JPS60183925A - 電流検出装置 - Google Patents

電流検出装置

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JPS60183925A
JPS60183925A JP3995884A JP3995884A JPS60183925A JP S60183925 A JPS60183925 A JP S60183925A JP 3995884 A JP3995884 A JP 3995884A JP 3995884 A JP3995884 A JP 3995884A JP S60183925 A JPS60183925 A JP S60183925A
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current
line
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transistor
magnetic
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和嗣 林
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、負荷や電力線などの漏電を検出する電流検出
装置に関する。
背景技術 先行技術において、検出されるべき被検出電流の流れる
ラインに関連して設けられると共に被検出電流を検出す
る可飽和リアクトルを含む磁気マルチバイブレータ回路
は、被検出電流の流れるラインに漏れ電流が無くても、
そのラインの平衡電流が大きくなれば発振周波数が高(
なる。このように発振周波数が高くなると、磁気マルチ
バイブレータ回路の後段に接続される各回路が誤動作を
起し、正常に漏れ電流を検出しにくかった。
第1図は、先行技術の磁気マルチバイブレータ回路に含
まれる可飽和リアクトルの斜視図である。
コアKには、コイルL1およびコイルL2が巻回される
。コアにの中心付近には、被検出電流の流れるラインI
!1およびラインl!2が貫通される。
この可飽和リアクトルは、第2図に示すようなり−f(
特性を有する。この可飽和リアクトルが回路的に励磁力
Haまで励磁Vる能力を有するものとすると、一般的に
磁気マルチバイブレータ回路の発振周波数は次の第1式
に示すようになる。
ただしEは印加V4i川、Sはコアにの断面積Nはコア
■(に巻回されるコイルの巻線回数である。
ここでライン11.12に平衡大電流が流れると、第3
図+J、lに示rようにコアにの領域K 1 、 K2
の磁束密塵か高くなり飽和状態となる。また第3図(2
)に示Cように磁力線3Dはコアにの中心付近で密とな
り、コアにの十ド付近の磁力+13C。
:3Eは相となる。したがって可飽和リアクトル全体の
B−H特性が第4図に示すように変化するため、発振周
波数は次の第2式のようになる。
f −・・・(2) 4NBm’S さらにライフ1M、l!2の平衡η−L流が大きくなる
と、発振周波数は次の第3式のようになる。
ここで第1式〜第3式においてBm)Bm’)Bm’の
関係により、各発振周波数f、P、f’は次の第4式の
関係にr、(る。
f<P<f’ ・・・(4) この第4式に示すようにライン、el、12の平衡電流
が大きくなっていくと、磁気マルチバイブレーク回路の
発4辰周波数は畠くなっていく。したがって、磁気マル
チバイブレータ回路の発振周波数はライン11,12の
平衡電流時変動し、本来の動作目的を達成することがで
きなくなる。本来の動作目的とは、ライン11.12に
流れる電流が不平衡であるときのみ、磁気マルチバイブ
レータ回路の出力パルスのデユーティを変動させ、後段
の回路によって漏れ電流を検出することである。
目 白り 本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、被検出ラ
インの平衡電流による誤動作を防lトシ、正確に漏れ電
流を検出することができる電流検出装置を提イj(する
ことであるっ 実施例 第5図は、本発明の一実施例の可飽和リアクトルが接続
される電流検出装置の電気回路図であろっ′市源回路A
の動作を説明するうスイッチSl。
S2がオンされ、交流電源EOからの電力がライン11
.12に与えられる。ラインl!i、12に与えられた
交流筆圧は、ダイオードDI、D2゜D3.D4、コイ
ルL1抵抗R1およびコンデンサC1から成る回路によ
り整流され、直流電圧になる。交流市、源E iJから
の電力が投入されると同時にライン13に流れる直流電
流によりトランジスタTriがオンし、コンデンサC2
が充電される。トランジスタTrlがオンすると、次に
トランジスタTr2がオンし、そのエミッタのラインr
4はリップル分を含まない定電圧を得る。トランジスタ
Tr2のコレクタ電位が予め定めた電位を越えると、比
較器1が動作し、トランジスタTr3にベース電流が流
れる。これによってトランジスタTr3がオンしてトラ
ンジスタTriのベース電流を引き込み、トランジスタ
Triをオフさせる。一方、これと同時比較器1の出力
によってトランジスタTr12がオンし、比較器1の非
反転入力端子に与えられるしきい値電圧を下げる。
電源回路Aに接続される負荷回路がエネルギを消費し、
コンデンサC2の電位が下がり、比較器lの反転入力端
子の電位が下がり、比較器lの出力が反転する。これに
よって、トランジスタT r 3 +Trl 2がオフ
し、トランジスタTriがオンしてコンデンサC2を充
電していく。
次に制御回路Bの動作を説明する。電源回路Aのトラン
ジスタTriのエミッタのライン14のtft位が予め
定めた値に達するまで、制御回路は、後段の回路の誤動
作を防ぐため磁気マルチバイブレータ回路Cの発振を停
止させておくものである。
ライン14の電位が予め定めた値に達すると、比較器2
が動作し、磁気マルチバイブレータ回路CのスイッチS
3,84をオンさせる。
次に磁気マルチバイブレータ回路Cの動作を説明する。
磁気マルチバイブレータ回路Cは、スイッチS3 、S
4がオンするに従い発振動作が開始される。負荷LOに
接続されるライン!!1.12に関連して設けられると
共に、ライン11,12に流れる電流を検出するための
コイルLlおよびコイルL2を有する可飽和リアクトル
が設けられる。その可飽和リアクトルのコイルL1およ
びコイルL2の一端は抵抗Rを介してラインl!4に接
続される。コイルL1の他端はトランジスタTr4のコ
レクタに接続され、コイルL2の他端はトランジスタT
r5のコレクタに接続される。コイルLl、L2および
トランジスタTr4.Tr5を含む回路により、トラン
ジスタTr4がオンしたときトランジスタTr5がオフ
し、また逆にトランジスタTr5がオンしたときトラン
ジスタTr4がオフし、発振が行なわれる。ラインe1
またはラインI!2に漏れ電流がない場合、コイルL1
およびコイルL2のリアクタンスは変化しないノテトラ
ンジスタTr4およびTr5のオン/オフのデユーティ
比は1:1のままである。ラインI!1またはラインl
!2に漏れ電流が生じると、コイルL1およびL2のリ
アクタンスは変化するのでトランジスタTr4およびT
r5のオン/オフのデユーティ比は1:1から変化する
。磁気マルチバイブレータ回路Cは、トランジスタTr
4のコレクタおよびトランジスタTr5のコレクタから
互に位相反転したパルス信号を送出する。
次にデユーティ検出回路りの動作を説明する。
前記磁気マルチバイブレータ回路CのトランジスタTr
4およびトランジスタTr5のオン/オフに同期し、ス
イッチS5〜S8がオン/オフする。
スイッチS5.88は、トランジスタTr5がオンのと
き、オンする。スイッチS6 、S7は、トランジスタ
Tr4がオンのとき、オンする。
ここで磁気マルチバイブレータ回路Cが通常の発振動作
を行なっていると想定して、以下第6図の波形図を参照
して動作を説明する。デユーティ検出回路りにおいて、
スイッチS5とスイッチS6と抵抗R11との接続点a
′には第・6図(2)に示すようなパルス信号が与えら
れる。またスイッチS7とスイッチS8と抵抗13との
接続点b′には、第6図(3)に示すようなパルス信号
が与えられる。
これによって、抵抗R11と抵抗R12とコンデンサC
3との接続点aからは14S6図(1)に示すような直
流電圧の信号P1が送出される。抵抗R13と抵抗R1
2とコンデンサC4との接続点すからは、第6図(1)
に示すような直流電圧の信号P2が送出される。
次に高周波検知回路Eの動作を説明する。比較器8の反
転入力端子には前記デユーティ検出[91路りの接続点
a′からの信号が与えられ、比較器8の非反転入力端子
には前記デユーティ検出回路りの接続点b′からの信号
が与えられる。これにより比較器8は動作し、トランジ
スタTr6を能動化する。トランジスタTr6のコレク
タ・エミッタ間ニハコンデンサC5が接続され、トラン
ジスタTr6のコレクタには第6図(4)に示す信号P
4が送出される。この信号P4は比較器3の非反転入力
端子に与えられ、比較器3の反転入力端子には第6図(
4)に示ずラインA4のレベルのしきい値電圧が与えら
れる。これにより比較器3は動作し、トランジスタTr
7を能動化する。トランジスタTr7のコレクタ・エミ
ッタ間にはコンデンサC6が接続され、トランジスタT
r7のコレクタには第6図(5)に示す信号P5が送出
される。この′信号P5は比較器4の非反転入力端子に
与えられ、比較器4の反転入力端子には第6図(5)に
示すラインA5のレベルのしきい値電圧が与えられる。
このように信号P5のレベルは、比較器3によりライン
A5で示すレベルのしきい値電圧より低くなるように設
定される。この状態では、比較器4の出力によりスイッ
チS9はオンされない。
ここでたとえばラインl!lに漏れ電流が生じて、磁気
マルチバイブレータ回路Cの出力パルスのデユーティ比
が変化したときの動作を説明する。このときデユーティ
検出回路りの接続点a′には、第7図(2)に示すよう
なパルス信号が与えられ、接続点b′には第7図(3)
に示すようなパルス信号が与えられる。したがってデユ
ーティ検出回路りの接続点aから第7図(1)に示すよ
うな信号pHが送出され、接続点すから第7図11)に
示すような信号P12が送出される。比較器8は、第7
図(2)に示すパルス信号と第7図(3)に示すパルス
信号とにより動作し、トランジスタTr6を能動化する
。トランジスタ“rr6のコレクタからは第7図(4)
に示す信号P14が送出される。この信号P14のレベ
ルは、比較器3の反転入力端子に与えられるラインA4
で示すレベルのしきい値電圧より低い。したかつて比較
器3の出力は、トランジスタTr7をオフさせ、コンデ
ンサC6を定電流源E6の電流により充電させる。これ
によりトランジスタTr7のコレクタ電圧は、第7図(
5)に示すラインA6のように上昇し、比較器4の反転
入力端子に与えられるラインA5で示すレベルのしきい
値電圧より高くなり、比較器4はスイッチS9をオンさ
せる。
次に電圧/電流変換回路Fの動作を説明する。
前記高周波検知回路EのスイッチS9がオンされること
によって定電流源FJ8の電流は、コンデンサC7に流
れ込み、コンデンサC7を充電する。
比較器6とダイオードD13とトランジスタTr9と、
比較器5とダイオードD14とトランジスタTr8とに
よりバッファを構成し、比較器6の非反転入力端子に与
えられた信号と比較器5の非反転入力端子に与えられた
信号との電位差を抵抗R14の抵抗値で割った電流値に
変換し、トランジスタTr9およびTr8のコレクタか
らの電流でコンデンサC7を充電していく。なお比較器
6の非反転入力端子はデユーティ検出回路りの接続点a
に接続され、比較器5の非反転入力端子はデユーティ検
出回路りの接続点すに接続される。一方、抵抗R15と
トランジスタTrlOとトランジスタTrllとから成
る定電流引き出し回路により、予め設定された電流値ま
ではコンデンサC7の電位を上昇させflい。
出力回路Gは、コンデンサC7の電位が予め定めた値以
上になると、比較器7からスイッチS1゜S2をオフさ
ぜる信号を送出する。これによって、負荷LOは交流電
源EOから遮断される。
以上のようにライン11およびラインl!2の被検出電
流が小さいときは、磁気マルチパイブレーク回路Cの出
力パルスのデユーティ比を電圧/電流変換回路Fで検出
する。また被検出電流が大きいトキは、磁気マルチバイ
ブレータ回路Cの出力パルスの周波数が高くなり、高周
波検知回路Eでその周波数を検出する。したがって高周
波検知回路Eおよび電圧/電流変換回路Fによって、被
検出電流を確実に検出することができる。
第8図は、負荷LOの漏れ電流である非検出電流Igと
、電圧/電流変換回路FのトランジスタTr9およびT
r8のコレクタから送出される平均出力電流■0との関
係を示すグラフである。破線で示す従来の電圧/電流変
換回路の特性に対して、本発明の一実施例の電圧/電流
変換回路Fの特性は実線で示す。この実線で示す特性は
デユーティ検出回路りの出力信号にリップルが含まれて
いる場合であり、このような特性により第9図(1)〜
第9図13)に示すような非検出電流であっても第9図
(4)に示すような交流電流を検出したのと同じ検出動
作状態に十分近づけることができる。従来の高周波検出
回路の入力としてデユーティ検出回路りの接続点a、b
間の電圧をローパスフィルタに与え、微分してリップル
分だけ検出していたが、ノイズにより接続点a、b間の
電圧が変化し、リップル分に急:唆な電圧変化が生じ、
高周波検出回路が誤動作しやすく、耐ノイズ性が悪かっ
た。ところが本件実施例の電圧/電流変換回路Fは、デ
ユーティ検出回路りの接続点a、b間の電圧変化に関係
なく動作するので、耐ノイズ性を向上させることができ
る。
第10図は、本発明の一実施例の可飽和リアクトルの斜
視図である。第10図において、前記第1図に示す構成
要素に対応するものには同一の参照符を付す。コアKに
は、コイルL1およびコイルL2が巻回される。コアに
の中心付近には、非検出電流の流れるラインllおよび
、ラインI!2に接続される円筒状の管M1が貫通され
る。ラインI!lは、管M1の内部を貫通する。第11
図に示すようにラインI!lに流れる電流Iによって発
生する磁束a1と、管M1を流れる電流Iによつて発生
する磁束b1とは互いに打ち消し合い、コアにの断面の
磁束密度を全体として零にする。したがって前記第4式
に示すような関係の発振周波数の変化を防止することが
できる。これによってラインl!1および管M1に流れ
る平衡電流が大きくなっても、第5図に示す磁気マルチ
バイブレータ回路Cの発振周波数の変化を小さく押える
ことができる。
第12図は、本発明の他の実施例の可飽和リアクトルの
斜視図である。第12図において、4S10図に示す構
成要素に対応するものには同一の参照符を付す。コアK
には、コイルLlおよびコイルL2が巻回される。コア
にの中心付近は、ライン12が接続される管M1が貫通
する。ライン11は、管Mlの内部を貫通する。コアに
のコイルLl、L2を含む両側面には、磁気遮へい板H
1゜H2がそれぞれ設けられる。ここで第13図を参照
して磁束について説明する。磁束a4.blに関しては
、前記第11図において説明したので省略する。ライン
IM、l!2に電流が流れると、その周囲に磁束el、
e2が発生する。しがし、この磁束el、e2は磁気遮
へい板H1,H2により吸収され、コアKには影響を与
えることがなくなる。したがってラインll、7!+2
の平衡電流による可飽和リアクトルのコアKを通る磁束
および外部磁界による磁束を減少させ、前記第2図に示
す平衡電流が零時のB −H特性がらの変化を小さくす
る。
第14図は、本発明のさらに他の実施例の可飽和リアク
トルの斜視図である。第14図において、前記°第12
図に示す構成要素に対応するものには同一の参照符を付
す。コアKには、コイルL1およびコイルL2が巻回さ
れる。コアにの中心付近は、ライン12が接続される管
M1が貫通する。
ラインflは、管M1の内部を貫通する。コアにのコイ
ルLL、L2を含む外周面には、磁気遮へい板H3が設
けられる。この場合も前記第12図において説明したよ
うな効果を得ることができる。
第15図は、本発明の他の実施例の可飽和リアクトルの
斜視図である。第15図において、第14図に示す構成
要素に対応するものには同一の参照符を付す。コアKに
は、コイルLlおよびコイルL2が巻回される。コアに
の中心付近には、ライン12が接続される管M1が貫通
する。ラインt!1は、管M1の内部を貫通する。コア
にのコイルLl、L2を含む外周面および両側面には、
磁気遮へい板H4が設けられるうこの場合も前記第12
図で説明したように管M1はラインl!1./2に流れ
る平衡電流によるコアKに与える磁界の影響をな(し、
磁気遮へい板H4は配線などの外部磁界の影響を小さく
すると共にコアにの外ケースも兼ねる。
効果 以上のように本発明によれば、iif飽和リアクトルの
検出動作に関連する前記ラインの区間の一方のラインを
円筒状の管に接続し、他方のラインをその管の中心を貫
通させることによって、ラインに流れる平衡電流の通電
時の磁気マルチバイブレータ回路の発振周波数の増大を
41減し、平衡大電流による誤動作可能性の軽減、招よ
び被検出電流の感度電流の増加を軽減することができ、
正確に漏れ電流を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は先行技術における可飽和リアクトルの斜視図、
第2図は第1図に示す可飽和リアクトルの平衡電流の零
時のB−H特性曲線、第3図は第1図に示す可飽和リア
クトルに大平衡電流が流れたときの磁束を説明するため
の図、第4図は第1図に示す可飽4017アクトルに大
平衡電流が流れたときのB−H特性曲線、$5図は本発
明の一実施例の可飽和リアクトルが接続される電流検出
装置の電気回路図、第6図は磁気マルチバイブレータ回
路Cの通常発振時における回路の動作を説明するための
波形図、q′S7図は磁気マルチパイプレーク回路Cの
高周波発振時における回路の動作を説明するための波形
図、第8図は電圧/電流変換回路Fの動作を説明4−る
ためのグラフ、第9図は電圧/電流変換回路Fの動作を
説明するための波形図、第1O図は本発明の一実施例の
可飽和リアクトルの斜視図、@11図は第10図の可飽
和リアクトルの磁束を説明するための図、第12図は本
発明の他の実施例の可飽和リアクトルの斜視図、第13
図は@12図の可飽和リアクトルの磁束を説明するため
の図、第14図は本発明のさらに他の実施例の可飽和リ
アクトルの斜視図、第15図は本発明の他の実施例のr
=J飽和リアクトルの斜視図である。 tM、12・・・ライン、Ll、L2・・・コイル、C
・・・磁気マルチバイブレータ回路、D・・・デユーテ
ィ電圧変換回路、E・・・高周波検知回路、K・・・コ
ア、H1〜H4・・・磁気遮へい板 代理人 弁理士 西教圭一部 図面の汀を辺(内容に変更なし) 第1図 第2図 9s6図 了 通常光歇時 第 7図 高幻丁ンυ(シ〜SJA長一時 第8図 液オイ19ル並隘へ3 ■9 第9図 時−間 第10図 第11図 ■ 第12図 第13図 第14図 第15図 手 続 補 正 書 (力へジ 昭和59年6゛月 5 日 ]、事件の表示 特願昭59−39958 2、発明の名称 電流検出装置 3、補正をする者 事f1との関係 出願人 住所 名 称 (583) 松下電工株式会社代表者 4、代理人 住 所 大阪市西区西木町1丁目13番38号新興産ビ
ル国際置EX 0525−5985 丁MTAPT J
国TjQ FAX G111&GII(06)538−
0247昭和59年5月29日(発送日) 6、補正の対象 明細書、図面および委任状 7、補正の内容 (1)明細書および図面の浄書(内容に変更なし)。 (2)委任状を別紙のとおシに補充する。 以上 手続補止前 昭和59年 8月21日 1.1¥イ′1の表示 特願昭59−3!〕!1 !”+ 8 2、発明の名称 電流検出装置 j)、捕11:をする者 事件との関係 出願人 (i゛所 名称(583)松下電工株式会社 代表行 4、代理人 11° 所 火阪市西区西本町1丁目13番;);)号
 新興産ビル国際′1′1と1,1・;X (1525
−、”+ !385 I N TA P T J国際F
AX GIll&GU ((16)5311−0247
6、補正の対象 明細書の発明の、!Y川な説明の欄および図面7、補正
の内容 (1)明taν(第3す(第2行目において1励磁する
能力を有する−1とあるを、 「励磁される−1に訂j
1:する。 (2)明細書11 (1頁第11[行1〜第15行目に
おいて 1テ゛ニーティ比−1とあるを、 1間ン皮数
1に1ぽ正する。 (3)図面(7) 155 図、f(s I 2 [χ
1、r:rS1/I図t: 、h ty r(S15図
を別紙のとおりに訂正する。 以 I、 第12図 第14図 第15図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)検出されるべき被検出電流の流れる2本のライン
    に関連して設けられる可飽和リアクトルを含み発振動作
    を行なう磁気マルチバイブレータ回路と、この磁気マル
    チバイブレータ回路からの出方の被検出電流が小さい際
    、その出力のデユーティを検出する回路と、磁気マルチ
    バイブレータ回路からの出力の被検出電流が大きい際、
    その出方の周波数を検知する回路とを含み、前記ライン
    の漏れ電流を検出する電流検出装置において、前記可飽
    和リアクトルの検出動作に関連する前記ラインの区間の
    一方のラインを円筒状の管に接続し、他方のラインをそ
    の管の中心を貫通させることを特徴とする電流検出装置
  2. (2)前記可飽和リアクトルに磁気遮へい板を設けるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電流検出装
    置。
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