JPS60235711A - SiO2膜の形成方法 - Google Patents
SiO2膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60235711A JPS60235711A JP8936184A JP8936184A JPS60235711A JP S60235711 A JPS60235711 A JP S60235711A JP 8936184 A JP8936184 A JP 8936184A JP 8936184 A JP8936184 A JP 8936184A JP S60235711 A JPS60235711 A JP S60235711A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- glass
- silicone resin
- base
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は二酸化珪素(S ) 02 )陵の製造方決、
例えば、半導体装置用の絶縁膜あるいは液晶セル用ガラ
ス基板の表面保1llI膜として優れた5102呻の製
造方法に係る。
例えば、半導体装置用の絶縁膜あるいは液晶セル用ガラ
ス基板の表面保1llI膜として優れた5102呻の製
造方法に係る。
従来技術と問題点
51021IIIけ半導体装置の絶縁膜として用いられ
、主に化学的気相堆積法(CVD )で形成されている
。
、主に化学的気相堆積法(CVD )で形成されている
。
しかし、C■で作る8102膜は凹部への1わり込みや
平坦性に問題がある。シリコーン樹脂を半導体基板に塗
布い熱処理して5102膜を形成すれば、そうした問題
は解決される。このような用途におけるシリコーン樹脂
として、従来、ポリジアルコキシシロキサン、例えばポ
リノエトギンシロキサン、ポリジメトキシシロキサンが
用いられた。
平坦性に問題がある。シリコーン樹脂を半導体基板に塗
布い熱処理して5102膜を形成すれば、そうした問題
は解決される。このような用途におけるシリコーン樹脂
として、従来、ポリジアルコキシシロキサン、例えばポ
リノエトギンシロキサン、ポリジメトキシシロキサンが
用いられた。
しかし々がら、これらのシリコーン樹脂は有機基を多量
に含み、これが熱分解されて飛散するので、得られる8
102腿はピンホールを含み、かつ熱分F、′〆t*>
にr・“i l゛Jが減/J)シて歪を外しひいては
クラックを:11ノ[fる欠点がある。
に含み、これが熱分解されて飛散するので、得られる8
102腿はピンホールを含み、かつ熱分F、′〆t*>
にr・“i l゛Jが減/J)シて歪を外しひいては
クラックを:11ノ[fる欠点がある。
lft晶宙沖やTゾタル時計の普及にともない、液:L
’+セル用のガラス置板の需要が増大してきている。
’+セル用のガラス置板の需要が増大してきている。
ガラスJ人相は高品質が要求されるため、高いコストの
ホウケイ酸ガラスが使われていたが、低コスト価の目的
で安価なソーダガラスを使用する方向に向っている。し
かし、ソーダガラスはガラスやけやアルカリイオンの溶
出があるため、これに接する筋晶セルに悪影響を与え、
ライフが短かかった。そこで、ソーダガラス表面にS
i O2膜を形byして使用する方法が考えられる。一
般的な5102117、Sの形成法としては蒸着法やス
ノfyり法などがあるが、これらの方法は輿望系を用い
ることから装置i11が高価で、操作が煩雑になり、借
産性に劣るという欠点がある。テトラシラノール(81
(01−1)4)をガラス基板に塗布し、熱処理して5
tO2膜をコーティングする方法が知られているが、傅
らハるハーフ1曜は高々02μm程度で非常に薄い。
ホウケイ酸ガラスが使われていたが、低コスト価の目的
で安価なソーダガラスを使用する方向に向っている。し
かし、ソーダガラスはガラスやけやアルカリイオンの溶
出があるため、これに接する筋晶セルに悪影響を与え、
ライフが短かかった。そこで、ソーダガラス表面にS
i O2膜を形byして使用する方法が考えられる。一
般的な5102117、Sの形成法としては蒸着法やス
ノfyり法などがあるが、これらの方法は輿望系を用い
ることから装置i11が高価で、操作が煩雑になり、借
産性に劣るという欠点がある。テトラシラノール(81
(01−1)4)をガラス基板に塗布し、熱処理して5
tO2膜をコーティングする方法が知られているが、傅
らハるハーフ1曜は高々02μm程度で非常に薄い。
発明の目的
本発明の目的灯、。ヒ記の如き可来技術に1ζみ、基体
上に平坦かつ乃密で、物理的・化うf的に7i万’な5
ho2PJを形成する方法を隼供することである、発明
の構成 上記目的を達成する本発明は、基体上K yj? II
ツバイト”ロノエンシロキサンからなるシリコーン神↑
脂を塗布し、それを酸素雰囲気中で熱処理することによ
って酸化珪素膿を形成する。酸什珪FIlりは厳密に8
102になるとけ[を1“らない力1、部片のたy〕以
下単に5102膵と表わす。
上に平坦かつ乃密で、物理的・化うf的に7i万’な5
ho2PJを形成する方法を隼供することである、発明
の構成 上記目的を達成する本発明は、基体上K yj? II
ツバイト”ロノエンシロキサンからなるシリコーン神↑
脂を塗布し、それを酸素雰囲気中で熱処理することによ
って酸化珪素膿を形成する。酸什珪FIlりは厳密に8
102になるとけ[を1“らない力1、部片のたy〕以
下単に5102膵と表わす。
発明の構成の具体的構成
本発明で用いるポリジノ・イドロノエンンロキサン(以
下PDIISという。)は一般式;(式中、R1−R6
は同一でも菫なっていてもよく、水素原子またVよ低級
アルギル基、例えばメチル、占(、エチル基を表わす。
下PDIISという。)は一般式;(式中、R1−R6
は同一でも菫なっていてもよく、水素原子またVよ低級
アルギル基、例えばメチル、占(、エチル基を表わす。
)
をイjするもので、本発明者らが先に発明し、捺供した
ものである(特願昭58−392492丹)。
ものである(特願昭58−392492丹)。
その製法および性質は以下の通りである。
一般式H2S1(OR)2(式中、R#′i−価の脂肪
族炭化水素を示す)で表わされるジアルコキシシランを
出発原料とし、次式に示すように、加水分解してジヒド
ロキシシランを生成し、引糾いて縮重合させてシラノー
ル末端ジハイドロジエンシロキサンを生成する。
族炭化水素を示す)で表わされるジアルコキシシランを
出発原料とし、次式に示すように、加水分解してジヒド
ロキシシランを生成し、引糾いて縮重合させてシラノー
ル末端ジハイドロジエンシロキサンを生成する。
H,Sl (011)2+2H20−+ H2S I
(OH)2+2ROHこのとき、6<pl(<7とする
ことによって、GPCで測定したポリスチレン浄算によ
る1に騎平均分子曙を10.00(1〜300.0(1
0とすることができ、かつケトン、エーテル、芳香族炭
化水fまたは低級脂肪族アルコールにM度20〜25°
Oにおいて少なくとも市lI)比】、】まで溶解する。
(OH)2+2ROHこのとき、6<pl(<7とする
ことによって、GPCで測定したポリスチレン浄算によ
る1に騎平均分子曙を10.00(1〜300.0(1
0とすることができ、かつケトン、エーテル、芳香族炭
化水fまたは低級脂肪族アルコールにM度20〜25°
Oにおいて少なくとも市lI)比】、】まで溶解する。
もしPII〈6のときけ81−H結合が分解して、三次
元架橋しケ゛ル什し、pH=7では縮重合反応が進行せ
ず、−1〉7のときはpl−1<6のときと1ift
IflJにゲル什するので溶剤に溶解しなくなる。
元架橋しケ゛ル什し、pH=7では縮重合反応が進行せ
ず、−1〉7のときはpl−1<6のときと1ift
IflJにゲル什するので溶剤に溶解しなくなる。
出発原料はジメトキシシラン()+、p、31’1℃)
オたけジメトキシシラン(b、p、80〜B ) ℃)
カミA当であり、これらの[11休より高い沸点を有
する溶剤、たとえばメチルインブチルケトン(b、p。
オたけジメトキシシラン(b、p、80〜B ) ℃)
カミA当であり、これらの[11休より高い沸点を有
する溶剤、たとえばメチルインブチルケトン(b、p。
117℃)に溶解し、単倚体濃度3〜71!1−RII
チとして反応させる。この濃青が3重l!チより低いと
反応が遅くて収率が少なく、77g4T+[より高いと
三次元架橋してrル什し、溶IAに不溶となる。また加
水分解および重縮合のJう応〆1υfすけ50”Cを超
えないように制御する。50℃より高いとケ9ル化し易
くなる。
チとして反応させる。この濃青が3重l!チより低いと
反応が遅くて収率が少なく、77g4T+[より高いと
三次元架橋してrル什し、溶IAに不溶となる。また加
水分解および重縮合のJう応〆1υfすけ50”Cを超
えないように制御する。50℃より高いとケ9ル化し易
くなる。
このPDT(SけM(合樽造が単純と考えらね、粘稠な
液体オたけ固体であり、ベンゼン、トルエン、メチルイ
ンブチルケトン、メチルエチルケトン、THF 、エチ
ルアルコールマ* i−、tメチルアルコールに導度2
0〜25℃において少なくともpIg4比1=1まで溶
解する。
液体オたけ固体であり、ベンゼン、トルエン、メチルイ
ンブチルケトン、メチルエチルケトン、THF 、エチ
ルアルコールマ* i−、tメチルアルコールに導度2
0〜25℃において少なくともpIg4比1=1まで溶
解する。
もしジクロルシランを出発原料とすれば、加水分MKよ
り#XPII/を生成して強酸性となるので、−の制御
が困雛であって、生成する縮重合体は平均重合度p≦6
と低いの罠も拘らず、ベンゼンに不溶であり、塗布溶液
とすることができないので、5102−形成に利用する
ことができ々い。
り#XPII/を生成して強酸性となるので、−の制御
が困雛であって、生成する縮重合体は平均重合度p≦6
と低いの罠も拘らず、ベンゼンに不溶であり、塗布溶液
とすることができないので、5102−形成に利用する
ことができ々い。
PDI8のシリル化剤としては、分子量の小さい有機基
を有するクロルシランを使用する。たとえば、ジメチル
クロルシランをシリル化剤とするときけ次式忙示すジメ
チルシリル末端PDH8を生成する。
を有するクロルシランを使用する。たとえば、ジメチル
クロルシランをシリル化剤とするときけ次式忙示すジメ
チルシリル末端PDH8を生成する。
このシリル末端PD’H3dケトンまた鉱芳香族炭化水
準たとえばベンゼン、トルエン、メチルインブチルケト
ン捷たはメチルエチルケトン、THFK。
準たとえばベンゼン、トルエン、メチルインブチルケト
ン捷たはメチルエチルケトン、THFK。
U1120〜25℃において、少なくとも重量比1;1
壕で溶解する。
壕で溶解する。
このシリル末端PDH8は熱分解において有PJ&の抜
穴が小さいと考えられ、−分MKより発生する歪やピン
ホールが極めて少ない。
穴が小さいと考えられ、−分MKより発生する歪やピン
ホールが極めて少ない。
ジアルコキシシランを出発原料として[9VしたPDI
8の重量平均分子y#および溶解度、さらにこれをシリ
ル化したシリル末端PDI−1sの赤外吸収スRクトル
から、この物質は、シロキサン結合を主骨格とし、ケイ
素原子に2個の水151!!原子が結合し、末端にS
1−CH,結合を有する下翫1の構造であることがわか
った。
8の重量平均分子y#および溶解度、さらにこれをシリ
ル化したシリル末端PDI−1sの赤外吸収スRクトル
から、この物質は、シロキサン結合を主骨格とし、ケイ
素原子に2個の水151!!原子が結合し、末端にS
1−CH,結合を有する下翫1の構造であることがわか
った。
PDI8の重量平均分子lIは、GPC法によるポリス
チレン換算値で、10.009から300. (100
の範囲に8った。
チレン換算値で、10.009から300. (100
の範囲に8った。
重量平均分子量が10.000よυ小さいと、熱処理の
際低分子量体が揮発してしまうため重iiI減少が大き
くなり、膜に歪が入りやすくなるので不適当であり、3
00.000より大きいと、三次元架橋を起こしrル化
し易くなり溶媒に不溶となるので不適当である。
際低分子量体が揮発してしまうため重iiI減少が大き
くなり、膜に歪が入りやすくなるので不適当であり、3
00.000より大きいと、三次元架橋を起こしrル化
し易くなり溶媒に不溶となるので不適当である。
シリル末端PDH8の分子量はPDI(Sの分子量と中
質的に同一と考えられる。
質的に同一と考えられる。
コ(7) PD)(S (7)ベンゼン、トルエン、メ
チルアルコールおよびメチルアルコールに対する温度2
0〜25℃の溶解度は、いずれも少なくとも重量比1:
1まで溶解し、またトリエチルシリル末端Pr)H8i
t、ベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトンおよ
びメチルエチルケトンに対する温度20〜25℃の溶解
度は、いずれも少なくとも重量比1:lまで溶解した。
チルアルコールおよびメチルアルコールに対する温度2
0〜25℃の溶解度は、いずれも少なくとも重量比1:
1まで溶解し、またトリエチルシリル末端Pr)H8i
t、ベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトンおよ
びメチルエチルケトンに対する温度20〜25℃の溶解
度は、いずれも少なくとも重量比1:lまで溶解した。
Mil1分析は、ジメチルシリル末端PDH8の未硬化
のものの型針を100係とし、昇温速度5℃、/m l
nで900℃まで加熱した。重量の変化は250℃か
ら始まって450℃では約110%に達した。これは5
l−)(が分解して酸素が付加したためと考えられ、酸
化は450℃でほぼ完了し、その後は800℃を超える
まで変化のないことがわかった。
のものの型針を100係とし、昇温速度5℃、/m l
nで900℃まで加熱した。重量の変化は250℃か
ら始まって450℃では約110%に達した。これは5
l−)(が分解して酸素が付加したためと考えられ、酸
化は450℃でほぼ完了し、その後は800℃を超える
まで変化のないことがわかった。
こうして得られるPD)(S Vi溶剤を用いてスピン
コードすることが可能である。そ(7て、例えば、空気
中450〜500℃で30分〜1時間程度熱処理すると
、5t−H結合および5t−R結合が分解し、体積の小
さい水素原子が飛散する一方、酸素が付加して、S+O
2膜となる。スピンコードが可能であるから、8102
Nが平坦化する。熱処理によって飛散するのけ体積の小
さい水素原子であるから、ピンホールの発生、歪の形成
ひいてクラックの発生を彦〈シ、緻密な5102膠を得
ることができる。これらの性質から、本発明による51
02膜の形成方法は半導体装置の絶縁膜を形成するのに
好適である。例えば、第1図を参照すると、シリコンウ
ェハ1上に5μm間隔で1i、I F1μm1厚さ17
aのアルミニウム配lf+!2があっても、本発明の方
法によれば、図に示す如く平坦な81021i@3を形
成することができる。
コードすることが可能である。そ(7て、例えば、空気
中450〜500℃で30分〜1時間程度熱処理すると
、5t−H結合および5t−R結合が分解し、体積の小
さい水素原子が飛散する一方、酸素が付加して、S+O
2膜となる。スピンコードが可能であるから、8102
Nが平坦化する。熱処理によって飛散するのけ体積の小
さい水素原子であるから、ピンホールの発生、歪の形成
ひいてクラックの発生を彦〈シ、緻密な5102膠を得
ることができる。これらの性質から、本発明による51
02膜の形成方法は半導体装置の絶縁膜を形成するのに
好適である。例えば、第1図を参照すると、シリコンウ
ェハ1上に5μm間隔で1i、I F1μm1厚さ17
aのアルミニウム配lf+!2があっても、本発明の方
法によれば、図に示す如く平坦な81021i@3を形
成することができる。
また、PDI8を硬化して得る5102膜はガラス基体
との密着性に優れており、ガラス基体にある傷や突起物
を被覆し、平坦化できる。ガラス基体−\のPr)H8
??’ 在方法としてはスピンコードのt分か、大型相
料の場合など浸漬法によることもできる。
との密着性に優れており、ガラス基体にある傷や突起物
を被覆し、平坦化できる。ガラス基体−\のPr)H8
??’ 在方法としてはスピンコードのt分か、大型相
料の場合など浸漬法によることもできる。
5102膜の厚#tj:0.05戸程度から0.7〜0
.8 ttm程度まで容易にコントロールできる。そし
て、ガラス集体にコーティングすることによってソーダ
がラスの「ガラスやけ」を防止できる。こうした性質か
ら、本発明によるs+o2I11!け形成1’を液晶セ
ルあるい岐光学材料用のガラス基板に応用できる。
.8 ttm程度まで容易にコントロールできる。そし
て、ガラス集体にコーティングすることによってソーダ
がラスの「ガラスやけ」を防止できる。こうした性質か
ら、本発明によるs+o2I11!け形成1’を液晶セ
ルあるい岐光学材料用のガラス基板に応用できる。
あるいけ、さらに、例えば高純度を要求される薬品を保
存するビンの内壁に5IO2膜を形成し、アルカリイオ
ンが薬品に混入するのを防ぐことにも応用できる。
存するビンの内壁に5IO2膜を形成し、アルカリイオ
ンが薬品に混入するのを防ぐことにも応用できる。
PDH8の塗布方法は適当な溶剤、例えばベンゼン、キ
シレン、トルエンなどの芳香族炭化水素系、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、などのケトン系の
有機溶剤K PDH8を溶解し、スピンコード法、浸漬
法その他の方法で基体上に塗布する。このとき、塗布溶
液の濃度を変えて、得らhる5102膜の膜厚を調整す
ることができる。
シレン、トルエンなどの芳香族炭化水素系、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、などのケトン系の
有機溶剤K PDH8を溶解し、スピンコード法、浸漬
法その他の方法で基体上に塗布する。このとき、塗布溶
液の濃度を変えて、得らhる5102膜の膜厚を調整す
ることができる。
PDH8溶液を塗布後、溶剤を飛ばしてから、酸素雰囲
気中で熱処理する。例えば、空気中450〜500℃で
30分〜1時間程度熱処理する。
気中で熱処理する。例えば、空気中450〜500℃で
30分〜1時間程度熱処理する。
実施例
市販のジェトキシシラン](lに純水]00gを加え、
よく振盪した。分増した水層の−1は58であったので
、精密蒸留し、得た沸点800〜805℃の留分の中の
30.9を再び100gの純水で水洗したものは一1=
66であった。
よく振盪した。分増した水層の−1は58であったので
、精密蒸留し、得た沸点800〜805℃の留分の中の
30.9を再び100gの純水で水洗したものは一1=
66であった。
こうして精製したジェトキシシラン50.?l’lf製
したメチルインブチルケトン950gを加λ1、水冷し
て攪拌しながら蒸留水75gを5秒に】滴ずつの割合で
滴下して加水分解脱アルコールし、さらに約30分間水
冷を続けた後、徐々に温度を昇ばて35℃として2時間
この温度で攪拌をり、幻て加水分解し縮重合させた。こ
の間50納Hg減圧として生成したアルコールと水とを
除き反応をイjl進した。残留液はPDH8を約3軍f
#チ含むジメチルイソブチルケトン溶液550gであっ
た。
したメチルインブチルケトン950gを加λ1、水冷し
て攪拌しながら蒸留水75gを5秒に】滴ずつの割合で
滴下して加水分解脱アルコールし、さらに約30分間水
冷を続けた後、徐々に温度を昇ばて35℃として2時間
この温度で攪拌をり、幻て加水分解し縮重合させた。こ
の間50納Hg減圧として生成したアルコールと水とを
除き反応をイjl進した。残留液はPDH8を約3軍f
#チ含むジメチルイソブチルケトン溶液550gであっ
た。
このPDH8溶液にジェトキシシランと回当偕のジメチ
ルクロルシラン39.9を攪拌しながら加え、30℃で
30分間攪拌し続けてシリル化を冗了した。蒸留水2j
を1秒に1滴ずつの割合で滴下して、jμ別のジメチル
クロルシランを分解し、さらに水洗し、減圧濃縮した。
ルクロルシラン39.9を攪拌しながら加え、30℃で
30分間攪拌し続けてシリル化を冗了した。蒸留水2j
を1秒に1滴ずつの割合で滴下して、jμ別のジメチル
クロルシランを分解し、さらに水洗し、減圧濃縮した。
得た有機*に5P容素の了セトニトリルを加えてシリル
末fi PDH8を沈瞬させ、アセトニトリルによる傾
斜洗浄を3回反復して、白色粉末のジメチルシリル末端
PDH8II’!Iを得た。
末fi PDH8を沈瞬させ、アセトニトリルによる傾
斜洗浄を3回反復して、白色粉末のジメチルシリル末端
PDH8II’!Iを得た。
このシリル末@PDH8の重量平均分子量d、次のよう
に測定した。
に測定した。
ジメチルシリル末端PDH8の0.1.9を10g(7
)テトラヒドロフランに治解し1wt%テトラヒドロフ
ラン溶液とした。この溶液を用いてGPC法(4″ルノ
平−ミニ−ジョンクロマトグラフィー)によし分子11
測定した。この結果、1[数平均分子14 My=15
8.000、数平均分子計MN=30.200、分散度
MW/MN = 5.27であることがわかった。
)テトラヒドロフランに治解し1wt%テトラヒドロフ
ラン溶液とした。この溶液を用いてGPC法(4″ルノ
平−ミニ−ジョンクロマトグラフィー)によし分子11
測定した。この結果、1[数平均分子14 My=15
8.000、数平均分子計MN=30.200、分散度
MW/MN = 5.27であることがわかった。
PDH8自身の平均分子量はシリル化PDH3と同一と
考えられる。なおこのPDH8け室温(25℃)におい
てベンゼン、トルエン、メチルインブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、メチルアルコー
ル、エチルアルコールニ少すくとも重量比1:1まで溶
解した。捷たジメチルシリル末端P DH8け宰温(2
5℃)においてベンゼン、トルエン、メチルイソブチル
ケトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランに少
なくとも重量比1:1まで溶解した。
考えられる。なおこのPDH8け室温(25℃)におい
てベンゼン、トルエン、メチルインブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、メチルアルコー
ル、エチルアルコールニ少すくとも重量比1:1まで溶
解した。捷たジメチルシリル末端P DH8け宰温(2
5℃)においてベンゼン、トルエン、メチルイソブチル
ケトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランに少
なくとも重量比1:1まで溶解した。
例2
精製ジメチルシリル末端PD)(85,9ヲトルエン2
.0 &に溶解した20軍11%溶液を、シリコンウェ
ハ上に3000 rpmでスピンコードして塗膜を形成
し、これをloo”cで30分間、次いで450℃で1
時間熱処理して5IO2膜とした。この熱処理の前後の
膜厚の変化は、硬イし前の9.75 廊が硬化後の0.
70℃mとなった程度であり、さらに空気中で500℃
で2時間放置したが、膜に異常は認められなかった。こ
のように酸化ケイ素膜はクラ9.Iりも発生せず、また
微少なピンホールも視覚できないばかりでなく、電気抵
抗が5X10”Ω1であり、絶縁性は良好であった。
.0 &に溶解した20軍11%溶液を、シリコンウェ
ハ上に3000 rpmでスピンコードして塗膜を形成
し、これをloo”cで30分間、次いで450℃で1
時間熱処理して5IO2膜とした。この熱処理の前後の
膜厚の変化は、硬イし前の9.75 廊が硬化後の0.
70℃mとなった程度であり、さらに空気中で500℃
で2時間放置したが、膜に異常は認められなかった。こ
のように酸化ケイ素膜はクラ9.Iりも発生せず、また
微少なピンホールも視覚できないばかりでなく、電気抵
抗が5X10”Ω1であり、絶縁性は良好であった。
またこの硬化膜は下地基板との密着性が良好であって、
ケイ素、酸化ケイ素、通常のガラス、リンケイ酸ガラス
、アルミナおよびアルミニウムなど、多様な基板と対し
てすぐれた密着性を示した。
ケイ素、酸化ケイ素、通常のガラス、リンケイ酸ガラス
、アルミナおよびアルミニウムなど、多様な基板と対し
てすぐれた密着性を示した。
例3
MWジメチルシリル末端PDH85gヲ)ルエン45g
K溶解した10重量係溶液を、寸法50゜×50閾、厚
さ1.2 mのソーダガラス某板上に3000rpm、
30秒の条件でスピンコードして塗膜を形成し、これを
空気中120℃で30分間、次いで450℃で1時間熱
処理して硬化させ、5IO2膜とした。同様の操作をガ
ラス基板の裏側にも行なった。また、ガラス基板の側面
については(真で塗布してやはり5102膜を形成した
。
K溶解した10重量係溶液を、寸法50゜×50閾、厚
さ1.2 mのソーダガラス某板上に3000rpm、
30秒の条件でスピンコードして塗膜を形成し、これを
空気中120℃で30分間、次いで450℃で1時間熱
処理して硬化させ、5IO2膜とした。同様の操作をガ
ラス基板の裏側にも行なった。また、ガラス基板の側面
については(真で塗布してやはり5102膜を形成した
。
得られた5102膜の膜厚をアルファステップで測犀し
たところ0.2 Fl ltmであった。この5i02
Fを形成したガラスは長期間(3年間)大気中に放tI
!j してもガラスやけは起こらなかった。また、純水
で2時間煮沸試験した後、水中のアルカリイオンをイオ
ンクロマトグラフィーにより測定したが、アルカリイオ
ンは全く検出されなかった。
たところ0.2 Fl ltmであった。この5i02
Fを形成したガラスは長期間(3年間)大気中に放tI
!j してもガラスやけは起こらなかった。また、純水
で2時間煮沸試験した後、水中のアルカリイオンをイオ
ンクロマトグラフィーにより測定したが、アルカリイオ
ンは全く検出されなかった。
さらに、このガラス基板を使用した液晶セルは長期間使
用しても、ガラスやけやアルカリイオンの溶出はなく、
これらの拐料が原因と考えられる異常は全く起こらなか
った。
用しても、ガラスやけやアルカリイオンの溶出はなく、
これらの拐料が原因と考えられる異常は全く起こらなか
った。
発明の効果
本発明により、シリコーン樹脂を用いた高純度s+o2
mの形成方法が提供され、凸凹のある学導体基板上に平
坦化された優れた絶縁模を提供したり、安価なソーダガ
ラス等のガラスやけやアルカリイオンの溶出を防止する
ことができる。
mの形成方法が提供され、凸凹のある学導体基板上に平
坦化された優れた絶縁模を提供したり、安価なソーダガ
ラス等のガラスやけやアルカリイオンの溶出を防止する
ことができる。
第1図は半導体装置の断面図である。
1・・・半導体基板、2・・・金属配線層、3・・・5
IO2腿。
IO2腿。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記一般式: (式中、R,、R2,R3,R4,R5,R6Vi同一
でも異なっていてもよく、水素片子またけ低級アルキル
族である。) を有するポリジハイドロジエンシロキサンからなるシリ
コーン樹脂を基体表面に塗布し、酸素界囲気中で熱処理
することKよって酸化珪素膜を形成する方法。 2 前記基体が半導体基板である特許請求の範囲第1項
記載の方法。 3、前記基体がガラス基板である特許請求の範囲第1項
記載の方法。 4 前記基イ本がガラス瓶である特許請求の範囲第1項
記個の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8936184A JPS60235711A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | SiO2膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8936184A JPS60235711A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | SiO2膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60235711A true JPS60235711A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=13968565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8936184A Pending JPS60235711A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | SiO2膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60235711A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63262844A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-31 | エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテツド | 二酸化ケイ素ガラス膜の形成方法 |
DE19630342A1 (de) * | 1995-08-23 | 1997-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
DE19861329B4 (de) * | 1997-06-26 | 2006-02-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Struktur eines Zwischenschichtisolierfilmes in einer Halbleitereinrichtung |
JP2009191331A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Kobe Steel Ltd | 酸化シリコン膜の製造方法 |
WO2010067850A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 旭硝子株式会社 | 酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP8936184A patent/JPS60235711A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63262844A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-31 | エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテツド | 二酸化ケイ素ガラス膜の形成方法 |
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US5976626A (en) * | 1995-08-23 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
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JP5545221B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-07-09 | 旭硝子株式会社 | 酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
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