JPS60201653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60201653A JPS60201653A JP5911784A JP5911784A JPS60201653A JP S60201653 A JPS60201653 A JP S60201653A JP 5911784 A JP5911784 A JP 5911784A JP 5911784 A JP5911784 A JP 5911784A JP S60201653 A JPS60201653 A JP S60201653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor device
- oxide film
- capacitor
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置に構成される電気容量体の構造に関
する。
する。
従来、半導体装置における電気容量体の構造は第1図に
示す如く、81基板1の表面に形成された拡散層を平担
な第1の電極3として、フィールド酸化膜2及びゲート
酸化膜4を介して第2の電極5が形成されて成る。
示す如く、81基板1の表面に形成された拡散層を平担
な第1の電極3として、フィールド酸化膜2及びゲート
酸化膜4を介して第2の電極5が形成されて成る。
上記従来技術によると、半導体装置の電気容量体の面積
が大となり、高集積化に向かないという欠点があった。
が大となり、高集積化に向かないという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、小面積で大
電気容量の半導体装置用電気容量・体の構造を提供する
ことを目的とす、る。
電気容量の半導体装置用電気容量・体の構造を提供する
ことを目的とす、る。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、半導体基板上には第1の電極が形成さ
れその表面に2つ以上の凹凸部が形成され、該第1の電
極表面上に絶縁膜を介して第2の電極が形成された電気
容量体を有することを特徴とする。
導体装置に於て、半導体基板上には第1の電極が形成さ
れその表面に2つ以上の凹凸部が形成され、該第1の電
極表面上に絶縁膜を介して第2の電極が形成された電気
容量体を有することを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示す半導体基板上の電気容
量体の断面図である。すなわち、81基板11の表面に
は凹凸部14.拡散層からなる第1の電極1!1.フィ
ールド酸化膜12.ゲート酸化膜15が形成され、該ゲ
ート酸化膜15等上に第2の電極16が形成されて成る
。
量体の断面図である。すなわち、81基板11の表面に
は凹凸部14.拡散層からなる第1の電極1!1.フィ
ールド酸化膜12.ゲート酸化膜15が形成され、該ゲ
ート酸化膜15等上に第2の電極16が形成されて成る
。
尚、凹凸部は必ずしも線状である必要なく、点状に形成
されても良い。
されても良い。
更に、第1の電極は半導体基板表面に形成される必要は
なく、半導体基板11上のフィールド酸化膜12上に第
1の電極が形成され、該第1の電極に凹凸段を形成した
第1の電極としても良いことは云うまでもない。
なく、半導体基板11上のフィールド酸化膜12上に第
1の電極が形成され、該第1の電極に凹凸段を形成した
第1の電極としても良いことは云うまでもない。
本発明の如く電気容量体を第1の電極凹凸部を形成して
構成することにより、半導体装置の集積度が向上できる
効果がある。
構成することにより、半導体装置の集積度が向上できる
効果がある。
第1図は従来技術による半導体装置の電気容量体の断面
図、第2図は本発明の一実施例を示す半導体装置の電気
容量体の断面図である。 1.11・・・・・・81基板 2.12・・・・・・フィールド酸化膜3.13…・・
・第1の電極 4.15・・・・・・絶縁膜 14・・・・・・・・・・・・凹凸部 5.16・・・・・・第2の電極 以 上 出願人 株式会社睡訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
図、第2図は本発明の一実施例を示す半導体装置の電気
容量体の断面図である。 1.11・・・・・・81基板 2.12・・・・・・フィールド酸化膜3.13…・・
・第1の電極 4.15・・・・・・絶縁膜 14・・・・・・・・・・・・凹凸部 5.16・・・・・・第2の電極 以 上 出願人 株式会社睡訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 半導体基板上には第1の電極が形成されその表面に2つ
以上の凹凸部が形成され、該第1の電極表面上に絶縁膜
を介して第2の電極が形成された電気容量体を有するこ
とを特徴とする半導体装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5911784A JPS60201653A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5911784A JPS60201653A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60201653A true JPS60201653A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13104048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5911784A Pending JPS60201653A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60201653A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001017032A1 (de) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Infineon Technologies Ag | Kondensatorstruktur |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP5911784A patent/JPS60201653A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001017032A1 (de) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Infineon Technologies Ag | Kondensatorstruktur |
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