JPS60165183A - 撮像素子又は撮像装置 - Google Patents
撮像素子又は撮像装置Info
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- JPS60165183A JPS60165183A JP59020586A JP2058684A JPS60165183A JP S60165183 A JPS60165183 A JP S60165183A JP 59020586 A JP59020586 A JP 59020586A JP 2058684 A JP2058684 A JP 2058684A JP S60165183 A JPS60165183 A JP S60165183A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はノイズの少ない撮像素子又は撮像装置に関する
。
。
（従来技猾） 号
従来特公昭５０−３２５９５公報に示される如く各種の
イメージセンサ−が考え出されている。
イメージセンサ−が考え出されている。
第１図はこのようなセンサーの一例を示す図である。
図中１は受光部、２はメモリ一部、３け水平シフトレジ
スタ、４社出力アンプ、５は受光窓であってＣＯＤのパ
ンケージに設けた窓に対応、。
スタ、４社出力アンプ、５は受光窓であってＣＯＤのパ
ンケージに設けた窓に対応、。
する。
このようなセンサーでは受光部１に窓５を介して入射し
た像は電荷の分布情報に変換される。
た像は電荷の分布情報に変換される。
この受光部内で形成された電荷情報は所定期間に１水平
ライン分ずつ水平シフトレジスタ３及び出力アンプを介
して読み出される。
ライン分ずつ水平シフトレジスタ３及び出力アンプを介
して読み出される。
ここで受光窓５により受光部ｌの周辺の半導体基板内に
も電荷が形成され、この電荷が受光部１内に漏れ込む為
１ｃ受光部１０図中左右の側端部に対応するビデオ信号
にノイズが重畳し易いという欠点があった。
も電荷が形成され、この電荷が受光部１内に漏れ込む為
１ｃ受光部１０図中左右の側端部に対応するビデオ信号
にノイズが重畳し易いという欠点があった。
又、メモリ一部２の近傍においても熱電子が形成され、
これが漏れ込も・欠点があった。
これが漏れ込も・欠点があった。
（目 的）
本発明はこのような従来技術の欠点を除去し得る簡単な
構成の撮ｇｌ棄子又は撮像装置を提供する事を目的とし
ている。
構成の撮ｇｌ棄子又は撮像装置を提供する事を目的とし
ている。
（実施例）
以下実施例［基づき本発明を説明する。
第２図は本発明の撮像素子第１実施例の構成を示す図で
、図中第１図と同じ符番のものは同じ要素を示す。
、図中第１図と同じ符番のものは同じ要素を示す。
受光部ｌ及びメモリ一部２は共に同じ数の垂直シ７トレ
′ジスタ群から成る。各垂直シフトレジスタは互いにチ
ャネルストップにより分離されている０ 図中１００〜１０３は不要電荷を転送する為の不要電荷
転送部であって、１００’、１，０２は受光部ｌの端部
に設けられており、１０１．１０３はメモリ一部の端部
に設けられている。
′ジスタ群から成る。各垂直シフトレジスタは互いにチ
ャネルストップにより分離されている０ 図中１００〜１０３は不要電荷を転送する為の不要電荷
転送部であって、１００’、１，０２は受光部ｌの端部
に設けられており、１０１．１０３はメモリ一部の端部
に設けられている。
又、転送部１００と１０１並びに転送部１０２と１０３
は共通の電荷転送路を形成している０ＯＦＤ１〜３は電
荷除去部としてのドレインであってＯＦＤ Ｉ 、ＯＦ
Ｄ ２は夫々転送部１０．１゜１０３１Ｃより転送され
て来た電荷を・ドレインに排出する為のものである。
は共通の電荷転送路を形成している０ＯＦＤ１〜３は電
荷除去部としてのドレインであってＯＦＤ Ｉ 、ＯＦ
Ｄ ２は夫々転送部１０．１゜１０３１Ｃより転送され
て来た電荷を・ドレインに排出する為のものである。
又、ＯＦ”Ｄ ３は受光部１内でメーノく一フロ、した
電荷を排出する為のものである。
電荷を排出する為のものである。
各ドレイン電極部０ＦＤ１〜３には共に正の大きな重圧
ＡｒＤが印加されている。
ＡｒＤが印加されている。
第３図は電荷転送部１０１及びドレイン０ＦＤ１の断面
模式図、第４図は電荷転送部１０１とドレインＯＦＤ
１の境界近傍の電ＰＪ′！／ぐターン図である。
模式図、第４図は電荷転送部１０１とドレインＯＦＤ
１の境界近傍の電ＰＪ′！／ぐターン図である。
図中６は例えばＰ型シリコン基板、７は絶縁層、８け転
送電析であって電極パルスφＰ５、。
送電析であって電極パルスφＰ５、。
ｇＪＩ５２の２相により駆動される。
ＯＦＤ １は基板６内に例えばｎ＋傾城を拡散等する事
により形成されている。
により形成されている。
Ｃ８ｕチヤネルストツプ、φＳｉ、φＳ２１’ｆ水平シ
フトレジスタ３内の電荷を転送する為の転送パルスでや
けり２相によシ駆動している。勿論２相に限定されるも
のではない。
フトレジスタ３内の電荷を転送する為の転送パルスでや
けり２相によシ駆動している。勿論２相に限定されるも
のではない。
第５図はこの第１実施例の撮像素子を用いた撮倫装鈑の
構成図である。図中９は駆動手段としてのクロックドラ
イバーであり、クロ７クジユ不レータ１０において形成
された各種クロック信号に基づき・ｒメージセ７ ＋７
−Ｉ旦を駆動する４の駆動パルスφｐｌ’＋φｐ１２．
φｐＳ＋、φｐｓ２．φＳ＋、φＳ２を形成する。
構成図である。図中９は駆動手段としてのクロックドラ
イバーであり、クロ７クジユ不レータ１０において形成
された各種クロック信号に基づき・ｒメージセ７ ＋７
−Ｉ旦を駆動する４の駆動パルスφｐｌ’＋φｐ１２．
φｐＳ＋、φｐｓ２．φＳ＋、φＳ２を形成する。
１１はプリアンプ、１２はプロセス回路であってγ補正
、アパーチャ補正等の各種補正及び波形処理を施こす。
、アパーチャ補正等の各種補正及び波形処理を施こす。
１３はエンコーダーであってＮ Ｔ Ｓ Ｃ等の標準テ
レビジョ／信号を形成する為の変調等葡施こすものであ
る。
レビジョ／信号を形成する為の変調等葡施こすものであ
る。
第６図は第５図示クロックドライバー９の出力パルスタ
イミノグを示す図である。
イミノグを示す図である。
時刻ち〜１．の期間にφＩ）Ｉ□、ψＩ）Ｓｔ及びこれ
らと逆相関係にあるＡルスφｐＩ２ ｐ φ１）Ｓｔを
高速で水平ライ／数分供給することによシ受光部１内の
電荷情報をメモリ一部２に移し、ここ１Ｃ記憶する。
らと逆相関係にあるＡルスφｐＩ２ ｐ φ１）Ｓｔを
高速で水平ライ／数分供給することによシ受光部１内の
電荷情報をメモリ一部２に移し、ここ１Ｃ記憶する。
次いで時刻ｔ１〜ｔ！にかけて受光部ｌで新たな画像の
形成を行なうと共に、この間にパルスφｐｓｘ及びこれ
と逆相のパルスφｐｓ２１１ｉ１：よりメモリ一部の電
荷情報を１水平ライン分水平シフトレジスタ３ｖｒｃ、
取り込み、これをパルスφＳ１及びこれと逆相のパルス
φｓ２により順次読み出す。
形成を行なうと共に、この間にパルスφｐｓｘ及びこれ
と逆相のパルスφｐｓ２１１ｉ１：よりメモリ一部の電
荷情報を１水平ライン分水平シフトレジスタ３ｖｒｃ、
取り込み、これをパルスφＳ１及びこれと逆相のパルス
φｓ２により順次読み出す。
尚、パルスφｐＩｔ＋φＩ）Ｓ２ ＋φＳ２ケ夫々Ｓ
７１ｚ スφｐ１１．φｐＳ＋＋ φｓ、と逆相である
ので図では省略している。
７１ｚ スφｐ１１．φｐＳ＋＋ φｓ、と逆相である
ので図では省略している。
このように本実施例によれば受光部１及びメモリ一部２
の端部に不要電荷を転送する為の電荷転送部を設け、こ
の転送部の終端に電極除去部を設けたので受光部及びメ
モリ一部の周辺近傍における熱的又は光学的な不要電荷
の混入を防止する事ができる。
の端部に不要電荷を転送する為の電荷転送部を設け、こ
の転送部の終端に電極除去部を設けたので受光部及びメ
モリ一部の周辺近傍における熱的又は光学的な不要電荷
の混入を防止する事ができる。
次に第７図は本発明の撮像素子の第２実施例を示す図で
、第１〜第６図と同じ符番のものは同じ要素を示す。
、第１〜第６図と同じ符番のものは同じ要素を示す。
本実施例はドレイン０ＦＤＩ 、０ＦＤ２を設ける代わ
りに受光部及びメモリ一部の端部の電荷転送部１００〜
１０３の転送方向を受光部１及びメモリ一部２の有効な
電荷の転送方向と逆方向にする事により不要電荷をドレ
イン０ＦＤ３に捨てるようにしたものである。
りに受光部及びメモリ一部の端部の電荷転送部１００〜
１０３の転送方向を受光部１及びメモリ一部２の有効な
電荷の転送方向と逆方向にする事により不要電荷をドレ
イン０ＦＤ３に捨てるようにしたものである。
第８図は電荷転送部１０１と水平シフトレジスタ３との
境界領域の電極パターンを示す図である。
境界領域の電極パターンを示す図である。
図中第１〜第７図と同じ符番のものは同じ要素を示す。
本実施例では１相駆動方式でセンサーを駆動している。
Ｐｐｓｏはメモリ一部２の転送電極、Ｐｓ６ は水平シ
フトレジスタ３０転送電極である。ＣＢｕクロフクト・
バリア、ＣＷはクロックド・ウェル、ＶＢはバーチャル
・バリア、ＶＷはノく一チー？／Ｌ／ ・つｘＡ／ で
’Ｃ−Ｂ 、ＣＷ、、ＶＢ、ＶＷＶｃおける電子から見
たポテンシャルの高さを夫々Ｐ（ＣＢ）。
フトレジスタ３０転送電極である。ＣＢｕクロフクト・
バリア、ＣＷはクロックド・ウェル、ＶＢはバーチャル
・バリア、ＶＷはノく一チー？／Ｌ／ ・つｘＡ／ で
’Ｃ−Ｂ 、ＣＷ、、ＶＢ、ＶＷＶｃおける電子から見
たポテンシャルの高さを夫々Ｐ（ＣＢ）。
Ｐ（Ｃ’Ｗ） 、 Ｐ（ＶＢ） 、 Ｐ（’ＶＷ） 、
！：スルト、Ｐ（ＣＢ） 〉Ｐ（ＣＷ） 、 Ｐ（ＶＢ
））Ｐ（Ｖ旬が常に成シ立つ。又、ｆｉＥＴｈＰｐｓｏ
ｒ Ｐｓｏ ｖｃハイレベルの電圧を印加したときに
はＰ（ＶＷ） ） Ｐ（ＣＢ）が成、り立ち、ローレベ
ノンの電圧を印加したときにはＰ（ＣＷ））Ｐ（ＶＢ）
が成り立つ。
！：スルト、Ｐ（ＣＢ） 〉Ｐ（ＣＷ） 、 Ｐ（ＶＢ
））Ｐ（Ｖ旬が常に成シ立つ。又、ｆｉＥＴｈＰｐｓｏ
ｒ Ｐｓｏ ｖｃハイレベルの電圧を印加したときに
はＰ（ＶＷ） ） Ｐ（ＣＢ）が成、り立ち、ローレベ
ノンの電圧を印加したときにはＰ（ＣＷ））Ｐ（ＶＢ）
が成り立つ。
このようなポテンシャルのステップは半導体基板６内に
イオン注入を施こす事により形成さ ゛れる。又、ＶＢ
、ＶＷの領域においては絶縁層７と半導体基板Ｃとの境
界近傍に反転ＰＩｊが形成されており、電極Ｐｐｓｏに
印加される電圧の影響を受けないよう構成されている。
イオン注入を施こす事により形成さ ゛れる。又、ＶＢ
、ＶＷの領域においては絶縁層７と半導体基板Ｃとの境
界近傍に反転ＰＩｊが形成されており、電極Ｐｐｓｏに
印加される電圧の影響を受けないよう構成されている。
又、本実施例で＃：ｌ：Ｗｔ荷転送部１０１〜１０３内
のホ”テンシャルのステップＣＢ 、ＣＷ、ＶＢ 。
のホ”テンシャルのステップＣＢ 、ＣＷ、ＶＢ 。
ＶＷの順序を受光部及びメモリ一部の他の部分のポテン
シャルのステップと逆向きにしであるので、電極ＰＩ）
ｓｏに交番電圧を印加すると、電荷は第８図中上方向に
シフトされて行く。
シャルのステップと逆向きにしであるので、電極ＰＩ）
ｓｏに交番電圧を印加すると、電荷は第８図中上方向に
シフトされて行く。
第９図は本発明の撮像装置の第２実施例の構成図、第１
０図はそのタイミングチャートで、図中第１〜第８図と
同じ符番のものは同じ要素を示す。
０図はそのタイミングチャートで、図中第１〜第８図と
同じ符番のものは同じ要素を示す。
９′は駆動手段としてのクロックドライバーでクロック
ジェネレータ１０′の出力クロックに基づきイメージセ
ンサ■Ｓ′を駆動する為の駆動パルスφｌｓ＋φｐｓｓ
、、φＳ３ を出力する。
ジェネレータ１０′の出力クロックに基づきイメージセ
ンサ■Ｓ′を駆動する為の駆動パルスφｌｓ＋φｐｓｓ
、、φＳ３ を出力する。
第１０図に示すようにこれらのパルスφＩ）Ｉ”＋φｐ
ｓ３ 、φＳ３は第６図示のパルスφｐＩ＋ ｒφｐＳ
ｌ。
ｓ３ 、φＳ３は第６図示のパルスφｐＩ＋ ｒφｐＳ
ｌ。
φｓ１ と夫々−）、１ル６しており、時刻ｔ。−１１
及びｔ２〜”ｓ ノ間ｖｃパルスφｐＩｘｒ φｐＳ３
により垂直転送及び受光部１．メモリ一部２の側端の不
要電荷の除去が同時に行なわれ、時刻ｔ１〜ｔ２の間に
メモリ一部の電荷が１水平ライ／ずつ読み出される。
及びｔ２〜”ｓ ノ間ｖｃパルスφｐＩｘｒ φｐＳ３
により垂直転送及び受光部１．メモリ一部２の側端の不
要電荷の除去が同時に行なわれ、時刻ｔ１〜ｔ２の間に
メモリ一部の電荷が１水平ライ／ずつ読み出される。
以上の如く本実施例によれはドレイン０ＦＤ１゜０ＦＤ
２が不要となるので構成が簡単で配線ノくターンも簡′
略化できる。又、第１．第２の実施例共に電荷転送部１
００〜１０３の転送電極と受光部、メモリ一部の電極と
を共通に用いているので製造プロセスも極めて簡単で“
電荷転送部１００〜１０３の為の特別の駆動電極、駆動
パルスを必要とぜず、受光部の電荷情報全体を転送する
のに同期して転送部１００〜１０３を駆動する事ができ
る。
２が不要となるので構成が簡単で配線ノくターンも簡′
略化できる。又、第１．第２の実施例共に電荷転送部１
００〜１０３の転送電極と受光部、メモリ一部の電極と
を共通に用いているので製造プロセスも極めて簡単で“
電荷転送部１００〜１０３の為の特別の駆動電極、駆動
パルスを必要とぜず、受光部の電荷情報全体を転送する
のに同期して転送部１００〜１０３を駆動する事ができ
る。
又、本発明によればイメージセ／すから読み出される養
ビデオ信号中に大きなどイズが乗らないので以降の信号
処理回路において複雑なノイズ除宏回路を設ける必要が
ない。
ビデオ信号中に大きなどイズが乗らないので以降の信号
処理回路において複雑なノイズ除宏回路を設ける必要が
ない。
尚、以上の第１．第２実施例では受光部１とメモリ一部
２０両方の端部に不要電檎転送部を設けたが本発明は受
光部の端部に設けただけのものも含む。
２０両方の端部に不要電檎転送部を設けたが本発明は受
光部の端部に設けただけのものも含む。
又、第１．第２実施例では不要な電荷を捨てる為の電荷
除去部としてドレイン構造の例を挙げたが電荷除去部は
電荷の再結合を行なわせる事によシネ要電荷を除去する
ものも含む。
除去部としてドレイン構造の例を挙げたが電荷除去部は
電荷の再結合を行なわせる事によシネ要電荷を除去する
ものも含む。
（効 果）
本願の第１の発明によれば簡単な構成で受光部端部より
混入する不要電荷の影響を除去し得る撮像素子を得る事
ができる。
混入する不要電荷の影響を除去し得る撮像素子を得る事
ができる。
本願の第２の発明によれば更にノイズの除去の為の格別
の駆動手段が不要となるので簡単な構成でＳ／Ｎの良い
撮像装置を得る事が“できる。
の駆動手段が不要となるので簡単な構成でＳ／Ｎの良い
撮像装置を得る事が“できる。
第１図は従来例を説明する図、第２図は本発明の撮像素
子の第１実施例を説明する図、第３図は第２図示素子の
要部断面模式図、第４図社第２図示素子の要部電極パタ
ーン図、第５図は第２図示素子を用いた撮像装置の構成
例図、第６図はそのタイミングチャート、第７図は本発
明の撮像素子の第２実施例図、第８図は第７図示素子の
要部電極パターン図、第９図は第７−示素子を用いた撮
像装置の構成例図、第１０図はそのタイミングチャート
である。 １・・・受光部、１００〜１０３・・・不要電荷転送部
。 ＯＦＤ １〜ＯＦ’Ｄ ３・・・電荷除矢部。 ９．９′・−・駆動手段 特許出願人 キャノン株式会社 第２図 ｔＯｔｌ τｚ ｔａ
子の第１実施例を説明する図、第３図は第２図示素子の
要部断面模式図、第４図社第２図示素子の要部電極パタ
ーン図、第５図は第２図示素子を用いた撮像装置の構成
例図、第６図はそのタイミングチャート、第７図は本発
明の撮像素子の第２実施例図、第８図は第７図示素子の
要部電極パターン図、第９図は第７−示素子を用いた撮
像装置の構成例図、第１０図はそのタイミングチャート
である。 １・・・受光部、１００〜１０３・・・不要電荷転送部
。 ＯＦＤ １〜ＯＦ’Ｄ ３・・・電荷除矢部。 ９．９′・−・駆動手段 特許出願人 キャノン株式会社 第２図 ｔＯｔｌ τｚ ｔａ
Claims (2)
- （１）光学像を電気情報に変換する受光部、該受光部の
端部に形成され不要電荷を転送する為の不要電荷転送部
、該不要電荷転送部の終端に設けられ該不要電荷転送部
により転送されて来た電荷を除失する電荷除去部とを有
する撮像素子。 - （２） 光学像を電気情報に変換する受光部、該受光部
の端部に形成され不要電荷を転送する為の不要電荷転送
部、該不要電荷転送部の終端に設けられた電荷除去部、
前記受光部内の電気情報全体を転送するのに同期して前
記不要電荷転送部を駆動する駆動手段とを有する撮像装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020586A JPS60165183A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 撮像素子又は撮像装置 |
| US06/697,155 US4647978A (en) | 1984-02-06 | 1985-02-01 | Image sensing apparatus with means for removing unnecessary charges |
| US06/909,937 US4733302A (en) | 1984-02-06 | 1986-09-22 | Image sensor or an image sensing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020586A JPS60165183A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 撮像素子又は撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165183A true JPS60165183A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH0260116B2 JPH0260116B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=12031331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59020586A Granted JPS60165183A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 撮像素子又は撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4647978A (ja) |
| JP (1) | JPS60165183A (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4845568A (en) * | 1984-12-18 | 1989-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus for selectively storing electrical signals |
| US4782394A (en) * | 1985-06-03 | 1988-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus having saturation prevention control modes |
| EP0261712A1 (en) * | 1986-09-04 | 1988-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Picture display cell, method of forming an orientation layer on a substrate of the picture display cell and monomeric compounds for use in the orientation layer |
| JP2525781B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1996-08-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の駆動方法 |
| US4954900A (en) * | 1989-01-06 | 1990-09-04 | Ball Corporation | Imaging and wide sector searching apparatus |
| US5194751A (en) * | 1989-07-17 | 1993-03-16 | Sony Corporation | Structure of solid-state image sensing devices |
| US5182623A (en) * | 1989-11-13 | 1993-01-26 | Texas Instruments Incorporated | Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making |
| US5291044A (en) * | 1990-12-12 | 1994-03-01 | Eastman Kodak Company | Image sensor with continuous time photodiode |
| KR950008698B1 (ko) * | 1992-06-09 | 1995-08-04 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체소자의 필드산화막 형성방법 |
| US5530475A (en) * | 1994-11-30 | 1996-06-25 | Eastman Kodak Company | Image sensor with oversized vertical shift registers for marker pixel generation |
| JP3703175B2 (ja) * | 1995-07-31 | 2005-10-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP3213529B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2001-10-02 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
| JP3592147B2 (ja) | 1998-08-20 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6885775B2 (en) * | 2000-01-21 | 2005-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image processing method and image processing apparatus |
| JP4740781B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2010016113A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3931463A (en) * | 1974-07-23 | 1976-01-06 | Rca Corporation | Scene brightness compensation system with charge transfer imager |
| JPS54127621A (en) * | 1978-03-27 | 1979-10-03 | Matsushita Electronics Corp | Solid state pickup device |
| US4498105A (en) * | 1982-05-27 | 1985-02-05 | Rca Corporation | Field-transfer CCD imagers with reference-black-level generation capability |
| US4490744A (en) * | 1982-06-30 | 1984-12-25 | Rca Corporation | Smear reduction technique for CCD field-transfer imager system |
| JPS5912674A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 撮像装置 |
| US4577115A (en) * | 1982-11-08 | 1986-03-18 | Rca Corporation | Apparatus for sensing transient phenomena in radiant energy images |
| US4528596A (en) * | 1982-11-30 | 1985-07-09 | Rca Corporation | Suppression of edge effects arising in CCD imager field registers |
| GB8314300D0 (en) * | 1983-05-24 | 1983-06-29 | Gen Electric Co Plc | Image sensors |
| US4663669A (en) * | 1984-02-01 | 1987-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
| US4539596A (en) * | 1984-10-10 | 1985-09-03 | Rca Corporation | CCD Imagers with interleaved image registers using opposed directions of charge transfer |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP59020586A patent/JPS60165183A/ja active Granted
-
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-
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| Publication number | Publication date |
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| US4647978A (en) | 1987-03-03 |
| US4733302A (en) | 1988-03-22 |
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