JPS61134913A - 磁気抵抗型薄膜ヘツド - Google Patents
磁気抵抗型薄膜ヘツドInfo
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- JPS61134913A JPS61134913A JP25672284A JP25672284A JPS61134913A JP S61134913 A JPS61134913 A JP S61134913A JP 25672284 A JP25672284 A JP 25672284A JP 25672284 A JP25672284 A JP 25672284A JP S61134913 A JPS61134913 A JP S61134913A
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- magnetic
- thin film
- bias
- mre
- mre17
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として磁気テープ、磁気ディスク
を利用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化、低価格化等の要請が強まる中で従来のバルク材料
で作製される磁気ヘッドに代り、薄膜作製技術、フォト
リングラフィ技術を駆使して、狭ギャップ、狭トラック
マイチトラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する
磁気抵抗型薄膜ヘッドに関するものである。
を利用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化、低価格化等の要請が強まる中で従来のバルク材料
で作製される磁気ヘッドに代り、薄膜作製技術、フォト
リングラフィ技術を駆使して、狭ギャップ、狭トラック
マイチトラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する
磁気抵抗型薄膜ヘッドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気記録装置においてトラック密度の向上に伴う
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
ｔ−使った磁気抵抗型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘッドと呼
ぶ）が広く使用されつＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ 、ＩＥＥ
Ｅ、Ｔｒａｎｇ Ｍａｇ、７１５０頁）〉第６図におい
て非磁性基板６１上にＭＲＥとしてパーーｖｏイ（Ｎｉ
−Ｆｅ ） 、 Ｎｉ−Ｃｏ合金の様な強磁性薄膜５
２を短冊状に形成せしめ、磁気記録媒体５３に近接して
、磁気記録媒体６３に記録されている情報を読み出すも
のが基本的かつ従来がら使用されている代表的構造であ
る。
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
ｔ−使った磁気抵抗型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘッドと呼
ぶ）が広く使用されつＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ 、ＩＥＥ
Ｅ、Ｔｒａｎｇ Ｍａｇ、７１５０頁）〉第６図におい
て非磁性基板６１上にＭＲＥとしてパーーｖｏイ（Ｎｉ
−Ｆｅ ） 、 Ｎｉ−Ｃｏ合金の様な強磁性薄膜５
２を短冊状に形成せしめ、磁気記録媒体５３に近接して
、磁気記録媒体６３に記録されている情報を読み出すも
のが基本的かつ従来がら使用されている代表的構造であ
る。
以下ＭＲＥの動作について述べる。即ち、磁気記録媒体
５３からの信号磁界はＭＲＥ５２の磁化を回転させ、こ
れに従ってＭＲＥ ６２の抵抗が変化する。この時にＭ
ＲＥ５２に電通５４ａ、６４ｂ全通してセンス電流Ｉ３
を流しておくとＭＲＥ５２の抵抗変化は、電圧変化に変
換され出力として検知される。
５３からの信号磁界はＭＲＥ５２の磁化を回転させ、こ
れに従ってＭＲＥ ６２の抵抗が変化する。この時にＭ
ＲＥ５２に電通５４ａ、６４ｂ全通してセンス電流Ｉ３
を流しておくとＭＲＥ５２の抵抗変化は、電圧変化に変
換され出力として検知される。
一般にＭＲＥの抵抗変化ΔＲは、センス電流の向遣と、
ＭＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ。
ＭＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ。
最大抵抗変化をΔＲｍａ工とした時、以下の第（１）式
のように表わせる。
のように表わせる。
ΔＲ＝ΔＲｍａｘｃＯ３２θ ・・・・・・・−
・・・・（１）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度ＢＩｌｉ
９．ＭＲＥの飽和磁束密度ｆ Ｂ３とした時、近似的に
第（２）式が成立する。
・・・・（１）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度ＢＩｌｉ
９．ＭＲＥの飽和磁束密度ｆ Ｂ３とした時、近似的に
第（２）式が成立する。
第（１）式、第？）式より以下の第（３）式が導れる。
即ち、ＭＲＥ６２は磁界変化に対して第６図のような抵
抗変化を示す。そしてＭＲＥ ５２の抵抗変化による出
力を高感度化および直線応答化する目的で、磁気平衡点
を第６図のＢ点の位置にするためのバイアス磁界を普通
印加する。
抗変化を示す。そしてＭＲＥ ５２の抵抗変化による出
力を高感度化および直線応答化する目的で、磁気平衡点
を第６図のＢ点の位置にするためのバイアス磁界を普通
印加する。
第５図に示した従来の磁気抵抗型薄膜ヘッドには、以下
に述べるような問題点があり、特に高記録密度を有する
磁気記録装置においては使用されていない。
に述べるような問題点があり、特に高記録密度を有する
磁気記録装置においては使用されていない。
（１）磁気記録媒体上の隣接した磁化からの洩漏磁界に
影響される０ Ｃ２） 基本的に開磁路構成となっているため再生感
度が低い。
影響される０ Ｃ２） 基本的に開磁路構成となっているため再生感
度が低い。
（ｓ）ＭＲＥは常に、磁気記録媒体と常に接することか
ら、耐摩耗性、耐久性に問題がある。
ら、耐摩耗性、耐久性に問題がある。
（４）近年、高密度記録用の媒体として、金属蒸着テー
プが開発され、この蒸着テープの記録磁性層は導電性を
有しているため、ＭＲＥに流すべきセンス電流がテープ
磁性層に流れることになる。この結果、ＭＲヘッドとし
て満足すべき再生出力が得られないばかりか、マルチト
ラック構造が不可能である。
プが開発され、この蒸着テープの記録磁性層は導電性を
有しているため、ＭＲＥに流すべきセンス電流がテープ
磁性層に流れることになる。この結果、ＭＲヘッドとし
て満足すべき再生出力が得られないばかりか、マルチト
ラック構造が不可能である。
また、以上に示された問題点を改良するヘッドとして、
第７図に示されたように、磁気記録媒体からの信号磁界
をＭＲＨに導くためのヨークを有すＨｅａｄｓ 、Ｉ
ＥＥＥ、Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ １７ 、２８８４頁））
第７図において、強磁性基板１０１上にＳ ｚ０２ある
いはＡｌ２Ｏ３などの第１の絶縁層１０２をスパッタ法
などにより形成し、次いで、その上にＭＲＥにバイアス
磁界を印加するための第１の導体薄膜１０３が形成され
る。導体材料としてＣｒＦ地のＡｕあるいはＡ１などを
使用しフォトリングラフィ技術によって所定の形状にパ
ターン化される。その後、ＳｉＯ、５Ｌ０２などの第２
絶縁層１０４７５；蒸着、スパッタなどで形成される。
第７図に示されたように、磁気記録媒体からの信号磁界
をＭＲＨに導くためのヨークを有すＨｅａｄｓ 、Ｉ
ＥＥＥ、Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ １７ 、２８８４頁））
第７図において、強磁性基板１０１上にＳ ｚ０２ある
いはＡｌ２Ｏ３などの第１の絶縁層１０２をスパッタ法
などにより形成し、次いで、その上にＭＲＥにバイアス
磁界を印加するための第１の導体薄膜１０３が形成され
る。導体材料としてＣｒＦ地のＡｕあるいはＡ１などを
使用しフォトリングラフィ技術によって所定の形状にパ
ターン化される。その後、ＳｉＯ、５Ｌ０２などの第２
絶縁層１０４７５；蒸着、スパッタなどで形成される。
この第２絶縁層１０４上にＭＲＥ１０５としてのＮｉ−
Ｆｅ薄膜を電子ビーム蒸着、スパッタ法などで形成した
後、このＮｉ−Ｆｅ 薄膜はフォトリングラフィ技術
によってパターン化される。この時、Ｎｉ −Ｆｅ薄膜
は磁界中蒸着などによシ、磁化容易軸をトラック幅方向
に誘起される。
Ｆｅ薄膜を電子ビーム蒸着、スパッタ法などで形成した
後、このＮｉ−Ｆｅ 薄膜はフォトリングラフィ技術
によってパターン化される。この時、Ｎｉ −Ｆｅ薄膜
は磁界中蒸着などによシ、磁化容易軸をトラック幅方向
に誘起される。
次に、ＭＲＥ１０６にセンセ電流を流すための第２導体
薄膜（図示せず）が形成され、パターン化される。これ
らの上に第３の絶縁層１０６が形成された後、磁気記録
媒体からの信号磁界ＩＭＲＥ１０６に導くための強磁性
薄膜、例えばＮｉ−Ｆｅ薄膜あるいはＦｅ −ＡＩ −
Ｓｉ薄膜、アモルファス軟磁性薄膜が形成され、７オ）
ＩＪングラフィ技術によって前部ヨーク部１０了ａ、
後部ヨーク部１０７ｂが構成される。この時、前部ヨー
ク部１０７ａおよび後部ヨーク部１０アｂはＭＲＥ１０
５と絶縁層１０６ｔ−介して一部オーバラノプしておシ
、磁気記録媒体からの信号磁界がＭＲＩＩ：１０５に導
かれやすいように構成される。次いで、Ｓｉｏ ＊Ｓｉ
ｏ２などのバッシベーシゴン膜１０８が形成され、その
後、接着剤などによってガラス、セラミック等の保護基
板１０９が接着される。以上の工程後、テープ摺動面を
ラップし、磁気ヘッドが完成される。第７図における１
１０は磁気テープであシＡはテープ走行方向である。
薄膜（図示せず）が形成され、パターン化される。これ
らの上に第３の絶縁層１０６が形成された後、磁気記録
媒体からの信号磁界ＩＭＲＥ１０６に導くための強磁性
薄膜、例えばＮｉ−Ｆｅ薄膜あるいはＦｅ −ＡＩ −
Ｓｉ薄膜、アモルファス軟磁性薄膜が形成され、７オ）
ＩＪングラフィ技術によって前部ヨーク部１０了ａ、
後部ヨーク部１０７ｂが構成される。この時、前部ヨー
ク部１０７ａおよび後部ヨーク部１０アｂはＭＲＥ１０
５と絶縁層１０６ｔ−介して一部オーバラノプしておシ
、磁気記録媒体からの信号磁界がＭＲＩＩ：１０５に導
かれやすいように構成される。次いで、Ｓｉｏ ＊Ｓｉ
ｏ２などのバッシベーシゴン膜１０８が形成され、その
後、接着剤などによってガラス、セラミック等の保護基
板１０９が接着される。以上の工程後、テープ摺動面を
ラップし、磁気ヘッドが完成される。第７図における１
１０は磁気テープであシＡはテープ走行方向である。
以上のように、ＹＭＩ’ｔ Ｈは閉磁路構造となってい
る。即ち、磁気記録媒体からの信号磁束は前部ヨーク部
から流入し、ＭＲＥ１０５から後部ヨーク部１ｏ７ｂ、
強磁性基板１０１へと流れ、磁気記録媒体１１０へ還流
する。このため、第６図に示し、た従来例に比べ、再生
感度が高く、また、ギヤツブ部絶縁層を薄く形成できる
ため、より短波信号の再生が可能になる。
る。即ち、磁気記録媒体からの信号磁束は前部ヨーク部
から流入し、ＭＲＥ１０５から後部ヨーク部１ｏ７ｂ、
強磁性基板１０１へと流れ、磁気記録媒体１１０へ還流
する。このため、第６図に示し、た従来例に比べ、再生
感度が高く、また、ギヤツブ部絶縁層を薄く形成できる
ため、より短波信号の再生が可能になる。
また、ＭＲＥ１０５が磁気記録媒体１１０から離れた位
置にあるため、耐摩耗性、耐久性の問題が解決されるば
かりでなく、金属蒸着テープの使用が可能になるなどの
長所を有している。
置にあるため、耐摩耗性、耐久性の問題が解決されるば
かりでなく、金属蒸着テープの使用が可能になるなどの
長所を有している。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記した構成では、高記録密度化に従って
、ＭＲＥが微小パターン化されると、不連続な磁壁移動
に起因するバルクハウゼンノイズが顕著になる。比較的
大きな形状をもつＭＲＥでは、ローカルに発生する不連
続な磁壁移動は、試料全体にわたって平均化されるため
、ＭＲＥは外部磁界に対して第６図のようになだらかな
抵抗変化を示す。しかし、ＭＲＫが微小パターン化され
ると、不連続な磁壁移動は平均化されず、ＭＲ特性にそ
のまま反映され、第８図のようなバルクハ伴って、ＭＲ
Ｅを微小化していくと、バルクハウゼンノイズを発生し
、良好な信号再生を実現できない問題点を有していた。
、ＭＲＥが微小パターン化されると、不連続な磁壁移動
に起因するバルクハウゼンノイズが顕著になる。比較的
大きな形状をもつＭＲＥでは、ローカルに発生する不連
続な磁壁移動は、試料全体にわたって平均化されるため
、ＭＲＥは外部磁界に対して第６図のようになだらかな
抵抗変化を示す。しかし、ＭＲＫが微小パターン化され
ると、不連続な磁壁移動は平均化されず、ＭＲ特性にそ
のまま反映され、第８図のようなバルクハ伴って、ＭＲ
Ｅを微小化していくと、バルクハウゼンノイズを発生し
、良好な信号再生を実現できない問題点を有していた。
本発明は以上の点に鑑み、狭トラツク化により、トラッ
ク密度を上げ、さらに狭ギャップ化により、周波数特性
の高帯域化を図９、磁気テープ磁気記録再生装置におけ
る高密度記録、高信頼性を実現する薄膜再生ヘッドに関
するもので、特に信号磁界をＭＲＥに導くためのヨーク
を有するＭＲヘッドの、低ノイズ化を目的としたもので
ある。
ク密度を上げ、さらに狭ギャップ化により、周波数特性
の高帯域化を図９、磁気テープ磁気記録再生装置におけ
る高密度記録、高信頼性を実現する薄膜再生ヘッドに関
するもので、特に信号磁界をＭＲＥに導くためのヨーク
を有するＭＲヘッドの、低ノイズ化を目的としたもので
ある。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の磁気抵抗型薄膜ヘッ
ドは、強磁性基板を下部磁性層とし、ヨークとして動作
する強磁性薄膜を前部ヨーク、後部ヨーク忙分割され、
その両磁性層間にＭＲＫを形成する。即ち磁気テープか
らの信号磁束は前部ヨークから流入し、前部ヨーク−Ｍ
ＲＥ＝後部ヨークと流れ、バックギャップ部で下部磁性
層である強磁性基板に流入し、最終的に磁気テープに還
流する閉磁路構造を基本構造とし、上記ＭＲＥにバイア
ス磁界を印加するための、バイアス用導体薄膜の少なく
とも、ＭＲＫ：に対向する部分を、ＮＬ−Ｆｅ 、 Ｆ
ｅ −ＡＩ −Ｓｉ あるいはＣｏ −Ｚ ｒ −Ｎｂ
アモルフファス膜などの軟磁性材料で構成される。
ドは、強磁性基板を下部磁性層とし、ヨークとして動作
する強磁性薄膜を前部ヨーク、後部ヨーク忙分割され、
その両磁性層間にＭＲＫを形成する。即ち磁気テープか
らの信号磁束は前部ヨークから流入し、前部ヨーク−Ｍ
ＲＥ＝後部ヨークと流れ、バックギャップ部で下部磁性
層である強磁性基板に流入し、最終的に磁気テープに還
流する閉磁路構造を基本構造とし、上記ＭＲＥにバイア
ス磁界を印加するための、バイアス用導体薄膜の少なく
とも、ＭＲＫ：に対向する部分を、ＮＬ−Ｆｅ 、 Ｆ
ｅ −ＡＩ −Ｓｉ あるいはＣｏ −Ｚ ｒ −Ｎｂ
アモルフファス膜などの軟磁性材料で構成される。
即ち、ＭＲＥは、バイアス用導体薄膜を構成している軟
磁性膜と静磁的結合を行っていることになる。
磁性膜と静磁的結合を行っていることになる。
作 用
ＭＲＥと軟磁性薄膜が互い忙対向するような積層構造を
有する磁性薄膜は、中間層が例えば２０人〜１０００Ａ
の膜厚の時それぞれの磁性膜は、静磁結合するため１、
単層膜と異った磁区構造を持つようになる。即ち、２層
構造を有するＭＲＫは、微細パターン化されると、その
作製条件を通電に選ぶことによシ、各層か互いに、磁化
容易軸方向に反平行に磁化された磁区構造をもたせるこ
とが可能である。このようなＭＲＥには本質的に磁壁移
動は存在しないから、不連続な磁壁移動に伴うバルクハ
ウゼンノイズは皆無となる。
有する磁性薄膜は、中間層が例えば２０人〜１０００Ａ
の膜厚の時それぞれの磁性膜は、静磁結合するため１、
単層膜と異った磁区構造を持つようになる。即ち、２層
構造を有するＭＲＫは、微細パターン化されると、その
作製条件を通電に選ぶことによシ、各層か互いに、磁化
容易軸方向に反平行に磁化された磁区構造をもたせるこ
とが可能である。このようなＭＲＥには本質的に磁壁移
動は存在しないから、不連続な磁壁移動に伴うバルクハ
ウゼンノイズは皆無となる。
さらに、たとえ、磁壁が発生しても、多層構造の場合磁
壁移動をほとんど伴わすＫ、磁化が一斉回転する傾向が
あるため、単層膜で構成されたＭＲＥに比べてバルクハ
ウゼンノイズの発生ヲ抑えることが可能となる。
壁移動をほとんど伴わすＫ、磁化が一斉回転する傾向が
あるため、単層膜で構成されたＭＲＥに比べてバルクハ
ウゼンノイズの発生ヲ抑えることが可能となる。
実施例
本発明の一実施例について以下、図面と共に説明する。
第１図は、本発明の一実施例における磁気抵抗型薄膜磁
気ヘッドのバイアス用導体薄膜の要部拡大図、第２図は
本発明の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの平面図、第３図は
そのｘ −ｘ’断面図である。
気ヘッドのバイアス用導体薄膜の要部拡大図、第２図は
本発明の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの平面図、第３図は
そのｘ −ｘ’断面図である。
第１図〜第３図において、Ｍｎ 〜Ｚｎ単結晶フェライ
トなどの強磁性基板１ｏはまず、ＧＣ砥石。
トなどの強磁性基板１ｏはまず、ＧＣ砥石。
あるいはダイヤモンドペーストなどで光学研磨される。
そしてこの基板上に第１の絶縁層１１１例えばＡ１２ｏ
３膜あるいはＳ １０２膜がスパータ法など釦よって強
磁性基板１ｏ上に全面形成される。この膜厚によってフ
ロントギャップ部１２のギャップ長がコントロールされ
る。この第１の絶縁層１１上にＭＲＥにバイアス磁界を
印加するための第１の導体薄膜１３が形成される。この
ときまずＯｒ下地のＡｕあるいはＡ１などを蒸着し、後
工程で形成されるＭＲＥに対向している部分音エツチン
グにより除去して、２つの非磁性層１４ａ、１４ｂに分
割する。この時エツチングされる部分の長さは、対向す
るＭＲＥの長さよりも少し短かめにしておくマルチヘッ
ドの場合は、同様に設けられたＭＲＥと対向する部分で
すべてバイアス用導体薄膜は分割されることになる。次
に、Ｎｉ −Ｆｅ 、 Ｆｅ−ＡＩ −Ｓｔ 、 Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｎｂなどの軟磁性薄膜１５を形成し、エツチ
ングにより、分割されたそれぞれのバイアス用導体薄Ｍ
’ｅブリッジして、接続するように、対向するＭＲＥと
同じ長さの矩形パターンにパターン化される。
３膜あるいはＳ １０２膜がスパータ法など釦よって強
磁性基板１ｏ上に全面形成される。この膜厚によってフ
ロントギャップ部１２のギャップ長がコントロールされ
る。この第１の絶縁層１１上にＭＲＥにバイアス磁界を
印加するための第１の導体薄膜１３が形成される。この
ときまずＯｒ下地のＡｕあるいはＡ１などを蒸着し、後
工程で形成されるＭＲＥに対向している部分音エツチン
グにより除去して、２つの非磁性層１４ａ、１４ｂに分
割する。この時エツチングされる部分の長さは、対向す
るＭＲＥの長さよりも少し短かめにしておくマルチヘッ
ドの場合は、同様に設けられたＭＲＥと対向する部分で
すべてバイアス用導体薄膜は分割されることになる。次
に、Ｎｉ −Ｆｅ 、 Ｆｅ−ＡＩ −Ｓｔ 、 Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｎｂなどの軟磁性薄膜１５を形成し、エツチ
ングにより、分割されたそれぞれのバイアス用導体薄Ｍ
’ｅブリッジして、接続するように、対向するＭＲＥと
同じ長さの矩形パターンにパターン化される。
この時、軟磁性薄膜は、磁場中蒸着や磁場中アニールな
どの適当な処理によって、第４図の概念図に示すように
矢印Ｆの長さ方向（トラック幅方向）に磁化容易軸が設
定される。尚、矢印Ｍ１１Ｍ２は磁化方を示すものであ
り、また１４は非磁性層である。
どの適当な処理によって、第４図の概念図に示すように
矢印Ｆの長さ方向（トラック幅方向）に磁化容易軸が設
定される。尚、矢印Ｍ１１Ｍ２は磁化方を示すものであ
り、また１４は非磁性層である。
その後、Ｓ ｉｏ 、 Ｓ ｉｏ２などの第２絶縁層１
６が膜厚６００人〜１０ｏＯ人程度で形成される。次い
でこの第２の絶縁層１６上にＭＲＥ１７として動作する
Ｎｉ −Ｆ＠薄膜を膜厚３００人〜６００人程度形成し
、フォトリングラフィ技術忙よって幅１０〜２０μ鳳長
さはほぼトラック幅の所定の形状に微細パターン化され
る。この時も、磁化容易軸はトラック幅方向に設定され
る。第２の絶縁層１６の膜厚は、バイアス用導体薄膜１
３とＭＲＥ１７の絶縁性および対向する軟磁性薄膜１６
との静磁的結合から決定され、５０ｏ人〜１０００Ａが
適当である。
６が膜厚６００人〜１０ｏＯ人程度で形成される。次い
でこの第２の絶縁層１６上にＭＲＥ１７として動作する
Ｎｉ −Ｆ＠薄膜を膜厚３００人〜６００人程度形成し
、フォトリングラフィ技術忙よって幅１０〜２０μ鳳長
さはほぼトラック幅の所定の形状に微細パターン化され
る。この時も、磁化容易軸はトラック幅方向に設定され
る。第２の絶縁層１６の膜厚は、バイアス用導体薄膜１
３とＭＲＥ１７の絶縁性および対向する軟磁性薄膜１６
との静磁的結合から決定され、５０ｏ人〜１０００Ａが
適当である。
次にＭＲＥｌｙにセンス電流を流すための第２の導体薄
膜１８ａ、１８ｂが形成される。これらの上に第３の絶
縁層１９が形成された後、磁気記録媒体からの信号磁界
ｆｃＭＲＥ１７に導くための強磁性薄膜、例えばＮｉ
−Ｆｅ、 Ｆｅ −ＡＩ −３ｉ膜、Ｃ。
膜１８ａ、１８ｂが形成される。これらの上に第３の絶
縁層１９が形成された後、磁気記録媒体からの信号磁界
ｆｃＭＲＥ１７に導くための強磁性薄膜、例えばＮｉ
−Ｆｅ、 Ｆｅ −ＡＩ −３ｉ膜、Ｃ。
−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス膜が形成され、フォトリング
ラフィ技術によって前部ヨーク２０．後部ヨーク２１が
構成される。
ラフィ技術によって前部ヨーク２０．後部ヨーク２１が
構成される。
次いでＳ ｉｏ 、Ｓ ｉｏ２などのバッンベーション
膜２２が形成されその後、接着剤などによってガラス。
膜２２が形成されその後、接着剤などによってガラス。
セラミック等の保護基板２３が接着される。以上の工程
後、テープ摺動面がラップされてヘッドが完成する。
後、テープ摺動面がラップされてヘッドが完成する。
次に、本実施例に示された磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの
動作について説明する。
動作について説明する。
あらかじめ、第１の導体薄膜１３にバイアス電流を流し
バイアス磁界を発生させ、ＭＲＥ１７のＮｉ−Ｆｅ膜の
磁気平衡点を第６図のＢ点の位置に設定しておく。この
設定バイアス位置は、再生感度、直線応答性が最もすぐ
れているところである。
バイアス磁界を発生させ、ＭＲＥ１７のＮｉ−Ｆｅ膜の
磁気平衡点を第６図のＢ点の位置に設定しておく。この
設定バイアス位置は、再生感度、直線応答性が最もすぐ
れているところである。
磁気記録媒体から流入した信号磁界は前部ヨーク２０．
後部ヨーク２１を通ってＭＲＥ１７に作用する。この時
ＭＲＥ１７にセンス電流を通じておくとＭＲＥ１７の抵
抗変化は電圧変化として検知される。ＭＲＥ１７は、バ
イアス用導体薄膜１３を構成する軟磁性薄膜１５と隣接
しているため、本質的に磁壁が存在せず、再生時忙、バ
ルクハウゼンノイズを発生することはなく、高Ｓ／Ｎ
の再生出力が得られることになる。
後部ヨーク２１を通ってＭＲＥ１７に作用する。この時
ＭＲＥ１７にセンス電流を通じておくとＭＲＥ１７の抵
抗変化は電圧変化として検知される。ＭＲＥ１７は、バ
イアス用導体薄膜１３を構成する軟磁性薄膜１５と隣接
しているため、本質的に磁壁が存在せず、再生時忙、バ
ルクハウゼンノイズを発生することはなく、高Ｓ／Ｎ
の再生出力が得られることになる。
なお、本実施例においては、バイアス用導体薄膜１３は
ＭＲＥ１７の対向する部分のみを軟磁性材料にしたが、
バイアス用導体薄膜全体を軟磁性材料で構成しても同様
な効果が得られる。即ち、少くともＭＲＥに対向する部
分のみを軟磁性材料で構成すれば良い。
ＭＲＥ１７の対向する部分のみを軟磁性材料にしたが、
バイアス用導体薄膜全体を軟磁性材料で構成しても同様
な効果が得られる。即ち、少くともＭＲＥに対向する部
分のみを軟磁性材料で構成すれば良い。
発明の効果
以上のように本発明によればＹＭＲヘッドのバイアス用
導体薄膜の少なくともＭＲＥと対向する部分を軟磁性材
料で構成することＫより、ＭＲＥと対向する軟・磁性材
料は、静磁結合により、磁化容易軸に反平行に磁化され
た磁区構造を有するようになる。このようなＭＲＥでは
、磁壁移動は存在しないから、不連続な磁壁移動に起因
するバルクハウゼンノイズを発生せず、高Ｓ／Ｎ の信
号再生が可能になる。
導体薄膜の少なくともＭＲＥと対向する部分を軟磁性材
料で構成することＫより、ＭＲＥと対向する軟・磁性材
料は、静磁結合により、磁化容易軸に反平行に磁化され
た磁区構造を有するようになる。このようなＭＲＥでは
、磁壁移動は存在しないから、不連続な磁壁移動に起因
するバルクハウゼンノイズを発生せず、高Ｓ／Ｎ の信
号再生が可能になる。
第１図は本発明の一実施例における磁気抵抗型薄膜ヘッ
ドのバイアス用導体薄膜部の要部拡大図、第２図は同磁
気抵抗型薄膜ヘッドの平面図、第３図は第２図のｘ−ｘ
’線断面図、第４図は対向する軟磁性薄膜の消磁状態に
おける磁区構造を示す概念図、第６図は従来のＭＲヘッ
ドの概略斜視図、第６図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化
を示す特性図、第７図は従来のＹＭＲヘッドの断面図、
第８図はバルクハウゼンノイズを発生する微細パターン
ＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す特性図である０ １３・・・・・バイアス用導体薄膜、１４＆、１４ｂ・
・・・・・非磁性層、１６・・・・・・軟磁性薄膜、１
７・・・・・・磁気抵抗素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 第５図 第６図 ／’ｌ／２Ｅに６１１加すｂ石ル辱の３叡さ第７図 第８図 。
ドのバイアス用導体薄膜部の要部拡大図、第２図は同磁
気抵抗型薄膜ヘッドの平面図、第３図は第２図のｘ−ｘ
’線断面図、第４図は対向する軟磁性薄膜の消磁状態に
おける磁区構造を示す概念図、第６図は従来のＭＲヘッ
ドの概略斜視図、第６図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化
を示す特性図、第７図は従来のＹＭＲヘッドの断面図、
第８図はバルクハウゼンノイズを発生する微細パターン
ＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す特性図である０ １３・・・・・バイアス用導体薄膜、１４＆、１４ｂ・
・・・・・非磁性層、１６・・・・・・軟磁性薄膜、１
７・・・・・・磁気抵抗素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 第５図 第６図 ／’ｌ／２Ｅに６１１加すｂ石ル辱の３叡さ第７図 第８図 。
Claims (1)
- 強磁性基板上に、強磁性金属材料の磁気抵抗素子と前記
磁気抵抗素子にセンス電流を流す一対の電極と、磁気記
録媒体からの信号磁束を前記磁気抵抗素子へ導くための
強磁性金属材料で構成されたヨークと、前記磁気抵抗素
子にバイアス磁界を印加するバイアス電流を流すために
、前記磁気抵抗素子に対向して設けられたバイアス用導
体薄膜を備えており、前記バイアス用導体薄膜の少なく
とも、前記磁気抵抗素子に対向する部分に軟磁性磁気材
料を形成したことを特徴とする磁気抵抗型薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25672284A JPS61134913A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 磁気抵抗型薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25672284A JPS61134913A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 磁気抵抗型薄膜ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134913A true JPS61134913A (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=17296539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25672284A Pending JPS61134913A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 磁気抵抗型薄膜ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134913A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903158A (en) * | 1988-07-28 | 1990-02-20 | Eastman Kodak Company | MR head with complementary easy axis permanent magnet |
| JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
| EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25672284A patent/JPS61134913A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903158A (en) * | 1988-07-28 | 1990-02-20 | Eastman Kodak Company | MR head with complementary easy axis permanent magnet |
| JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
| EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
| FR2716741A1 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-09-01 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| EP0669609A3 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5653013A (en) * | 1994-08-18 | 1997-08-05 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head |
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