ Ｊに対しオン電流が立ち上がり時に流れに
くかったり、また他方、電流がたち下がり時にダラダラ
流れてしまったりすることがない、いわゆるオフ電流が
少なく、かつオン、オフを高速応答で行うことができた
。
上のチャネル形成領域を構成する非単結晶半導体の上方
に設けられ、かつこの半導体の光学的Ｅｇ（珪素半導体
の場合１．７〜１．８ｅν）に対し１．６〜１．８ｅＶ
と殆ど同じ光学的Ｅｇを有しかつ活性な不純物領域を得
ることができた。かくのどと＜Ｅｇがチャネル形成領域
と同じまたは概略同じであるため、ＩＧＦのｒＯＮＪ
、ｒＯＦＦ Ｊに対しオン電流が立ち上がり時に流れに
くかったり、また他方、電流がたち下がり時にダラダラ
流れてしまったりすることがない、いわゆるオフ電流が
少なく、かつオン、オフを高速応答で行うことができた
。
以下に実施例により本発明を説明する。
「実施例１」
基板（１）として第１図（Ａ）に示すごとく、厚さ１．
１ｍｍの石英ガラス基板１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍを用い
た。この上面に、シラン（Ｓｉｌｌｙ）のプラズマＣＶ
Ｄ （高周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度２１０℃）
により水素が１原子％以上の濃度に添加されたアモルフ
ァス構造を含む非単結晶半導体（２）を０．２μの厚さ
に形成した。
１ｍｍの石英ガラス基板１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍを用い
た。この上面に、シラン（Ｓｉｌｌｙ）のプラズマＣＶ
Ｄ （高周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度２１０℃）
により水素が１原子％以上の濃度に添加されたアモルフ
ァス構造を含む非単結晶半導体（２）を０．２μの厚さ
に形成した。
さらにこの上面に光ＣＶＤ法により窒化珪素膜（３）を
ゲイト絶縁膜として積層した。即ちＳｉ２Ｈ６とアンモ
ニアまたはヒドラジンとの反応（２５３７人の波長を含
む低圧水銀灯、基板温度２５０℃）により、５ｉＪ４を
水銀増感法を用いることなしに１０００人の厚さに作製
した。
ゲイト絶縁膜として積層した。即ちＳｉ２Ｈ６とアンモ
ニアまたはヒドラジンとの反応（２５３７人の波長を含
む低圧水銀灯、基板温度２５０℃）により、５ｉＪ４を
水銀増感法を用いることなしに１０００人の厚さに作製
した。
この後、ＴＧＩＩを形成する領域（５）を除く他部をプ
ラズマエツチング法により除去した。反応はＣＦ。
ラズマエツチング法により除去した。反応はＣＦ。
十〇□（５χ）で１３．５６ＭＨｚ、室温で行った。こ
のゲイト絶縁膜上にＮ＋の導電型の微結晶または多結晶
半導体を０．３ μの厚さに積層した。このＮ＋の半導
体膜をレジスト（６）を用いてフォトエツチング法で除
去した後、このレジストとＮ′″半導体のゲイト電極部
（４）とをマスクとしてソース、ドレインとなる領域に
イオン注入法によりＩ ＸＩＯ”ｃ＋ｎ−３の濃度に第
１図（Ｂ）に示すごとくリンを添加し、一対の不純物領
域（７） 、 （８）を形成した。
のゲイト絶縁膜上にＮ＋の導電型の微結晶または多結晶
半導体を０．３ μの厚さに積層した。このＮ＋の半導
体膜をレジスト（６）を用いてフォトエツチング法で除
去した後、このレジストとＮ′″半導体のゲイト電極部
（４）とをマスクとしてソース、ドレインとなる領域に
イオン注入法によりＩ ＸＩＯ”ｃ＋ｎ−３の濃度に第
１図（Ｂ）に示すごとくリンを添加し、一対の不純物領
域（７） 、 （８）を形成した。
さらにこの基板全体に対し、ゲイト電極のレジストを除
去した後、強光（１０）の光アニールを行った。即ち、
超高圧水銀灯（出力５ＫＷ、波長２５０〜６００ｎｍ、
光径１５ｍｍψ、長さ１８０ｍｍ）に対し裏面側は放物
面の反射鏡を用い前方に石英のシリンドリカルレンズ（
焦点距離１５０ｃｍ、集光部中２ｍｍ、長さ１８０ｍｍ
）により線状に照射部を構成した。この照射部に対し基
板の照射面を５〜５０ｃｍ／分の速度で走査（スキャン
）し、基板１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍの全面に強光が照射
されるようにした。
去した後、強光（１０）の光アニールを行った。即ち、
超高圧水銀灯（出力５ＫＷ、波長２５０〜６００ｎｍ、
光径１５ｍｍψ、長さ１８０ｍｍ）に対し裏面側は放物
面の反射鏡を用い前方に石英のシリンドリカルレンズ（
焦点距離１５０ｃｍ、集光部中２ｍｍ、長さ１８０ｍｍ
）により線状に照射部を構成した。この照射部に対し基
板の照射面を５〜５０ｃｍ／分の速度で走査（スキャン
）し、基板１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍの全面に強光が照射
されるようにした。
かくするとゲイト電極部はゲイト電極側にリンが多量に
添加されているため、この電極は十分光を吸収し多結晶
化した。また不純物領域（７） 、 （８）は一度溶融
し再結晶化することにより走査する方向即ちＸ方向に溶
融、再結晶がシフト（移動）させた。その結果単に全面
に均一に加熱または光照射するのみに比べ、成長機構が
加わるため結晶粒径を大きくすることができた。
添加されているため、この電極は十分光を吸収し多結晶
化した。また不純物領域（７） 、 （８）は一度溶融
し再結晶化することにより走査する方向即ちＸ方向に溶
融、再結晶がシフト（移動）させた。その結果単に全面
に均一に加熱または光照射するのみに比べ、成長機構が
加わるため結晶粒径を大きくすることができた。
この強光アニールにより多結晶化した領域は、不純物領
域の下側の全領域にまで及ぶ必要は必ずしもない。図面
での破線（１１） （１１（１１°）に示したごとく、
その上部のみが少なくとも結晶化し不純物が活性になる
ことが重要である。さらに、その端部（１５） （１５
’ ）はゲイト電極の端部（１６） 、 （１６’）に
対しチャネル側にわたって設けられ、Ｎ （７） 、
（８）−１（２）接合界面（１７） 、 （１７’）が
結晶化領域内部に設けられ、チャネル形成領域は■型半
導体の非単結晶半導体および結晶化半導体によりハイブ
リッド構浩に設けた。この■型半導体内の結晶化半導体
の領域の程度は光アニールの走査スピード、強度（照度
）によって決めることができる。
域の下側の全領域にまで及ぶ必要は必ずしもない。図面
での破線（１１） （１１（１１°）に示したごとく、
その上部のみが少なくとも結晶化し不純物が活性になる
ことが重要である。さらに、その端部（１５） （１５
’ ）はゲイト電極の端部（１６） 、 （１６’）に
対しチャネル側にわたって設けられ、Ｎ （７） 、
（８）−１（２）接合界面（１７） 、 （１７’）が
結晶化領域内部に設けられ、チャネル形成領域は■型半
導体の非単結晶半導体および結晶化半導体によりハイブ
リッド構浩に設けた。この■型半導体内の結晶化半導体
の領域の程度は光アニールの走査スピード、強度（照度
）によって決めることができる。
図面においては、この第１図（Ｂ）の工程の後、ＰＩ［
１を全面に２μの厚さにコードン、さらに電極穴（１３
） （１３’ ）に形成した後、アルミニュームのオー
ムコンタクトおよびそのリード（１４）、 （１４’）
を形成している。この２層目の（１４）、（１４’）の
形成の際、ゲイト電極（４）と連結してもよい。
１を全面に２μの厚さにコードン、さらに電極穴（１３
） （１３’ ）に形成した後、アルミニュームのオー
ムコンタクトおよびそのリード（１４）、 （１４’）
を形成している。この２層目の（１４）、（１４’）の
形成の際、ゲイト電極（４）と連結してもよい。
この光アニールの結果、シート抵抗が光照射前の４Ｘ１
０−３（０ｃｍ＞−’よりＩ ＸＩＯ”（０ｃｍ） −
’に比べ光照射アニールの後の電気伝導度特性の変化に
より明らかにすることができた。
０−３（０ｃｍ＞−’よりＩ ＸＩＯ”（０ｃｍ） −
’に比べ光照射アニールの後の電気伝導度特性の変化に
より明らかにすることができた。
チャネル形成領域の長さが３μおよび１０μの場合、チ
ャネル中が１ｍｍの条件下において、それぞれ第２図（
２１） 、 （２２）に示されるごとく、■い−＋２Ｖ
、Ｖ ｏｏ ＝ １０Ｖ ニてＩ Ｘｌ０−５Ａ、 ２
Ｘｌ０−’ＩＩ （７）電流を得ることができた。
ャネル中が１ｍｍの条件下において、それぞれ第２図（
２１） 、 （２２）に示されるごとく、■い−＋２Ｖ
、Ｖ ｏｏ ＝ １０Ｖ ニてＩ Ｘｌ０−５Ａ、 ２
Ｘｌ０−’ＩＩ （７）電流を得ることができた。
なおオフ電流は（ＶＧＧ ＝ ＯＶ） １０− ” 〜
１０− ” （Ａ）であり、単結晶半導体の１０４八に
比べ１０−４の１も小さかった。
１０− ” （Ａ）であり、単結晶半導体の１０４八に
比べ１０−４の１も小さかった。
「効果Ｊ
本発明は下側から漸次被膜を形成し加工するという製造
工程を採用したため、大面積大規模集積化を行うことが
可能になった。そのため大面積例えば３０ｃｍ Ｘ ３
０ｃｍのパネル内に５００ ｘ５００ケのＩＧＦの作製
すらも可能とすることができ、液晶表示素（９） 子の制御用ＩＧＦとして応用することができた。
工程を採用したため、大面積大規模集積化を行うことが
可能になった。そのため大面積例えば３０ｃｍ Ｘ ３
０ｃｍのパネル内に５００ ｘ５００ケのＩＧＦの作製
すらも可能とすることができ、液晶表示素（９） 子の制御用ＩＧＦとして応用することができた。
光アニールプロセスによる４００℃以下の低温処理であ
るため、多結晶化または単結晶化した半導体がその内部
の水素またはハロゲン元素を放出させることを防ぐこと
ができた。
るため、多結晶化または単結晶化した半導体がその内部
の水素またはハロゲン元素を放出させることを防ぐこと
ができた。
また光アニールを基板全面に同時に行うのではなく一端
より他端に走査させた。この目的のため筒状の超高圧水
銀灯を放物ミラーおよび石英レンズにより集光し、線状
の光とし、この光に対し直交した方向に基板を走査する
ことにより面への光アニールを行うことができた。
より他端に走査させた。この目的のため筒状の超高圧水
銀灯を放物ミラーおよび石英レンズにより集光し、線状
の光とし、この光に対し直交した方向に基板を走査する
ことにより面への光アニールを行うことができた。
この先アニールを紫外線で行うため、半導体の表面より
内部方向への結晶化を助長させた。このため十分に多結
晶化または単結晶化した表面近傍の不純物領域へチャネ
ル形成領域におけるゲイト絶縁膜のごく近傍に流れる電
流制御を支障なく行うことが可能となった。
内部方向への結晶化を助長させた。このため十分に多結
晶化または単結晶化した表面近傍の不純物領域へチャネ
ル形成領域におけるゲイト絶縁膜のごく近傍に流れる電
流制御を支障なく行うことが可能となった。
基板として単結晶半導体をまったく用いていない。この
ため光照射アニール工程に際し、チャネル形成領域に添
加された水素またはハロゲン元素（１０） はまったく何等の影響を受けず非単結晶半導体の状態を
保持できる。そのためオフ電流を単結晶半導体の１／１
０’〜１／１０５にすることができる。
ため光照射アニール工程に際し、チャネル形成領域に添
加された水素またはハロゲン元素（１０） はまったく何等の影響を受けず非単結晶半導体の状態を
保持できる。そのためオフ電流を単結晶半導体の１／１
０’〜１／１０５にすることができる。
ゲイトを作った後ソース、ドレインを光アニールで作製
するため、ゲイト絶縁物界面に汚物が付着することがな
く特性が安定していた。
するため、ゲイト絶縁物界面に汚物が付着することがな
く特性が安定していた。
さらに従来より公知の方法に比べ、基板材料として石英
ガラスのみならず任意の基板であるソーダガラス、耐熱
性有機フィルムをも用いることができる。
ガラスのみならず任意の基板であるソーダガラス、耐熱
性有機フィルムをも用いることができる。
異種材料界面であるチャネル形成領域を構成する半導体
−ゲイト絶縁物−ゲイト電極の形成と同一反応炉内での
プロセスにより、大気に触れさせることなく作り得るた
め、界面単位の発生が少ないという特長を有する。
−ゲイト絶縁物−ゲイト電極の形成と同一反応炉内での
プロセスにより、大気に触れさせることなく作り得るた
め、界面単位の発生が少ないという特長を有する。
なお本発明において、チャネル形成領域の非単結晶半導
体の酸素、炭素および窒素のいずれもが５ ＸＩＯ”ｃ
ｍ−３以下の不純物濃度であることが好ましい。即ちこ
れらが従来公知のＩＧＰにおいてはチャネル層に１〜３
Ｘ １０”ｃｎ＋−’の濃度に混合してしく１１） まった。アモルファス珪素半導体を用いる場合において
は、キャリア特にホールのもつライフタイムが短くなり
、特性が本発明が有する特性の１／３以下の電流しか流
れない。加えてヒステリシス特性をＩＤＤ ｖｃｃ特性
にドレイン電界を２Ｘ１０６Ｖ／ｃｍ以上加える場合に
観察されてしまった。また他方酸素を５ ＸＩＯ”ｃｍ
−３以下とすると、３ＸＩＯ６Ｖ／ｃｍの電圧において
もヒステリシスの存在が観察されなかった
体の酸素、炭素および窒素のいずれもが５ ＸＩＯ”ｃ
ｍ−３以下の不純物濃度であることが好ましい。即ちこ
れらが従来公知のＩＧＰにおいてはチャネル層に１〜３
Ｘ １０”ｃｎ＋−’の濃度に混合してしく１１） まった。アモルファス珪素半導体を用いる場合において
は、キャリア特にホールのもつライフタイムが短くなり
、特性が本発明が有する特性の１／３以下の電流しか流
れない。加えてヒステリシス特性をＩＤＤ ｖｃｃ特性
にドレイン電界を２Ｘ１０６Ｖ／ｃｍ以上加える場合に
観察されてしまった。また他方酸素を５ ＸＩＯ”ｃｍ
−３以下とすると、３ＸＩＯ６Ｖ／ｃｍの電圧において
もヒステリシスの存在が観察されなかった
第１図は本発明の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の製
造工程の縦断面図を示す。 第２図はドレイン電流−ゲイト電圧の特性を示す。 特許出願人 （１２） ケ′イＦす及 ＣＶ） ｖ、ｅ−■
造工程の縦断面図を示す。 第２図はドレイン電流−ゲイト電圧の特性を示す。 特許出願人 （１２） ケ′イＦす及 ＣＶ） ｖ、ｅ−■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのチャネル形成
領域は水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなり、該半導体に隣接するソースおよびドレイ
ンを構成する一対の不純物領域は前記チャネル形成領域
の半導体に比べて結晶化が助長されて設けられたことを
特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、一対の不純物領域
は水素またはハロゲン元素が１原子％以上の濃度に添加
された多結晶半導体よりなることを特徴とする絶縁ゲイ
ト型半導体装置。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025084A JPS60245172A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
| US06/912,498 US4727044A (en) | 1984-05-18 | 1986-09-29 | Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain |
| US07/153,477 US4959700A (en) | 1984-05-18 | 1988-02-03 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US07/707,178 US5142344A (en) | 1984-05-18 | 1991-05-24 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US07/987,179 US5315132A (en) | 1984-05-18 | 1992-12-08 | Insulated gate field effect transistor |
| US08/054,842 US5313077A (en) | 1984-05-18 | 1993-04-30 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US08/171,769 US6660574B1 (en) | 1984-05-18 | 1993-12-22 | Method of forming a semiconductor device including recombination center neutralizer |
| US08/473,953 US5543636A (en) | 1984-05-18 | 1995-06-07 | Insulated gate field effect transistor |
| US08/944,136 US6680486B1 (en) | 1984-05-18 | 1997-10-06 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US08/947,731 US6221701B1 (en) | 1984-05-18 | 1997-10-16 | Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method |
| US09/406,794 US6635520B1 (en) | 1984-05-18 | 1999-09-28 | Operation method of semiconductor devices |
| US09/406,791 US6734499B1 (en) | 1984-05-18 | 1999-09-28 | Operation method of semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025084A JPS60245172A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4333724A Division JP2648783B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
| JP6023527A Division JP2996854B2 (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置作製方法 |
| JP6314312A Division JP2996887B2 (ja) | 1984-05-18 | 1994-11-25 | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245172A true JPS60245172A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14268978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10025084A Pending JPS60245172A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245172A (ja) |
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| US6352883B1 (en) | 1991-02-22 | 2002-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
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| US6486495B2 (en) | 1990-07-24 | 2002-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
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-
1984
- 1984-05-18 JP JP10025084A patent/JPS60245172A/ja active Pending
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| JPH04267563A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜半導体装置およびその製法 |
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