JPH0460317B2 - - Google Patents
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- JPH0460317B2 JPH0460317B2 JP60061674A JP6167485A JPH0460317B2 JP H0460317 B2 JPH0460317 B2 JP H0460317B2 JP 60061674 A JP60061674 A JP 60061674A JP 6167485 A JP6167485 A JP 6167485A JP H0460317 B2 JPH0460317 B2 JP H0460317B2
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平面薄型デイスプレイ・デバイスと
して文字、記号及び図形等を含むコンピユータの
出力表示端末機器、その他種々の表示装置に文
字、記号及び図形等の静止画像や動画像の表示手
段として利用される薄膜EL素子に関し、詳しく
はコントラストを向上させる薄膜EL素子に関す
るものである。
して文字、記号及び図形等を含むコンピユータの
出力表示端末機器、その他種々の表示装置に文
字、記号及び図形等の静止画像や動画像の表示手
段として利用される薄膜EL素子に関し、詳しく
はコントラストを向上させる薄膜EL素子に関す
るものである。
従来、この種の薄膜EL素子としては、第６図
ａ及びｂに示すものが紹介されており、同図にお
いて、１はガラス基板、２はIn2O3、SnO2等から
成る透明電極、３はY2O3、Ta2O5等から成る第
１誘電体層、４は発光中心として0.1〜2.0wt％
Mn（又はTb、Sm、Cu、Al、Br等）をドープし
たZnS（又はZnSe等）のEL発光層、５はY2O3、
Ta2O5等から成る第２誘電体層、６はAl等から
なる背面電極、７はV2O3、BC4等からなる光吸
収層、及び８はAl低級酸化物とAlとの多層膜か
らなる複合電極である。ここで、透明電極２はガ
ラス基板１上に複数帯状に平行配列され、背面電
極６と複合電極８は透明電極２と直交する方向に
複数帯状に平行配列されており、透明電極２と背
面電極６又は複合電極８とが平面図的に見て交叉
した位置がパネルの１絵素に相当する。そして、
電極２，６（又は８）間にAC電極を印加するこ
とにより、EL発光層４内に発生した電界によつ
て伝導帯に励起され、且加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接Mn発光中心を励起し、
この励起されたMn発光中心が基底状態に戻る際
に黄色の発光を呈する。その際、光吸収層７は、
ガラス基板１側から入射した外部光を吸収して、
EL素子のコントラストを高くすることができる。
ａ及びｂに示すものが紹介されており、同図にお
いて、１はガラス基板、２はIn2O3、SnO2等から
成る透明電極、３はY2O3、Ta2O5等から成る第
１誘電体層、４は発光中心として0.1〜2.0wt％
Mn（又はTb、Sm、Cu、Al、Br等）をドープし
たZnS（又はZnSe等）のEL発光層、５はY2O3、
Ta2O5等から成る第２誘電体層、６はAl等から
なる背面電極、７はV2O3、BC4等からなる光吸
収層、及び８はAl低級酸化物とAlとの多層膜か
らなる複合電極である。ここで、透明電極２はガ
ラス基板１上に複数帯状に平行配列され、背面電
極６と複合電極８は透明電極２と直交する方向に
複数帯状に平行配列されており、透明電極２と背
面電極６又は複合電極８とが平面図的に見て交叉
した位置がパネルの１絵素に相当する。そして、
電極２，６（又は８）間にAC電極を印加するこ
とにより、EL発光層４内に発生した電界によつ
て伝導帯に励起され、且加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接Mn発光中心を励起し、
この励起されたMn発光中心が基底状態に戻る際
に黄色の発光を呈する。その際、光吸収層７は、
ガラス基板１側から入射した外部光を吸収して、
EL素子のコントラストを高くすることができる。
しかしながら、第６図ａの薄膜EL素子は光吸
収層がV2O3、BC4等からなるので、光吸収効果
が十分でなく、外部光を十分に吸収することがで
きないと共に、比抵抗が十分に大きくないという
問題点があつた。即ち、比抵抗が小さいと、第６
図ａのようにEL発光層と光吸収層が接触してい
る場合には、印加電界により移動自在になつた
EL発光層の絵素部分の電子が光吸収層を介して
絵素部に隣接する非絵素部に移動しクロストーク
が顕著になる。また、印加電圧に対する発光輝度
の立ち上がりがゆるやかであり、発光輝度を高く
するためには、印加電圧を相当高くしなければな
らず、高電圧の印加に伴つて絶縁破壊を起こしや
すい。そこで、第６図ａに示した光吸収層７と第
２誘電体層５とを上下、逆にして形成することも
考えられているが、その場合、背面電極の直下の
光吸収層が電極として機能してしまいクロストー
クを引き起こしてしまうという欠点があつた。
収層がV2O3、BC4等からなるので、光吸収効果
が十分でなく、外部光を十分に吸収することがで
きないと共に、比抵抗が十分に大きくないという
問題点があつた。即ち、比抵抗が小さいと、第６
図ａのようにEL発光層と光吸収層が接触してい
る場合には、印加電界により移動自在になつた
EL発光層の絵素部分の電子が光吸収層を介して
絵素部に隣接する非絵素部に移動しクロストーク
が顕著になる。また、印加電圧に対する発光輝度
の立ち上がりがゆるやかであり、発光輝度を高く
するためには、印加電圧を相当高くしなければな
らず、高電圧の印加に伴つて絶縁破壊を起こしや
すい。そこで、第６図ａに示した光吸収層７と第
２誘電体層５とを上下、逆にして形成することも
考えられているが、その場合、背面電極の直下の
光吸収層が電極として機能してしまいクロストー
クを引き起こしてしまうという欠点があつた。
また、第６図ｂの薄膜EL素子においては、単
に背面電極をAlにしたときよりも光吸収効果は
あるが、前述した第６図ａの薄膜EL素子と比較
してコントラストは劣るという欠点があつた。
に背面電極をAlにしたときよりも光吸収効果は
あるが、前述した第６図ａの薄膜EL素子と比較
してコントラストは劣るという欠点があつた。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、印加電圧−発光輝度特性を良
好に維持し、クロストークの発生を防止してコン
トラストの良好な薄膜EL素子を提供することで
ある。
あり、その目的は、印加電圧−発光輝度特性を良
好に維持し、クロストークの発生を防止してコン
トラストの良好な薄膜EL素子を提供することで
ある。
前記の目的を達成するために、第１の発明は、
透光性基板上に設けられた透明電極と背面電極と
の間に、EL発光層、誘電体層、及び光吸収層を
備えた薄膜EL素子において、前記背面電極と前
記光吸収層とを当接させると共に、光吸収層をタ
ンタル窒化物から構成したことを特徴とする薄膜
EL素子であり、第２の発明は、透光性基板上に
透明電極と背面電極とに挟持された、EL発光層、
誘電体層及びタンタル窒化物からなる光吸収層を
設け、かつ前記光吸収層をスパツタリング法によ
つて形成すると共に前記背面電極に当接させるよ
うにしたことを特徴とする薄膜EL素子の製造方
法である。又、その態様としては前記EL発光層
と前記背面電極との間の誘電体層がタンタル酸化
物であること、前記タンタル窒化物からなる光吸
収層の比抵抗が104Ω・cm以上であること、及び
前記タンタル窒化物からなる光吸収層を、タンタ
ルをターゲツトとし、窒素含有雰囲気中におい
て、反応性スパツタリング法により形成すること
等がある。
透光性基板上に設けられた透明電極と背面電極と
の間に、EL発光層、誘電体層、及び光吸収層を
備えた薄膜EL素子において、前記背面電極と前
記光吸収層とを当接させると共に、光吸収層をタ
ンタル窒化物から構成したことを特徴とする薄膜
EL素子であり、第２の発明は、透光性基板上に
透明電極と背面電極とに挟持された、EL発光層、
誘電体層及びタンタル窒化物からなる光吸収層を
設け、かつ前記光吸収層をスパツタリング法によ
つて形成すると共に前記背面電極に当接させるよ
うにしたことを特徴とする薄膜EL素子の製造方
法である。又、その態様としては前記EL発光層
と前記背面電極との間の誘電体層がタンタル酸化
物であること、前記タンタル窒化物からなる光吸
収層の比抵抗が104Ω・cm以上であること、及び
前記タンタル窒化物からなる光吸収層を、タンタ
ルをターゲツトとし、窒素含有雰囲気中におい
て、反応性スパツタリング法により形成すること
等がある。
以下、本発明の実施例を図に基づき詳細に説明
する。
する。
実施例 １
第１図は、本例を示す断面図である。
先ず、アルミノシリケートガラス（例えば、
HOYA(株)製のNA40）からなる透光性基板１上
に、真空蒸着法により、スズ酸化物を混入した酸
化インジウムからなる透明電極２（膜厚：2000
Å）と、Y2O3からなる第１誘電体層３（膜厚：
3000Å）と、活性物質として0.5重量％のMnを
ZnS中に添加したZnS：Mn焼結ペレツトを蒸着
源にしてZnS：MnからなるEL発光層４（膜厚：
6000Å）と、Y2O3からなる第２誘電体層５（膜
厚：3000Å）とを順次成膜した。次に、スパツタ
リング法により、金属タンタルをスパツタターゲ
ツトとして、窒素ガス（分圧：６×10-1Pa）を
スパツタ装置に導入し、反応性スパツタを行い、
タンタル窒化物からなる光吸収層９（膜厚：1200
Å、比抵抗：約105Ω・cm）を前記第２誘電体層
５上に成膜した。さらに、前記光吸収層９上に
Alからなる背面電極６（膜厚：3000Å）を真空
蒸着法により成膜した。なお、透明電極２と背面
電極６とは、従来と同様に互いに直交するように
複数帯状に配列している。
HOYA(株)製のNA40）からなる透光性基板１上
に、真空蒸着法により、スズ酸化物を混入した酸
化インジウムからなる透明電極２（膜厚：2000
Å）と、Y2O3からなる第１誘電体層３（膜厚：
3000Å）と、活性物質として0.5重量％のMnを
ZnS中に添加したZnS：Mn焼結ペレツトを蒸着
源にしてZnS：MnからなるEL発光層４（膜厚：
6000Å）と、Y2O3からなる第２誘電体層５（膜
厚：3000Å）とを順次成膜した。次に、スパツタ
リング法により、金属タンタルをスパツタターゲ
ツトとして、窒素ガス（分圧：６×10-1Pa）を
スパツタ装置に導入し、反応性スパツタを行い、
タンタル窒化物からなる光吸収層９（膜厚：1200
Å、比抵抗：約105Ω・cm）を前記第２誘電体層
５上に成膜した。さらに、前記光吸収層９上に
Alからなる背面電極６（膜厚：3000Å）を真空
蒸着法により成膜した。なお、透明電極２と背面
電極６とは、従来と同様に互いに直交するように
複数帯状に配列している。
本例によれば、透光性基板１側から本例の薄膜
EL素子に入射した外部光が、光吸収層９によつ
て、Alからなる背面電極６に到達することが防
止され、一部到達して背面電極６から反射した戻
り光があつても同様に吸収され、第３図の曲線Ａ
に示すような低い反射率特性が得られる。その結
果、コントラスト比Ｃ＝（Ｉ・ｒ＋Ｂ）／（Ｉ・
ｒ）（ただし、Ｉは外部光の強度、ｒは薄膜EL素
子の反射率及びＢは発光輝度である。）であるか
ら、第４図の曲線Ｃに示すように良好なコントラ
スト比が得られる。なお、従来からある光吸収層
を設けていない薄膜EL素子のコントラスト比を
比較例として曲線Ｄに示す。
EL素子に入射した外部光が、光吸収層９によつ
て、Alからなる背面電極６に到達することが防
止され、一部到達して背面電極６から反射した戻
り光があつても同様に吸収され、第３図の曲線Ａ
に示すような低い反射率特性が得られる。その結
果、コントラスト比Ｃ＝（Ｉ・ｒ＋Ｂ）／（Ｉ・
ｒ）（ただし、Ｉは外部光の強度、ｒは薄膜EL素
子の反射率及びＢは発光輝度である。）であるか
ら、第４図の曲線Ｃに示すように良好なコントラ
スト比が得られる。なお、従来からある光吸収層
を設けていない薄膜EL素子のコントラスト比を
比較例として曲線Ｄに示す。
また、本例は、第２誘電体層５と背面電極６と
の間に光吸収層９を設けているので、第５図の曲
線Ｆで示すように（比較例として前述の第６図ａ
で示した薄膜EL素子の曲線をＧで示す。）発光輝
度の立ち上りが急峻となり、所望する発光輝度
（例えば、周波数100Hz正弦波の交流電圧では、ピ
ーク波長580nｍの橙黄色を発光するときの発光
輝度は100cd／m2）に対する発光開始電圧も低く
抑えることができ、絶縁破壊をも防止することが
できる。さらに、本例の光吸収層９は、窒化度の
高いタンタル窒化物（比抵抗：約105Ω・cm）で
あるから、クロストークも十分に防止することが
できる。なお、本例では、光吸収層の比抵抗が約
105Ω・cmであるが、約104Ω・cm以上であれば同
様な効果がある。
の間に光吸収層９を設けているので、第５図の曲
線Ｆで示すように（比較例として前述の第６図ａ
で示した薄膜EL素子の曲線をＧで示す。）発光輝
度の立ち上りが急峻となり、所望する発光輝度
（例えば、周波数100Hz正弦波の交流電圧では、ピ
ーク波長580nｍの橙黄色を発光するときの発光
輝度は100cd／m2）に対する発光開始電圧も低く
抑えることができ、絶縁破壊をも防止することが
できる。さらに、本例の光吸収層９は、窒化度の
高いタンタル窒化物（比抵抗：約105Ω・cm）で
あるから、クロストークも十分に防止することが
できる。なお、本例では、光吸収層の比抵抗が約
105Ω・cmであるが、約104Ω・cm以上であれば同
様な効果がある。
一方、本例では、スパツタリング法によりタン
タル窒化物からなる光吸収層を形成しているの
で、真空蒸着法によつて形成された光吸収層より
も、絶縁性が高く、かつ経時変化も抑えることが
できるので、本例による薄膜EL素子を長期に使
用することができ、また光吸収層の窒化度を高く
する効果もある。
タル窒化物からなる光吸収層を形成しているの
で、真空蒸着法によつて形成された光吸収層より
も、絶縁性が高く、かつ経時変化も抑えることが
できるので、本例による薄膜EL素子を長期に使
用することができ、また光吸収層の窒化度を高く
する効果もある。
また、タンタル窒化物は、塩酸、硝酸、硫酸等
の酸に対して耐久性があるので、本例のような
Al等の金属からなる背面電極の直下に光吸収層
を設けている構造の場合、背面電極を前記酸のエ
ツチング液でエツチングした帯状に形成するとき
でも、エツチング液に光吸収層が侵されることが
ない。
の酸に対して耐久性があるので、本例のような
Al等の金属からなる背面電極の直下に光吸収層
を設けている構造の場合、背面電極を前記酸のエ
ツチング液でエツチングした帯状に形成するとき
でも、エツチング液に光吸収層が侵されることが
ない。
実施例 ２
第２図は、本例を示す断面図である。
先ず、前述したアルミノシリケートガラスの透
光性部材１１の観測表面１２上に、真空蒸着法に
よりMgF2からなる反射防止層１３（膜厚：1000
Å）を成膜し、透光性基板１０を製作する。次
に、この基板１０の観測表面１２と対向する表面
１４上に、スズ酸化物を混入した酸化インジウム
からなる透明電極２（膜厚：2000Å）を真空蒸着
法により成膜し、次に、金属タンタルをスパツタ
ターゲツトとして、O2ガスを30％混入したArガ
ス（分圧：６×10-1Pa）をスパツタ装置内に導
入し、反応性スパツタリングし、Ta2O5からなる
第１誘電体層３（膜厚：4000Å）を成膜した。次
に、前記第１誘電体層３上に、前記実施例１と同
様にZnS：MnからなるEL発光層４（膜厚：6000
Å）を成膜した。次に、前記第１誘電体層と同様
にスパツタリング法によりTa2O5からなる第２誘
電体層５（膜厚：3000Å）を成膜し、引き続き、
O2ガス及びArガスを排気し、N2ガス（分圧：６
×10-1Pa）を導入し、反応性スパツタを行い、
タンタル窒化物からなる光吸収層９（膜厚：1200
Å）を成膜した。そして、前記光吸収層９上に、
前記実施例１と同様にAlからなる背面電極６
（膜厚：3000Å）を積層する。なお、透明電極２
と背面電極６との位置関係及び構造は前述したと
おりである。
光性部材１１の観測表面１２上に、真空蒸着法に
よりMgF2からなる反射防止層１３（膜厚：1000
Å）を成膜し、透光性基板１０を製作する。次
に、この基板１０の観測表面１２と対向する表面
１４上に、スズ酸化物を混入した酸化インジウム
からなる透明電極２（膜厚：2000Å）を真空蒸着
法により成膜し、次に、金属タンタルをスパツタ
ターゲツトとして、O2ガスを30％混入したArガ
ス（分圧：６×10-1Pa）をスパツタ装置内に導
入し、反応性スパツタリングし、Ta2O5からなる
第１誘電体層３（膜厚：4000Å）を成膜した。次
に、前記第１誘電体層３上に、前記実施例１と同
様にZnS：MnからなるEL発光層４（膜厚：6000
Å）を成膜した。次に、前記第１誘電体層と同様
にスパツタリング法によりTa2O5からなる第２誘
電体層５（膜厚：3000Å）を成膜し、引き続き、
O2ガス及びArガスを排気し、N2ガス（分圧：６
×10-1Pa）を導入し、反応性スパツタを行い、
タンタル窒化物からなる光吸収層９（膜厚：1200
Å）を成膜した。そして、前記光吸収層９上に、
前記実施例１と同様にAlからなる背面電極６
（膜厚：3000Å）を積層する。なお、透明電極２
と背面電極６との位置関係及び構造は前述したと
おりである。
本例によれば、前記実施例１と同様に、外部光
の反射を防止することができ、さらに、反射防止
膜１３を観測表面１２上に被覆していることか
ら、この面から反射をほとんど防止することがで
き、第３図の曲線Ｂで示すように、平均反射率７
％程度（波長：400〜700nｍ）とすることができ
た。この結果、第４図の曲線Ｅに示すように前記
実施例１のものよりも良好なコントラスト比を得
ることができた。さらに、本例では、金属タンタ
ルをスパツタターゲツトとし、Ta2O5膜からなる
第２誘電体層５を成膜し、引き続き同一の金属タ
ンタルをスパツタターゲツトとして、タンタル窒
化物からなる光吸収層９を成膜することができる
ので、第２誘電体層及び光吸収層ともTaを含ん
でいるものであることから互いの付着力が強く、
また、光吸収層内にゴミ等の異物を混入させるこ
ともないことから、光吸収層の絶縁破壊を防止す
ることができ、かつ作業性もよくなる。
の反射を防止することができ、さらに、反射防止
膜１３を観測表面１２上に被覆していることか
ら、この面から反射をほとんど防止することがで
き、第３図の曲線Ｂで示すように、平均反射率７
％程度（波長：400〜700nｍ）とすることができ
た。この結果、第４図の曲線Ｅに示すように前記
実施例１のものよりも良好なコントラスト比を得
ることができた。さらに、本例では、金属タンタ
ルをスパツタターゲツトとし、Ta2O5膜からなる
第２誘電体層５を成膜し、引き続き同一の金属タ
ンタルをスパツタターゲツトとして、タンタル窒
化物からなる光吸収層９を成膜することができる
ので、第２誘電体層及び光吸収層ともTaを含ん
でいるものであることから互いの付着力が強く、
また、光吸収層内にゴミ等の異物を混入させるこ
ともないことから、光吸収層の絶縁破壊を防止す
ることができ、かつ作業性もよくなる。
また、本例によれば、前記実施例１と同様に、
印加電圧−発光輝度特性も良好で、クロストーク
も防止することができる。なお、本例も光吸収層
の比抵抗が約104Ω・cm以上あればよい。
印加電圧−発光輝度特性も良好で、クロストーク
も防止することができる。なお、本例も光吸収層
の比抵抗が約104Ω・cm以上あればよい。
さらに、本例でもスパツタリング法によつて光
吸収層を成膜しているので前記実施例１と同様の
効果がある。
吸収層を成膜しているので前記実施例１と同様の
効果がある。
以上、前記実施例１及び２においては、EL発
光層上に順次第２誘電体層、光吸収層及び背面電
極を積層した構成となつているが、EL発光層−
光吸収層−第２誘電体層−背面電極の構成であつ
てもよい。この構成において、発光輝度の立ち上
りは、前記実施例１及び２と比較して実用上問題
とならない程度にゆるやかになるが、コントラス
ト比の向上及びクロストークの防止に対しては同
様の効果があり、さらに、光吸収層の比抵抗が約
104Ω・cm未満であつてもクロストークは発生し
ない効果がある。また、光吸収層の膜厚は、光吸
収量と光吸収層の製造上からみて、1000Å以上で
5000Å以下が望ましい。
光層上に順次第２誘電体層、光吸収層及び背面電
極を積層した構成となつているが、EL発光層−
光吸収層−第２誘電体層−背面電極の構成であつ
てもよい。この構成において、発光輝度の立ち上
りは、前記実施例１及び２と比較して実用上問題
とならない程度にゆるやかになるが、コントラス
ト比の向上及びクロストークの防止に対しては同
様の効果があり、さらに、光吸収層の比抵抗が約
104Ω・cm未満であつてもクロストークは発生し
ない効果がある。また、光吸収層の膜厚は、光吸
収量と光吸収層の製造上からみて、1000Å以上で
5000Å以下が望ましい。
次に、前記実施例１、２の反応性スパツタリン
グ法においてはN2ガス雰囲気中で行ったが、N2
ガスとArガス等の不活性ガスとの混合雰囲気中
で行っても同様の効果がある。さらに、前記実施
例では、スパツタリング法により光吸収層を成膜
したが、真空蒸着法であつてもよい。しかし、ス
パツタリング法の方が、光吸収層の窒化度を高め
るのに効果がある。
グ法においてはN2ガス雰囲気中で行ったが、N2
ガスとArガス等の不活性ガスとの混合雰囲気中
で行っても同様の効果がある。さらに、前記実施
例では、スパツタリング法により光吸収層を成膜
したが、真空蒸着法であつてもよい。しかし、ス
パツタリング法の方が、光吸収層の窒化度を高め
るのに効果がある。
本発明は、以上の実施例に使用した各物質以外
に、ガラス基板についてはソーダライムガラス等
の多成分系ガラス又は石英ガラス、透明電極につ
いてはIn2O3若しくはこれにＷを添加したもの又
はSnO2にSb、Ｆ等を添加したもの、第１誘電体
層及び第２誘電体層については、Al2O3、HfO2
等の酸化物、Si3N4等の窒化物又はこれらの混合
物、発光層についてはZnS：Cu、ZnS：Al（何れ
も黄緑色発光）、Zn（Ｓ・Se）：Cu、Zn（Ｓ・
Ｓ）：Br（何れも緑色発光）、ZnS：Sm（赤色発
光）、ZnS：Tb（緑色発光）、ZnS：Tm（青色発
光）、背面電極についてはTa、Mo、Fe、Ni、
NiCr等の金属をそれぞれ使用してもよい。
に、ガラス基板についてはソーダライムガラス等
の多成分系ガラス又は石英ガラス、透明電極につ
いてはIn2O3若しくはこれにＷを添加したもの又
はSnO2にSb、Ｆ等を添加したもの、第１誘電体
層及び第２誘電体層については、Al2O3、HfO2
等の酸化物、Si3N4等の窒化物又はこれらの混合
物、発光層についてはZnS：Cu、ZnS：Al（何れ
も黄緑色発光）、Zn（Ｓ・Se）：Cu、Zn（Ｓ・
Ｓ）：Br（何れも緑色発光）、ZnS：Sm（赤色発
光）、ZnS：Tb（緑色発光）、ZnS：Tm（青色発
光）、背面電極についてはTa、Mo、Fe、Ni、
NiCr等の金属をそれぞれ使用してもよい。
以上のとおり、本発明によれば、コントラスト
を向上させることができ、印加電圧−発光輝度特
性を良好に保つことができ、またクロストークも
防止することができる。また、光吸収層は背面電
極を形成するためのエツチング条件に耐性を有し
ていることから、膜ベリに起因するコントラスト
の低下を防止することができる。
を向上させることができ、印加電圧−発光輝度特
性を良好に保つことができ、またクロストークも
防止することができる。また、光吸収層は背面電
極を形成するためのエツチング条件に耐性を有し
ていることから、膜ベリに起因するコントラスト
の低下を防止することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第３図は
本発明の薄膜EL素子における反射率特性図、第
４図は本発明の薄膜EL素子におけるコントラス
ト特性図、第５図は本発明の薄膜EL素子の印加
電圧−発光輝度特性図、及び第６図ａ，ｂは従来
の薄膜EL素子を示す断面図である。 １，１０……透光性基板、２……透明電極、３
……第１誘電体層、４……EL発光層、５……第
２誘電体層、６……背面電極、９……タンタル窒
化物からなる光吸収層、１１……透光性部材、１
３……反射防止膜。
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第３図は
本発明の薄膜EL素子における反射率特性図、第
４図は本発明の薄膜EL素子におけるコントラス
ト特性図、第５図は本発明の薄膜EL素子の印加
電圧−発光輝度特性図、及び第６図ａ，ｂは従来
の薄膜EL素子を示す断面図である。 １，１０……透光性基板、２……透明電極、３
……第１誘電体層、４……EL発光層、５……第
２誘電体層、６……背面電極、９……タンタル窒
化物からなる光吸収層、１１……透光性部材、１
３……反射防止膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に設けられた透明電極と背面電
極との間に、EL発光層、誘電体層、及び光吸収
層を備えた薄膜EL素子において、前記背面電極
と前記光吸収層とを当接させると共に、光吸収層
をタンタル窒化物から構成したことを特徴とする
薄膜EL素子。 ２ 前記EL発光層と前記背面電極との間の誘電
体層が、タンタル酸化物からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜EL素子。 ３ 前記タンタル窒化物からなる光吸収層の比抵
抗が104Ω・cm以上であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項、又は第２項記載の薄膜EL素
子。 ４ 前記透光性基板の前記透明電極が設けられて
いる面の反対側の面に、反射防止膜が被覆されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項、又は第３項記載の薄膜EL素子。 ５ 透光性基板上に透明電極と背面電極とに挟持
された、EL発光層、誘電体層及びタンタル窒化
物からなる光吸収層を設け、かつ前記光吸収層を
スパツタリング法によつて形成すると共に前記背
面電極に当接させるようにしたことを特徴とする
薄膜EL素子の製造方法。 ６ 前記光吸収層を、タンタルをターゲツトと
し、窒素含有雰囲気中において、反応性スパツタ
リング法により形成することを特徴とする請求項
第５記載の薄膜EL素子の製造方法。 ７ 前記EL発光層、タンタル酸化物からなる誘
電体層、前記光吸収層及び背面電極を順次積層
し、かつタンタルをターゲツトとして酸素含有雰
囲気中において、反応性スパツタリング法により
前記誘電体層を形成し、次にタンタルをターゲツ
トとして窒素含有雰囲気中において、反応性スパ
ツタリング法により前記光吸収層を形成すること
を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の薄膜
EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061674A JPS61220292A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061674A JPS61220292A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220292A JPS61220292A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0460317B2 true JPH0460317B2 (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=13178027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061674A Granted JPS61220292A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220292A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2531686B2 (ja) * | 1986-07-03 | 1996-09-04 | 株式会社小松製作所 | カラ−表示装置 |
| JP6899477B2 (ja) * | 2019-07-26 | 2021-07-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルｏｌｅｄデバイス、その製造方法及び支持基板 |
| CN111217342B (zh) * | 2020-03-11 | 2021-10-22 | 华北理工大学 | 一种多孔氮化铌粉体微波吸收材料的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146193A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-21 | 日産自動車株式会社 | 表示装置 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60061674A patent/JPS61220292A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146193A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-21 | 日産自動車株式会社 | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61220292A (ja) | 1986-09-30 |
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