JPS60235711A - ＳｉＯ２膜の形成方法 - Google Patents
ＳｉＯ２膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60235711A JPS60235711A JP8936184A JP8936184A JPS60235711A JP S60235711 A JPS60235711 A JP S60235711A JP 8936184 A JP8936184 A JP 8936184A JP 8936184 A JP8936184 A JP 8936184A JP S60235711 A JPS60235711 A JP S60235711A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- glass
- silicone resin
- base
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は二酸化珪素（Ｓ ） ０２ ）陵の製造方決、
例えば、半導体装置用の絶縁膜あるいは液晶セル用ガラ
ス基板の表面保１ｌｌＩ膜として優れた５１０２呻の製
造方法に係る。
例えば、半導体装置用の絶縁膜あるいは液晶セル用ガラ
ス基板の表面保１ｌｌＩ膜として優れた５１０２呻の製
造方法に係る。
従来技術と問題点
５１０２１ＩＩＩけ半導体装置の絶縁膜として用いられ
、主に化学的気相堆積法（ＣＶＤ ）で形成されている
。
、主に化学的気相堆積法（ＣＶＤ ）で形成されている
。
しかし、Ｃ■で作る８１０２膜は凹部への１わり込みや
平坦性に問題がある。シリコーン樹脂を半導体基板に塗
布い熱処理して５１０２膜を形成すれば、そうした問題
は解決される。このような用途におけるシリコーン樹脂
として、従来、ポリジアルコキシシロキサン、例えばポ
リノエトギンシロキサン、ポリジメトキシシロキサンが
用いられた。
平坦性に問題がある。シリコーン樹脂を半導体基板に塗
布い熱処理して５１０２膜を形成すれば、そうした問題
は解決される。このような用途におけるシリコーン樹脂
として、従来、ポリジアルコキシシロキサン、例えばポ
リノエトギンシロキサン、ポリジメトキシシロキサンが
用いられた。
しかし々がら、これらのシリコーン樹脂は有機基を多量
に含み、これが熱分解されて飛散するので、得られる８
１０２腿はピンホールを含み、かつ熱分Ｆ、′〆ｔ＊＞
にｒ・“ｉ ｌ゛Ｊが減／Ｊ）シて歪を外しひいては
クラックを：１１ノ［ｆる欠点がある。
に含み、これが熱分解されて飛散するので、得られる８
１０２腿はピンホールを含み、かつ熱分Ｆ、′〆ｔ＊＞
にｒ・“ｉ ｌ゛Ｊが減／Ｊ）シて歪を外しひいては
クラックを：１１ノ［ｆる欠点がある。
ｌｆｔ晶宙沖やＴゾタル時計の普及にともない、液：Ｌ
’＋セル用のガラス置板の需要が増大してきている。
’＋セル用のガラス置板の需要が増大してきている。
ガラスＪ人相は高品質が要求されるため、高いコストの
ホウケイ酸ガラスが使われていたが、低コスト価の目的
で安価なソーダガラスを使用する方向に向っている。し
かし、ソーダガラスはガラスやけやアルカリイオンの溶
出があるため、これに接する筋晶セルに悪影響を与え、
ライフが短かかった。そこで、ソーダガラス表面にＳ
ｉ Ｏ２膜を形ｂｙして使用する方法が考えられる。一
般的な５１０２１１７、Ｓの形成法としては蒸着法やス
ノｆｙり法などがあるが、これらの方法は輿望系を用い
ることから装置ｉ１１が高価で、操作が煩雑になり、借
産性に劣るという欠点がある。テトラシラノール（８１
（０１−１）４）をガラス基板に塗布し、熱処理して５
ｔＯ２膜をコーティングする方法が知られているが、傅
らハるハーフ１曜は高々０２μｍ程度で非常に薄い。
ホウケイ酸ガラスが使われていたが、低コスト価の目的
で安価なソーダガラスを使用する方向に向っている。し
かし、ソーダガラスはガラスやけやアルカリイオンの溶
出があるため、これに接する筋晶セルに悪影響を与え、
ライフが短かかった。そこで、ソーダガラス表面にＳ
ｉ Ｏ２膜を形ｂｙして使用する方法が考えられる。一
般的な５１０２１１７、Ｓの形成法としては蒸着法やス
ノｆｙり法などがあるが、これらの方法は輿望系を用い
ることから装置ｉ１１が高価で、操作が煩雑になり、借
産性に劣るという欠点がある。テトラシラノール（８１
（０１−１）４）をガラス基板に塗布し、熱処理して５
ｔＯ２膜をコーティングする方法が知られているが、傅
らハるハーフ１曜は高々０２μｍ程度で非常に薄い。
発明の目的
本発明の目的灯、。ヒ記の如き可来技術に１ζみ、基体
上に平坦かつ乃密で、物理的・化うｆ的に７ｉ万’な５
ｈｏ２ＰＪを形成する方法を隼供することである、発明
の構成 上記目的を達成する本発明は、基体上Ｋ ｙｊ？ ＩＩ
ツバイト”ロノエンシロキサンからなるシリコーン神↑
脂を塗布し、それを酸素雰囲気中で熱処理することによ
って酸化珪素膿を形成する。酸什珪ＦＩｌりは厳密に８
１０２になるとけ［を１“らない力１、部片のたｙ〕以
下単に５１０２膵と表わす。
上に平坦かつ乃密で、物理的・化うｆ的に７ｉ万’な５
ｈｏ２ＰＪを形成する方法を隼供することである、発明
の構成 上記目的を達成する本発明は、基体上Ｋ ｙｊ？ ＩＩ
ツバイト”ロノエンシロキサンからなるシリコーン神↑
脂を塗布し、それを酸素雰囲気中で熱処理することによ
って酸化珪素膿を形成する。酸什珪ＦＩｌりは厳密に８
１０２になるとけ［を１“らない力１、部片のたｙ〕以
下単に５１０２膵と表わす。
発明の構成の具体的構成
本発明で用いるポリジノ・イドロノエンンロキサン（以
下ＰＤＩＩＳという。）は一般式；（式中、Ｒ１−Ｒ６
は同一でも菫なっていてもよく、水素原子またＶよ低級
アルギル基、例えばメチル、占（、エチル基を表わす。
下ＰＤＩＩＳという。）は一般式；（式中、Ｒ１−Ｒ６
は同一でも菫なっていてもよく、水素原子またＶよ低級
アルギル基、例えばメチル、占（、エチル基を表わす。
）
をイｊするもので、本発明者らが先に発明し、捺供した
ものである（特願昭５８−３９２４９２丹）。
ものである（特願昭５８−３９２４９２丹）。
その製法および性質は以下の通りである。
一般式Ｈ２Ｓ１（ＯＲ）２（式中、Ｒ＃′ｉ−価の脂肪
族炭化水素を示す）で表わされるジアルコキシシランを
出発原料とし、次式に示すように、加水分解してジヒド
ロキシシランを生成し、引糾いて縮重合させてシラノー
ル末端ジハイドロジエンシロキサンを生成する。
族炭化水素を示す）で表わされるジアルコキシシランを
出発原料とし、次式に示すように、加水分解してジヒド
ロキシシランを生成し、引糾いて縮重合させてシラノー
ル末端ジハイドロジエンシロキサンを生成する。
Ｈ，Ｓｌ （０１１）２＋２Ｈ２０−＋ Ｈ２Ｓ Ｉ
（ＯＨ）２＋２ＲＯＨこのとき、６＜ｐｌ（＜７とする
ことによって、ＧＰＣで測定したポリスチレン浄算によ
る１に騎平均分子曙を１０．００（１〜３００．０（１
０とすることができ、かつケトン、エーテル、芳香族炭
化水ｆまたは低級脂肪族アルコールにＭ度２０〜２５°
Ｏにおいて少なくとも市ｌＩ）比】、】まで溶解する。
（ＯＨ）２＋２ＲＯＨこのとき、６＜ｐｌ（＜７とする
ことによって、ＧＰＣで測定したポリスチレン浄算によ
る１に騎平均分子曙を１０．００（１〜３００．０（１
０とすることができ、かつケトン、エーテル、芳香族炭
化水ｆまたは低級脂肪族アルコールにＭ度２０〜２５°
Ｏにおいて少なくとも市ｌＩ）比】、】まで溶解する。
もしＰＩＩ〈６のときけ８１−Ｈ結合が分解して、三次
元架橋しケ゛ル什し、ｐＨ＝７では縮重合反応が進行せ
ず、−１〉７のときはｐｌ−１＜６のときと１ｉｆｔ
ＩｆｌＪにゲル什するので溶剤に溶解しなくなる。
元架橋しケ゛ル什し、ｐＨ＝７では縮重合反応が進行せ
ず、−１〉７のときはｐｌ−１＜６のときと１ｉｆｔ
ＩｆｌＪにゲル什するので溶剤に溶解しなくなる。
出発原料はジメトキシシラン（）＋、ｐ、３１’１℃）
オたけジメトキシシラン（ｂ、ｐ、８０〜Ｂ ） ℃）
カミＡ当であり、これらの［１１休より高い沸点を有
する溶剤、たとえばメチルインブチルケトン（ｂ、ｐ。
オたけジメトキシシラン（ｂ、ｐ、８０〜Ｂ ） ℃）
カミＡ当であり、これらの［１１休より高い沸点を有
する溶剤、たとえばメチルインブチルケトン（ｂ、ｐ。
１１７℃）に溶解し、単倚体濃度３〜７１！１−ＲＩＩ
チとして反応させる。この濃青が３重ｌ！チより低いと
反応が遅くて収率が少なく、７７ｇ４Ｔ＋［より高いと
三次元架橋してｒル什し、溶ＩＡに不溶となる。また加
水分解および重縮合のＪう応〆１υｆすけ５０”Ｃを超
えないように制御する。５０℃より高いとケ９ル化し易
くなる。
チとして反応させる。この濃青が３重ｌ！チより低いと
反応が遅くて収率が少なく、７７ｇ４Ｔ＋［より高いと
三次元架橋してｒル什し、溶ＩＡに不溶となる。また加
水分解および重縮合のＪう応〆１υｆすけ５０”Ｃを超
えないように制御する。５０℃より高いとケ９ル化し易
くなる。
このＰＤＴ（ＳけＭ（合樽造が単純と考えらね、粘稠な
液体オたけ固体であり、ベンゼン、トルエン、メチルイ
ンブチルケトン、メチルエチルケトン、ＴＨＦ 、エチ
ルアルコールマ＊ ｉ−、ｔメチルアルコールに導度２
０〜２５℃において少なくともｐＩｇ４比１＝１まで溶
解する。
液体オたけ固体であり、ベンゼン、トルエン、メチルイ
ンブチルケトン、メチルエチルケトン、ＴＨＦ 、エチ
ルアルコールマ＊ ｉ−、ｔメチルアルコールに導度２
０〜２５℃において少なくともｐＩｇ４比１＝１まで溶
解する。
もしジクロルシランを出発原料とすれば、加水分ＭＫよ
り＃ＸＰＩＩ／を生成して強酸性となるので、−の制御
が困雛であって、生成する縮重合体は平均重合度ｐ≦６
と低いの罠も拘らず、ベンゼンに不溶であり、塗布溶液
とすることができないので、５１０２−形成に利用する
ことができ々い。
り＃ＸＰＩＩ／を生成して強酸性となるので、−の制御
が困雛であって、生成する縮重合体は平均重合度ｐ≦６
と低いの罠も拘らず、ベンゼンに不溶であり、塗布溶液
とすることができないので、５１０２−形成に利用する
ことができ々い。
ＰＤＩ８のシリル化剤としては、分子量の小さい有機基
を有するクロルシランを使用する。たとえば、ジメチル
クロルシランをシリル化剤とするときけ次式忙示すジメ
チルシリル末端ＰＤＨ８を生成する。
を有するクロルシランを使用する。たとえば、ジメチル
クロルシランをシリル化剤とするときけ次式忙示すジメ
チルシリル末端ＰＤＨ８を生成する。
このシリル末端ＰＤ’Ｈ３ｄケトンまた鉱芳香族炭化水
準たとえばベンゼン、トルエン、メチルインブチルケト
ン捷たはメチルエチルケトン、ＴＨＦＫ。
準たとえばベンゼン、トルエン、メチルインブチルケト
ン捷たはメチルエチルケトン、ＴＨＦＫ。
Ｕ１１２０〜２５℃において、少なくとも重量比１；１
壕で溶解する。
壕で溶解する。
このシリル末端ＰＤＨ８は熱分解において有ＰＪ＆の抜
穴が小さいと考えられ、−分ＭＫより発生する歪やピン
ホールが極めて少ない。
穴が小さいと考えられ、−分ＭＫより発生する歪やピン
ホールが極めて少ない。
ジアルコキシシランを出発原料として［９ＶしたＰＤＩ
８の重量平均分子ｙ＃および溶解度、さらにこれをシリ
ル化したシリル末端ＰＤＩ−１ｓの赤外吸収スＲクトル
から、この物質は、シロキサン結合を主骨格とし、ケイ
素原子に２個の水１５１！！原子が結合し、末端にＳ
１−ＣＨ，結合を有する下翫１の構造であることがわか
った。
８の重量平均分子ｙ＃および溶解度、さらにこれをシリ
ル化したシリル末端ＰＤＩ−１ｓの赤外吸収スＲクトル
から、この物質は、シロキサン結合を主骨格とし、ケイ
素原子に２個の水１５１！！原子が結合し、末端にＳ
１−ＣＨ，結合を有する下翫１の構造であることがわか
った。
ＰＤＩ８の重量平均分子ｌＩは、ＧＰＣ法によるポリス
チレン換算値で、１０．００９から３００． （１００
の範囲に８った。
チレン換算値で、１０．００９から３００． （１００
の範囲に８った。
重量平均分子量が１０．０００よυ小さいと、熱処理の
際低分子量体が揮発してしまうため重ｉｉＩ減少が大き
くなり、膜に歪が入りやすくなるので不適当であり、３
００．０００より大きいと、三次元架橋を起こしｒル化
し易くなり溶媒に不溶となるので不適当である。
際低分子量体が揮発してしまうため重ｉｉＩ減少が大き
くなり、膜に歪が入りやすくなるので不適当であり、３
００．０００より大きいと、三次元架橋を起こしｒル化
し易くなり溶媒に不溶となるので不適当である。
シリル末端ＰＤＨ８の分子量はＰＤＩ（Ｓの分子量と中
質的に同一と考えられる。
質的に同一と考えられる。
コ（７） ＰＤ）（Ｓ （７）ベンゼン、トルエン、メ
チルアルコールおよびメチルアルコールに対する温度２
０〜２５℃の溶解度は、いずれも少なくとも重量比１：
１まで溶解し、またトリエチルシリル末端Ｐｒ）Ｈ８ｉ
ｔ、ベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトンおよ
びメチルエチルケトンに対する温度２０〜２５℃の溶解
度は、いずれも少なくとも重量比１：ｌまで溶解した。
チルアルコールおよびメチルアルコールに対する温度２
０〜２５℃の溶解度は、いずれも少なくとも重量比１：
１まで溶解し、またトリエチルシリル末端Ｐｒ）Ｈ８ｉ
ｔ、ベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトンおよ
びメチルエチルケトンに対する温度２０〜２５℃の溶解
度は、いずれも少なくとも重量比１：ｌまで溶解した。
Ｍｉｌ１分析は、ジメチルシリル末端ＰＤＨ８の未硬化
のものの型針を１００係とし、昇温速度５℃、／ｍ ｌ
ｎで９００℃まで加熱した。重量の変化は２５０℃か
ら始まって４５０℃では約１１０％に達した。これは５
ｌ−）（が分解して酸素が付加したためと考えられ、酸
化は４５０℃でほぼ完了し、その後は８００℃を超える
まで変化のないことがわかった。
のものの型針を１００係とし、昇温速度５℃、／ｍ ｌ
ｎで９００℃まで加熱した。重量の変化は２５０℃か
ら始まって４５０℃では約１１０％に達した。これは５
ｌ−）（が分解して酸素が付加したためと考えられ、酸
化は４５０℃でほぼ完了し、その後は８００℃を超える
まで変化のないことがわかった。
こうして得られるＰＤ）（Ｓ Ｖｉ溶剤を用いてスピン
コードすることが可能である。そ（７て、例えば、空気
中４５０〜５００℃で３０分〜１時間程度熱処理すると
、５ｔ−Ｈ結合および５ｔ−Ｒ結合が分解し、体積の小
さい水素原子が飛散する一方、酸素が付加して、Ｓ＋Ｏ
２膜となる。スピンコードが可能であるから、８１０２
Ｎが平坦化する。熱処理によって飛散するのけ体積の小
さい水素原子であるから、ピンホールの発生、歪の形成
ひいてクラックの発生を彦〈シ、緻密な５１０２膠を得
ることができる。これらの性質から、本発明による５１
０２膜の形成方法は半導体装置の絶縁膜を形成するのに
好適である。例えば、第１図を参照すると、シリコンウ
ェハ１上に５μｍ間隔で１ｉ、Ｉ Ｆ１μｍ１厚さ１７
ａのアルミニウム配ｌｆ＋！２があっても、本発明の方
法によれば、図に示す如く平坦な８１０２１ｉ＠３を形
成することができる。
コードすることが可能である。そ（７て、例えば、空気
中４５０〜５００℃で３０分〜１時間程度熱処理すると
、５ｔ−Ｈ結合および５ｔ−Ｒ結合が分解し、体積の小
さい水素原子が飛散する一方、酸素が付加して、Ｓ＋Ｏ
２膜となる。スピンコードが可能であるから、８１０２
Ｎが平坦化する。熱処理によって飛散するのけ体積の小
さい水素原子であるから、ピンホールの発生、歪の形成
ひいてクラックの発生を彦〈シ、緻密な５１０２膠を得
ることができる。これらの性質から、本発明による５１
０２膜の形成方法は半導体装置の絶縁膜を形成するのに
好適である。例えば、第１図を参照すると、シリコンウ
ェハ１上に５μｍ間隔で１ｉ、Ｉ Ｆ１μｍ１厚さ１７
ａのアルミニウム配ｌｆ＋！２があっても、本発明の方
法によれば、図に示す如く平坦な８１０２１ｉ＠３を形
成することができる。
また、ＰＤＩ８を硬化して得る５１０２膜はガラス基体
との密着性に優れており、ガラス基体にある傷や突起物
を被覆し、平坦化できる。ガラス基体−＼のＰｒ）Ｈ８
？？’ 在方法としてはスピンコードのｔ分か、大型相
料の場合など浸漬法によることもできる。
との密着性に優れており、ガラス基体にある傷や突起物
を被覆し、平坦化できる。ガラス基体−＼のＰｒ）Ｈ８
？？’ 在方法としてはスピンコードのｔ分か、大型相
料の場合など浸漬法によることもできる。
５１０２膜の厚＃ｔｊ：０．０５戸程度から０．７〜０
．８ ｔｔｍ程度まで容易にコントロールできる。そし
て、ガラス集体にコーティングすることによってソーダ
がラスの「ガラスやけ」を防止できる。こうした性質か
ら、本発明によるｓ＋ｏ２Ｉ１１！け形成１’を液晶セ
ルあるい岐光学材料用のガラス基板に応用できる。
．８ ｔｔｍ程度まで容易にコントロールできる。そし
て、ガラス集体にコーティングすることによってソーダ
がラスの「ガラスやけ」を防止できる。こうした性質か
ら、本発明によるｓ＋ｏ２Ｉ１１！け形成１’を液晶セ
ルあるい岐光学材料用のガラス基板に応用できる。
あるいけ、さらに、例えば高純度を要求される薬品を保
存するビンの内壁に５ＩＯ２膜を形成し、アルカリイオ
ンが薬品に混入するのを防ぐことにも応用できる。
存するビンの内壁に５ＩＯ２膜を形成し、アルカリイオ
ンが薬品に混入するのを防ぐことにも応用できる。
ＰＤＨ８の塗布方法は適当な溶剤、例えばベンゼン、キ
シレン、トルエンなどの芳香族炭化水素系、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、などのケトン系の
有機溶剤Ｋ ＰＤＨ８を溶解し、スピンコード法、浸漬
法その他の方法で基体上に塗布する。このとき、塗布溶
液の濃度を変えて、得らｈる５１０２膜の膜厚を調整す
ることができる。
シレン、トルエンなどの芳香族炭化水素系、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、などのケトン系の
有機溶剤Ｋ ＰＤＨ８を溶解し、スピンコード法、浸漬
法その他の方法で基体上に塗布する。このとき、塗布溶
液の濃度を変えて、得らｈる５１０２膜の膜厚を調整す
ることができる。
ＰＤＨ８溶液を塗布後、溶剤を飛ばしてから、酸素雰囲
気中で熱処理する。例えば、空気中４５０〜５００℃で
３０分〜１時間程度熱処理する。
気中で熱処理する。例えば、空気中４５０〜５００℃で
３０分〜１時間程度熱処理する。
実施例
市販のジェトキシシラン］（ｌに純水］００ｇを加え、
よく振盪した。分増した水層の−１は５８であったので
、精密蒸留し、得た沸点８００〜８０５℃の留分の中の
３０．９を再び１００ｇの純水で水洗したものは一１＝
６６であった。
よく振盪した。分増した水層の−１は５８であったので
、精密蒸留し、得た沸点８００〜８０５℃の留分の中の
３０．９を再び１００ｇの純水で水洗したものは一１＝
６６であった。
こうして精製したジェトキシシラン５０．？ｌ’ｌｆ製
したメチルインブチルケトン９５０ｇを加λ１、水冷し
て攪拌しながら蒸留水７５ｇを５秒に】滴ずつの割合で
滴下して加水分解脱アルコールし、さらに約３０分間水
冷を続けた後、徐々に温度を昇ばて３５℃として２時間
この温度で攪拌をり、幻て加水分解し縮重合させた。こ
の間５０納Ｈｇ減圧として生成したアルコールと水とを
除き反応をイｊｌ進した。残留液はＰＤＨ８を約３軍ｆ
＃チ含むジメチルイソブチルケトン溶液５５０ｇであっ
た。
したメチルインブチルケトン９５０ｇを加λ１、水冷し
て攪拌しながら蒸留水７５ｇを５秒に】滴ずつの割合で
滴下して加水分解脱アルコールし、さらに約３０分間水
冷を続けた後、徐々に温度を昇ばて３５℃として２時間
この温度で攪拌をり、幻て加水分解し縮重合させた。こ
の間５０納Ｈｇ減圧として生成したアルコールと水とを
除き反応をイｊｌ進した。残留液はＰＤＨ８を約３軍ｆ
＃チ含むジメチルイソブチルケトン溶液５５０ｇであっ
た。
このＰＤＨ８溶液にジェトキシシランと回当偕のジメチ
ルクロルシラン３９．９を攪拌しながら加え、３０℃で
３０分間攪拌し続けてシリル化を冗了した。蒸留水２ｊ
を１秒に１滴ずつの割合で滴下して、ｊμ別のジメチル
クロルシランを分解し、さらに水洗し、減圧濃縮した。
ルクロルシラン３９．９を攪拌しながら加え、３０℃で
３０分間攪拌し続けてシリル化を冗了した。蒸留水２ｊ
を１秒に１滴ずつの割合で滴下して、ｊμ別のジメチル
クロルシランを分解し、さらに水洗し、減圧濃縮した。
得た有機＊に５Ｐ容素の了セトニトリルを加えてシリル
末ｆｉ ＰＤＨ８を沈瞬させ、アセトニトリルによる傾
斜洗浄を３回反復して、白色粉末のジメチルシリル末端
ＰＤＨ８ＩＩ’！Ｉを得た。
末ｆｉ ＰＤＨ８を沈瞬させ、アセトニトリルによる傾
斜洗浄を３回反復して、白色粉末のジメチルシリル末端
ＰＤＨ８ＩＩ’！Ｉを得た。
このシリル末＠ＰＤＨ８の重量平均分子量ｄ、次のよう
に測定した。
に測定した。
ジメチルシリル末端ＰＤＨ８の０．１．９を１０ｇ（７
）テトラヒドロフランに治解し１ｗｔ％テトラヒドロフ
ラン溶液とした。この溶液を用いてＧＰＣ法（４″ルノ
平−ミニ−ジョンクロマトグラフィー）によし分子１１
測定した。この結果、１［数平均分子１４ Ｍｙ＝１５
８．０００、数平均分子計ＭＮ＝３０．２００、分散度
ＭＷ／ＭＮ ＝ ５．２７であることがわかった。
）テトラヒドロフランに治解し１ｗｔ％テトラヒドロフ
ラン溶液とした。この溶液を用いてＧＰＣ法（４″ルノ
平−ミニ−ジョンクロマトグラフィー）によし分子１１
測定した。この結果、１［数平均分子１４ Ｍｙ＝１５
８．０００、数平均分子計ＭＮ＝３０．２００、分散度
ＭＷ／ＭＮ ＝ ５．２７であることがわかった。
ＰＤＨ８自身の平均分子量はシリル化ＰＤＨ３と同一と
考えられる。なおこのＰＤＨ８け室温（２５℃）におい
てベンゼン、トルエン、メチルインブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、メチルアルコー
ル、エチルアルコールニ少すくとも重量比１：１まで溶
解した。捷たジメチルシリル末端Ｐ ＤＨ８け宰温（２
５℃）においてベンゼン、トルエン、メチルイソブチル
ケトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランに少
なくとも重量比１：１まで溶解した。
考えられる。なおこのＰＤＨ８け室温（２５℃）におい
てベンゼン、トルエン、メチルインブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、メチルアルコー
ル、エチルアルコールニ少すくとも重量比１：１まで溶
解した。捷たジメチルシリル末端Ｐ ＤＨ８け宰温（２
５℃）においてベンゼン、トルエン、メチルイソブチル
ケトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランに少
なくとも重量比１：１まで溶解した。
例２
精製ジメチルシリル末端ＰＤ）（８５，９ヲトルエン２
．０ ＆に溶解した２０軍１１％溶液を、シリコンウェ
ハ上に３０００ ｒｐｍでスピンコードして塗膜を形成
し、これをｌｏｏ”ｃで３０分間、次いで４５０℃で１
時間熱処理して５ＩＯ２膜とした。この熱処理の前後の
膜厚の変化は、硬イし前の９．７５ 廊が硬化後の０．
７０℃ｍとなった程度であり、さらに空気中で５００℃
で２時間放置したが、膜に異常は認められなかった。こ
のように酸化ケイ素膜はクラ９．Ｉりも発生せず、また
微少なピンホールも視覚できないばかりでなく、電気抵
抗が５Ｘ１０”Ω１であり、絶縁性は良好であった。
．０ ＆に溶解した２０軍１１％溶液を、シリコンウェ
ハ上に３０００ ｒｐｍでスピンコードして塗膜を形成
し、これをｌｏｏ”ｃで３０分間、次いで４５０℃で１
時間熱処理して５ＩＯ２膜とした。この熱処理の前後の
膜厚の変化は、硬イし前の９．７５ 廊が硬化後の０．
７０℃ｍとなった程度であり、さらに空気中で５００℃
で２時間放置したが、膜に異常は認められなかった。こ
のように酸化ケイ素膜はクラ９．Ｉりも発生せず、また
微少なピンホールも視覚できないばかりでなく、電気抵
抗が５Ｘ１０”Ω１であり、絶縁性は良好であった。
またこの硬化膜は下地基板との密着性が良好であって、
ケイ素、酸化ケイ素、通常のガラス、リンケイ酸ガラス
、アルミナおよびアルミニウムなど、多様な基板と対し
てすぐれた密着性を示した。
ケイ素、酸化ケイ素、通常のガラス、リンケイ酸ガラス
、アルミナおよびアルミニウムなど、多様な基板と対し
てすぐれた密着性を示した。
例３
ＭＷジメチルシリル末端ＰＤＨ８５ｇヲ）ルエン４５ｇ
Ｋ溶解した１０重量係溶液を、寸法５０゜×５０閾、厚
さ１．２ ｍのソーダガラス某板上に３０００ｒｐｍ、
３０秒の条件でスピンコードして塗膜を形成し、これを
空気中１２０℃で３０分間、次いで４５０℃で１時間熱
処理して硬化させ、５ＩＯ２膜とした。同様の操作をガ
ラス基板の裏側にも行なった。また、ガラス基板の側面
については（真で塗布してやはり５１０２膜を形成した
。
Ｋ溶解した１０重量係溶液を、寸法５０゜×５０閾、厚
さ１．２ ｍのソーダガラス某板上に３０００ｒｐｍ、
３０秒の条件でスピンコードして塗膜を形成し、これを
空気中１２０℃で３０分間、次いで４５０℃で１時間熱
処理して硬化させ、５ＩＯ２膜とした。同様の操作をガ
ラス基板の裏側にも行なった。また、ガラス基板の側面
については（真で塗布してやはり５１０２膜を形成した
。
得られた５１０２膜の膜厚をアルファステップで測犀し
たところ０．２ Ｆｌ ｌｔｍであった。この５ｉ０２
Ｆを形成したガラスは長期間（３年間）大気中に放ｔＩ
！ｊ してもガラスやけは起こらなかった。また、純水
で２時間煮沸試験した後、水中のアルカリイオンをイオ
ンクロマトグラフィーにより測定したが、アルカリイオ
ンは全く検出されなかった。
たところ０．２ Ｆｌ ｌｔｍであった。この５ｉ０２
Ｆを形成したガラスは長期間（３年間）大気中に放ｔＩ
！ｊ してもガラスやけは起こらなかった。また、純水
で２時間煮沸試験した後、水中のアルカリイオンをイオ
ンクロマトグラフィーにより測定したが、アルカリイオ
ンは全く検出されなかった。
さらに、このガラス基板を使用した液晶セルは長期間使
用しても、ガラスやけやアルカリイオンの溶出はなく、
これらの拐料が原因と考えられる異常は全く起こらなか
った。
用しても、ガラスやけやアルカリイオンの溶出はなく、
これらの拐料が原因と考えられる異常は全く起こらなか
った。
発明の効果
本発明により、シリコーン樹脂を用いた高純度ｓ＋ｏ２
ｍの形成方法が提供され、凸凹のある学導体基板上に平
坦化された優れた絶縁模を提供したり、安価なソーダガ
ラス等のガラスやけやアルカリイオンの溶出を防止する
ことができる。
ｍの形成方法が提供され、凸凹のある学導体基板上に平
坦化された優れた絶縁模を提供したり、安価なソーダガ
ラス等のガラスやけやアルカリイオンの溶出を防止する
ことができる。
第１図は半導体装置の断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・金属配線層、３・・・５
ＩＯ２腿。
ＩＯ２腿。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式： （式中、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６Ｖｉ同一
でも異なっていてもよく、水素片子またけ低級アルキル
族である。） を有するポリジハイドロジエンシロキサンからなるシリ
コーン樹脂を基体表面に塗布し、酸素界囲気中で熱処理
することＫよって酸化珪素膜を形成する方法。 ２ 前記基体が半導体基板である特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ３、前記基体がガラス基板である特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ４ 前記基イ本がガラス瓶である特許請求の範囲第１項
記個の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8936184A JPS60235711A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ＳｉＯ２膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8936184A JPS60235711A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ＳｉＯ２膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235711A true JPS60235711A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=13968565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8936184A Pending JPS60235711A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ＳｉＯ２膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235711A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262844A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-31 | エアー．プロダクツ．アンド．ケミカルス．インコーポレーテツド | 二酸化ケイ素ガラス膜の形成方法 |
| DE19630342A1 (de) * | 1995-08-23 | 1997-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
| DE19861329B4 (de) * | 1997-06-26 | 2006-02-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Struktur eines Zwischenschichtisolierfilmes in einer Halbleitereinrichtung |
| JP2009191331A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Kobe Steel Ltd | 酸化シリコン膜の製造方法 |
| WO2010067850A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 旭硝子株式会社 | 酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP8936184A patent/JPS60235711A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262844A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-31 | エアー．プロダクツ．アンド．ケミカルス．インコーポレーテツド | 二酸化ケイ素ガラス膜の形成方法 |
| DE19630342A1 (de) * | 1995-08-23 | 1997-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
| US5976626A (en) * | 1995-08-23 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| DE19630342C2 (de) * | 1995-08-23 | 2003-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | Herstellungsverfahren einer isolierenden Zwischenschicht auf einem Halbleitersubstrat |
| DE19861329B4 (de) * | 1997-06-26 | 2006-02-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Struktur eines Zwischenschichtisolierfilmes in einer Halbleitereinrichtung |
| JP2009191331A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Kobe Steel Ltd | 酸化シリコン膜の製造方法 |
| WO2010067850A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 旭硝子株式会社 | 酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
| JP5545221B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-07-09 | 旭硝子株式会社 | 酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
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