JPS60226873A - １，３−ベンゾオキサチオ−ル誘導体及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 を有する新規な１．３−べ／ジオキサチオール誘導体及
びその条理上許容される塩並びにその製法に関するもの
である。

本願発明者らは、１，３−べ／ジオキサチオール誘導体
の製造とその薬理活性について、長年に亘り鋭意研究ヲ
重ねた結果、これらの化合物がすぐれた過酸化脂質低下
作用、血小板凝集阻害作用、８Ｒ８−Ａ産生抑制作用及
び気道抵抗抑制作用尋を有し、これらの薬理作用に基つ
く循環障害治療剤または抗アレルギー剤として有用であ
ることを見出し、本発＃Ｊを充放うるに至った。

上記式中、ＲＦｉ水素原子、ａｍされていてもよいアル
キル基、低級アルケニル基、　ｍ−換されていでもよい
アリール基又は低級アルコキシカルボニル基を示し、Ｒ
は水素原子、低級アルキル基又は炭素数３乃至４個のア
ルケニル基會示し　Ｒ３は水素原子又は低級アルキル基
を示し、Ｒ４は保護されていてもよい水酸基を示し、Ｒ
５は低級アルキル基、低級アルコキシ基、水酸基又は低
級脂肪族若しくはアリールアシルオキシ基を示し、Ｒ６
は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示
し、ｎは０乃至２の整数を示す。

Ｒ１における置換されていてもよいアルキル基のアルキ
ル基としては、例えばメチル、エチル　ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル。

イソブチル、ｎ−べブチル、イソペンテゝル、２−メチ
ルブチル、１−エチルプロピル、ｎ−ヘキシル、イソヘ
キシル、ｎ−ヘプチル、イソオクチル、ｎ−デシル、３
，７−シフチルオクテル、４．Ｂ−ジメチルノニル、イ
ソトリデシル。

ｎ−ペンタデシル、２，６．１０−）リメチルー、−ｌ
　、Ｊ−と−り創　ｌリノキギ？ｌル直鎖状若しくは分
枝状のアルキル基にめげることができ、好適には炭素数
１乃至１０個のアルキル基である。Ｒが非置換アルキル
基のとき、さらに好適なものは炭素数１乃至６個のアル
キル基で６りＳＲが後述する＆換基を有するア至５個の
アルキル基である。

上記アルキル基の置侠拳としては、例えば弗素、塩素、
臭素、沃素のよつなハロゲン原子：保腫されていてもよ
い水酸基〔核保鹸、４はψ１」えばホルミル、アセチル
、プロピオニル、）゛チ１ノル、イソブチリル、バレリ
ルのような低級脂肪２族アクル基、置換されていてもよ
いベンゾイル。

ナフトイルのようなアリールアシル基（該置換基として
は、）−ロゲン原子、メチル、エチル。

ｎ−プロピル、イソプロピル、゛ｎ−ブチルのような低
級アルキル基又はメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ
、イソブチリル７又はｎ−フ゛トキシのような低級アル
コキシ基をあげることができる。）、メトキシメチル、
％−メトキシエチル、エトキシメチル、１−工、トキシ
エチル、ｎ−プロポキシメチルのよりな１−低級アルコ
キシ低級アルキル基、テトラヒドロ−２−フラニル、テ
トラヒドロ−２−ピラニルのような環状エーテル基、ト
リメナルシリル、トリエチルシリル、ジメチル−ｔ−ブ
チルシリルのようなトＩＪ　ｔ、換シリル基又はぺ／ジ
ル、Ｐ−メトキシベンジル、Ｐ−プロムペ／ジルのよう
なアラルキル基をあけることができる。〕；置換さねて
いてもよいメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ。

イソプロポキシ、ｎ−ブトキシのような低級アルコキシ
基（該置換基はアミノ基又はメールアミノ、ジメチルア
ミノ、エチルアミン、ジエチルアミノ、ｎ−プロピルア
ミンのような低級アルキルアミノ基である。）：カルボ
キシ基；メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ
−プロポキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニルのよ
うな低級アルコキシカルボニル基；又ハカルバモイル、
Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ。

Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ−エチルカルバモイル、
Ｎ、Ｎ−ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモ
イルのような低級アルキル基で置換されていてもよいカ
ルバモイル基をおけることができるか、好適にはハロゲ
ン原子、保護されてもよい水＃＆又は低級アルコキシカ
ルボニル基でおりさらに好適には、水酸基、低級脂肪族
アシルオキシ基又はベンゾイルオキシ基でめる。

低級アルケニル基としては、例えばビニル。

アリル、メタアリル、３−ブテニルのような炭素数２乃
至４個のアルケニル基ケあけることができる。

置換されてもよいアリール基のアリールとしてハ、側光
ばフェニル、ナフチルでおり、好適ＫＦｉフェニル基で
ある。

置換基としては、例えば、メチル、エチル。

ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチルのような低級
アルキル基；ハログ／原子：保廁されていてもよい水酸
基−低級アルコキシ基；カルボキシ基：又は低級アルコ
キシカルボニル基？シけることかできる。ハロゲン原子
、保護されていてもよい水酸基の保毅基、低級アルコキ
シ基及び低級アルコキシカルボニル基は前記アルキル基
の置換基にふ−いて例示した基と同様の基であり、好適
には水酸基又は低級脂肪族アシルオキシ基である。

Ｒ２の炭素数３乃至４個のアルケニル基としてけ、例え
ばアリル、メタアリル又は３−ブテニル基である。

Ｒの保護されていてもよい水酸基の保腹基としては、例
えは、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ｎ−ブチリ
ル、イソブチリル　Ｌｎ−バレリル、インバレリル、ヘ
キサノイル、オクタツル、デカノイル、トリデカノイル
、ペンタデカノイル、ヘプタデカノイル、ノナデカメイ
ル。

２．６．１０．１４−テトラメチルノナデカノイル。

エイコサノイルのような炭素数１乃至２１個の＋１Ｍ肪
族アシル基（該アシル基はカルボキシ又は低級アルコキ
シカルボニル基又は置換されていてもよいアリールオキ
シカルボニル基で置換されてもよい。）：を換されてい
てもよいベンゾイル、ナフトイルのようなアリールアシ
ル基（！ａ置換基は低級アルキル基、ハロゲン原子。

水酸基、低級脂肪族アシルオキシ基、低級アル：ｌ−／
ｉカルボキン基基低低級アルコキシカルボニル基はメタ
ンスルホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、ｎ−プ
ロパンスルホニルオキシ、べ／ゼンスルホニルオキシ、
ｐ−トルエンスルホニルオキシのようなスルホニルオキ
シ基であるが好適には、水酸基、低級脂肪族アシルオキ
７基、カルボキシ丞又は低級アルコキシカルボニル基で
おる。）；１−低級アルコｄＦ’／低級アルキル基；環
状エーテル基；トリ置俣シリル基又はアラルキル基をあ
げることができる。

ここにおいて、低級アルキル、低級アルコキン。

ハロゲンｉ記Ｒ１における水酸基の保護基と同一の表現
は同様の基を示す。又、Ｒ’、　Ｒ５及びＲ６について
も前述した表現と同一の基＃ｉ回禄の基を示すか好適に
は、Ｒは低級アルキル基であり、Ｒは低級アルキル基で
あり、Ｒは低級アルキル端である。

ｎは好適には０でおる。

又、化合物（すにおいて、好適には以下の化合物をあけ
ることができる。

１）Ｒ１が水素原子；ハロゲン原子、保護されていても
よい水酸基看しくに低級アルコキシカルボニル基で１従
換されていてもよい炭素数１乃至１０個のアルキル基；
低級アルケニル基；又は置換されていてもよいフェニル
基でｈＤ、Ｒ２が水素原子？６る化合物。

２）　Ｒ、Ｒ及びＲが低級アルキル基である化合物。

３）　ｎが０である化合物 ４）　Ｒが水素原子；炭素数１乃至６個のアルキル基：
水酸基、低級脂肪族アシルオキシ基若しくけベンゾイル
オキシ基で置換された炭素数１乃至６個のアルキル基、
特に炭素数３乃至５個のアルキル基；水酸基又は低級脂
肪族アシルオキシ基若 Ｒ２か水素原子でおり　Ｒ５が低級アルキル基であり　
Ｒ４か脂肪族アシル若しくはベンゾイルで保護されても
よい水酸基であり、Ｒが低級アルキル基であり　Ｈ６か
低級アルキル基てわり、ｎがＯである化合物。

本発明に係る一般式（Ｉ）を壱する層規化合物は以下に
示す方法によって製造することかできる。

Ａ法 Ａ法は化合物（１）において　Ｒ２が水素原子を示す化
合物（Ｉａ）　？製造する方法で以下の工４８＋′ニ（
Ｉａ） 上記式中、Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ及びｎけ前述したものと
同意義を示し、Ｒは水素原子、保護された水酸基、低級
アルコキシカルボニル基若しくは低級アルコキシ基でｔ
換されていてもよいアルキル基、低級アルケニル基、を
換されていてもよいアリール基（ｆｉ：換基の水酸基は
採論基を有する。）又は低級アルコキシカルボニル基を
示し、Ｒは保護された水酸基を示し、Ｒ９は低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、低級脂肪族若しくはアリール
アシルオキシ基を示し、ｍは２乃至３の整数を示す。

第１工程は一般式ＣＰりを有するジチオ又はトリチオ化
合物を製造する工程で、不活性溶剤中、一般式（ＩＩ）
を有するチオール化合物を酸素と反応させることによっ
て達成される。

本工程の原料化合物（ＩＩ）は公知の２−オキソ−１，
３−ベンゾオキサチオール〔例えば、ジャーナル・オブ
・オルガニック・ケミストリー３３巻、４４２６ｊｊ（
１９６８年）　：　Ｊ、Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｍ、。

３３．４４２６（１９６８））のアルカリ加水分解を行
うことによって容易に得られる。

本反応に使用される不活性溶剤としては特に制限はない
か、ｎ−へキサン゛、ｎ−へブタン。

ｎ−オクタンのような脂肪族炭化水素類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、メチレン
クロリド、クロロホルム、四塩化炭素のようなハロゲン
化炭化水素類、エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サ／のようなエーテル類、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミドのようなアミド類をあけることができ
るが好適にはエーテル類またはハロゲン化炭化水素類で
ある。

反応温度は通常０乃至１００℃であり、好適にＶｉＩＯ
℃乃至４０℃である。反応に要する時間は原料化合物ま
たは反応温度により異なるが１時間乃至５０時間である
。

反応に用いる徴集の使用方法としては、酸素または空気
を反応液中に吹き込むか、酸素または空気雰囲気中で反
応液を攪拌する方法が選択されるが好適な方法は空気を
反応液中に吹き込む方法である。

反応終了後本工程の目的化合物（ＩＶ）　ｆ′ｉ當法に
従って反応混合物から採取される。例えば反応混合物よ
り有機溶剤全留去し、残留物を再結晶法またはカラムク
ロマトグラフィーで和製することによりて得ることがで
きる。

第２工程は一般式＜ｒｖ）を有するジチオまたはトリチ
オ化合物を別途に製造する工程で、一般式（Ｉｌｌ）を
有するヒドロキシ化合物に不活性酊媒中、触媒の存在若
しくは不存在下、硫黄ハロゲン化合物を反応させること
によって達成される。

本反応に使用される硫黄ハロゲン化合物としては、−塩
化硫黄、−臭化硫黄、二壌化帆黄等ケあげることが１”
きるが、好適には一塩化に負である。反応に使用される
触蝶としては、鉄粉。

ニッケル粉、コバルト粉等の金鵬粉をあけることができ
るか、好適には鉄粉である。また上述の触媒が存在しな
くても、反応は進行し、目的化合物か得られる。

反応に使用される不活性溶剤としては、アセトニトリル
のようなニトリル類、エーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサンのようなエーテル類、ジメチルホルムアミド
、ジメチルアセトアミドのようなアミド類をあげること
ができるか、好適にけアセトニトリルである。

反応温度は一７０℃乃主３０℃であるが、好適にけ一３
０℃乃至１０℃である。反応時間は使用される原料化合
物のＭ類または反応ｆＭ度により異なるが、１時間乃至
２０時間であり、好適には２時−１乃至１０時間である
。

また副反応全抑制するために、屋索またはアルゴン雰囲
気で反応を行うこともでき、反応の目的化合物は通常、
ジテオ体およびトリチオ体の混合物として得られる。

反応終了後、本工程の目的化合＆１（ＩＶ）は當法に従
って反応混合物から採板される。例えに有機溶剤の不溶
物を戸去して得たＰ液から有機溶剤（＋−留去Ｌ７、残
留物ｔ−再結晶法またけカラムクロマトグラフィーで精
製することによって得ることができる。

なお、本工程の目的化合物でろるジチオ体およびトリチ
オ体は分離１″ることなく次の工程ｒ（使用することが
できる。

第３工程は一般式（Ｖ）を有するアシルオキシ化合物を
製造する工程で、一般式（ＩＶ）　ｉ有するジテオまた
けトリチオヒドロキシ化合物に不活性沼剤中、一般式 ％式％ （式中、Ｒは前記Ｒから水素原子を除いた基と同様の基
を示す。）１ｊｒ′％″１小カルボン酸の反応性銹導体
を反応させることによって達成される。

反応に使用されるカルボン酸の反応性飴纒体と（２，て
け、一般式 ％式％（） （式中、Ｒは前述したものと同ｉｈｔ示し、又は塩素、
臭素、沃累のようなハロゲン原子？示す。）を有するカ
ルボン酸ハライドまたは一般式 （式中、Ｒ１１はＲ１０が示す基から低級アルコキシカ
ルボニル基を除いた基を示す。）を有する酸無水物をめ
げることができるが、好適ＶＣはカルボ／散クロリドで
ある。

又、環状酸無水物、例えば、無水コハク酸。

無水グルタル酸會用いることもできる。この符合にはカ
ルボキシ基を有する化合物が製造される。

反応に使用される不活性溶剤としては、反応に関与しな
いものなら特に制限はないか、ｎ−へキサ／、ｎ−へブ
タン、ｎ−オクタンのような脂肪族炭化水素類：べ／ゼ
ン、トルエン、キクレンのような芳香族膨化水素類：塩
化メチレ／、クロロホルムのようなハロゲン化炭化水素
随−又はエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンの
ようなエーテル類をあけることができるが、好適には芳
香族炭化水素類またはエーテル鄭１である。

反応を促進させるためには、脱酸剤を使用することか好
ましく、その脱酸剤としては例えはトリエチルアミン、
Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン。

メチルモルホリン、ピリジ／、４−（ＩＪ、Ｎ−ジメチ
ルアミン）ピリジン、１，５−ジアザビシクロｒ４．３
．０）ノネｙ　−ｓ　（Ｄ　ＢＮ）　＋１．８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０’）ウンデセｙ−７（ＤＢｕ）の
ような有機塩基または水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウ
ムのような無機塩基があけられるが、好適にはトリエチ
ルアミン、ピリジンのような有接塩基であり、これらを
過剰に使用するときは溶剤を使用しなくてもよい。

反応温度は通常−１０乃至６０℃であり、好適には室温
付近である。反応に要する時間は土間乃至３０時間でお
る。

またＲ　が水素原子を有する化合物は化合物（Ｉりを常
法に従ってビールマイヤー反応を行うことＫよって容易
に得ることかできる。

反応終了後、本工程の目的化合物（Ｖ）は常法に従って
反応混合−から採取される。例えば反応混合物を氷水に
あけ、有機溶剤で抽出し、有機溶剤を留去した後、残留
物を書蒔晶法またはカラムクロマトグラフィーで精製す
ることによって得ることかできる。

第４工程は一般式（Ｖｊ）’を有する化合物を製造する
工程で、化合物（Ｖ）　？不活性溶剤中、還元剤と処理
することによって達成される。

反応に使用される還元剤としては塩化第一錫のような金
属ハロゲン化物または鉄、亜鉛、錫のような金鵜粉末が
あけられるか、好適には亜鉛粉末または鉄粉末である。

使用される不活性俗剤としては例えば永、メタノール、
エタノール、ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノール、イソ
ブタノールのようなアルコール類、ｆｆｌ：酸、プロピ
オン酸、酪酸、ｎ−吉草酸、イソ吉Ｊ＃酸のような脂肪
酸分あけることができるか、好適には酢酸、プロピオン
酸のような脂肪酸である。

本工程にお−で、原料化合物（Ｖ）は好適にはＲ′　が
置換されていてもよいアルキル基若しくはアリール基で
ある。

反応温度Ｆｉｏ℃乃至２００℃であり、好適には５０℃
乃至１００℃である。反応に要する時間は原料、還元剤
のＳ類またＦｉ反応温度によって異なるが、通常１時間
乃至３０時間であり、好適には３時間乃至２０時間でお
る。

反応終了後、本工程の目的化合物（Ｖｌ）　Ｆｉ常法に
従って反応混合物から採取される。例えば不溶物を戸別
し、溶剤を留去することによって得ることができる。さ
らに必要なら残留物に有機溶剤を加え、水洗し、溶剤を
留去した後、杏結晶法、カラムクロマトグラフィーによ
ってｎＩ製することができる。

Ｗ、５工程は、所望に応じて行う工程で、化合物（Ｖｌ
）においてＲ７，Ｒ８及砂へはＲ９に含まれる水酸基の
保護基を除去する反応、生じたヒドロキシメチル基をカ
ルボキシ基に酸化する反応、カルボキシ基をエステル化
する反応、Ｒに含まれる低級アルコキシカルボニル基を
カルボキシ基、置換されてもよいカルバモイル基若しく
はヒドロキシメチル基（カルボキシ基か変換する反応を
含む）に変換する反応、得られたヒドロキシメチル基を
ハロゲン化メチル基に変換する反応、得られたハライド
をアニオン（例えば、カルバニオン、オキシアニオン＠
＝）と処理する反応、ハロゲン化アルキル基からハロゲ
ン化水素を除去してアルケニル基に変換する反応、チオ
ール体をスルホキシド体若しくはスルホン体に変換ブる
反応及び水酸基を保護する反応を含む。上記反応は、適
宜順序を変えて行うことができる。

水酸基の保護基を除去する反応は、保護基の種類によっ
て異なるが、通常の方法に従して除去することができる
。

水酸基の保護基が脂肪族若しくけ芳香族アシル基の場合
には、その除去は通常の加水分解反応によって行なわれ
る。使用される酸または塩基としては一般の加水分解反
応に使用される酸または塩基が特に限定なく使用される
が、通常は例えはアンモニアのようなアミン類又は水酸
化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水散
化カルシウム、水酸化バリウムのようなアルカリ金属若
しくはアルカリ土類金籾の水酸化物を用μて塩基性条件
下で好適に行なわれる。使用される溶剤としては加水分
解反応に用φられる溶剤が特に限定なく用いられ、例え
ばメタノール？エタノール、ｎ−グロパノール。

イソプロピルアルコールのようなアルコール類；エチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキ
シエタンのようなエーテル類；ジメチルスルホキクドの
ようなジアルキルスルホキシド類およびこれらの有機溶
剤と水との混合溶剤をあげることができる。反応温度に
は特に限定はなく、通常は室温付近乃至ｆｒ３剤の奔流
温度で行なわれる。反応時間は反応温度などによって異
なるか、通常は１乃至２４時間である。この際、アルコ
キシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基が存
在する場合にはカルボキシ基に変換される。

又、還元剤例えばリチウムアルミニウムヒドリドとテト
ラヒドロフラン中、処理することによっても保睦基を除
去することもできる。

水酸基の保義基か１−低級アルコキシ低級アルキル又は
環状エーテル基である場合は、相蟲する化合物を酸と接
触させることによ９ｇ４躬に達成される。使用される酸
としては例えばギ酸。

酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、酪散。

シュウ酸＋マロン酸、メタンスルホン酸、べ／ゼンスル
ホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファースルホン
酸などの有機酸；塩酸、臭化溶剤の存在下または不存在
下で実施され名が、反応を円滑に行なうには溶剤を使用
する方か好ましく、使用される溶剤としては本反応に関
与しなければ特に限定けなく、例えは水；メタノール、
エタノールなどのアルコール類；テトラヒドロフラン、
ジオキサンなどのエーテル類ニア七トン、メチルエチル
ケトンのよりなケトン類；ジブ四ムメタンのようなハロ
ゲン化炭化水素力１またはこれらの有機溶剤と水との混
合溶剤が好適に使用される。反応温度には特に限定はな
く室温乃至溶剤の還流温度で行なわれる。

又反応に要する時間は３０分間乃至１０時間である。

水酸基の保護基がトリ置換シリル基の場合は水あるＶｈ
Ｆｉ酸または塩基を含有する水と接触させることにより
容易に達成される。酸または塩基を含有する水を使用す
る場合に含有される酸または塩基としては例えばギ酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸などの
有機ｒＩＩ：塩酸、臭化水素酸、硫酸などの鉱酸のよう
な酸または水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのア
ルカリ金属およびアルカリ土類金属の水酸化物；炭酸カ
リウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ金属およびアル
カリ土類金属の炭酸塩のような塩基が特に限定なく使用
される。反応は溶剤として水を使用すれは他の溶剤は特
に必要ではない。他の溶剤を使用する場合は例えばテト
ラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類；メタノ
ール、エタノールなどのアルコール類等の有機溶剤と水
との混合溶剤が使用される。反応温度には特に限定はな
いが通常は室温で好適に行なわれる。反応に要する時間
は３０分間乃至５時間である。又、テトラヒドロフラン
、ジオキサンのようなエーテル類又は酢酸のような脂肪
酸類中、フッ化テトラブチルアンモニウムで処理するこ
とによっても達成される。

水酸基の保護基がアラルキル基の場合には、水素および
パラジウム−炭素のような接触鮪元触媒または値化ナト
リウム若しくは硫化カリウムのようなアルカリ金、［１
化物と処理すあことにより除去される。反応は溶剤の存
在下で行なわれ、使用される溶剤としては本反応に関与
しないものであれは特に限定はないが、メタノール。

エタノールのようなアルコール類、テトラヒドロフラノ
、ジオキサ／のようなエーテル類、酢酸のような脂肪酸
およびこれらの有機溶剤と水との混合溶剤が好適である
。反応温度は通常は０℃乃至室温付近であり、反応時間
は原料化合物および還元剤の種類によって異なるが、通
常ｔｉＳ分間乃至１２時間である。

Ｒ′　に含まれる水酸基の保護基及びＲ８が同一の保護
基の場合には上記の保護基の除去反応により同時に除去
される。又、保護基金適宜選択することにより、選択的
に脱保護することもできる。

ヒドロキシメチル基をカルボキシ基に変換する反応は常
法に従って行われる。

使用される酸化剤としては例えば無水クロム酸−ｍｍ酸
−水（Ｊｏｎｅｓ試薬）、ｙａマフガフ酸カリウム−水
酸化ナトリウム若しくけ炭酸ナトリウム、酸化銀１重ク
ロム酸カリウム−硫酸等をわけることができる。

反応は通常アセトンのようなケトン類、水又は水とメタ
ノール、エタノールのようなアルコールとの混合溶剤中
で行われる。

反応温度は一３０’Ｃ乃至１００’Ｃであり、反応に袈
する時間は通常３ｏ分間乃至５時間である。

本反応において、テア基がスルフェニル基若しくけスル
ホニル基に酸化された場合には、常法［従って還元剤、
例えはチオフェノール、亜硫酸ナトリウム、水素化リチ
ウムアルはニウム等と処理することによってチア基に変
換される。

カルボキシ基をエステル化する反応Ｉ／′ｉ溶剤の存在
下または不存在下でエステル化剤と接触させることによ
って行なわれる。使用されるエステル化剤としては、通
常のカルボキシル基金アルコキシカルボニル基に変換す
る際に使用されるエステル化剤が特に限定なく用いられ
る。使用されるエステル化剤としては、例えはレアゾメ
タン、ジアゾエタン、ジアゾ−ｎ−プロパン。

ジアゾイソプロパン、ジアゾ−ｎ−ブタ７ナトのジアゾ
アルカ７類；メタノール、エタノール。

ｎ−プロパツール、インプロピルアルコール。

ｎ−ブタノールなどのエステル基を形成するアルコール
類と塩酸、臭化水素酸若しくは硫酸などの鉱酸またはメ
タンスルホン酸、ベンゼンスルホンｉｌｌしくはｐ−ト
ルエンスルホン酸ナトの有機酸；臭化メチル、臭化エチ
ルのような低級アルキルハライドと水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、炭酸ナトリウムのような塩基が好適に
用いられる。ジアゾアルカ７類ヲ用いる場合は反応は溶
剤の存在下で好適に行なわれる。

使用される溶剤としては本反応に関与しなけれ＃ｆ％に
限定はなく例えばエチルエーテル、ジオキサンなどのエ
ーテル類が好適である。反応温度には限定はないが副反
応を抑え且つジアゾアルカ７類の分解を防ぐため比較的
低温で行なうのが望ましく通常は水冷下で好適に行なわ
れる。

酸の存在下でアルコール知音用いる場合ｔｄｆｉ常治剤
として過剰のアルコール類か好適に使用される。反応温
度は特に限定はないが室温乃至使用されるアルコール類
の還流温度付近で好適に行なわれる。反応時間は主に反
応温度、使用されるアルコール類の種類によって異なる
が約１時間乃至２日間である。

ハ２に含まれる低級アルコキシカルボニル基金カルボキ
シ基に変換する反応は前記水酸基の保護基か脂肪族若し
くは芳香族アシル基の場合の除去反応と同様にして行わ
れる。

低級アルコキシカルボニル基を置換されてもよいカルバ
そイル基に変換する反応は浴剤の存在下でアミン化合物
と接触させることによって行われる。使用されるアミン
化合物としてはエステル基全アミド化する際使用される
ものなら特に限定されない。使用されるアミン化合物と
しては、例えはアンモニア又はメチルアミン。

エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イングロピルアミ
７．ｎ−ブチルアミ／、アニリ／、ｐ−メチルアニリン
、ジメチルアミン、メダルエチルアミン、ジエチルアミ
／、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−メ
チル−ｍ−メチルアニリンのような１級若しくＦｉ２級
アミンをあげることができる。使用される溶剤は反応に
関与しなければ特に限定されないか、例えば水、エーテ
ル、テトラヒドロンラン、ジオキサンのようなエーテル
類又はメタノール、エタノールのようなアルコール類を
あけることかできる。

反応は通常Ｏ℃乃主１００℃で行なわれ、反応に要する
時間は１時間乃至７日間である。

アルコキシカルボニル基又はカルボキシ基をヒドロキシ
メチル基に変換する反応は、和尚する化合物を不活性溶
剤中、還元剤と処理することによって達成される。

使用される還元剤としては、例えはリチウムアルミニウ
ムヒドリド、ソジウムビス（２−メトキシエトキシ）ア
ルミニウムヒドリドのようなアル＜＝−ラム化合物ｔ−
ｉけることができる。

使用される不活性溶剤としては、反応に関与しなければ
特に制限されないか、例えばエーテル、テトラヒトセフ
ラン、ジオキサンのようなエーテル類又はｎ−ヘキサ／
、シクロヘキサン。

ベンゼン、トルエン、キシレンのよう＆Ｎ化水素類をあ
けることができるが、好適にはエーテル類である。

ヒドロキシメチル基をハロゲン化メチル基に変換する反
応は、不活性溶剤中、ノ・ロゲン化剤と反応させること
によって達成される。

使用されるハロゲン化剤としては、水酸基ケハロゲン原
子に変換させるものなら丑に制限されないが、臭素、沃
素のようなノ−ログン若しくけ沃化メチルのようなノ１
０ゲ／化メタ／とトリフェニルホスフィン、トリフェニ
ルホスファイト、トリメチルホスファイト、トリエチル
ホスファイトのようなリン化合物；四塩化炭素、四臭化
炭素のような四ノ・ロゲン化炭素とトリフェニルホスフ
ィン；三塩化リン、三臭化り゛／、三汰化リン、五塩化
リンのようなハロゲン化リン化合物；又はチオニルクロ
リド、チオニルプロミドのようなハロゲン化硫黄化合物
をあけることができるが、好適には臭素−トリフェニル
ホスフィン、沃素−トリフェニルホスフインである。

使用される不活性溶剤としては、反応に関与しなければ
特に制限されないが、好適にはベンゼ／、トルエン、キ
シレンのような芳香族炭化水素＠：エーテル、テト２ヒ
ドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類ニジクロロ
メタ／。

クロルホルムのようなハロゲン化炭化水素類；′ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミドのようなアミド
類：又はジメチルスルホキシドのようなスルホキシド類
あるいはこれらの混合溶剤をあげることぶできる。又、
・・ロゲンとリン化合物との反応では上記の混合溶剤と
ピリジン、フリジ／、ルチジンのような複素環化合物と
の混合溶剤も好適である。

反応温度は通常０℃乃至６０℃であり、反応に要する時
間は１０分間乃至３日間でおる。

又、相当するアルコールをピリジンのような塩基の存在
下、メタンスルホニルクロリド、ベンゼンスルホニルク
ロリド＋’　ｐ−）ルエ／スルホニルクロリドのような
スルホニルハライドと室温付近で反応させ、スルホニル
オキシ体ｒＣ変換させた後、エーテル、テトラヒドロフ
２／。

塩化メチＶン、クロロホルムのような不活性溶剤中、沃
化リチウム、臭化ナトリウム、沃化ナトリウムのような
アルカリ金属ハ四ゲン化物と室温付近で１時間乃至１０
時間反応させることによっても、ハロゲン化反応が行な
われる。なオ、反応条件によっては、前段のスルホニル
オキシ化の段階でも相当するクロライドが生成する。

さらに、得られたハ４ライド体を他のハライド体に変換
する反応も通常に従って行われる。例えば、得られたク
ロル体又キブロム体をエチレングリコール中、必要に応
じて、１２−クララ反応させ、フルオロ体を製造するこ
とができ、クロル体を沃化ナトリウムと反応させ、又は
ヨード体をジメチル−ｔ−ブチルシリルクロリドと反応
させ、それぞれヨード体及びクロル体を製造することも
できる。

ハライド体とアニオンとの反応は、不活性溶剤中反応中
にアニオンｔＳ造した後、ハライド体を反応させること
によって達成される。

使用されるアニオンとしては例えば、ジメチル酢酸メチ
ル、ジメチル酢酸ナトリウム塩、ジエチル酢酸メチル、
プロピン酸メチル、酢酸エチルのような酢酸誘導体から
生じるカルバニオン又はメタノール、エタノール、ｎ−
プロパツール、２−ジメチルアミノエタノール、ジエチ
ルアミンエタノールのようなジ低級アルキルアミノ基で
置換されてもよいアルコールから生じるアルコキシアニ
オ／をあげることができる〇アニオンは酢酸誘導体又は
アルコール体を塩基と処理することによって製造される
。使用される塩基としては、例えば、メチルリチウム。

ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、フェニルリ
チウムのような有機リチウム化合物ニジイソプロピルア
ミノリチウム、ジシクロへキシルアミノリチウム、イン
プロピル−シクロへキシルアミノリチウムのようなジア
ルキルアミノリチウム化合物：又はリチウム水素ナトリ
ウム水素、カリウム水素のようなアルカリ金鳥水素化物
をあけることができるが、好適にはカルバニオンの発生
にハ壱機リチウム化合物又はジアルキルアミノリチウム
化合物でメジ、アルコキシアニオンの発生Ｖこけアルカ
リ金橋水素化物である。

使用される不活性溶剤としては反応ＶＣ関与しなければ
４Ｂこ限定されないが、例えば、エーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンのようなエーテル炉又はジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミドのようなアミド類
′ｆりけることができるが、好適にはカルバニオンの反
応ではエーテル類、アルコキシアニオンの反応ではアミ
ド類である。

反応温度は前段のアニオンの発生では、−１８℃乃至室
温であり、後段のアニオンとノ・ロゲン体との反応では
、０℃乃至６０℃であり、反応に要する時間Ｆｉ＝ｊ１
段では３０分間乃至２時間であり、後段では１時間乃至
２４時間である。

又、本工程の塩基との処理によって、ハロゲノ化アルキ
ル体をアルケニル体に変換することもできる。

テア基をスルホキシド基又はスルホ／基に変換させる反
応は、不活性溶剤中、相当する化合物を酸化剤と処理す
ることによって行われる。

使用される酸化剤としては、過酸化水素又は過酢酸、過
安息香酸９ｍ−クロル過安息香散のような有機過酸をわ
けることができる。

使用される不活性溶剤としては、反応に関与しなければ
特に制限されないが、好適には過酸化水素を使用する場
合には水であり、有機過酸を使用する場合には、エーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル
類又はぺ／ゼン、トルエ／、キシレンのような芳香族炭
化水素類、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエ
タンのようなハロゲン化炭化水ｔｇ類でめる。

チア基からスルホキシド基に変換する場合には、該尚モ
ル量の酸化剤を用い、スルホン基に変換する場合には２
当モル量以上の酸化剤音用いることによって好適に行わ
れる。

反応温度は通常室温付近で、あり、スルホ７１に得る場
合には室温乃至５０℃に加熱してもよく、反応に要する
時間は３０分間乃至５時間でわる。

水酸基を保獲する反応ｔ／′ｉ通常の方法に従って行わ
れる。

保糟基が脂肪族若しくは芳香族アシル基、１−低級アル
コキシアルキル基、シリル基又はアラルキル基の場合に
は、塩基１例えばトリエチルアミン、ピリジン、イミダ
ゾール、ナトリウム水素の存在下若しくは前処置ののち
相当するハライドと反応させることにより達成され、保
蝕基が１−低級アルコキシアルキル基（政素教２乃至４
個の七の）又は環状エーテル基の場合には、酸２例えば
メタンスルホン酸＋ｐ−）ルエ／スルホン酸、塩酸の存
在下、相当するビニルエーテル体（メチルビニルエーテ
ル、ジヒドロフラン、ジヒドロビラン）と反応させるこ
とにより達成される。

以上の各反応終了後、各反応の目的化合物は常法により
、反応混合物から採取される。例えば反応混合物を氷水
にあけ、必要に応じて、中和するか不溶物を除去した後
、水不混和性有機溶剤で抽出することによって得ること
ができる。

さらに必要なら、常法、例えば再結晶法、カラムクロマ
トグラフィーによって精製することもできる。

Ｂ法 Ｂ法は化合物（１）において、Ｒが低級アルキル基又は
低級アルケニル基である化合物（Ｉｂ）を製造する方法
であり、以下の方法に従って行われる。

（Ｖｌ）　（ｘ　） ６ （Ｉｂ） 上記式中、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８
、Ｒ９及びｎは前述したものと同意義を示し、Ｒは低級
アルキル基又は炭素数３乃至４のアルケニル基を示す。

第６エ程は一般式（Ｘ）を廟する化合物を製造する工程
で、化合物（Ｖｌ）を不活性溶剤中、塩基と処理し、反
応液中にカルバニオンを発生させた後、一般式 ％式％（） （式中　Ｒ１２は前述し７たものと同意義を示し、Ｙは
塩素、臭素、沃素のような）・ロケン原子又はメタンス
ルホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、ベンゼンス
ルホニルオキシ＋　ｐ−）エタンスルホニルオキシのよ
うなスルホニルオキシ基を示す。） を有する化合物を反応させることによって達成される。

本工程において、Ｒの好適な基は置換されてもよいアリ
ール基（該置換基の水酸基は保護基を有する）である。

使用される塩基は前記第５工程における相当する反応に
用いられたものと同様である。

使用される溶剤としてけｎ−へキサン、ｎ−ペンタ／の
ような脂肪族炭化水素類、ベンゼン。

トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、エーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル
類であるか、好適にはエーテル。

テトラヒドロフランでおる。反応温度については前段の
反応液中にカルバニオンを発生させる反応Ｆｉ−１００
℃乃至０℃、好適にＦｉ−８０℃乃至−３０℃であり、
後段のハロゲン若しくはスルホニル化合物を反応させる
反応ｆ′１−ＳＯ℃乃木反応の目的化合物（Ｘ）　Ｆｉ
常法に従って反応混合物から採取される。例えば反応液
を氷水にあけ、水と混和しない有機溶剤で抽出し、溶剤
ｔＷ去することによって得ることができる。さらに公安
なら再結晶法、カラムクロマトグラフィーによって精製
することができる。

第Ｔ工程は、所望に応じて行う工程で、化合物（Ｘ）に
おいて、Ｒ，Ｒ及び／又はＲ９に含まれる水酸基の保護
基を除去する反応、生じたヒドロキシメチル基をカルボ
キシ基に酸化する反応、カルボキシ基をエステル化する
反応　Ｒ７に含まれる低級アルコキシカルボニル基をカ
ルボキシ基、置換されてもよいカルバモイル基若しくは
ヒドロキシメチル基（カルボキシ基から変換する反応を
含む。）に変換する反応、褥られたヒドロキシメチル基
をハロゲン化メチル基に変換する反応、得られたハライ
ドをアニオン（？！Ｉば、カルバニオン、オキシアニオ
ン等）と処理する反応、ハロゲン化アルキル基からハロ
ゲン化水Ｓを除去してアルケニル基に変換させる反応、
チオール体をスルホキシド体若しくはスルホン体に変換
する反応及び水酸基を保膿する反応を含む。上記反応は
、適宜順序′に変えて行うことができる。

本工程は前記第５工程と同様に行われる。

Ｃ法 Ｃ法は化合物（Ｉ）において、ｎが０である化合物（Ｉ
Ｃ）を一般式（Ｈａ）を有するチオール銹導体から直接
製造する方法である。

（ＩＩａ）　（ｒｅ） 上記式中、Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ及びＲは前述したものと
同意義を示す。

第８工程は不活性溶剤中、酸及び脱水剤の存在下、化合
°物（Ｈａ）を一般式 （式中、Ｒ及びＲは前述したものと同意義を示す。） 分有する化合物と反応させることによって達成される。

本工程の原料化合物（Ｘｉ）として好ましくは、Ｒ１及
びＲが水素原子てないケトン化合物であり、％に好まし
くはアセトン、ジエチルケトン。

メチルｎ−プロピルケトンのようなジ低級アルキルケト
ンである。

反応に使用される酸としては塩酸、硝酸、硫酸のような
鉱酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、プロ
ピケオン酸、安息香酸のような有機カルボ／酸、メタン
スルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸＊
　ｐ”　）ルエンスルホン酸のようなス１ルホ／＃！を
あげることができるが、好適にはトリフルオロ酢酸、ベ
ンゼンスルホ／酸、ｐ−）ルエ／スルホン酸である。ま
た使用される脱水剤としてはモレキュラシーブ３Ａ、４
Ａが好適である。

使用される溶剤としては、エーテル、テトラヒドロクラ
ンのようなエーテル類、ペンゼ／。

トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類２００℃
であり、好適にはｓｏ’ｃ乃至ＩＳＯ’Ｃ至１２時間で
ある。また通常、副反応會抑えるために窒素、アルゴン
等の不活性ガス雰囲気中で反応が行われる。

反応の目的化合物（Ｔａ）は常法に従って反応混合物か
ら採取される。例えは溶剤を留去し、残留物に弱塩基性
水浴液を加え、水と混和しない有機溶剤で抽出し、溶剤
を留去することによって得ることができる。さらに必要
なら、再結晶法、カラムクロマトグラフィーによって１
ｎＩＩ＃することができる。

又、所望に応じて、化合物（Ｉｃ）　ｆ前記第５工程の
反応と同様の反応に付すこともでき、さらに、本工程で
、水酸基の保護基が除去された勧合には、保護基ケ常法
に従って付すこともできる。

Ｄ法 り法は化合物（Ｉｃ　）をチオール（Ｉ［ａ　）から別
途に製造する方法である。

（Ｈａ）　（ＩＣ） 上記式中、Ｒ１、Ｈ２，Ｒ５，Ｈ４，Ｒ５，及びＲ６は
前述したものと同意義を示す。

第９工程は不活性溶剤中、塩基及び相関移動触媒の存在
下、化合物（Ｈａ　）を一般式（式中　Ｒ１、Ｒ２及び
又は前述したものと同意義を示す。） を有する化合物と反応させることによって達成される。

原料化合物（Ｉｌａ）は好適には、Ｒ及びＲが同−又は
異なって水素原子又は低級アルキル基でらシ、特に好適
には、水素原子、メチル基又はエチル基である。

使用される塩基としては、炭酸ナトリウム。

炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩または炭酸水
素ナトリウム、炭葭水素カリウムのようなアルカリ金属
炭酸水素塩をあげることができるが、好適にはアルカリ
全極炭酸水素塩である。

使用される相関移動触媒としては、トリオクチルメチル
アンモニウムクロリド、トリデシルメチルアンモニウム
プロミド、テトラオクチルアンモニウムヨーダイトのよ
うなテトラアルキルアンモニウムハライドをあげること
ができるが、好適にはトリオクチルメチルアンモニウム
ハライドである。

また反応は必要に応じて、窒素気流中で実施することが
できる。

反応に使用される溶剤としては、反応に関与しないもの
なら特に制限はないが、例えば水；メタノール、エタノ
ールのようなアルコール類；ｎ−へキサｙ、ｎ−へブタ
ン、ｎ−オクタンのような脂肪族炭化水素類；ベンゼン
、トルエン。

キシレンのような芳香族炭化水素類；エーテル。

テトラヒドロフラ／、ジオキサ／のよりなエーテル類を
めけることができるが、好適には、過剰霊の化合物（Ｘ
１ｌｌ　）と水の混合溶剤である。

反応温度は２０℃乃至１３０℃であるが、好適には、８
０℃乃至１１０℃である。

反応に要する時間Ｆｉ原料または反応温度により異なる
が通常２乃至２０時間、好適には５乃至１２時間である
。

反応終了後、常法に従って本工程の目的′化合物（Ｉｃ
）は反応混合物から採取される。例えば反応混合物よシ
有機溶剤を留去し、残留物ケ再結晶法またはカラムクロ
マトグラフィーで精表することができる。

又、所望に応じて、化合？Ｉ（ＩＣ）を前記＃４５工程
の反応と同様の反応に付テこともてき、さらに、本工程
で、水酸基の保護基が除去された場合には、常法に従っ
て保簡基′ｆｒ伺すこともできる。

本発明に係る化合物（Ｔ）は前えしたように血清脂質改
善剤、抗血栓剤、抗アレルギー剤として予防、治療に使
用されるが、その目的のための投与形態としては、例え
ば錠剤、カプセル剤。

顆粒剤、散剤、シロップ剤、吸入剤などによる経口投与
又は静脈内注射、筋肉内注射などによる非経口投与をあ
げることができるが、好適には経口投与である。その投
与νけ年令、症状、投与方法等によって異なるが、通常
成人に対し１日？　−＄ＤＯＯｍ？であり、好ましくＦ
ｉｔ日１５−１０００ｆｆｌＦを１回文Ｆｉ数回に分け
て投与することが可能である。

次に実施例及び試験例をあけさらに本発明全具体的に説
明する。

実施例　１ ２．２′−ジテオビス−（１，４−ジヒドロキシ−３，
５，６−）リフチルベ／ゼ／）■　チオールを用いる方
法 ２−メルカプト−３，５，６−）ジメチル−１，４−ぺ
／ゼンジオτルア、　５　？　、！：エーテル１００ｍ
１の混合物を空気中室温で１日放置したのち溶媒を留去
し、得られた粗製品をテトラヒドロフランで再結晶する
ことにより鮮黄色結晶性の目的物ｔ−ｓ。５を得た。

融点　２２７−２３０℃ 赤外線吸収スペクトル（又ショール）：３３８０．３４
２５ｃｒＩＬ−’ ■　−塩化イオウを用いる方法 トリメチルハイドロキノン３ｏｔを無水アセトニトリル
１．２１に溶かし、鉄粉１．４ｔを加え一３０℃に冷却
して窒素気流下に一′塩化イオウ１１ｓｔを無水アセト
ニトリル５０ｍｌに溶かして滴下した。滴下後室温に戻
して４時間かきまぜた。反応終了後、析出した結晶を戸
去し、ｐ液を濃縮して得られた残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製した。溶離剤（ベンゼン：
テトラヒドロフラン＝１０：０．５）で溶出する部分か
ら実施例１−■と同じ融点および赤外緑吸収スペクトル
を有する目的化合物１．Ｏｖを得た。

また反応終了後に析出した結晶より２．２’−トリチオ
ビス−（１，４−ジヒドロキシ−３゜５．８−）リメチ
ルベンゼン）を１乙Ｏｆ得た。

分解点　１９０−１１１３℃ 赤外線吸収スペクトル（又ショール）：３４００ｃｍ−
’ 実施例　２ ンゼン） ２．３−ジメトキシ−５−メチルハイドロキノンと一塩
化イオウを用いて実施例１−■と同様に反応および後処
理後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｆＩＩ離
剤：ベンゼン／酢酸エチル＝ｌ／１）で分離精製して、
目的とするジチオ体とトリチオ体を得た。

ジチオ体 融点　ｔｓｓ−ｔｓｓ℃ シリカゲル薄層クロマトグラフィー： Ｒで＝０．４６ （ｗ：開溶剤：ペンゼ／／酢酸エチル＝６／４）トリチ
オ体 シリカゲル薄層クロマトグラフィー二 Ｒｆ＝０．５３　（展開溶剤；ベンゼ／／酢酸エチル−
６７４） 実施例　３ ３．６−ジメテルー１．２．４−）リヒドロキシペンゼ
／と一塊化イオウを実施例１−■と同様に反応および後
処理後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離剤
：ベンゼン／酢酸エチル＝ｓ／ｚ）で分離精製して、目
的とするジチオ体とトリチオ体を得た。

ジチオ体 融点　１９２−１９４℃ シリカゲル薄層クロマトグラフィー： Ｒｆ＝０．４３　（展開溶剤：べ／ゼン／酢酸エチル＝
６／４　） トリチオ体 シリカゲル薄層クロマトグラフィー： Ｒｆ＝０．５０　（展開溶剤：ベンゼン／酢酸エチル＝
６／４） 実施例　４ ２　、２’−）リチオビス−（１，４−ジヒドロキシ−
３，５，６−ドリフチルベ／ゼノ）１０１をピリジン７
０ｍ１Ｋ浴かし無水酢酸３ｏｔを加えて室温で２４時間
反応させた。反応終了後反応混合物を水にあけ析出物を
クロロホルムで抽出した。抽出液を水洗、ついで無水硫
酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を電去した。得られた残留
物をベンゼンから再結晶して目的物を５．７ｆ倚た。

融点　１８７−１９０℃ 赤外線吸収スペクトル（又ショール）：１７６０　ｃｍ
−’ マススペクトル（ｍ／ｅ）：５６６　（”）実施例　５ ゼン） ２．２’−１−リチオビス−（１，４−ジヒドロキシ−
３ｔ５＋６−）！Ｊメフチベンゼン〕トｎ−プチリルク
ロリドを実楯例４と同様に反応、後処理および精製し、
目的化合物を得た一融点　１５３−１５５℃ 赤外線吸収スペクトル（又ショール）＝１７５０ｃｍ−
’ マススペクトル（ｍ／ｅ）　：　８７　ｇ　（Ｍ＋）実
施例２０ ２．２′−ジチオビス−（１，４−ジヒドロキシ−５，
６−シメトキシー３−メチルベンセン）ト無水酢ば葡大
施例４とＭ株に反応および後処理後、シリカケルカラム
クロマトグラフィー（浴離削：ベンゼン／昨誠エチル−
９７１）で１言ＭＬ、目的化合？！Ｉ奮得た。

シリカゲル博虐クロマトグラフィー：Ｒｆ−０，４５（
展開俗剤：ベンゼン／酢販エチル−８／２） 実施例２１ ２．２′−ジチオビス−（３，６−シメチルー１．４゜
５−トリヒドロキシベンゼン）と無水酢酸全実施例４と
ｌ１ｆｆＪ悼に反応および後処理後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィー（亀離剤：ベンゼン／　＊ｒ：　ｗ
エチル＝８７２）で精良し、目的化合物を得た。

シリカゲル薄ノークロマトグラフィー：　Ｒｆ＝０．５
９　（展開浴剤：ベンゼン／帥敵エチル−６／４） 亦外耐吸収スペクトル（ヌジョールン：ＩＴ８０傭−１ 実施例２２ ■　トリチオ棒と血釦木を用いる方法 ２．２’−）リチオビス−（１，４−ジアセトキシ−３
，５，６−）リメチルベンゼン）　６．３　＃會酢敵１
２０−に浴かし、これに亜鉛床１３１／を加えて窒素気
流下Ｋ１０時間加熱還流した。反１６Ｆ：了後、不溶部
分をＰ去し、酢敵浴醒を濃縮して得られた粗製油をベン
ゼンに溶かした。ベンゼン溶液を水洗、ついで無水懺酸
す）　ＩＪウムで乾燥したのち、溶媒を留去し得られた
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し
た。

ベンゼンで浴出する部分から目的物４．４　ｐ　ｉ得た
。ｎ−ヘキサンで再結晶し、融点１２−７４℃のボ■品
３．５．９を得た。

赤外線吸収スペクトル（ヌジョール）：１Ｔ５０σ−１ マススペクトＪｌ／　（ｍ１０　）　：　２５２　（Ｍ
”）■　トリチオ体と鉄粉を用いる方法 亜鉛末の代シに鉄粉音用いるほかは、実施例２２−■と
１ｂＪ様に反応、後処理および精製を行い目的化合物を
得１ｔ−ｏこの化合物の融点およびＩＲスペクトルは実
施例２２−■で得られた化合物の融点および赤外緑吸収
スペクトルに一致した。

■　ジチオ体と亜鉛末を用いる方法 ２、２’　−）リチオビス−（１，４−ジアセトキシ−
３，５，６−）リメチルベンゼン）の代シＫ　２．２’
−ジチオビス（１，４−ジアセトキシ−３，５，６−ト
リメチルベンゼン）を用いる他線実施例２２−■と同様
に反応、後処理および精製を行い、目的化合物を得た。

この化合物の融点は実施例２２−■で得られた化合物の
融点と一致した。

実施例２２−■の方法に準じて、以下の化合物を合成し
た。

□□」 ■ 引：　Ｃ−Ｒｔ〕ニジリカゲル薄層クロマトグラフィー
のＲｆ値ｎ−Ｈ：　ｎ−ヘキサン；（Ｑニジクロヘキサ
ン；＠：ベンゼン；　ＴＨＦ　：テトラヒドロフラン；
　Ａｃ０Ｅｔ　：酢酸エチル実施例３８ １２′−ジチオビス−（１，４−ジアセトキシ−５，６
−シメトキシー３−メチルベンゼン）および２．２’−
）リチオビス−（１，４−ジアセトキシ−５，６−シメ
トキシー３−メチルベンゼン）の１対３混合物を用いて
、実施？１１２２−■と同様に反応および後処理を行っ
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離剤：
ベンゼン／酢酸エチル−１０７０，５）で精製し目的化
合物を得た。

赤外線吸収スペクトル（液腺）： １７７０ｃｒｎ” シリカゲル薄層クロマトグラフィー：　Ｒｆ　−０，５
４（展開浴剤：ベンゼン／酢酸エチル−１０／１） マススペクトＡ＝　（ｍ／ｅ　）　：　２８４　（Ｍ”
）実施例３９ Ｌ１２−ジチオビス−（３，６−シメチルー１．４゜５
−トリアセトキシベンゼン）および２．２’−１リチオ
ビス−（３，６−シメチルー１．４．５−　）リアセト
キシベンゼン）の等量混合物を用い２て、実施例２２−
■と同様に反応および後処理を行った後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶離剤：ベンゼン／酢酸エチ
ル−１０／　０．５　）で精製し目的化合物を得た。

融点：　８２−８４０ 亦外線吸収スペクトル（ヌジョール）：１Ｔ５５σ−゛ シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒｆ−Ｏ，ＳＳ　
（展開浴剤：ペンゼン／酢酸エチル−１０／１） マススペクトル（ｍ／　ｅ　）　：　２９６　（Ｍ”）
実施例４０ ５−アセトキシ−２，４，６，７−チトラメチルー１．
３−ベンゾオキサチオール２．９　＃　ｋメタノール３
０Ｗｔに浴かし、ナトリウムメトギシド１．３ｇを加え
て室温で３時ｍ１反応させた。反応終了後、反応液を水
にあけ酢酸を加えて中和し、析出物をベンゼンで抽出し
た。抽出液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し
溶媒上留去した。得られた粗製物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し溶離剤（ｎ−へキサン：＠−
１：１）で溶出する部分から目的物２．０Ｉ！を得た。

融点：　１２５−１２７　ｔ？： 赤外線吸収スペクトル（ヌジョール）：３３３０　ｃＲ
” 実施例４０に準じて以下の化合物を合成し、た。

リ　塩基：水酸化ナトリウム、電媒：メタノール：テト
ラヒドロフラン＝＝１：１ 実施例５１（実施例４Ｂの別法） ５−　（３，７，１１，１５−テトラメチルへキサテカ
ノイルオキシ−２−（２，６，１０，１４−テトラメチ
ルペンタデシル）　−４，６，７−ドリメチルー１．３
−ベンゾオキサチオール１．５　ｐ　’ｉテトラヒドロ
７ラン１５−にとかし、リチウムアルミナムハイドライ
ド１０（ｌｌＩｇを窒素気流、水冷下に加える。

１５分反応後酢＃　０．８　、ｐをテトラヒドロ７ラン
１０ｍ１　Ｋとかして、水冷下で滴下する。室温で１時
間反応後、減圧でテトラヒドロフランを留去し、得られ
た残金に氷水を加え、ヘキサンで抽出する。抽出液を水
洗、ついで無水（ｉ［ナトリウムで乾燥し、ヘキサンを
留去する。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーに付し、隘離剤（ベンゼン：ヘキサン−１
：２）で溶出する部分よシ、実施例４日で得られたと同
じＲｆ値、赤外線吸収スペクトルおよびマススペクトル
を示す目的化合物を得た。

実施例５２ ５−０−アセトキシベンゾイルオキシ−２−〇−アセト
キシフェニルー４．６．７−　）　ジメチル−１，３−
ベンゾオキサチオール２Ｂ２１１９．カセイカリ２９０
■、メタノール３−の混合物１１０ｃで１２時間反応し
、実施例４ｏと同様に後処理を行い、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーの溶離剤（ベンゼン：酢酸エチル＝
５０：１）で溶出する部分から４亀記化合物１１０Ｑ”
ｋ得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ値二０．１２
（展開溶剤−ベンゼン） 赤外線吸収スペクトル（クロロホルム溶液）：１６７５
ａＲ−’ マススペクトル（ｍ／　ｅ　）　：　４０８　（Ｍ”）
実施例５３ ５−Ｏ−アセトキシベンゾイルオキシ−２−〇−アセト
キシフェニルー４．６．１−　）ジメチル−１，３−ベ
ンゾオキサチオールｒｏｏｍｙ、カセイソーダｏ、ｓ　
Ｉｉ、メタノール１０−の混合物を１．５時間加熱還流
し、実施例５２と同様に後処理および精製をおこなった
。溶離剤（ベンゼン：酢酸エチル−５０：１）で浴出す
る部分よシ目的化合物を２６０■得た。

融点：１１５〜１７６℃ 赤外巌吸収スペクトル（ヌジョール）：３５２０　、３
３６０礪−１ マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　２８８　（Ｍ”）実
施例５４ チオール ５−Ｐ−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ−２−Ｐ
−メトキシカルボニルフェニル−４゜６、７−　）ジメ
チル−１，３−ベンゾオキサチオール２．２　、ｌｉ’
、カセイソーダ１．６Ｉおよびメタノール６０−の混合
物を３時間加熱還流したのち、実施例４０と同様に後処
理および積層した。ベンゼンで溶出する部分を除き、つ
いで溶離剤（酢酸エチル：メタノール＝　１０　：　０
．５　）で溶出する部分から目的化合物をＯ，Ｓ　！！
得た。

分解点：　２６０　Ｃ以上 赤外線吸収スペクトル（ヌジョール）：３２５０　、１
６９５　ｃｔｎ−’ シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒｆ＝０．５０　
（展開浴剤：酢酸エチル／メタノール−９／１） マススペクトル（ｍ／　ｅ　）　：　３１６　（Ｍ”）
実施例５５ ５−ヒドロキシ−２−フェニル−４，６，７−）ジメチ
ル−１，３−ベンゾオキサチオール２．６ｇ、イミダゾ
ール１．３ｇ　およびｔ−ブチルジメチルシリルクロリ
ド２．９ヲジメチルホルムアミド２〇−に溶かし、室温
で２４時間反応させた。反応終了後、反応混合物を水に
あけ、析出ｖｔＪをベンゼンで抽出した。抽出液を５％
アンモニア水ついで水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し電媒を留去した。得られた粗製物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製し、溶離剤（シクロヘキサ
ン：ベンゼン−１０：１）でｓ出スｂ部分から目的物ｋ
　３．１　Ｉｉ得た。

融点　９５−９８℃ 実施例５６ サチオール ５−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−フェニル−
４，６，１−）ジメチル−１，３−ベンゾオキサチオー
ル３．１　＃　ｔ−転線テトラヒドロフラン３ｏｔｒｔ
ｔＫｗかし、−６０℃で１５％ｎ−ブチルリチウムのｎ
−ヘキサン溶液１Ｇ−に１１ｍ下した。

滴下後−５５゛〜−６０℃で３時間かきまぜたのち、−
６０℃でヨウ化メチル４．４　＃　全滴下した。滴下後
−６００で２時間かきまぜたのち反応混合物を水におけ
、析出物をベンゼンで抽出した。抽出全留去した。得ら
れた粗製油をシリカゲルローバーカラムクロマトグラフ
ィーで分離した。酸ｍ液＜ｎ−ヘキサン：ジクロルメタ
ン−１０＝１）で最初に溶出する部分から２−ｎ−ブチ
ル体を１．３Ｎ、次に溶出する部分から２−メチル体を
１、７．９得た。

ｌ二二と！ソｈ会。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒｆ−ｏ、ｓｏ　
（ｉｆｍ浴剤ニジクロヘキサン／ベンゼン−４７１） マススペクトル（ｍｌｅ　）　：　４００　（Ｍ”）２
−ｎ−ブチル シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒｆ＝Ｏ１ａｓ　
＜　ＭｔＭｍ剤：シクａヘキサン／ベンゼン−４７１） マススペクトル（ｍｌ　ｅ　）　：　４４２　（Ｍ’）
実施例５７ チルー１．３−ベンゾオキサチオール 実施例５６の方法において、ヨウ化メチルの代りにｎ−
ブチルブロマイド４．３．９１を用い、他は同様に反応
、後処理および精ｆｌ！７！會おこなうと実施例５６で
得たと同じ目的化合物２．１ｇを得た。

シリカゲル薄ノ曽クロマトグラフィー：Ｒｆ＝ｏ、ｓｓ
　ＣｋＨｆｂ剤ニジクロヘキサン／ベンゼン＝４／１ン 実施例　５８ Ｓ−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−フェニルー
４．６．７−）ジメチル−１，３−ベンゾオキサチオー
ル４．Ｏｆを乾燥子トラヒドロフラン４０ｓ＋ｌに溶か
し、−６０℃で１５％ｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサ
ン溶ｆｔ　９．７　ｍｌを滴下した。

滴下後−５５℃〜−６０′Ｃで２時間かきまぜたのも一
５５℃でアリルブロマイド２．６ｇ＋／を滴下した。滴
下後−５０℃で２時間かきまぜたのち、実施例５６と同
様に後処理ならびに精製を行った、カラムクロヤトグラ
フィー（溶離液：ｎ−ヘキサン：ジクロメタン＝２０：
０．５）において、最初に浴出する部分から２−　ｎ−
ブチル体１．７１を除去し、次に溶出する部分から目的
化合物を２．９１得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー：几ｆ：　０．４６
　（展開浴剤ニジクロヘキサン／ベンゼン＝４／１ マススペクト／ｌ／　（ｍ／ｅ　）　：　４２６　（Ｍ
＋）実施例　５９ 二医 ５−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−フェニル−
２，４，６，７−チトラメチルー１゜３−ベンゾオキサ
チオール、３．Ｏｆをテトラヒドロフラン３０耐に溶か
し、窒素気流下に酢酸４．５ｆおよびテトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウムフルオライド、３水和物１２．９Ｆを加
えて室温で２時間反応ｔ、た。反応終了後反応混合物を
水にあけ析出物をベンゼン抽出した。抽出液を水洗つい
で無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去５した。

得られた粗製油をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
に付し、溶離剤（シクロヘキサン：ベンゼン＝１：１）
で溶出する部分から目的化合物を得た。融点８０−８１
℃ 赤外物吸収スペクトル（ヌジョール）二３３５０−３４
００ｚ−’　（巾広い吸収）。

マススペクトル（ｍ／ｅ）　：　２８６（Ｍ”）実施例
　６０ ２−ｎ−ブチル−５−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
−２−フェニル−４，６，７−）ツメチル−１，３−ベ
ンゾオキサチオールを用いて、実施例５９と同様の反応
、後処理および精製を行い、目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー：ｒｔｆ＝０．４４
　（展開溶剤：ベンゼン） 赤外線吸収スペクトル（液膜）： ３４５Ｇ−３５５０備−１（巾広い吸収）。

および３６００ｃＭ−１（鋭イ吸収） マススペクトル（ｒｒＶｅ）　：　３２８　（Ｍ　）実
施例　６１ ２−アリル−５−ｔ　ブチルジメチルシリルオキシ−２
−フェニル−４，６，Ｔ−１−ツメチル−１，３−ベン
ゾオキサチオールを用いて、実施例５９と同様の反応、
後処理および精製を行い目的化合物を得た、 ＝　１０１０．５　） 赤外線吸収スペクトル（液膜）： ３６００、　１６４０α−１ マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３１２（Ｍ″）実施
例　６２ ２−メルカプト−３’５６−）リフチルヒ）　） ドロキノン、ｔｓｙ、　／＜ラドルエンスルホン酸１１
１、モレキューラ−シープ４Ａ、　１０Ｆおよびアセト
ン１００胃ｌの混合物を窒素気流下に５時間加熱還流し
た。反応終了後アセトンを留去し、残留物に炭酸水素ナ
トリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液
を水洗ついで無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去
した。得られた残留物にベンゼンを加え、ベンゼン不溶
部をｒ去したのちさらにベンゼン浴液から析出塗る結晶
を除き、ベンゼン易溶怜を、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーで分離した、ベンゼンで溶出する部分を石油
エーテルから再結晶して、目的化合物を０．１ｇ得た。

融点　６２−６４．５℃ マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　２２４　（Ｍ”　）
実施例　６３ ５−ヒドロキシ−４，６，７−）リメチルー１．３−ベ
ンゾオキサチオール−２−オン、７．３５ｆ、エチルビ
ニルエーテル２０ｔｌ、シフロムメタン２０ｄの混合物
を、窒素気流下−２ｒＪ’ＣＫ冷却し攪拌下にメタンス
ルホン酸２ＯＮを滴下した。

滴下終了緩、反応温度を徐々に室温まで上げ、室温で３
時間かきませた。ついで反応液に水３゜ｍｅ炭酸水素ナ
トリウム８．８〆ａｔ　）　３３６１．Ｏｆを加えた。

この混合物を９時間加熱還流すると過剰のジブロムメタ
ンは徐々に気化し、組成油が遊離した。これをエーテル
で抽出し、抽出液Ｎ酸ナトリウムで乾燥し、ついでエー
テルを留去して、油分１２Ｆを得、これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製した。溶離剤（石Ｍエー
テル：エーテル＝２０：１）　で溶出する部分から目的
化合物５．２ｆを得た。

ｌ！ｌｌ府：５２−５４℃ 赤外線吸収スペクトル（ヌジ目−ル）：水酸基およびカ
ルボニル基にもとすく吸収は認められなかった、 実施例　６４ ５−（１−エトキシエトキシ）−４，６，７−ドリメチ
ルー１，３−ベンゾオキサチオール５、Ｏｆをジクロル
メタン２０　ｍｌにとかし、シリカゲル−６０１０ｇ、
　１０％シュウ酸水溶液１ｄを加え、室温で１．５時間
反応させた。ついで、シリカゲルをＰ去し、ジクロメタ
ンを劉去して得られた粗生成物をベンゼンで抽出した、
抽出液を無水硫酸す）　ＩＪウムで乾燥後、ペレゼンを
留去し得られた粗結晶を再結晶して目的化合物を２．８
ｆ得た。

融点：　１３１−１３２℃ 赤外線吸収スペクトル（ヌジョール）：３３３０　ａＲ
−’ 実施例　６５ ５−ヒドロキシ−２，４，６，７−テトラメチル−１，
３−ベンゾオキサチオール２．０１／、ベンゾイルクロ
リド１．２Ｆ、ピリジン５　ｍｌの混合物を室温で２４
時間反応させたのち実施例５と同様に後処理および精製
を行い目的化合物を１．８１得た。

融点：　１０Ｇ−１０２℃ 実施例　６６ ５−ｐ−メトキシカルボニルベンゾイルオキ実施例６５
において、ベンゾイルクロリドの代すに、Ｐ−メトキシ
カルボニルベンゾイルクロリドを用いて同様に反応、後
処理および精製を行い、目的化合物を得た。

融点：　１４１−１４２℃ 実施例　６Ｔ 実施例６５において、ベンゾイルクロリドの代りに、０
−アセトキシペンゾイルクロリ゛ドを用いて同様に反応
、後処理、および精製を行い、目的化合物を得た。

シリカゲル薄Ｉ−クロマトグラフィー：Ｒｆ＝　ｏｌｏ
　（展開溶剤：ベンゼン／ｎ−ヘキサン＝３＝２） 赤外紡吸収スペクトル（液膜）　：　１７４０．１７７
０１ｌ−１ マススペクトル（ｍｌｅ　）　：　３７２　（Ｍ”　）
実施例　６８ 実施例６５において、　ベンゾイルクロリドのＩＫメト
キシカルボニルプロピオニルクロリドを用いて、同様に
反応し、ついで後処理および精製を行ない、目的化合物
を得た。

融点　７３−７５℃ 赤外線吸収スペクトル（ヌジョール）：＝１ １７３０　、１７４５ａ マススペクトル（ｍｌｅ　）　：　３２４　（Ｍ”　）
実施例　６９ メチル３−（５−メトキシカルボニルプロピオニルオキ
シ−４，６，７−）リメチル−１、３−ベンゾオキサチ
オール−２−イル）プロピオネート４．２９ジメタツ一
ル５０ｍ１と２８％アンモニア水１４ｇの混合物に加え
、室温で２０時間反応する。反応混合物を減圧で濃縮後
、酢酸エチルを加える。酸１ツエチル溶液を水洗し、つ
いで無水硫酸す）　ｌ）ラムで乾燥後１．酢酸エチルを
減圧で留去する。得られた残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーに付し、溶離剤（ベンゼン：酢酸エチル
−２０：　１　）で溶出する部分よシ、標記化合物を得
た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ値＝　０．５
５　（展開溶剤：ベンゼン：酢酸エチル＝１０：１） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　２８２　（Ｍ”　）
実施例　７０ メチル５−（５−（３−メトキシカルボニルプロピオニ
ルオキシ）−４，６，７−）リメチルー１３−ベンゾオ
キサチオール−２−イル）フ プロピオネート４．９ｆをメタノール６０ｍ１　にとか
し、２８％アンモニア水１７ｇを加えて室温で５日間反
応する。反応後、溶媒を減圧留去し、残渣を酢酸エチル
に溶かし、該溶液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
、ついて°溶媒の減圧留去を行った。得られた粗生成物
をカラムクロマトグラフィーに付し、溶離剤（ベンゼン
：酢酸エチル−３ニア）で溶出すλ部分から目的化合物
を得た。

融点：　１６０−１６１℃ マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　２６７　（Ｍ＋）実
施例　１１ ａ）リチウムアルミナムハイドライド１０Ｆを乾燥テト
ラヒドロフラン５０口耐に懸濁し、これに、窒素り、流
、水冷下、かきまぜながら、メチル３−（５−（３−エ
トキシカルボニルプロピオニルオキシ）−４，６，７−
）リメチル−１゜３−ベンゾオキサチオール−２−イル
）プロピオネート３２．Ｏｆをテトラヒトフラン１６０
ｄＫとかして滴下する。滴下後、室温で１時間かきまぜ
たのち、さらに４時間加熱還流する。ついで水冷下、酢
酸エチル１０Ｆとテトラヒドロフラン５０譚Ｊの混合物
を滴下し、室温で１時間かきまぜ、さらに水性テトラヒ
ドロフランを滴下する。反応混合物を氷水に注ぎ、１０
％塩酸水溶性で酸性側に調整し析出する生成物を酢酸エ
チルで抽出する。該抽出液を水洗し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥、ついで溶媒の減圧留去を行なった。得られた
粗生成物をカラムクロマトグラフィーに対し、溶離剤（
ベンゼン：酢酸エチル＝９：１）で溶出される部分よシ
目的化合物を得た。

融点：　１１６．５−１１７’ｃ 赤外森吸収スペクトル（ヌジョール）：３３６０、　３
１００α−１ マススペクトｋ　（ｍ／ｅ　）　：　２５４　（Ｍ＋）
ｂ）　ａ）と同様にし、　エチル３−（５−（３−エト
キシカルボニルプロピオニルオキシ）−４，８，７−）
ジメチル−１，３−ベンゾオキサチオール−２−イル）
プロピオネートを用いて、ａ）で示したと同じ融点、赤
外線吸収スペクトル、およびマススペクトルを有する目
的化合物を得た。

ｃ）　ａ）と同様にし、　ｎ−ブチル３−（５−（３−
ｎ−７’）キシカルボニルプロピオニルオキシ）−４，
６，７−ドリメチルー１，３−ベンゾオキサチオール−
２−イル）プロピオネートを用いて、ａ）で示したと同
じ１点、赤外線吸収スペクトル、およびマススペクトル
を有する目的化合物を得た。

実施例　７２ サチオール ３−（５−ヒドロキシ−４，６，７−ドリメチルー１，
３−ペンゾオキザチオール−２−イル）プロピルアルコ
ール１．Ｏｆ、無水酢酸１．６ｆ。

ピリジン１０　ｒａｔの混合物を室温で２４時間反応さ
せたのち、実施例４と同様に後処理および精製を行ない
、目的化合物を得た。

融点ニアＢ−７９℃ 赤外線吸収スペクトル（ヌジョール）：１７３８、　１
７５０．ｔ１ｎ〜１ マススヘクト＃　（ｍ／ｅ　）　：　３３Ｂ　（Ｍ”）
実施例　７３ 実施例７２において、無水酢酸の代勺に、ベンゾイルク
ロリドを用いて同様に反応、像処理お１−”　４１？製
を行ない、目的化合物を得た。

一点：　１１４−１１６℃ 赤外線吸収スペクトル（ヌジョール）：１７２０　、　
１７３８ｃＩＮ−’ −ｑ　／Ｃ７，ベクトル（ｍ／ｅ　）　：　４６２　（
Ｍ”）実施ｉ７＋１　７４ ５−ヒドロキシ−２−（３−ヨードプロピルａ）３−（
５−ヒドロキシ−４，６，７−ドリメチルー１．３−ベ
ンゾオキサチオール−２−イル）プロピルアルコール３
０ｆをベンゼン４０ｔｌとピリジン４ｖｒｌの混合溶媒
にとかし、これにトリフェニルホスフィン６．２ｇを加
えてとかす。

溶解後ヨウ素６．Ｏｆを１時に加える。　反応温度は４
５℃まで上昇する。さらに、室温で３０分間反応したの
ち反応混合物を水に注ぎ、ベンゼンで抽出する。抽出液
を水洗ついで無水硫酸す）　ＩＪウムで乾燥し、溶媒を
減圧留去する。得もねた粗生成物をシリカゲルローバー
カラムクロマトグラフィーに付しベンゼンで溶出さね石
部分より目的化合物を得た。

融点ニア２−７５℃ シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ　（＋ｕ　：
０．３９（展開溶剤：シフ四ヘキサン：ベンゼン＝１：
４） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３６４　（Ｍ＋）ｂ
）　トリフェニルホスファイト０６７ｆに、ヨウ化メチ
ル２ｍ１ｆ−加え加熱還流下に徐々に温度を上げ、浴漉
１００℃手１時間反応干る。、室温に戻し３−（５−ヒ
ドロキシ−４，６，７−）ジメチル−１，３−−″ンゾ
オキサチオール−２−イル）プロピル　アルコールＱ、
５ｆ、ヨウ化メチル１Ｐｌおよびジメチルホルムアミド
０．５ｍｌを加えて室温で３日間反応する。反応終了抜
ａ）と同様に後処理、分離操作をおこたい、ａ）と同じ
ｕｆ仙、マススペクトルを有する目的化合物を得た。

Ｃ）２−（３−クロロフロビル）　５−ヒドロキシ−４
，６，７−）ジメチル−１，３−ペンゾオキザチオール
１２０１８ｇをアセトン２ｍｌ′にとかし、こねにヨウ
化ナトリウム６６０ＷｆＩを加えて１０時間加熱還流す
る。今後、反応混合物を水に注ぎ、析出物を酢酸エチル
で抽出する。抽出液を水洗、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、酢酸エチルで減圧で留去し、得られた粗生成物をａ
）と同様にして精製し、ａ）と同じＲｆ値、マススペク
トルを有する目的化合物を得た。

実施例　Ｔ５ トリフェニルホスフィン１．５ｇをジメチルホルムアミ
ド ルムアミド２ｍｌにとかして滴下する。室温で３０分反
応後、３−（５−ヒドロキシ−４．６．７トリメチルー
１．３−ベンゾオキサチオール−２−イル）プロピル　
アルコール０．５ｆを加えて、さらに室温で２００時間
反応る。実施例７６と同様に後処理、生成物の分離操作
をおこなう。最初に溶出される部分から２−（３−プロ
モフ。

ピル）−５−ホルミルオキシ−４，　Ｅｉ，　？ートリ
メチルー１，３−ベンゾオキサチオールを得た。

シリカゲル落屑クロマトグラフィーのＲｆ値：０．５５
（展開溶剤ニジクロヘキサン：ベンゼン＝１：４） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３４４　（Ｍ＋）次
に溶出する部分から２−（３−ブロモプロピル）−５−
ヒドロキシ−４，６，７−）ジメチル−１，３−ベンゾ
オキサチオールを得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのｎｆ値＝０．３６
　（展開溶剤ニジクロヘキサン：ベンゼン＝１：４） マススペクトル（ｍ／ｅ　１　：　３１Ｂ　（Ｍ＋）実
施例　Ｔ６ トリフエニルホスフイン１．５１とヨウ素１．５ｆをジ
メチルホルムアミド５ｍｌにとかし、室温で３０分かき
ませる。ついで３−（５−ヒドロキシ−４，６，７−）
ジメチル−１，３−ベンゾオキサチオール−２−イル）
プロピル　アルコール０．５９を加え室温で２０時間反
応する。反応混合物を水に注ぎ、ベンゼンで抽出する、
抽出液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ベ
ンゼンを減圧留去する。得られた相生酸物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーに付し、溶［ＩＪ（シクロヘ
キサン：ベンゼン−１：２）を用いて生成物の分離をお
こなう、最初に溶出される部分から標記化合物を得た。

融点：９１−９３℃ マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３９２　（Ｍ＋）次
に溶出される刊）分から実施例７４に記載した融点、ｎ
ｆ値、マススペクトルを有する　５−ヒドロキシ−２−
（３−ヨードプロピル）−４゜６．７−）リメチル−１
，３へベンゾオキサチオールを得た。

実施例　ＩＴ ３−（５−ヒドロキシ−４，６，７−）ジメチル−１，
３−ベンゾオキサチオール−２−イル）ブロヒ、ル　ア
ルコール５ｏｏｑをピリジン５ｍｌにとかし、水冷下に
トシルクロリド０４１ｇを加え、さらに室温で２０時間
反応する。反応混合物を水に注ぎ、酢酸エチルで抽出し
、抽出液を水洗、ついで硫酸す）　ＩＪウムｆ乾燥する
。酢酸エチルを減圧留去し、得られた残渣をシリカゲル
ローバーカラムクロマトグラフィーで分離・精製する。

Ａｌ剤（ベンゼン：シクロヘキサン−４：１）で最初に
溶出される部分から２−（３−クロロプロピル）−５−
（４−）シルオキシ）−４゜６．７−）ジメチル−１，
３−ベンゾオキ・サチオールを得たい シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ値二０．７０
　（展開溶剤：ベンゼン） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　４２６　（Ｍ＋）次
に溶出する部分から、２−（３−クロロプロピル）−５
−ヒドロキシ−４，６，７−）ジメチル−１，３−ベン
ゾオキサチオールを得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ値：０．４２
（展開溶剤：ベンゼン） −ｖｘｘベクトル（ｍ／ｅ　）　：　２７２　（Ｍ”）
実施例　７８ ５−ヒドロキシ−２−（３−ヨードプロピル）−４，６
，７−）ジメチル−１，３−ベンゾオキサチオール２．
８ｆ、イミダゾールＤ、５３ｆ。

ｔｅｒｔ、″″ブチルジメチルシリルクロリド１２ｆを
ジメチルホルムアミド２５耐にとかし、室温で２０時間
反応すを。反応混合物に水に注ぎ、ベンゼンで抽出する
、抽出液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
ベンゼンを減圧留去する、得られた残渣をシリカゲルロ
ーバーカラムクロマトグラフィー忙付し、溶離剤（シク
ロヘキサン：ベンゼン＝９：１）で溶出される部分より
標記化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ値二０．４６
　（Ｗ　開削ニジクロヘキサン：ベンゼン＝４　：　１
　） マススペクトル（ｍ／ｅ、　）　：　３８６　（Ｍ”　
）実施例　７９ ａ）　ｔｅｒｔ、−ブチルジメチルシリルクロリド５．
２ｖとイミダゾール４．６ｆをベンゼンＢＯｄ中５０℃
で１時間加熱したのち、５−ヒドロキシ−２−（３−ヨ
ードプロピル）−４，６，７−）ジメチル−１，３−ベ
ンゾオキサチオール６．３ｇをベンゼン１０ｗ／にとか
して加え、４０乃至４５℃で８時間反応する。今後、反
応混合物を水に注ぎ、ベンゼンで抽出する。抽出液を水
洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留
去する。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーに付し、溶離剤（シクロヘキサン：ベンゼン＝９
：１）で浴出される部分より、目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのａｆイ直＝０．３
９（展開溶剤ニジクロヘキサン：ベンゼン＝９：１） 赤外線吸収スペクトル（液膜）：水酸基の吸収消失 マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　４７Ｂ　（Ｍ＋）ｔ
））　５−　ｔｅｒｔ、　−−ブチルジメチルシリルオ
キシ−２−（３−クロロプロピル）−４，６，７−ドリ
メチルー１．３−ベンゾオキサチオールＬＯ６Ｆ、ヨウ
化ナトリウム４．１ｇ、アセト７４０ｍ１の混合物を１
０時間、還流下に加熱する。今後、ａ）と同様に処理し
て、ａ）で示したと同じＲｆ値、赤外線吸収スペクトル
、およびマススペクトルを有する目的化合物を得た。

実施例　８０ ジイソプロピルアミン２．４ｆをテトラヒドロンラン６
０ｔｓｌにとかし、窒素気流下で５０％油性水素化ナト
リウム１．２ｇを加え、さらにイソ酪酸２，４ｆをテト
ラヒドロフラン５ゴにとかして滴下する。

水素の発生・発熱がおさまったのち、さらに３０分加熱
還流する。ついで０℃に冷却し１０％−ｎ−ブチルリチ
ウムのｎ−へキサン溶液２５４ｇ／を滴下する、滴下終
了後きらに３０分間０℃に保ち、ついで室温で３０分か
きまぜる。再び０℃とし、５−　ｔｅｒｔ、−ブチルジ
メチルシリルオキシ−２−（３−ヨードプロピル）−４
，６，７−テトラメチル−１，３−ベンゾオキサチオー
ル６．５１をテトラヒドロフラン１０諺ｔＶｃとかして
滴下する。滴下後３０分間０″Ｃに保ち、ついで徐、々
に温度上げ、室温で２００時間反応る。反応混合物を、
１０％塩酸３０−を加えた氷中罠注ぎ、ベンゼンで抽出
する。抽出液を水洗ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し
、ベンゼンを減圧で留去した。得られた残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付し、溶離剤（ベンゼン
：酢酸エチル：　３００　：　３　）で溶出する部分か
ら目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのｎｆ値＝０１３（
展開溶剤：ベンゼン：酢酸エチル−２０：１） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　＝　４３８　（Ｍ”　）
実施例　８１ ２．２−ジメチル−５−（５−ｔｅｒｔ、−ブチルジメ
チルシリルオキシ−４，６，７−）ジメチル−１，３−
ベンゾオキサチオール−２−イル）ペンタン酸３．６ｇ
、フッ化　テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム　三水和物
１４．２１、および酢酸４．９ｆをテトラヒドロ７ラン
５０ｓ＋／に溶かし、室温で２００時間反応る。反応混
合物を減圧濃縮し、酢酸エチル溶液とする。°この溶液
を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、酢酸エチ
ルを減圧で留去する。得られた粗生物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーに付し、溶離剤（ベンゼン：酢酸
エチル−９＝１）で溶出する部分よシ目的化合物を得た
。゛ シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ　値：０４０
（展開溶剤：ベンゼン：メタノール＝１０　：　１　） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　＝　３２４　（Ｍ”）実
施例　８２ リチウムアルミナムハイドライド０，３ｆをテトラヒド
ロフラン３０耐に懸濁し、これに、窒素気流下、水冷下
、２，２−ジメチル−５−（’　５−ヒドロキシ−４，
６，７−）ジメチル−１，３−ベンゾオキサチオール−
２−イル）ペンタンｍ：１．ｒｙをテトラヒドロンラン
５耐に溶かして滴下する。滴下後１時間室温に保ったの
ち、２時間加熱還流する。反応混合物を氷水にあけ、酢
酸エチルで抽出する。抽出液を水洗ついで無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、酢酸エチルを減圧で留去する、得られ
た残渣をシリカゲルローバーカラムクロマトグラフィー
に付し、溶離剤（ベンゼン：酢酸エチル−９＝１）を用
いて精製し、目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのｎｆ値＝０．４３
（族１ｍ溶剤：ベンゼン：メタノール＝１０　：　１　
） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３１０（Ｍ＋）実施
例　８３ ３−（５−ヒドロキシ−４，６，７−）リメｆ−に−１
，３−ベンゾオキサチール−２−イル）プロピル　アル
コール５．０ｇをジメチルホルムアミド４（１ｍｌにと
かし、５５％油性水素化ナトリウム２６０１１９を室温
で加え４Ｇ−４５℃で１時間加熱する。ついで水冷下ク
ロロメチルメチルエーテル１．６１をベンゼン５ｍｌに
滴下し、滴下後液温を徐々に上げ５０−５５℃で１時間
加熱する。反応混合物を水に注ぎ、ベンゼンで抽出し、
抽出液を水洗、ついで無水ｉ！ｆＣ酸ナトリウムで乾燥
し、溶媒を減圧留去する。得られた残渣をシリカゲルロ
ーバーカラムクロマトグラフィーに付し、溶離剤（ベン
ゼン：酢酸エチル：１００：３）で溶出する部分から標
言１化合物を得た。

シリカゲル’Ｐ−Ｒクロマトグラフィーのｉｆ値：０．
３５　（Ｎ開法剤：　ヘン七ン：酢醇エチル＝２０　：
　１　） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　２９８　（Ｍ＋）Ｎ
ＭＲ，スペクトル（δｐｐｍ、　ＣｉＤ　０１５）　：
　３．３７　（３Ｈ，８）４．６５（２Ｈ，８）（−（
）−池。−叶）；実施例　８４ ３−ベンゾオキサチオール ５−ヒドロキシ−２−（３−メト番ジメトキシプロピル
）−４，６，７−ドリメチルー１゜３−ベンゾオキサチ
オール１．００１１１Ｐをピリジン１ｍｌにとかし、無
水節５１５０Ｑを加えて　室温で２０時間反応する、反
応混合物にベンゼンを加え、ベンゼン溶液を水洗、つい
で無水硫酸す）　ＩＪウムで乾燥し、ベンゼンを減圧で
留去する。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーに付し、溶離剤（ベンゼン：酢酸エチル・２０
　：　１　）で溶出する部分より標記化合物を得た。

シリカゲルカラムクロマトグラフィーのＲｆ値：　０．
３Ｂ　（展開溶剤：ベンゼン：酢酸エチル＝２０：１） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３４０（Ｍ”　）Ｎ
ＭＲスペクトル（δＩ）ｐｒｌｌ；ＣＤ　（Ｊ６）　：
　３．３９（３Ｈ，８）（ＯＣＨ３）；３．６０（２Ｈ
，ｔ、、１：６Ｈ２）（−ＣＨ２一実施例　８５ ３−（５−メトキシメトキシ−４，６，７−５５％油骨
水素化ナトリウム３４０１１１７をジメチルホルムアミ
ド２０胃／に加え、窒素気流、　水冷下に、３−（５−
ヒドロキシ−４，６，７−ドリメチルー１，３−ベンゾ
オキサチオール−２−イル）プロピル　アルコール２．
Ｏｇを結晶のまま加える。水冷３０分ついで室温で１時
間反応後、再び氷冷し、クロロメチルメチルエーテル６
３０１１Ｊをベンゼン２＊／にとかして滴下した。滴下
後徐々に温度を上げ、室温でさらに２０　時間反応した
。反応混合物を水に注ぎ、ベンゼンで抽出し、抽出液を
水洗、ついで無水硫酸す゛トリウムで乾燥し、溶媒を減
圧情夫する。得られたＩＡ渣をシリカゲルローバーカラ
ムグラフィーに付し、溶離剤（ベンゼン：酢酸エチル＝
９：１）を用いて溶出する部分から目的化合物を得た。

シリカゲル薄ｆ（−ｒクロマトグラフィー：Ｒｆ値：０
．４１　（展開溶ｆｉｌＪ　：　ヘンセフ　：　＠＠　
Ｚチル＝４　：　１　） マススペクトル（ｍｌｅ）　：　２９８（Ｍ”）ＮＭＲ
スペクトル（δｐｐｍ、　０ＤＯ１５）　：　１．６９
（ＩＨ。

Ｓ、扉水添加で消失する）　；　３．６０ｒ３Ｈ，５）
（−００Ｈ５）　；　３．ＴＯ（２Ｈ，ｔ　、　Ｊ＝＝
６Ｈ２）　（−ＯＨ２−０！ｉ２一実施例　８６ ３−（５−メトキシメトキシ−４，６，７−トリメチル
−１，３−ベンゾオキサチオール−２−イル）フロビル
　アルコール　１．ａｙヲベンゼン１５　ｍｌとピリジ
ン１．５ｍｌの混合溶媒にとかし、室温でトリフェニル
ホスフィン１．７ｇを加え、ついで沃素１．７１を加え
る。　混合物を室温で４０分かきまぜたのち、水にあけ
、ベンゼンで抽出する。抽出液を水洗、ついで、無水硫
酸ナトＩＪウムで乾燥し、ベンゼンを留去して粗生成物
を得、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
し、ベンゼンで溶離する部分から目的化合物を得た、 シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒｆ二〇、５９（
展開溶剤：ベンゼン） マススペクトル（ｍｌｅ　）　：　４０Ｂ　（Ｍ”）実
施例　８７ ３−（５−メトキシメトキシ−４，６，Ｔ　−トリメチ
ル−１，３−ベンゾオキサチオール−２−イル）プロピ
ル　アルコール２．６ｇとトリフェニルホスフィン４．
６１をベンゼン３θ耐　にとかし、乾燥ピリジン３耐を
加え、室温で臭素４．４１を滴下する。温度上昇が終了
したのち室温で４０分かきまぜる、結晶が析出する。反
応混合物に水を加え、ベンゼンで抽出する。抽出液を水
洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾腑し、ベンゼンを減
圧で留去する。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラツメ−釦付し、溶離剤（シクロヘキサン：ベンゼ
ン＝＝２　：　３　）で溶出される部分より目的化合物
か得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのｎｆ値二０．３１
＋（展開剤：シクロヘキサン：べ／ゼン＝１　：　１　
） マススペクトル（ｍｌｅ　）　：　３６０　（Ｍ＋）実
施例　８８ ａ）ジメチルアミノエタノール２１０〜をジメチルホル
ムアミド３ｄにとかし、５０％油性水素化ナトリウムｔ
ｏａｇＩｇを加えて５０℃で１時間加熱する。ついで水
冷下Ｋかきませながら、５−メトキシメトキシ−２−（
３−ヨードプロピル）−４，６，７−）リフチルτ１，
３−ベンゾオキサチールｓｏｏ　Ｍ９をジメチルホルム
アミド２ｍｌにとかして滴下する。滴下後温度を徐々に
上げ、さらに５０’ｃで２時間加熱する、反応混合物を
水に注ぎ、析出物をベンゼンで抽出する。抽出液を水洗
、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを減圧
留去する。粗製油をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーを用いて分離する。

ベンゼンで溶出する部分を除き、溶離剤（酢酸エチル：
トリエチルアミン＝２０：１）　で溶出する部分をさら
にシリカゲルローバーカラムクロマトグラフィーに付し
、同溶離剤を用いて精製し目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのａｆ値＝０．３８
　（展開剤：酢酸エチル：トリエチルアミン＝２０：１
） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３６９　（Ｍ”）ｂ
）ジメチルアミノエタノール７４０　ｑをジメチルスル
ホキサイド１０耐にとかし、５０％油性水素化す）　Ｉ
Ｊウム２２ＯＮを加えて５０ｔ′で１時間加熱する。つ
いで水冷下にかきまぜながら、２−（３−ブロモプロピ
ル）−５−メトキシメトキシ−４，６，７−）ジメチル
−１，３−ベンゾオキサ千オール１．６８ｆをジメチル
スルホキサイド５ｍｌにとかして滴下する、以下ａ）と
同様に反応、抽出、分離操作をおこない、ａ）で得られ
たと同じＲｆ値、マススペクトルを示す目的化合物を得
た。

実施例　８８ ム 実施例８８における反応混合物の、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーによる分離・精製過程において、ベン
ゼンで溶出する部分から標記化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ値＝０．６０
（展開溶剤：ベンゼン） −ｒ　ｘ　スペクトル（ｍ／ｅ　）　：　２８０　（Ｍ
＋）実施例　９０ ２−（３−ジメチルアミノエトキシプロピル）−５−メ
トキシメトキシ−４，６，７−）ジメチル−１，３−ベ
ンゾオキサチオール３３０　Ｑを酢酸５算ｌにとかし、
１０％硫酸を駒込ピペットで５滴加え、ＴＯ乃至７５℃
で５時間加熱する。酢酸溶液を減圧濃縮し、氷水に注ぎ
、炭酸カリで中和後、酢酸エチルで抽出する。酢酸溶液
を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、酢酸エチ
ルを減圧で留去する。得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーに付し、溶離剤（６！エチル：トリ
エチルアミンー２０：１）で溶出する部分より目的化合
物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ　値：０３０
（展ｈｅ剤：酢酸エチル：トリエチルアミン−２０：１
） Ｙス／（ヘク）　ル（ｍ／ｅ　）　：　３２５　（Ｍ”
Ｊ実施例　９１ ２−アリル−５−メトキシメトキシ−４，６，７−ドリ
メチルー１，３−ベンゾオキサ牛オール０．９ｆを酢酸
８ｍｌにとかし、１０％　硫酸水溶液を駒込ピペットで
３滴滴下する。得られた溶液を５０℃で３０分加熱する
。室温に戻したのち減圧で濃縮する、ベンゼンを加えて
とかし、該溶液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾
燥する。ベンゼンを留去し、得られた粗生成物をシリカ
ゲルローバーカラムクロマトグラフィーに付して精製す
る。ベンゼンで溶出する部分より目的化合物が得られた
。

融点：　７ｇ、５−７９．５　ｔ マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　２３６　（Ｍ”）実
施例　９２ チオール ５−ヒドロキシ−４，６，７−ドリメチルー１．３−ペ
ンゾオキサチオーケ０８４ｆをＮ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド５ｍ／に溶解し、イミダゾール０．５８ｆ、ジメ
チルターシャリープチルシリルクロリド１．２９９を加
女て、５０”ｃで７時間がきまぜた後−夜室温に放置し
た。減圧下溶媒な留去移残渣をベンゼンで抽出し、飽和
重曹水および水で洗滌後無水硫酸す）　ＩＪウムで乾燥
後溶媒を留去した。残渣をシリカゲル４０Ｆを用いたカ
ラムクロマトグラフィーで処理しく展開溶剤へキサンお
よびヘキサンーベンゼｙ（１ｏ：１〜２：１））、無色
油状の目的物１．２６Ｆを得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィーのＲｆ値二〇、ａＯ
（展開溶剤：ベンゼン：ヘキサン＝　２：１　）実施例
　９３ 実施例９２で得たシリルオキシ体を塩化メチレン１００
ｍ１Ｋｆｆｊ解し、水冷下メタクロル過安息香酸０．９
９９を加え同温度で１時間かきまぜた。反応液を姻和重
曹水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、水洗、乾燥後溶媒
を留去すると残渣は結晶化した。この結晶を四塩化炭素
で洗滌すると、目的物１．３（Ｉｇが得られた、 ％９１点１０θ−１０１℃ シリカゲル薄層クロマトグラフィーのｎｆ値＝０．５２
　（展開溶剤：ベンゼン：酢酸エチル＝１：１） マススペクトル（ｍ／ｅ　）　：　３２６　（Ｍ＋）試
験例　１ ８Ｒ８−Ａの産生、放出に対する抑制作用本件目的化合
物の８１Ｓ−Ａ　産生に対する作用は、Ｐａｒｋｅｒら
の方法（Ｊ　、　ｘｒｒｍｕｎｏｌ、　１２５巻、９４
６頁（１９８０年））に従って測定した。すなわち、抗
原として卵白アルブミンを用いて感作したモルモット（
Ｈａｒｔｌｅｙ系雄性）の肺切片に、本件目的化合物と
抗原を同時に添加ｔ１、その際産生、放出される８ＢＳ
−Ａ　Ｊｊを、　モルモット回腸を用いおいて８Ｒ８−
Ａの産生な強力に抑制した、表１ 試験例　２ 過酸化脂質生成抑制作用 Ｍａｌｖｙらの方法［Ｂｉｏｃｈｅｍ、　Ｂｉｏｐｈｙ
ｓ、　Ｒｅｓ。

０ｏｒｒｔｌｌｕｎ、　ｓｓ巻、７３４頁（ｔｓａｏ年
）〕に従い、ラット肝慮ミクロゾームに、本件化合物、
システ導 イン（５００μＭ）Ａび′硫酸第一鉄（５μＭ）添加、
反応させた時の過酸化脂質量をＴｈ１ｏｂａｒｂｉｔｕ
ｒｉｃ　ａｃｉｄ（ＴＢ人）法で測定して、本件化合物
による阻害作用を調べた。表２に示すように、本件化合
物は、低濃度において過酸化脂質の産生を強力に抑制し
た。

表２ 出願人三共株式会社 代理人弁理士梱出庄治 手続補正書（自発） ■、事件の表示 昭和５９年特許願第６０１９８　号 ２、発明の名称 １．３−ベンゾオキサチオール誘導体及びその製法３、
補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称　（１８５）三共株式会社 代表者　取締役社長　河村喜典 ４、代理人 居所　〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容　導神祠ｉ船編　、１１ｊ５平＼１、　
明細書５Ｉ４１２頁３行乃至４行の「ｎ−プロピルカル
バモイルＪ　ヲｒ　Ｎ　−ｎ　−フロビルカルバモイル
」と訂正する。

２　同第１３頁下から６行乃至下から５行のオクタツル
」を「オクタノイル」と訂正する。

３、　同第２４頁２行の「メチルモルホリン」を「Ｎ−
メチルモルホリル」と訂正する。

４、　同４４０頁６行の「プロピン酸メチル」を「プロ
ピオン酸メチル」と訂正する。

５、　同第４１頁１行の「リチウム水素ナトリウム」を
「リチウム水素、ナトリウム」と訂正する。

６、同第５０頁１行の「ヒドロクラン」を「ヒドロフラ
ン」と訂正する。

Ｔ。　同第６３頁下から６行の「酢酸溶酸」を「酢酸溶
液」と訂正する。

８、　同第７３頁１３行の「５−０−ヒドロキシ−」を
「５−ヒドロキシ−」と訂正する。

９、　同第８０頁６行の「５−１−ブチルジメチル」を
「５−１−ブチルジメチル」と訂正する。

１０　同第８７頁Ｂ行の「メトキシカルボニル」を「３
−メトキシカルボニル」と訂正する。

１１、同第８７頁下から２行乃至殆８Ｂ頁２行にわたる
［メチル・・・・・・プロピオネート」を「メチル３−
１：５−、（３−メトキシカルボニルプロピオニルオキ
シ）　−４，６，７−）リメチ／Ｉ／−１，３＝ベンゾ
オキサチオール−２−イル〕プロピオネート」と削正す
る。

１２、同第９０頁下から６行の「対し」を「付し」と訂
正する。

１３、同第９１頁下から５行の「−アセトキシプロビル
ー」をｒ−（３−アセトキシプロピル）−」と削正する
。

１４、同第９２頁１０行乃至１１行の「−ベンゾイルオ
キシプロピル−」を「−（３−ベンゾイルオキシプロピ
ル）−」と訂正する。

１５　同第１０８頁下から５行の「カラムグラフィー」
を「カラムクロマドグ２フイー」と訂正する。

１６、同嚇１１１貞１０行、同１１１ｇ１１３頁下から
３行及び同第１１４頁１行の［（３−ジメチルアミノエ
トキシプロピル）Ｊｔ”ｒ（３−（２−ジメチルアミノ
エトキシ）プロピル〕」と訂正する。

１７、同第１１１頁１３行及び同第１１２頁下から６行
の「ジメチルアミノエタノールＪを「２−ジメチルアミ
ノエタノール」と訂正する。

１８、同第１１４頁７行の「酢酸溶液」を「酢酸エチル
溶液」と訂正する。

１９、同第１１６頁１１行乃至第１１７頁６行にわたる
「実施例９３」の次に以下の文章を挿入する。

「実施例９４ ５−ヒドロキシ−４，６，７−）ジメチル−２−プロビ
ル−１，３−ベンゾオキサチオール１．６Ｆ。

無水酸（ｇｏ、ｓｔおよびピリジン１０ｍ１の混合物を
室温で１５時間反応させたのち、実施例５と同様に後処
理および精製を行ない、目的化合物（淡黄色油状物）　
１．８９を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー： Ｒｆ−０，５７（展開溶剤：ベンゼン）赤外線吸収スペ
クトル（液膜）　：　１７６２ｃｍ　’マススペクトル
（ｍ／　）：２８Ｇ（Ｍ＋）　Ｊ以上 手続補正書（自発） 昭和６０年５月ｘ７日 特許庁長官　志　賀　学　殿 ■、事件の表示 昭和５９年特許願第６０１９８　号 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称　（１８５’）三共株式祭社 代表者　取締役社長　河村喜典 ４、代理人 居所　〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 １．８ＡＭＢ畳第１３頁下から３行目のｒ　２．６．１
０゜１４−テトラメチルノナデカノイル」を「亀７、１
１．１５−テトラメチルヘキサデカノイル」と削正する
。

２、　同第２３頁６行乃至７行目の「符合」を「場合」
と訂正する。

３、　同第７１頁下から２行目の「オキシ−」を「オキ
シ）−」と訂正する。

４、　同第１０２頁１１行乃至１２２行目「テトラメチ
ル」ヲ「トリメチル」と訂正する。

５、同第１０３頁１行目のｒ　３００　：　ａ　Ｊを「
１００：３」と訂正する。

６、同第１０１頁３行目の「１、ｏｎ雫」を「１００即
」と訂正する。

１、　同第１０７頁下から５行目のｒ３．３９Ｊをｒ　
２．３２（３Ｈ，ｓ）、３．３９Ｊと訂正する。

８、　同第１０７頁下から２行目の「１Ｈ，ｓＪをｒ　
ＩＨ、ｔ、　；Ｊ−（ｉＨ２Ｊと訂正する。

９、　同第１１７頁下から５行目の「化合物と抗原を同
時に添加し」を「化合物を加えて１５分間前培養をした
のち抗原を添加し」と訂正する。

１０、昭和６０年２月２８日付手続補正書第４頁１２行
乃至第５頁４行目にわたる「実施例９４」の次に（明細
書第１１７頁６行目の次に）以下の文章を挿入する。

「実施例９５ ２、２−　）リチオビス−（１，４−ジアセトキシ−５
−ｔ−ブチルベンゼン）を実施例２２−■と同様に反応
させ、得られた５−アセトキシー６−１−ブチルー２−
メチル−１，３−ベンゾオキサチオールを実施例５１と
同様に反応させ、目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒ２−０、４６（
展開溶剤：ベンゼン） マススペクトル（ｍ／　）：２２４ＣＭ＋）実施例９６ ６−ｔ−ブチル−５−ヒドロキシ−２−プロピ／ｌ／−
１，３−ベンゾオキサチオール２，２−ジチオビス−（
１１４−ブチリルオキシ−５−ｔ−ブチルベンゼン）を
実施例２２−■と同様に反応させ、得られた６−ｔ−ブ
チル−５−ブチリルオキシ−２−プロピル−１，３−ベ
ンゾオキサチオールを実施例５１と同様に反応させ、目
的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒ，−０、５４（
展開溶剤：ベンゼン） マススペクトル（ｍ／　）；２５２（Ｍ”）実施例９７ ６−ｔ−ブチル−５−ヒドロキシ−２−メチル−１，３
−ベンゾオキサチオールと塩化ブチリルを用いて、実施
例９４と同様に反応し、目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒ２−〇、　２４
　（展開溶剤：ヘキサン／酢酸エチル−５０７１） マススペクトル（ｍ／　）：２９４（Ｍ＋）実施例１３
Ｂ ６−ｔ−ブチル−５−ヒドロキシ−２−プロピル−１，
３−ベンゾオキサチオールと塩化ブチリルを用いて、実
施例９４と同様に反応し、目的化合物を得た。

シリカゲル薄層クロマトグラフィー：Ｒｆ−０、３６（
展開溶剤：ヘキサン／酢酸エチル、−５０７１） マススペクトル（ｍ／　）：３２２（Ｍ＋）Ｊ以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋　一般式 （式中、Ｒは水素原子、置換されていてもよいアルキル
   基、低級アルケニル基、置換されていてもよいアリール
   基又は低級アルコキシカルボニル基を示し、Ｒは水素原
   子、低級アルキル基又は炭素数３乃至４個のアルケニル
   基を示し、Ｒは水素原子又は低級アルキル基を示し、Ｒ
   は保麟されていてもよい水酸基を示し、Ｒは低級アルキ
   ル基、低級アルコキシ基、水酸基又は低級脂肪族若しく
   はアリールアシルオキシ基を示し、Ｒけ水素原子、低級
   アルキル基又は低級アルコキシ基を示し、ｎは０乃至２
   の整数を示す。）を有する１、３−ベンゾオキサチオー
   ル誘導体及びその条理上許容される塩。 ＋２１　一般式 し、Ｒは水１ｇ原子、低級アルキル基又は低級アルコキ
   シ基を示し、Ｒは水素原子；保護された水酸基、低級ア
   ルコキシカルボニル基若しくは低級アルコキシ基で置換
   されてもよいアルキル基：低級アルケニル基；置換され
   ていてもよい了り−ル基（該置換基の水酸基は保護基を
   有する。）；又は低級アルコキシカルボニル基を示し　
   ｕ８は保護された水酸基を示し、Ｒは低級アルキル基、
   低級アルコキシ基又は低級脂肪族若しくはアリールアシ
   ルオキシ基を示し、ｍは２乃至３の整数を示す。） を有するチオ化合物を還元剤と処理して、一般式 （式中、Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ及びＲは前述したものと同意義
   を示す。） を有する化合物を製造し、所望によシ、　Ｒ、Ｒ及びＲ
   に含まれる水酸基の保譲基を除去する反応、生じたヒド
   ロキシメチル基をカルボキシ基に酸化する反応、カルボ
   キシ基をエステル化する反応、Ｈに含まれる低級アルコ
   キシカルボニル基をカルボキシ基、置換されていてもよ
   いカルバモイル基若しくはヒドロキシメチル基に変換す
   る反応、得られたヒドロキシメチル基をハロゲン化メチ
   ル基変換する反応若しくは前記ヒドロキシメチル基の水
   酸基を保膿する反応、ハロゲン化アルキル基からハロゲ
   ン化水素を除去してアルケニル基に変換する反【ｌｌ；
   又はチオール体をスルホキシド体若しくはスルホ／体に
   変換する反応を適宜行うことにより、一般式（式中、Ｒ
   １’ｉ水素原子、置換されて−てもよいアルキル基、低
   級アルケニル基、＊換されてイテモヨめアリール基又は
   低級アルコキシカルボニル基を示し、Ｒけ水素原子又は
   低級アルキル基を示し、Ｒは保睡されていてもよい水酸
   基ケ示し、Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、水
   酸基又は低級脂肪族若しくはアリールアシルオキシ基を
   示し、Ｒは水＄Ｍ子、低級アルキル基又は低級アルコキ
   シ基を示し、ｎは◎乃至２の整数を示す。） を有する１、３−ベンゾオキサチオール誘導体及びその
   薬理上許容される塩の製法。 （３；　一般式 し、Ｒは水素原子、低級アルキル基又は低級アフ ルコキシ基を示し、Ｒは水素原子、保論された水酸基、
   低級アルコキシカルポール基若シくハ低級アルコキシ基
   で置換されてもよいアルキル基、低級アルケニル基、置
   換されていてもよいアリール基（該置換基の水酸基は保
   饅基を有する。）又は低級アルコキシカルボニル基を示
   し、Ｒは保瞳された水酸基を示し、Ｒは低゛級アルキル
   基、低級アルコキシ基、低級脂肪族若しくはアリールア
   シルオキシ基會示す。） を有する化合物を塩基と処理し、反応液中にカルバニオ
   ンを発生させた後に、一般式 （式中、Ｒは低級アルキル基又は炭素数３乃至４個のア
   ルケニル基を示す６　） を有する化合物を反応させ、一般式 （式中、Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ及びＲは前述したものと同
   意義を示す。） を有する化合物を製造し、所望により、Ｒ，ｆｌ及びＲ
   に含ｔわる水酸基の保昶基を除去する反応、生じたヒド
   ロキシメチル基をカルボキシ基に酸化する反応、カルボ
   キシ基をエステル化すル反応、Ｒに含まれる低級アルコ
   キシカルボニル基をカルボキン基、置換されていてもよ
   い力ＪＬｔｉ＜モイル基若しくはヒドロキシメチルＭＫ
   ＆換する反応、得られたヒドロキシメチル基ヲハロゲン
   化メチル基に変換する反応若［７〈は前記ヒドロキシメ
   チル基の水酸基を採機する反応、ハロゲン化アルキル基
   からハロゲン化水素を除去してアルケニル基に変換する
   反応又はチオール体をスルホキシド体若しくはスルホン
   体に変換する反応を適宜行うことにより、一般式（式中
   、Ｒ１２は前述したものと同意義を示し、Ｒ１は水素原
   子、Ｓ−摸されていてもよいアルキル基、低級アルケニ
   ル基、置換されていてもよい了り−ル基又は低級アルコ
   キシカルボニル基を示【７、Ｒは水素原子又は低級アル
   キル基を示し、Ｒ４け保護されていてもよい水酸基を示
   し、Ｒ５は低級アルキル基、低級アルコキシ基、水＃基
   又は低級脂肪族若しくけアリールアシル）キシ基を示し
   、Ｒは水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基
   を示し、ｎは０乃至２の整数を示す。） ヲ有スる１、３−ベンゾオキサチオール誘導体及びその
   条理上許容される塩の製法。