JPS61134913A - 磁気抵抗型薄膜ヘツド - Google Patents
磁気抵抗型薄膜ヘツドInfo
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- JPS61134913A JPS61134913A JP25672284A JP25672284A JPS61134913A JP S61134913 A JPS61134913 A JP S61134913A JP 25672284 A JP25672284 A JP 25672284A JP 25672284 A JP25672284 A JP 25672284A JP S61134913 A JPS61134913 A JP S61134913A
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- bias
- mre
- mre17
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として磁気テープ、磁気ディスク
を利用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化、低価格化等の要請が強まる中で従来のバルク材料
で作製される磁気ヘッドに代り、薄膜作製技術、フォト
リングラフィ技術を駆使して、狭ギャップ、狭トラック
マイチトラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する
磁気抵抗型薄膜ヘッドに関するものである。
を利用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化、低価格化等の要請が強まる中で従来のバルク材料
で作製される磁気ヘッドに代り、薄膜作製技術、フォト
リングラフィ技術を駆使して、狭ギャップ、狭トラック
マイチトラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する
磁気抵抗型薄膜ヘッドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気記録装置においてトラック密度の向上に伴う
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子(以後MREと呼ぶ)
t−使った磁気抵抗型薄膜ヘッド(以後MRヘッドと呼
ぶ)が広く使用されつTransducer 、IEE
E、Trang Mag、7150頁)〉第6図におい
て非磁性基板61上にMREとしてパーーvoイ(Ni
−Fe ) 、 Ni−Co合金の様な強磁性薄膜5
2を短冊状に形成せしめ、磁気記録媒体53に近接して
、磁気記録媒体63に記録されている情報を読み出すも
のが基本的かつ従来がら使用されている代表的構造であ
る。
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子(以後MREと呼ぶ)
t−使った磁気抵抗型薄膜ヘッド(以後MRヘッドと呼
ぶ)が広く使用されつTransducer 、IEE
E、Trang Mag、7150頁)〉第6図におい
て非磁性基板61上にMREとしてパーーvoイ(Ni
−Fe ) 、 Ni−Co合金の様な強磁性薄膜5
2を短冊状に形成せしめ、磁気記録媒体53に近接して
、磁気記録媒体63に記録されている情報を読み出すも
のが基本的かつ従来がら使用されている代表的構造であ
る。
以下MREの動作について述べる。即ち、磁気記録媒体
53からの信号磁界はMRE52の磁化を回転させ、こ
れに従ってMRE 62の抵抗が変化する。この時にM
RE52に電通54a、64b全通してセンス電流I3
を流しておくとMRE52の抵抗変化は、電圧変化に変
換され出力として検知される。
53からの信号磁界はMRE52の磁化を回転させ、こ
れに従ってMRE 62の抵抗が変化する。この時にM
RE52に電通54a、64b全通してセンス電流I3
を流しておくとMRE52の抵抗変化は、電圧変化に変
換され出力として検知される。
一般にMREの抵抗変化ΔRは、センス電流の向遣と、
MREの磁化の向きとがなす角度をθ。
MREの磁化の向きとがなす角度をθ。
最大抵抗変化をΔRma工とした時、以下の第(1)式
のように表わせる。
のように表わせる。
ΔR=ΔRmaxcO32θ ・・・・・・・−
・・・・(1)また、MRE内の信号磁束密度BIli
9.MREの飽和磁束密度f B3とした時、近似的に
第(2)式が成立する。
・・・・(1)また、MRE内の信号磁束密度BIli
9.MREの飽和磁束密度f B3とした時、近似的に
第(2)式が成立する。
第(1)式、第?)式より以下の第(3)式が導れる。
即ち、MRE62は磁界変化に対して第6図のような抵
抗変化を示す。そしてMRE 52の抵抗変化による出
力を高感度化および直線応答化する目的で、磁気平衡点
を第6図のB点の位置にするためのバイアス磁界を普通
印加する。
抗変化を示す。そしてMRE 52の抵抗変化による出
力を高感度化および直線応答化する目的で、磁気平衡点
を第6図のB点の位置にするためのバイアス磁界を普通
印加する。
第5図に示した従来の磁気抵抗型薄膜ヘッドには、以下
に述べるような問題点があり、特に高記録密度を有する
磁気記録装置においては使用されていない。
に述べるような問題点があり、特に高記録密度を有する
磁気記録装置においては使用されていない。
(1)磁気記録媒体上の隣接した磁化からの洩漏磁界に
影響される0 C2) 基本的に開磁路構成となっているため再生感
度が低い。
影響される0 C2) 基本的に開磁路構成となっているため再生感
度が低い。
(s)MREは常に、磁気記録媒体と常に接することか
ら、耐摩耗性、耐久性に問題がある。
ら、耐摩耗性、耐久性に問題がある。
(4)近年、高密度記録用の媒体として、金属蒸着テー
プが開発され、この蒸着テープの記録磁性層は導電性を
有しているため、MREに流すべきセンス電流がテープ
磁性層に流れることになる。この結果、MRヘッドとし
て満足すべき再生出力が得られないばかりか、マルチト
ラック構造が不可能である。
プが開発され、この蒸着テープの記録磁性層は導電性を
有しているため、MREに流すべきセンス電流がテープ
磁性層に流れることになる。この結果、MRヘッドとし
て満足すべき再生出力が得られないばかりか、マルチト
ラック構造が不可能である。
また、以上に示された問題点を改良するヘッドとして、
第7図に示されたように、磁気記録媒体からの信号磁界
をMRHに導くためのヨークを有すHeads 、I
EEE、Trans Mag 17 、2884頁))
第7図において、強磁性基板101上にS z02ある
いはAl2O3などの第1の絶縁層102をスパッタ法
などにより形成し、次いで、その上にMREにバイアス
磁界を印加するための第1の導体薄膜103が形成され
る。導体材料としてCrF地のAuあるいはA1などを
使用しフォトリングラフィ技術によって所定の形状にパ
ターン化される。その後、SiO、5L02などの第2
絶縁層10475;蒸着、スパッタなどで形成される。
第7図に示されたように、磁気記録媒体からの信号磁界
をMRHに導くためのヨークを有すHeads 、I
EEE、Trans Mag 17 、2884頁))
第7図において、強磁性基板101上にS z02ある
いはAl2O3などの第1の絶縁層102をスパッタ法
などにより形成し、次いで、その上にMREにバイアス
磁界を印加するための第1の導体薄膜103が形成され
る。導体材料としてCrF地のAuあるいはA1などを
使用しフォトリングラフィ技術によって所定の形状にパ
ターン化される。その後、SiO、5L02などの第2
絶縁層10475;蒸着、スパッタなどで形成される。
この第2絶縁層104上にMRE105としてのNi−
Fe薄膜を電子ビーム蒸着、スパッタ法などで形成した
後、このNi−Fe 薄膜はフォトリングラフィ技術
によってパターン化される。この時、Ni −Fe薄膜
は磁界中蒸着などによシ、磁化容易軸をトラック幅方向
に誘起される。
Fe薄膜を電子ビーム蒸着、スパッタ法などで形成した
後、このNi−Fe 薄膜はフォトリングラフィ技術
によってパターン化される。この時、Ni −Fe薄膜
は磁界中蒸着などによシ、磁化容易軸をトラック幅方向
に誘起される。
次に、MRE106にセンセ電流を流すための第2導体
薄膜(図示せず)が形成され、パターン化される。これ
らの上に第3の絶縁層106が形成された後、磁気記録
媒体からの信号磁界IMRE106に導くための強磁性
薄膜、例えばNi−Fe薄膜あるいはFe −AI −
Si薄膜、アモルファス軟磁性薄膜が形成され、7オ)
IJングラフィ技術によって前部ヨーク部10了a、
後部ヨーク部107bが構成される。この時、前部ヨー
ク部107aおよび後部ヨーク部10アbはMRE10
5と絶縁層106t−介して一部オーバラノプしておシ
、磁気記録媒体からの信号磁界がMRII:105に導
かれやすいように構成される。次いで、Sio *Si
o2などのバッシベーシゴン膜108が形成され、その
後、接着剤などによってガラス、セラミック等の保護基
板109が接着される。以上の工程後、テープ摺動面を
ラップし、磁気ヘッドが完成される。第7図における1
10は磁気テープであシAはテープ走行方向である。
薄膜(図示せず)が形成され、パターン化される。これ
らの上に第3の絶縁層106が形成された後、磁気記録
媒体からの信号磁界IMRE106に導くための強磁性
薄膜、例えばNi−Fe薄膜あるいはFe −AI −
Si薄膜、アモルファス軟磁性薄膜が形成され、7オ)
IJングラフィ技術によって前部ヨーク部10了a、
後部ヨーク部107bが構成される。この時、前部ヨー
ク部107aおよび後部ヨーク部10アbはMRE10
5と絶縁層106t−介して一部オーバラノプしておシ
、磁気記録媒体からの信号磁界がMRII:105に導
かれやすいように構成される。次いで、Sio *Si
o2などのバッシベーシゴン膜108が形成され、その
後、接着剤などによってガラス、セラミック等の保護基
板109が接着される。以上の工程後、テープ摺動面を
ラップし、磁気ヘッドが完成される。第7図における1
10は磁気テープであシAはテープ走行方向である。
以上のように、YMI’t Hは閉磁路構造となってい
る。即ち、磁気記録媒体からの信号磁束は前部ヨーク部
から流入し、MRE105から後部ヨーク部1o7b、
強磁性基板101へと流れ、磁気記録媒体110へ還流
する。このため、第6図に示し、た従来例に比べ、再生
感度が高く、また、ギヤツブ部絶縁層を薄く形成できる
ため、より短波信号の再生が可能になる。
る。即ち、磁気記録媒体からの信号磁束は前部ヨーク部
から流入し、MRE105から後部ヨーク部1o7b、
強磁性基板101へと流れ、磁気記録媒体110へ還流
する。このため、第6図に示し、た従来例に比べ、再生
感度が高く、また、ギヤツブ部絶縁層を薄く形成できる
ため、より短波信号の再生が可能になる。
また、MRE105が磁気記録媒体110から離れた位
置にあるため、耐摩耗性、耐久性の問題が解決されるば
かりでなく、金属蒸着テープの使用が可能になるなどの
長所を有している。
置にあるため、耐摩耗性、耐久性の問題が解決されるば
かりでなく、金属蒸着テープの使用が可能になるなどの
長所を有している。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記した構成では、高記録密度化に従って
、MREが微小パターン化されると、不連続な磁壁移動
に起因するバルクハウゼンノイズが顕著になる。比較的
大きな形状をもつMREでは、ローカルに発生する不連
続な磁壁移動は、試料全体にわたって平均化されるため
、MREは外部磁界に対して第6図のようになだらかな
抵抗変化を示す。しかし、MRKが微小パターン化され
ると、不連続な磁壁移動は平均化されず、MR特性にそ
のまま反映され、第8図のようなバルクハ伴って、MR
Eを微小化していくと、バルクハウゼンノイズを発生し
、良好な信号再生を実現できない問題点を有していた。
、MREが微小パターン化されると、不連続な磁壁移動
に起因するバルクハウゼンノイズが顕著になる。比較的
大きな形状をもつMREでは、ローカルに発生する不連
続な磁壁移動は、試料全体にわたって平均化されるため
、MREは外部磁界に対して第6図のようになだらかな
抵抗変化を示す。しかし、MRKが微小パターン化され
ると、不連続な磁壁移動は平均化されず、MR特性にそ
のまま反映され、第8図のようなバルクハ伴って、MR
Eを微小化していくと、バルクハウゼンノイズを発生し
、良好な信号再生を実現できない問題点を有していた。
本発明は以上の点に鑑み、狭トラツク化により、トラッ
ク密度を上げ、さらに狭ギャップ化により、周波数特性
の高帯域化を図9、磁気テープ磁気記録再生装置におけ
る高密度記録、高信頼性を実現する薄膜再生ヘッドに関
するもので、特に信号磁界をMREに導くためのヨーク
を有するMRヘッドの、低ノイズ化を目的としたもので
ある。
ク密度を上げ、さらに狭ギャップ化により、周波数特性
の高帯域化を図9、磁気テープ磁気記録再生装置におけ
る高密度記録、高信頼性を実現する薄膜再生ヘッドに関
するもので、特に信号磁界をMREに導くためのヨーク
を有するMRヘッドの、低ノイズ化を目的としたもので
ある。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の磁気抵抗型薄膜ヘッ
ドは、強磁性基板を下部磁性層とし、ヨークとして動作
する強磁性薄膜を前部ヨーク、後部ヨーク忙分割され、
その両磁性層間にMRKを形成する。即ち磁気テープか
らの信号磁束は前部ヨークから流入し、前部ヨーク−M
RE=後部ヨークと流れ、バックギャップ部で下部磁性
層である強磁性基板に流入し、最終的に磁気テープに還
流する閉磁路構造を基本構造とし、上記MREにバイア
ス磁界を印加するための、バイアス用導体薄膜の少なく
とも、MRK:に対向する部分を、NL−Fe 、 F
e −AI −Si あるいはCo −Z r −Nb
アモルフファス膜などの軟磁性材料で構成される。
ドは、強磁性基板を下部磁性層とし、ヨークとして動作
する強磁性薄膜を前部ヨーク、後部ヨーク忙分割され、
その両磁性層間にMRKを形成する。即ち磁気テープか
らの信号磁束は前部ヨークから流入し、前部ヨーク−M
RE=後部ヨークと流れ、バックギャップ部で下部磁性
層である強磁性基板に流入し、最終的に磁気テープに還
流する閉磁路構造を基本構造とし、上記MREにバイア
ス磁界を印加するための、バイアス用導体薄膜の少なく
とも、MRK:に対向する部分を、NL−Fe 、 F
e −AI −Si あるいはCo −Z r −Nb
アモルフファス膜などの軟磁性材料で構成される。
即ち、MREは、バイアス用導体薄膜を構成している軟
磁性膜と静磁的結合を行っていることになる。
磁性膜と静磁的結合を行っていることになる。
作 用
MREと軟磁性薄膜が互い忙対向するような積層構造を
有する磁性薄膜は、中間層が例えば20人〜1000A
の膜厚の時それぞれの磁性膜は、静磁結合するため1、
単層膜と異った磁区構造を持つようになる。即ち、2層
構造を有するMRKは、微細パターン化されると、その
作製条件を通電に選ぶことによシ、各層か互いに、磁化
容易軸方向に反平行に磁化された磁区構造をもたせるこ
とが可能である。このようなMREには本質的に磁壁移
動は存在しないから、不連続な磁壁移動に伴うバルクハ
ウゼンノイズは皆無となる。
有する磁性薄膜は、中間層が例えば20人〜1000A
の膜厚の時それぞれの磁性膜は、静磁結合するため1、
単層膜と異った磁区構造を持つようになる。即ち、2層
構造を有するMRKは、微細パターン化されると、その
作製条件を通電に選ぶことによシ、各層か互いに、磁化
容易軸方向に反平行に磁化された磁区構造をもたせるこ
とが可能である。このようなMREには本質的に磁壁移
動は存在しないから、不連続な磁壁移動に伴うバルクハ
ウゼンノイズは皆無となる。
さらに、たとえ、磁壁が発生しても、多層構造の場合磁
壁移動をほとんど伴わすK、磁化が一斉回転する傾向が
あるため、単層膜で構成されたMREに比べてバルクハ
ウゼンノイズの発生ヲ抑えることが可能となる。
壁移動をほとんど伴わすK、磁化が一斉回転する傾向が
あるため、単層膜で構成されたMREに比べてバルクハ
ウゼンノイズの発生ヲ抑えることが可能となる。
実施例
本発明の一実施例について以下、図面と共に説明する。
第1図は、本発明の一実施例における磁気抵抗型薄膜磁
気ヘッドのバイアス用導体薄膜の要部拡大図、第2図は
本発明の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの平面図、第3図は
そのx −x’断面図である。
気ヘッドのバイアス用導体薄膜の要部拡大図、第2図は
本発明の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの平面図、第3図は
そのx −x’断面図である。
第1図〜第3図において、Mn 〜Zn単結晶フェライ
トなどの強磁性基板1oはまず、GC砥石。
トなどの強磁性基板1oはまず、GC砥石。
あるいはダイヤモンドペーストなどで光学研磨される。
そしてこの基板上に第1の絶縁層111例えばA12o
3膜あるいはS 102膜がスパータ法など釦よって強
磁性基板1o上に全面形成される。この膜厚によってフ
ロントギャップ部12のギャップ長がコントロールされ
る。この第1の絶縁層11上にMREにバイアス磁界を
印加するための第1の導体薄膜13が形成される。この
ときまずOr下地のAuあるいはA1などを蒸着し、後
工程で形成されるMREに対向している部分音エツチン
グにより除去して、2つの非磁性層14a、14bに分
割する。この時エツチングされる部分の長さは、対向す
るMREの長さよりも少し短かめにしておくマルチヘッ
ドの場合は、同様に設けられたMREと対向する部分で
すべてバイアス用導体薄膜は分割されることになる。次
に、Ni −Fe 、 Fe−AI −St 、 Co
−Zr−Nbなどの軟磁性薄膜15を形成し、エツチ
ングにより、分割されたそれぞれのバイアス用導体薄M
’eブリッジして、接続するように、対向するMREと
同じ長さの矩形パターンにパターン化される。
3膜あるいはS 102膜がスパータ法など釦よって強
磁性基板1o上に全面形成される。この膜厚によってフ
ロントギャップ部12のギャップ長がコントロールされ
る。この第1の絶縁層11上にMREにバイアス磁界を
印加するための第1の導体薄膜13が形成される。この
ときまずOr下地のAuあるいはA1などを蒸着し、後
工程で形成されるMREに対向している部分音エツチン
グにより除去して、2つの非磁性層14a、14bに分
割する。この時エツチングされる部分の長さは、対向す
るMREの長さよりも少し短かめにしておくマルチヘッ
ドの場合は、同様に設けられたMREと対向する部分で
すべてバイアス用導体薄膜は分割されることになる。次
に、Ni −Fe 、 Fe−AI −St 、 Co
−Zr−Nbなどの軟磁性薄膜15を形成し、エツチ
ングにより、分割されたそれぞれのバイアス用導体薄M
’eブリッジして、接続するように、対向するMREと
同じ長さの矩形パターンにパターン化される。
この時、軟磁性薄膜は、磁場中蒸着や磁場中アニールな
どの適当な処理によって、第4図の概念図に示すように
矢印Fの長さ方向(トラック幅方向)に磁化容易軸が設
定される。尚、矢印M11M2は磁化方を示すものであ
り、また14は非磁性層である。
どの適当な処理によって、第4図の概念図に示すように
矢印Fの長さ方向(トラック幅方向)に磁化容易軸が設
定される。尚、矢印M11M2は磁化方を示すものであ
り、また14は非磁性層である。
その後、S io 、 S io2などの第2絶縁層1
6が膜厚600人〜10oO人程度で形成される。次い
でこの第2の絶縁層16上にMRE17として動作する
Ni −F@薄膜を膜厚300人〜600人程度形成し
、フォトリングラフィ技術忙よって幅10〜20μ鳳長
さはほぼトラック幅の所定の形状に微細パターン化され
る。この時も、磁化容易軸はトラック幅方向に設定され
る。第2の絶縁層16の膜厚は、バイアス用導体薄膜1
3とMRE17の絶縁性および対向する軟磁性薄膜16
との静磁的結合から決定され、50o人〜1000Aが
適当である。
6が膜厚600人〜10oO人程度で形成される。次い
でこの第2の絶縁層16上にMRE17として動作する
Ni −F@薄膜を膜厚300人〜600人程度形成し
、フォトリングラフィ技術忙よって幅10〜20μ鳳長
さはほぼトラック幅の所定の形状に微細パターン化され
る。この時も、磁化容易軸はトラック幅方向に設定され
る。第2の絶縁層16の膜厚は、バイアス用導体薄膜1
3とMRE17の絶縁性および対向する軟磁性薄膜16
との静磁的結合から決定され、50o人〜1000Aが
適当である。
次にMRElyにセンス電流を流すための第2の導体薄
膜18a、18bが形成される。これらの上に第3の絶
縁層19が形成された後、磁気記録媒体からの信号磁界
fcMRE17に導くための強磁性薄膜、例えばNi
−Fe、 Fe −AI −3i膜、C。
膜18a、18bが形成される。これらの上に第3の絶
縁層19が形成された後、磁気記録媒体からの信号磁界
fcMRE17に導くための強磁性薄膜、例えばNi
−Fe、 Fe −AI −3i膜、C。
−Zr−Nbアモルファス膜が形成され、フォトリング
ラフィ技術によって前部ヨーク20.後部ヨーク21が
構成される。
ラフィ技術によって前部ヨーク20.後部ヨーク21が
構成される。
次いでS io 、S io2などのバッンベーション
膜22が形成されその後、接着剤などによってガラス。
膜22が形成されその後、接着剤などによってガラス。
セラミック等の保護基板23が接着される。以上の工程
後、テープ摺動面がラップされてヘッドが完成する。
後、テープ摺動面がラップされてヘッドが完成する。
次に、本実施例に示された磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの
動作について説明する。
動作について説明する。
あらかじめ、第1の導体薄膜13にバイアス電流を流し
バイアス磁界を発生させ、MRE17のNi−Fe膜の
磁気平衡点を第6図のB点の位置に設定しておく。この
設定バイアス位置は、再生感度、直線応答性が最もすぐ
れているところである。
バイアス磁界を発生させ、MRE17のNi−Fe膜の
磁気平衡点を第6図のB点の位置に設定しておく。この
設定バイアス位置は、再生感度、直線応答性が最もすぐ
れているところである。
磁気記録媒体から流入した信号磁界は前部ヨーク20.
後部ヨーク21を通ってMRE17に作用する。この時
MRE17にセンス電流を通じておくとMRE17の抵
抗変化は電圧変化として検知される。MRE17は、バ
イアス用導体薄膜13を構成する軟磁性薄膜15と隣接
しているため、本質的に磁壁が存在せず、再生時忙、バ
ルクハウゼンノイズを発生することはなく、高S/N
の再生出力が得られることになる。
後部ヨーク21を通ってMRE17に作用する。この時
MRE17にセンス電流を通じておくとMRE17の抵
抗変化は電圧変化として検知される。MRE17は、バ
イアス用導体薄膜13を構成する軟磁性薄膜15と隣接
しているため、本質的に磁壁が存在せず、再生時忙、バ
ルクハウゼンノイズを発生することはなく、高S/N
の再生出力が得られることになる。
なお、本実施例においては、バイアス用導体薄膜13は
MRE17の対向する部分のみを軟磁性材料にしたが、
バイアス用導体薄膜全体を軟磁性材料で構成しても同様
な効果が得られる。即ち、少くともMREに対向する部
分のみを軟磁性材料で構成すれば良い。
MRE17の対向する部分のみを軟磁性材料にしたが、
バイアス用導体薄膜全体を軟磁性材料で構成しても同様
な効果が得られる。即ち、少くともMREに対向する部
分のみを軟磁性材料で構成すれば良い。
発明の効果
以上のように本発明によればYMRヘッドのバイアス用
導体薄膜の少なくともMREと対向する部分を軟磁性材
料で構成することKより、MREと対向する軟・磁性材
料は、静磁結合により、磁化容易軸に反平行に磁化され
た磁区構造を有するようになる。このようなMREでは
、磁壁移動は存在しないから、不連続な磁壁移動に起因
するバルクハウゼンノイズを発生せず、高S/N の信
号再生が可能になる。
導体薄膜の少なくともMREと対向する部分を軟磁性材
料で構成することKより、MREと対向する軟・磁性材
料は、静磁結合により、磁化容易軸に反平行に磁化され
た磁区構造を有するようになる。このようなMREでは
、磁壁移動は存在しないから、不連続な磁壁移動に起因
するバルクハウゼンノイズを発生せず、高S/N の信
号再生が可能になる。
第1図は本発明の一実施例における磁気抵抗型薄膜ヘッ
ドのバイアス用導体薄膜部の要部拡大図、第2図は同磁
気抵抗型薄膜ヘッドの平面図、第3図は第2図のx−x
’線断面図、第4図は対向する軟磁性薄膜の消磁状態に
おける磁区構造を示す概念図、第6図は従来のMRヘッ
ドの概略斜視図、第6図はMREの磁界強度と抵抗変化
を示す特性図、第7図は従来のYMRヘッドの断面図、
第8図はバルクハウゼンノイズを発生する微細パターン
MREの磁界強度と抵抗変化を示す特性図である0 13・・・・・バイアス用導体薄膜、14&、14b・
・・・・・非磁性層、16・・・・・・軟磁性薄膜、1
7・・・・・・磁気抵抗素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第4
図 第5図 第6図 /’l/2Eに611加すb石ル辱の3叡さ第7図 第8図 。
ドのバイアス用導体薄膜部の要部拡大図、第2図は同磁
気抵抗型薄膜ヘッドの平面図、第3図は第2図のx−x
’線断面図、第4図は対向する軟磁性薄膜の消磁状態に
おける磁区構造を示す概念図、第6図は従来のMRヘッ
ドの概略斜視図、第6図はMREの磁界強度と抵抗変化
を示す特性図、第7図は従来のYMRヘッドの断面図、
第8図はバルクハウゼンノイズを発生する微細パターン
MREの磁界強度と抵抗変化を示す特性図である0 13・・・・・バイアス用導体薄膜、14&、14b・
・・・・・非磁性層、16・・・・・・軟磁性薄膜、1
7・・・・・・磁気抵抗素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第4
図 第5図 第6図 /’l/2Eに611加すb石ル辱の3叡さ第7図 第8図 。
Claims (1)
- 強磁性基板上に、強磁性金属材料の磁気抵抗素子と前記
磁気抵抗素子にセンス電流を流す一対の電極と、磁気記
録媒体からの信号磁束を前記磁気抵抗素子へ導くための
強磁性金属材料で構成されたヨークと、前記磁気抵抗素
子にバイアス磁界を印加するバイアス電流を流すために
、前記磁気抵抗素子に対向して設けられたバイアス用導
体薄膜を備えており、前記バイアス用導体薄膜の少なく
とも、前記磁気抵抗素子に対向する部分に軟磁性磁気材
料を形成したことを特徴とする磁気抵抗型薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25672284A JPS61134913A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 磁気抵抗型薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25672284A JPS61134913A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 磁気抵抗型薄膜ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61134913A true JPS61134913A (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=17296539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25672284A Pending JPS61134913A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 磁気抵抗型薄膜ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61134913A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4903158A (en) * | 1988-07-28 | 1990-02-20 | Eastman Kodak Company | MR head with complementary easy axis permanent magnet |
JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25672284A patent/JPS61134913A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4903158A (en) * | 1988-07-28 | 1990-02-20 | Eastman Kodak Company | MR head with complementary easy axis permanent magnet |
JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
FR2716741A1 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-09-01 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
EP0669609A3 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
US5653013A (en) * | 1994-08-18 | 1997-08-05 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head |
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