JPH0619379B2 - 電流検出装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、負荷や電力線などの漏電を検出する電流検出
装置に関する。

背景技術 先行技術において、検出されるべき被検出電流の流れる
ラインに関連して設けられると共に被検出電流を検出す
る可飽和リアクトルを含む磁気マルチバイブレータ回路
は、被検出電流の流れるラインに漏れ電流が無くても、
そのラインの平衡電流が大きくなれば発振周波数が高く
なる。このように発振周波数が高くなると、磁気マルチ
バイブレータ回路の後段に接続される各回路が誤動作を
起し、正常に漏れ電流を検出しにくかつた。

第１図は、先行技術の磁気マルチバイブレータ回路に含
まれる可飽和リアクトルの斜視図である。コアＫには、
コイルＬ１およびコイルＬ２が巻回される。コアＫの中
心付近には、被検出電流の流れるラインｌ１およびライ
ンｌ２が貫通される。この可飽和リアクトルは、第２図
に示すようなＢ−Ｈ特性を有する。この可飽和リアクト
ルが回路的に励磁力Ｈａまで励磁される能力を有するも
のとすると、一般的に磁気マルチバイブレータ回路の発
振周波数は次の第１式に示すようになる。

ただしＥは印加電圧、８はコアＫの断面積、ＮはコアＫ
に巻回されるコイルの巻線回数である。

ここでラインｌ１，ｌ２に平衡大電流が流れると、第３
図(1)に示すようにコアＫの領域Ｋ１，Ｋ２の磁束密度
が高くなり飽和状態となる。また第３図(2)に示すよう
に磁力線３ＤはコアＫの中心付近で密となり、コアＫの
上下付近の磁力線３Ｃ，３Ｅは粗となる。したがつて可
飽和リアクトル全体のＢ−Ｈ特性が第４図に示すように
変化するため、発振周波数は次の第２式のようになる。

さらにラインｌ１，ｌ２の平衡電流が大きくなると、発
振周波数は次の第３式のようになる。

ここで第１式〜第３式においてＢｍ＞Ｂｍ′＞Ｂｍ″の
関係により、各発振周波数，′，″は次の第４式
の関係になる。

＜′＜″ …(4) この第４式に示すようにラインｌ１，ｌ２の平衡電流が
大きくなつていくと、磁気マルチバイブレータ回路の発
振周波数は高くなつていく。したがつて、磁気マルチバ
イブレータ回路の発振周波数はラインｌ１，ｌ２に流れ
る電流が平衡していても変動し、本来の動作目的を達成
することができなくなる。本来の動作目的とは、ライン
ｌ１，ｌ２に流れる電流が不平衡であるときのみ、磁気
マルチバイブレータ回路の出力パルスのデユーテイを変
動させ、後段の回路によつて漏れ電流を検出することで
ある。

目 的 本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、被検出ラ
インの平衡電流による誤動作を防止し、正確に漏れ電流
を検出することができる電流検出装置を提供することで
ある。

発明の構成 本発明は、検出されるべき被検出電流の流れる２本のラ
インに関連して設けられるとともに、被検出電流を検知
するための第１のコイルと第２のコイルとを有する可飽
和リアクトルと、第１のコイルと第２のコイルとに流れ
る電流を制御する抵抗とを備え、被検出電流に応じて予
め定める周期のデユーテイを変えて発振し、互いに反転
した出力信号を送出する磁気マルチバイブレータ回路
と、 磁気マルチバイブレータ回路の各出力信号のデユーテイ
を検出する一対のデユーテイ検出回路と、 各デユーテイ検出回路からの信号のデユーテイに対応し
た出力信号が入力され、その出力信号のレベル差を整流
し、その整流電流に対応する電圧レベルをコンデンサＣ
７から導出する電圧／電流変換回路と、 前記可飽和リアクトルを備える磁気マルチバイブレータ
回路が高周波発振したことを検出して前記コンデンサＣ
７を充電する高周波検知回路と、 前記コンデンサＣ７の出力電圧が予め定めた値以上にな
つたことを検出する検出回路と、 磁気マルチバイブレータ回路とデユーテイ検出回路と電
圧／電流変換回路と高周波検知回路と出力回路とに電力
を供給する電源回路と、 電源回路の出力が予め定めた値に達するまで、磁気マル
チバイブレータ回路の発振を停止させる制御回路とを含
み、 前記磁気マルチバイブレータ回路に備えられる可飽和リ
アクトルは、環状磁心に第１および第２のコイルが巻回
されて形成され、 前記被検出電流の流れる２本のラインは、より合わせた
状態で前記環状磁心を貫通することを特徴とする電流検
出装置である。

実施例 第５図は、本発明の一実施例の可飽和リアクトルが接続
される電流検出装置の電気回路図である。

電気回路Ａの動作を説明する。スイツチＳ１，Ｓ２がオ
ンされ、交流電源Ｅ０からの電力がラインｌ１，ｌ２に
与えられる。ラインｌ１，ｌ２に与えられた交流電圧
は、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，４，コイルＬ、抵抗
Ｒ１およびコンデンサＣ１から成る回路により整流さ
れ、直接電圧になる。交流電源Ｅ０からの電力が投入さ
れると同時にラインｌ３に流れる直流電流によりトラン
ジスタＴｒ１がオンし、コンデンサＣ２が充電される。
トランジスタＴｒ１がオンすると、次にトランジスタＴ
ｒ２がオンし、そのエミツタのラインｌ４はリツプル分
を含まない定電圧を得る。トランジスタＴｒ２のコレク
タ電位が予め定めた電位を越えると、比較器１が動作
し、トランジスタＴｒ３にベース電流が流れる。これに
よつてトランジスタＴｒ３がオンしてトランジスタＴｒ
１のベース電流を引き込み、トランジスタＴｒ１をオフ
させる。一方、これと同時に比較器１の出力によつてト
ランジスタＴｒ１２がオンし、比較器１の非反転入力端
子に与えられるしきい値電圧を下げる。電源回路Ａに接
続される負荷回路がエネルギを消費し、コンデンサＣ２
の電位が下がり、比較器１の反転入力端子の電位が下が
り、比較器１の出力が反転する。これによつて、トラン
ジスタＴｒ３，Ｔｒ１２がオフし、トランジスタＴｒ１
がオンしてコンデンサＣ２を充電していく。

次に制御回路Ｂの動作を説明する。電源回路Ａのトラン
ジスタＴｒ１のエミツタのラインｌ４の電位が予め定め
た値に達するまで、制御回路は、後段の回路の誤動作を
防ぐため磁気マルチバイブレータ回路Ｃの発振を停止さ
せておくものである。ラインｌ４の電位が予め定めた値
に達すると、比較器２が動作し、磁気マルチバイブレー
タ回路ＣのスイツチＳ３，Ｓ４をオンさせる。

次に磁気マルチバイブレータ回路Ｃの動作を説明する。
磁気マルチバイブレータ回路Ｃは、スイツチＳ３，Ｓ４
がオンするに従い発振動作が開始される。負荷Ｌ０に接
続されるラインｌ１，ｌ２に関連して設けられると共
に、ラインｌ１，ｌ２に流れる電流を検出するためのコ
イルＬ１およびコイルＬ２を有する可飽和リアクトルが
設けられる。その可飽和リアクトルのコイルＬ１および
コイルＬ２の一端は抵抗Ｒを介してラインｌ４に接続さ
れる。コイルＬ１の他端はトランジスタＴｒ４のコレク
タに接続され、コイルＬ２の他端はトランジスタＴｒ５
のコレクタに接続される。コイルＬ１，Ｌ２およびトラ
ンジスタＴｒ４，Ｔｒ５を含む回路により、トランジス
タＴｒ４がオンしたときトランジスタＴｒ５がオフし、
また逆にトランジスタＴｒ５がオンしたときトランジス
タＴｒ４がオフし、発振が行なわれる。ラインｌ１また
はラインｌ２に漏れ電流がない場合、コイル１およびコ
イルＬ２のリアクタンスは変化しないのでトランジスタ
Ｔｒ４およびＴｒ５のオン／オフのデユーテイ比は１：
１のままである。ラインｌ１またはラインｌ２に漏れ電
流が生じると、コイルＬ１およびＬ２のリアクタンスは
変化するのでトランジスタＴｒ４およびＴｒ５のオン／
オフのデユーテイ比は１：１から変化する。磁気マルチ
バイブレータ回路Ｃは、トランジスタＴｒ４のコレクタ
およびトランジスタＴｒ５のコレクタから互に位相反転
したパルス信号を送出する。

次にデユーテイ検出回路Ｄの動作を説明する。前記磁気
マルチバイブレータ回路ＣのトランジスタＴｒ４および
トランジスタＴｒ５のオン／オフに同期し、スイツチＳ
５〜Ｓ８がオン／オフする。スイツチＳ５，Ｓ８は、ト
ランジスタＴｒ５がオンのとき、オンする。スイツチＳ
６，Ｓ７は、トランジスタＴｒ４がオンのとき、オンす
る。

ここで磁気マルチバイブレータ回路Ｃが通常の発振動作
を行なつていると想定して、以下第６図の波形図を参照
して動作を説明する。デユーテイ検出回路Ｄにおいて、
スイツチＳ５とスイツチＳ６と抵抗Ｒ１１との接続点
ａ′には第６図(2)に示すようなパルス信号が与えられ
る。またスイツチＳ７とスイツチＳ(8)と抵抗１３との
接続点ｂ′には、第６図(3)に示すようなパルス信号が
与えられる。これによつて、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２と
コンデンサＣ_３との接続点ａからは第６図(1)に示すよ
うな直流電圧の信号Ｐ１が送出される。抵抗Ｒ１３と抵
抗Ｒ１２とコンデンサＣ４との接続点ｂからは、第６図
(1)に示すような直流電圧の信号Ｐ２が送出される。

ここで、漏れ電流が発生すると第６図（１）の信号Ｐ
１，Ｐ２の平均値に差が生じる。この信号Ｐ１，Ｐ２
は、電圧／電流変換回路Ｆの入力となる。

次に高周波検知回路Ｅの動作を説明する。比較器８の反
転入力端子には前記デユーテイ検出回路Ｄの接続点ａ′
からの信号が与えられ、比較器８の非反転入力端子には
前記デイーテイ検出回路Ｄの接続点ｂ′からの信号が与
えられる。これにより比較器８は動作し、トランジスタ
Ｔｒ６を能動化する。トランジスタＴｒ６のコレクタ・
エミツタ間にはコンデンサＣ５が接続され、トランジス
タＴｒ６のコレクタには第６図(4)に示す信号Ｐ４が送
出される。この信号Ｐ４は比較器３の非反転入力端子に
与えられ、比較器３の反転入力端子には第６図(4)に示
すラインＡ４のレベルのしきい値電圧が与えられる。こ
れにより比較器３は動作し、トランジスタＴｒ７を能動
化する。トランジスタＴｒ７のコレクタ・エミツタ間に
はコンデンサＣ６が接続され、トランジスタＴｒ７のコ
レクタには第６図(5)に示す信号Ｐ５が送出される。こ
の信号Ｐ５は比較器４の非反転入力端子に与えられ、比
較器４の反転入力端子には第６図(5)に示すラインＡ５
のレベルのしきい値電圧が与えられる。このように信号
Ｐ５のレベルは、比較器３によりラインＡ５で示すレベ
ルのしきい値電圧より低くなるように設定される。この
状態では、比較器４の出力によりスイツチＳ９はオンさ
れない。

ここでたとえばラインｌ１に大きな漏れ電流が生じて、
磁気マルチバイブレータ回路Ｃの出力パルスが高い周波
数になつたときの動作を説明する。このときデユーテイ
検出回路Ｄの接続点ａ′には、第７図(2)に示すような
パルス信号が与えられ、接続点ｂ′には第７図(3)に示
すようなパルス信号が与えられる。したがつてデユーテ
イ検出回路Ｄの接続点ａから第７図(1)に示すような信
号Ｐ１１が送出され、接続点ｂから第７図(1)に示すよ
うな信号Ｐ１２が送出される。比較器８は、第７図(2)
に示すパルス信号と第７図(3)に示すパルス信号とによ
り動作し、トランジスタＴｒ６を能動化する。トランジ
スタＴｒ６のコレクタからは第７図(4)に示す信号Ｐ１
４が送出される。この信号Ｐ１４のレベルは、比較器３
の反転入力端子に与えられるラインＡ４で示すレベルの
しきい値電圧より低い。したがつて比較器３の出力は、
トランジスタＴｒ７をオフさせ、コンデンサＣ６を定電
流源Ｅ６の電流により充電させる。これによりトランジ
スタＴｒ７のコレクタ電圧は、第７図(5)に示すライン
Ａ６のように上昇し、比較器４の反転入力端子に与えら
れるラインＡ５で示すレベルのしきい値電圧より高くな
り、比較器４はスイツチＳ９をオンさせる。

次に電圧／電流変換回路Ｆの動作を説明する。前記高周
波検知回路ＥのスイツチＳ９がオンされることによつて
定電流源Ｅ８の電流は、コンデンサＣ７に流れ込み、コ
ンデンサＣ７を充電する。比較器６とダイオードＤ１３
とトランジスタＴｒ９と、比較器５とダイオードＤ１４
とトランジスタＴｒ_８とによりバツフアを構成し、比較
器６の非反転入力端子に与えられた信号と比較器５の非
反転入力端子に与えられた信号との電位差を抵抗Ｒ１４
の抵抗値で割つた電流値に変換し、トランジスタＴｒ９
およびＴｒ８のコレクタからの電流でコンデンサＣ７を
充電していく。なお比較器６の非反転入力端子はデユー
テイ検出回路Ｄの接続点ａに接続され、比較器５の非反
転入力端子はデユーテイ検出回路Ｄの接続点ｂに接続さ
れる。一方、抵抗Ｒ１５とトランジスタＴｒ１０とトラ
ンジスタＴｒ１１とから成る定電流引き出し回路によ
り、予め設定された電流値まではコンデンサＣ７の電位
を上昇させない。したがつて前述の設定電流値以上の漏
れ電流時には、コンデンサＣ７を充電し、このコンデン
サＣ７の出力電圧が予め定めた値以上になつたことが出
力回路Ｇで検出されることになる。

出力回路Ｇは、コンデンサＣ７の電位が予め定めた値以
上になると、比較器７からスイツチＳ１，Ｓ２をオフさ
せる信号を送出する。これによつて、負荷Ｌ０は交流電
源Ｅ_０から遮断される。

以上のようにラインｌ１およびラインｌ２の被検出電流
が小さいときは、磁気マルチバイブレータ回路Ｃの出力
パルスのデユーテイ比を電圧／電流変換回路Ｆで検出す
る。また被検出電流が大きいときは、磁気マルチバイブ
レータ回路Ｃの出力パルスの周波数が高くなり、高周波
検知回路Ｅでその周波数を検出する。したがつて高周波
検知回路Ｅおよび電圧／電流変換回路Ｆによつて、被検
出電流を確実に検出することができる。

第８図は、負荷Ｌ０の漏れ電流である被検出電流Ｉｇ
と、電圧／電流変換回路ＬのトランジスタＴｒ９および
Ｔｒ８のコレクタから送出される平均出力電流Ｉ０との
関係を示すグラフである。破線で示す従来の電圧／電流
変換回路の特性に対して、本発明の一実施例の電圧／電
流変換回路Ｆの特性は実線で示す。この実線で示す特性
はデユーテイ検出回路Ｄの出力信号にリツプルが含まれ
ている場合であり、このような特性により第９図(1)〜
第９図(3)に示すような被検出電流であつても第９図(4)
に示すような交流電流を検出したのと同じ検出動作状態
に十分近づけることができる。従来の高周波検出回路の
入力としてデユーテイ検出回路Ｄの接続点ａ，ｂ間の電
圧をローパスフイルタに与え、微分してリツプル分だけ
検出していたが、ノイズにより接続点ａ，ｂ間の電圧が
変化し、リツプル分に急峻な電圧変化が生じ、高周波検
出回路が誤動作しやすく、耐ノイズ性が悪かつた。とこ
ろが本件実施例の電圧／電流変換回路Ｆは、デユーテイ
検出回路Ｄの接続点ａ，ｂ間の電圧変化に関係なく動作
するので、耐ノイズ性を向上させることができる。

第１０図は、本発明の一実施例の可飽和リアクトルの斜
視図である。第１０図において、前記第１図に示す構成
要素に対応するものには同一の参照符を符す。コアＫに
は、コイルＬ１およびコイルＬ２が巻回される。コアＫ
の中心付近は、被検出電流の流れるラインｌ１とライン
ｌ２とがねじられた状態で貫通する。第１１図に示すよ
うにラインｌ１を流れる電流Ｉは、コアＫに磁束ａ１，
ａ２を発生させ、ライｌ２を流れる電流ＩはコアＫに磁
束ｂ１，ｂ２を発生させる。しかし、磁束ａ１と時速ｂ
２とは互いに打ち消し合い、磁束ａ２と磁束ｂ１とは互
いに打ち消し合う。したがつてコアＫの磁束密度は小さ
くなり、飽和しないようになる。これによつて前記第４
式に示すような関係の発振周波数の変化を防止すること
ができ、ラインｌ１，ｌ２に流れる平衡電流が大きくな
つても、第５図に示す磁気マルチバイブレータ回路Ｃの
発振周波数の変化を小さくすることができる。

第１２図は、本発明の他の実施例の可飽和リアクトルの
斜視図である。第１２図において、第１０図に示す構成
要素に対応するものには同一の参照符を符す。コアＫに
は、コイルＬ１およびコイルＬ２が巻回される。コアＫ
の中心付近は、被検出電流の流れるラインｌ１とライン
ｌ２とがねじられた状態で貫通する。コアＫのコイルＬ
１，Ｌ２を含む両側面には、磁気遮へい板Ｈ１，Ｈ２が
それぞれ設けられる。第１３図を参照して磁束について
説明する。磁束ａ１，ｂ１，ａ２，ｂ２については、前
記第１１図で説明したので省略する。ラインｌ１に流れ
る電流により発生する磁束ｅ１，ｇ１およびラインｌ２
に流れる電流により発生する磁束ｅ２，ｇ２は、遮へい
板Ｈ１，Ｈ２によつて吸収され、コアＫに磁界の影響を
なくする。これによつて前記第１０図で説明したような
効果を得ることができる。

第１４図は、本発明のさらに他の実施例の可飽和リアク
トルの斜視図である。第１４図において、第１０図に示
す構成要素に対応するものには同一の参照符を符す。コ
アＫには、コイルＬ１およびコイルＬ２が巻回される。
コアＫの中心付近は、被検出電流の流れるラインｌ１と
ラインｌ２とがねじられた状態で貫通する。コアＫのコ
イルＬ１，Ｌ２を含む内周面には、磁気遮へい板Ｈ３が
設けられる。このように構成することによつて、ライン
ｌ１，ｌ２に流れる平衡電流によるコアＫに与える磁束
の影響を小さくすることができる。

第１５図は、本発明の他の実施例の可飽和リアクトルの
斜視図である。第１５図において、第１４図に示す構成
要素に対応するものには同一の参照符を符す。コアＫに
は、コイルＬ１およびコイルＬ２が巻回される。コアＫ
の中心付近は、被検出電流の流れるラインｌ１とライン
ｌ２とがねじられた状態で貫通する。コアＫのコイルＬ
１，Ｌ２を含む外周面には、磁気遮へい板Ｈ４が設けら
れる。このように構成することによつて、ラインｌ１，
ｌ２に流れる平衡電流によるコアＫに与える磁束の影響
を小さくすることができる。

第１６図は、本発明の他の実施例の可飽和リアクトルの
斜視図である。第１６図において、第１０図に示す構成
要素に対応するものには同一の参照符を符す。コアＫに
は、コイルＬ１およびコイルＬ２が巻回される。コアＫ
の中心付近は、被検出電流の流れるラインｌ１とライン
ｌ２とがねじられた状態で貫通する。コアＫのコイルＬ
１，Ｌ２を含む外周面と両側面と内側面とには、磁気遮
へい板Ｈ５が設けられる。このように構成することによ
つて、ラインｌ１，ｌ２に流れる平衡電流によるコアに
与える磁束の影響を小さくし、また磁気遮へい板Ｈ５は
コアＫの外ケースも兼ねる。

効 果 以上のように本発明によれば、ラインの少なくとも検出
に関連する区間をねじ合せることによつて、ラインに流
れる平衡電流の通電時の磁気マルチバイブレータ回路の
発振周波数の増大を軽減し、平衡大電流による誤動作可
能性の軽減、および被検出電流の感度電流の増加を軽減
することができ、正確に漏れ電流を検出することができ
る。

特に本発明によれば、電流／電圧変換回路では、デユー
テイ検出回路の出力に応じてコンデンサＣ７を充電す
る。出力回路はこのコンデンサＣ７の出力電圧が予め定
める値以上になつたことを検出する。このため、高周波
検知回路が誤動作しても、そのことによつて直ちに出力
回路から検出出力が導出されることはないので、耐ノイ
ズ性の向上が図られるという優れた効果が達成される。

さらに本発明によれば、電源回路によつて磁気マルチバ
イブレータ回路とデユーテイ検出回路と電圧／電流変換
回路と高周波検知回路と出力回路とに電力を供給する。
この電源回路の出力が予め定めた値に達するまでは、磁
気マルチバイブレータ回路の発振動作を制御回路によつ
て停止させる。これによつて、たとえば電源投入直後な
どにおいて磁気マルチバイブレータ回路の誤動作を防ぐ
ことが可能となり、漏れ電流の正確な検出が可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は先行技術における可飽和リアクトルの斜視図、
第２図は第１図に示す可飽和リアクトルの平衡電流の零
時のＢ−Ｈ特性曲線、第３図は第１図に示す可飽和リア
クトルに大平衡電流が流れたときの磁束を説明するため
の図、第４図は第１図に示す可飽和リアクトルに大平衡
電流が流れたときのＢ−Ｈ特性曲線、第５図は本発明の
一実施例の可飽和リアクトルが接続される電流検出装置
の電気回路図、第６図は磁気マルチバイブレータ回路Ｃ
の通常発振時における回路の動作を説明するための波形
図、第７図は磁気マルチバイブレータ回路Ｃの高周波発
振時における回路の動作を説明するための波形図、第８
図は電圧／電流変換回路Ｆの動作を説明するためのグラ
フ、第９図は電圧／電流変換回路Ｆの動作を説明するた
めの波形図、第１０図は本発明の一実施例の可飽和リア
クトルの斜視図、第１１図は第１０図の可飽和リアクト
ルの磁束を説明するための図、第１２図は本発明の他の
実施例の可飽和リアクトルの斜視図、第１３図は第１２
図の可飽和リアクトルの磁束を説明するための図、第１
４図は本発明のさらに他の実施例の可飽和リアクトルの
斜視図、第１５図および第１６図は本発明の他の各実施
例の可飽和リアクトルの斜視図である。 ｌ１，ｌ２……ライン、Ｌ１，Ｌ２……コイル、Ｃ……
磁気マルチバイブレータ回路、Ｄ……デユーテイ電圧変
換回路、Ｅ……高周波検知回路、Ｋ……コア、Ｈ１，Ｈ
２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５……磁気遮へい板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】検出されるべき被検出電流の流れる２本の
   ラインに関連して設けられるとともに、被検出電流を検
   知するための第１のコイルと第２のコイルとを有する可
   飽和リアクトルと、第１のコイルと第２のコイルとに流
   れる電流を制御する抵抗とを備え、被検出電流に応じて
   予め定める周期のデユーテイを変えて発振し、互いに反
   転した出力信号を送出する磁気マルチバイブレータ回路
   と、 磁気マルチバイブレータ回路の各出力信号のデユーテイ
   を検出する一対のデユーテイ検出回路と、 各デユーテイ検出回路からの信号のデユーテイに対応し
   た出力信号が入力され、その出力信号のレベル差を整流
   し、その整流電流に対応する電圧レベルをコンデンサＣ
   ７から導出する電圧／電流交換回路と、 前記可飽和リアクトルを備える磁気マルチバイブレータ
   回路が高周波発振したことを検出して前記コンデンサＣ
   ７を充電する高周波検知回路と、 前記コンデンサＣ７の出力電圧が予め定めた値以上にな
   つたことを検出する検出回路と、 磁気マルチバイブレータ回路とデユーテイ検出回路と電
   圧／電流変換回路と高周波検知回路と出力回路とに電力
   を供給する電源回路と、 電源回路の出力が予め定めた値に達するまで、磁気マル
   チバイブレータ回路の発振を停止させる制御回路とを含
   み、 前記磁気マルチバイブレータ回路に備えられる可飽和リ
   アクトルは、環状磁心に第１および第２のコイルが巻回
   されて形成され、 前記被検出電流の流れる２本のラインは、より合わせた
   状態で前記環状磁心を貫通することを特徴とする電流検
   出装置。