JPS60154690A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JPS60154690A JPS60154690A JP59010009A JP1000984A JPS60154690A JP S60154690 A JPS60154690 A JP S60154690A JP 59010009 A JP59010009 A JP 59010009A JP 1000984 A JP1000984 A JP 1000984A JP S60154690 A JPS60154690 A JP S60154690A
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- emitting device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、発光装置技術さらには半導体発光素子を用
いて構成される発光装置に適用して特に有効な技術に関
するもので、たとえば、半導体レーザを用いて構成さｈ
た発光装置に利用して有効な技術に関するものである。
いて構成される発光装置に適用して特に有効な技術に関
するもので、たとえば、半導体レーザを用いて構成さｈ
た発光装置に利用して有効な技術に関するものである。
例えば、ＤＡＤ（デジタル・オーディオ・ディスク）再
生装置では、ディスクに光学的に記録されだ音楽情報を
読取るために発光装置が使用される。この発光装置は、
半導体発光素子をケースに収納するとともに、該素子の
電極を１−記ケースに設けられた外部接続用端子に接続
することにより構成される。発光素子としては、例えば
ｏ Ａ ｏ ｐｉ生装置においては、半導体レーザが使
用される。
生装置では、ディスクに光学的に記録されだ音楽情報を
読取るために発光装置が使用される。この発光装置は、
半導体発光素子をケースに収納するとともに、該素子の
電極を１−記ケースに設けられた外部接続用端子に接続
することにより構成される。発光素子としては、例えば
ｏ Ａ ｏ ｐｉ生装置においては、半導体レーザが使
用される。
第１図は本発明者によって検討さオした−に記発光装置
の等価回路を示す。同図に示すように、発光装置］０の
等価回路は、半導体レーザからなる発光素子Ｌ Ｄと直
列抵抗Ｒｓとからなる。
の等価回路を示す。同図に示すように、発光装置］０の
等価回路は、半導体レーザからなる発光素子Ｌ Ｄと直
列抵抗Ｒｓとからなる。
ところで、この種の発光装置に使用される゛１４導体レ
ーザのごとき発光素子Ｌ ＩＬＩは、その高性能化がす
すみそのしきい値電流は低下するとともに、量子効率等
も大幅に改善させてきているがそれについて、外来サー
ジに対する強度が低下してきている。これにともない、
その光学的な破壊強度も低下している。
ーザのごとき発光素子Ｌ ＩＬＩは、その高性能化がす
すみそのしきい値電流は低下するとともに、量子効率等
も大幅に改善させてきているがそれについて、外来サー
ジに対する強度が低下してきている。これにともない、
その光学的な破壊強度も低下している。
」二記した問題点を解決するため、本発明者は、発光装
置全数についてアルミホイールによる外部端子のショー
１〜を行なっているため、取扱い及び梱包に労力を費や
さなければならないという問題点があることがあきらか
とされた。 ′第２図は、この種の発光装置１０の駆動
電流Ｉｆと発光出力１〕０の特性を示したものである。
置全数についてアルミホイールによる外部端子のショー
１〜を行なっているため、取扱い及び梱包に労力を費や
さなければならないという問題点があることがあきらか
とされた。 ′第２図は、この種の発光装置１０の駆動
電流Ｉｆと発光出力１〕０の特性を示したものである。
同図において、駆動電流Ｉｆが一定のしきい値ｒＬｈを
越えると発光出力が急に増大してただちに破壊点Ｘに達
してしまう。このため、その発光素ｆを、ある程度大き
な発光出力を確保しつつ破壊しないように駆動すること
かできる電圧の設定範囲が狭く、従ってその駆動電圧の
設定が非常に苅しく、かつきわどい、という問題が生じ
ていた。
越えると発光出力が急に増大してただちに破壊点Ｘに達
してしまう。このため、その発光素ｆを、ある程度大き
な発光出力を確保しつつ破壊しないように駆動すること
かできる電圧の設定範囲が狭く、従ってその駆動電圧の
設定が非常に苅しく、かつきわどい、という問題が生じ
ていた。
さらに、第２図に示した特性は温度依存性をもつため、
温度の変化ににつでも破壊点Ｘに達する恐れが１・分に
あった。
温度の変化ににつでも破壊点Ｘに達する恐れが１・分に
あった。
以」−のように、上述した発光装置は非゛畠に使い難い
という問題があった。このような問題点が本発明者によ
って明らかとされた。
という問題があった。このような問題点が本発明者によ
って明らかとされた。
〔発明の１」的〕
この発明の目的は、簡Ｊ１１な（＝Ｊ加的構成でもって
、発光装置の見かけ上の耐破壊強度を大幅に高めること
ができ、これにより発光装置を使いやすいものにする技
術を提供するものである。
、発光装置の見かけ上の耐破壊強度を大幅に高めること
ができ、これにより発光装置を使いやすいものにする技
術を提供するものである。
この発明の前記ならびにそのほかのＬＩ的と新規な特徴
については、本明細沓の記述よりよび添附図面から明ら
かになるであろう。
については、本明細沓の記述よりよび添附図面から明ら
かになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を節！１ｔに説明すれは、下記のとおりである。
を節！１ｔに説明すれは、下記のとおりである。
すなわち、発光装置の外部接続用端子に並列に接続する
抵抗体を内蔵させることにより、発光メ・３子の見かけ
」二のしきい値を高め、またその特性の温度特性を緩和
し、これにより見かけ一１〕の耐破壊強度を大幅に高め
て使いやすいものにする、という目的を達成するもので
ある。
抵抗体を内蔵させることにより、発光メ・３子の見かけ
」二のしきい値を高め、またその特性の温度特性を緩和
し、これにより見かけ一１〕の耐破壊強度を大幅に高め
て使いやすいものにする、という目的を達成するもので
ある。
以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
なお、図面において同一あるいは相当する部分は同一符
号で示す。
号で示す。
先ず、第３図はこの発明による発光装置の等価回路を示
す。
す。
同図に示すように、この発明しこよる発光装置１０の等
価回路は、半導体レーザからなる発光素子Ｌ Ｄと抵抗
Ｒｓの直列回路と、この直列回路の両端に並列に接続す
る抵抗ＲＬとからなる。
価回路は、半導体レーザからなる発光素子Ｌ Ｄと抵抗
Ｒｓの直列回路と、この直列回路の両端に並列に接続す
る抵抗ＲＬとからなる。
■
端子Ａ −８間に印加する駆動電圧をＶＦ、駆動電流を
Ｉ ｆ、抵抗ＲＬに流れる電流を】ｅ、発光素子Ｌ ＋
）に流れる電流をＩｄとした時、相互の電流の関係は Ｔ ｆ＝Ｔ ｅ＋Ｔ ｄ ・・・・・（１）となる。
Ｉ ｆ、抵抗ＲＬに流れる電流を】ｅ、発光素子Ｌ ＋
）に流れる電流をＩｄとした時、相互の電流の関係は Ｔ ｆ＝Ｔ ｅ＋Ｔ ｄ ・・・・・（１）となる。
発光素子Ｌ Ｄのしきい値電流をＩシ１１とし回路全体
としてのしきい値電流をＩ’ｌ；ｈとすると式（］）％
式％（２） また、発光素子ＬＤに印加される電圧をｖｂとしたとき
、 Ｖ ｂ ＋ＲｓＴｊｈ＝ ＲＬ １ ｃ −・−（３）
の関係式が成立する。
としてのしきい値電流をＩ’ｌ；ｈとすると式（］）％
式％（２） また、発光素子ＬＤに印加される電圧をｖｂとしたとき
、 Ｖ ｂ ＋ＲｓＴｊｈ＝ ＲＬ １ ｃ −・−（３）
の関係式が成立する。
式（２）１式（３）より、Ｉｅを消去すると１’ｔ、ｈ
は、 が導出される。
は、 が導出される。
ここで注目すべきは、抵抗ＲＬを発光素子１５丁）と並
列に接続することにより１発光素子Ｌ Ｉ）を発光させ
るためのしきい値は、みかけ上Ｔ’Ｌ：ｈとなり、第１
図に示される等価回路のしきい値］Ｌ、ｈより上昇して
いるということである。これにより、発光装置１０全体
の耐破壊強度が高められるとｕｌう効果が得られる。
列に接続することにより１発光素子Ｌ Ｉ）を発光させ
るためのしきい値は、みかけ上Ｔ’Ｌ：ｈとなり、第１
図に示される等価回路のしきい値］Ｌ、ｈより上昇して
いるということである。これにより、発光装置１０全体
の耐破壊強度が高められるとｕｌう効果が得られる。
第４図は第３図に示した発光装置の特性を示す。
同図に示す特性は駆動電流Ｉｆと発光出力１’０との関
係であるが、」二記抵抗ＲＬによって、見かけ上の（外
部から見た）特性曲線が破線から実線のように変化し、
これにより発光出力ＰＯが大きく増大しはじめる点すな
わちしきい値ＩＥｈが見かけ」二高くなっている。さら
に、注目すべきことは上記抵抗ＲＩ−は駆動電流Ｉｆの
温度特性を緩和するようにも作用し、この結果発光装置
ＩＯ全全体しての耐破壊強度が高められ、またさらに駆
動電圧の設定幅も広がって発光装置を使いやすくするこ
とができるようになる。しかも、それらの効果は、−に
記抵抗ＲＴ−を発光素子ＬＤに並列接続するだけで簡単
に達成さオシるのである。また、抵抗ＲＬ接続によるカ
ッ１〜オフ周波数の低下の影響はＤＡＤは、直流バイア
スであるため実用上問題とはならないのである。
係であるが、」二記抵抗ＲＬによって、見かけ上の（外
部から見た）特性曲線が破線から実線のように変化し、
これにより発光出力ＰＯが大きく増大しはじめる点すな
わちしきい値ＩＥｈが見かけ」二高くなっている。さら
に、注目すべきことは上記抵抗ＲＩ−は駆動電流Ｉｆの
温度特性を緩和するようにも作用し、この結果発光装置
ＩＯ全全体しての耐破壊強度が高められ、またさらに駆
動電圧の設定幅も広がって発光装置を使いやすくするこ
とができるようになる。しかも、それらの効果は、−に
記抵抗ＲＴ−を発光素子ＬＤに並列接続するだけで簡単
に達成さオシるのである。また、抵抗ＲＬ接続によるカ
ッ１〜オフ周波数の低下の影響はＤＡＤは、直流バイア
スであるため実用上問題とはならないのである。
次に、この発明の具体的な適用例を示す。
第５図および第６図はこの発明による発光装置１０の一
実施例を示す。
実施例を示す。
同図に示す発光装置１０は、ＤΔＤ再生装置の読取８１
５に使用されるように構成さオシたものであって、外部
接続用端子】６．１８を有するケース】２内に、半導体
レーザからなる発光素子Ｌ Ｌ）が受光素子ＰＤととも
に収納されている。
５に使用されるように構成さオシたものであって、外部
接続用端子】６．１８を有するケース】２内に、半導体
レーザからなる発光素子Ｌ Ｌ）が受光素子ＰＤととも
に収納されている。
ケース１２は金属製の密閉容器であって、発光素子ＬＤ
と受光素子Ｐ Ｄの共通端子を兼ねている。
と受光素子Ｐ Ｄの共通端子を兼ねている。
このケース１２にはガラス１４による窓が設けられ、こ
こから発光素子Ｌ Ｉ）の出力光が導出される。
こから発光素子Ｌ Ｉ）の出力光が導出される。
また、そのケース】０内には金属製のピー１−シンタ２
４が装着され、このピー１ヘシンク２４にシリコン半導
体からなるサブマウン１−２６と受光素子ＰＤがそれぞ
れ接合・装着されている。発光素子Ｌ Ｄ、抵抗体３２
は上記サブマウンｌ〜２６」−に接合・装着されている
。抵抗体３２、発光素子Ｌ Ｄおよび受光素子ＰＤの各
一方の電極はそれぞＪし内部配線２８，２９．３０によ
り接続され、さらに２８．３０の一方は外部接続用端子
］６．１８に接続されている。受光素子１） Ｌ）、抵
抗体３２および発光素子Ｌ Ｄの各他方の電極は上記ケ
ース１２に共通接続され、これにより該ケース１２が共
通端子を兼ねるようになっている。
４が装着され、このピー１ヘシンク２４にシリコン半導
体からなるサブマウン１−２６と受光素子ＰＤがそれぞ
れ接合・装着されている。発光素子Ｌ Ｄ、抵抗体３２
は上記サブマウンｌ〜２６」−に接合・装着されている
。抵抗体３２、発光素子Ｌ Ｄおよび受光素子ＰＤの各
一方の電極はそれぞＪし内部配線２８，２９．３０によ
り接続され、さらに２８．３０の一方は外部接続用端子
］６．１８に接続されている。受光素子１） Ｌ）、抵
抗体３２および発光素子Ｌ Ｄの各他方の電極は上記ケ
ース１２に共通接続され、これにより該ケース１２が共
通端子を兼ねるようになっている。
」二記外部接続用端子１．６．１８は、−上記ケース１
２のベースに開けられた透孔を貫通した状態で保持され
た、一種のスタンド型端子をなす。各端子］６．１８は
それぞれ保持部ｔＪ２０ 、２２によリケース１２から
隔離された状態でもって保持されている。保持部４４’
２０．２２としては、例えばガラスあるいはセラミック
などが使用される。
２のベースに開けられた透孔を貫通した状態で保持され
た、一種のスタンド型端子をなす。各端子］６．１８は
それぞれ保持部ｔＪ２０ 、２２によリケース１２から
隔離された状態でもって保持されている。保持部４４’
２０．２２としては、例えばガラスあるいはセラミック
などが使用される。
ここで、−１一記発光素了り、 Ｄの他方の電極とケー
スｊ２との間には、上記サブマウン１−２６によるシリ
ーズ抵抗尺Ｓが直列に介在する。ここで注目すべきこと
は、その発光素子Ｌ Ｉつの一方の電極と接続する端子
１６と上記ケース１２との間に、前述した抵抗体３２が
並列に接続されているということである。
スｊ２との間には、上記サブマウン１−２６によるシリ
ーズ抵抗尺Ｓが直列に介在する。ここで注目すべきこと
は、その発光素子Ｌ Ｉつの一方の電極と接続する端子
１６と上記ケース１２との間に、前述した抵抗体３２が
並列に接続されているということである。
第７図はケース１０内部に設けられた抵抗体３２の拡大
図を示す。この実施例では、抵抗体３２は」二記マウン
ｌ−２６１に接合・装着される。
図を示す。この実施例では、抵抗体３２は」二記マウン
ｌ−２６１に接合・装着される。
そして、発光素子Ｌ Ｄの一方の電極からの配線２９が
、その抵抗体３２の一方の電極に接続されさらに内部配
線２８により上記端子１６に接続されるようになってい
る。これにより、発光素子Ｌ Ｄ側の端子１６とケース
１０との間に並列に接続する抵抗ＲＬ、が形成される。
、その抵抗体３２の一方の電極に接続されさらに内部配
線２８により上記端子１６に接続されるようになってい
る。これにより、発光素子Ｌ Ｄ側の端子１６とケース
１０との間に並列に接続する抵抗ＲＬ、が形成される。
抵抗体３２は、シリコンで形成されているが、他の材料
で形成しでもよい。
で形成しでもよい。
抵抗体３２をシリコンで形成すれば、シリコン半導体か
らなるサブマウン１へ２６と熱膨張係数が一致している
ことより、温度変化があったとしても金ワイヤ２９が断
線するということはなくなる。
らなるサブマウン１へ２６と熱膨張係数が一致している
ことより、温度変化があったとしても金ワイヤ２９が断
線するということはなくなる。
マタ、同一サブマウンｌ−２６−Ｊ：ニ発ソｖ ；（４
’ｒ １．１．、）と抵抗体３２を載置しであることよ
り、組立て１１１に先に抵抗体３２をサブマウン１−２
Ｇに載置して、この抵抗体３２を基僧として発光素７−
１．、１．ｉ）をザブマウンｌ−２６１に載置できるた
め、位Ｆ’Ｃ：Ｒ’ｉ度が高くなるという効果が得られ
る。さらに、抵抗体３２、発光素子Ｌ Ｄが同一・ザブ
マウン１〜２Ｇ平面−１ユに載置されていることより、
図示されないコレットによる抵抗体３２２発光素子Ｌ
１つの取りつけが容易になるという効果が得られる。ま
た、金ワイヤ２８．２９のボンデインクも容易となる。
’ｒ １．１．、）と抵抗体３２を載置しであることよ
り、組立て１１１に先に抵抗体３２をサブマウン１−２
Ｇに載置して、この抵抗体３２を基僧として発光素７−
１．、１．ｉ）をザブマウンｌ−２６１に載置できるた
め、位Ｆ’Ｃ：Ｒ’ｉ度が高くなるという効果が得られ
る。さらに、抵抗体３２、発光素子Ｌ Ｄが同一・ザブ
マウン１〜２Ｇ平面−１ユに載置されていることより、
図示されないコレットによる抵抗体３２２発光素子Ｌ
１つの取りつけが容易になるという効果が得られる。ま
た、金ワイヤ２８．２９のボンデインクも容易となる。
本実施例では、金ワイヤ２８．２９は、個別に取りつけ
られているが、一本の連続した金ワイヤで構成してもよ
い。この場合、工程が短縮されるという効果が得られる
。また、抵抗体３２はサブマウント上のどこに載置固定
してもよいが、本実施例のようにＩ） Ａ、 １つの読
取りに使用されるレーザ光３４の出射面と抵抗体３２の
１側面とを同一面内とす肛ば、さらに高い精度で発光素
子ＬＤの載置固定が可能となる。
られているが、一本の連続した金ワイヤで構成してもよ
い。この場合、工程が短縮されるという効果が得られる
。また、抵抗体３２はサブマウント上のどこに載置固定
してもよいが、本実施例のようにＩ） Ａ、 １つの読
取りに使用されるレーザ光３４の出射面と抵抗体３２の
１側面とを同一面内とす肛ば、さらに高い精度で発光素
子ＬＤの載置固定が可能となる。
〔実施例２〕
第８図は」−記抵抗ＲＹ、を形成するためにケース１０
内部に設けられた抵抗体３２の別の実施例を示す。この
実施例では、抵抗体３２は上記ビー１〜シンク２４Ｌｔ
に接合・装着される。そして、発光素子り、 Ｄの一方
の電極からの配線２８が、その抵抗体３２で中継されて
上記端子１６に接続されるようになっている。こＪｌ、
により、発光素子Ｉ−１）側の端子１６とケース１０と
の間に並列に接続する抵抗ＲＴ−４が形成される。
内部に設けられた抵抗体３２の別の実施例を示す。この
実施例では、抵抗体３２は上記ビー１〜シンク２４Ｌｔ
に接合・装着される。そして、発光素子り、 Ｄの一方
の電極からの配線２８が、その抵抗体３２で中継されて
上記端子１６に接続されるようになっている。こＪｌ、
により、発光素子Ｉ−１）側の端子１６とケース１０と
の間に並列に接続する抵抗ＲＴ−４が形成される。
本実施例においても前記実施例と同様な効果が得られる
。さらに、抵抗体３２をヒートシンク２４に、発光素子
Ｌ Ｄをザブマウン１〜上に配設し。
。さらに、抵抗体３２をヒートシンク２４に、発光素子
Ｌ Ｄをザブマウン１〜上に配設し。
であることより、何らかの原因で発光素子が破壊された
としても比較的大きなサブマウンｌへを発光素子ＬＤと
共に交換することができ、便利である。
としても比較的大きなサブマウンｌへを発光素子ＬＤと
共に交換することができ、便利である。
また１図示されないコレラｉ〜により抵抗体３２及び発
光素子ＬＤを載置する際、抵抗体３２と発光素子■、０
間が比較的路離がおいていることより、コレラ１−の接
触による各素子の破壊が起きがたいという効果がある。
光素子ＬＤを載置する際、抵抗体３２と発光素子■、０
間が比較的路離がおいていることより、コレラ１−の接
触による各素子の破壊が起きがたいという効果がある。
〔実施例３〕
第９図は−に記抵抗Ｒ，Ｌを形成するためにケース１０
内部に設けらＪした抵抗体３２のさらに別の実施例を示
す。この実施例では、端子１６をケースＩＯから隔離し
ながら保持している部組２０が抵抗体３２によって構成
されている。つまり、ある程度の導電性をもつ材料でも
って」二記保持部旧２０を構成している。こ汎により、
その端子１Ｇの部分にて鎖端ｒ−１６とケース１０との
間に並列に接続する抵抗ＲＩＬ、が形成される。
内部に設けらＪした抵抗体３２のさらに別の実施例を示
す。この実施例では、端子１６をケースＩＯから隔離し
ながら保持している部組２０が抵抗体３２によって構成
されている。つまり、ある程度の導電性をもつ材料でも
って」二記保持部旧２０を構成している。こ汎により、
その端子１Ｇの部分にて鎖端ｒ−１６とケース１０との
間に並列に接続する抵抗ＲＩＬ、が形成される。
第１０図はＪ−記抵抗Ｒ１−を形成するためにケース１
０内部に設けられた抵抗体３２のさらに別の実施例を示
す。この実施例では、端子１Ｇとケース１０とに跨がる
部分に抵抗体３２が配設されている。この場合の抵抗体
３２としては例えば導電ペーストあるいは導電塗料が使
用される。これにより、その端子１６の部分にて該端子
１６とケース１０との間に並列に接続する抵抗Ｒ，Ｌが
形成される。
０内部に設けられた抵抗体３２のさらに別の実施例を示
す。この実施例では、端子１Ｇとケース１０とに跨がる
部分に抵抗体３２が配設されている。この場合の抵抗体
３２としては例えば導電ペーストあるいは導電塗料が使
用される。これにより、その端子１６の部分にて該端子
１６とケース１０との間に並列に接続する抵抗Ｒ，Ｌが
形成される。
以−１−のように、発光装置１ｏの端子に並列に接続す
る抵抗をケースｌｏに内蔵させることにより、前述した
ような効果、すなわち見かけ」−耐破壊強度を高め、ま
た温度１．ｙ性を緩和して使いやすくするといった効果
を得ることができる。さらに、抵抗体３２を端子１Ｇと
ケース］０の跨がる部分につ番プることにより、発光装
置の小型化を達成することができるという効果が得られ
る。
る抵抗をケースｌｏに内蔵させることにより、前述した
ような効果、すなわち見かけ」−耐破壊強度を高め、ま
た温度１．ｙ性を緩和して使いやすくするといった効果
を得ることができる。さらに、抵抗体３２を端子１Ｇと
ケース］０の跨がる部分につ番プることにより、発光装
置の小型化を達成することができるという効果が得られ
る。
また、本実施例においては、発光装置のしきい値電流を
測定しながら、端Ｔ−１６とケース１２間に配設した抵
抗体３２の爪を自由に変化させることができる。これに
より、自由に１きい値を変化させることができるととも
に、ある規定のしきい値を持った発光装置を簡単に生産
できるという効果が得られる。すなわち、抵抗体の１〜
リーミング（調節）が可能であるということである。
測定しながら、端Ｔ−１６とケース１２間に配設した抵
抗体３２の爪を自由に変化させることができる。これに
より、自由に１きい値を変化させることができるととも
に、ある規定のしきい値を持った発光装置を簡単に生産
できるという効果が得られる。すなわち、抵抗体の１〜
リーミング（調節）が可能であるということである。
（１）発光素子に並列に抵抗体を接続することにより、
発光素子の見かけ上のしきい値を」二げることにより、
耐破壊強度を大幅に高めることかでき、信頼性が向」―
する。
発光素子の見かけ上のしきい値を」二げることにより、
耐破壊強度を大幅に高めることかでき、信頼性が向」―
する。
（２）発光素子に並列に抵抗体を接続するごとにより、
しきい値の温度特性を緩和し、これにより耐破壊強度を
大幅に高めることができ信頼性が向上する。
しきい値の温度特性を緩和し、これにより耐破壊強度を
大幅に高めることができ信頼性が向上する。
（３）発光素子に並列に抵抗体を接続することにより、
発光素子がチャージアップするのを防止できる。
発光素子がチャージアップするのを防止できる。
（４）発光素子に並列に抵抗体を接続することにより、
外来サージエネルギーの吸収が行なわ汎ることより、工
程間の耐サージ破壊率が向−１−する。
外来サージエネルギーの吸収が行なわ汎ることより、工
程間の耐サージ破壊率が向−１−する。
（５）、（＋）、（２）、（３）、（４）の相来効果と
して、装置の取扱い及び梱包の簡略化がＩＩ）能である
という効果が得ら汎る。
して、装置の取扱い及び梱包の簡略化がＩＩ）能である
という効果が得ら汎る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
其体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
其体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となって利用分野であるＤＡＤ再生装置の読
取部に使用させる発光装置技術に適用した場合について
説明したが、そのに限定されるものではなく、例えば、
光通信などにおける発光装置の技術にも適用できる。
をその背景となって利用分野であるＤＡＤ再生装置の読
取部に使用させる発光装置技術に適用した場合について
説明したが、そのに限定されるものではなく、例えば、
光通信などにおける発光装置の技術にも適用できる。
第１図はこの発明に先だって検討された発光装置の等価
回路図、 第２図は第１図に示した発光装置の特性を示すグラフ、 第３図はこの発明による発光装置の等価回路図、第４図
は第２図に示した発光装置の特性を示すグラフ、 第５図はこの発明による発光装置の一実施例を示す断面
図、 第６図は第５図のＶｌ−ｖｔ断面図、 第７図はこの発明による発）１Ｇ装置の部分実施例を示
す断面図、 第８図はこの発明による発光装置面の部分実施例を示す
断面図、 第９図はこの発明による発光装置の部分実施例を示す断
面図、 第１Ｏ図はこの発明による発光装置の部分実施例を示す
断面図である。 ＩＯ・発光装置、１２・・端子を兼ねるケース、１４
・ガラス、１６．１８・・端子、２０．２２一端子保持
部材、２４・・ヒートシンク、２６・・サブマウン１〜
．２８．３０・・・内部配線、３２・・・抵抗体、３４
・・・レーザ光、ＬＤ・・半導体発光素子、ＰＤ ・受
光素子。 第 １ 図 第 ２ 図 Ｉｄ ＩＪ 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第６図 第 ７ 図 第 ８ 図 第 ９ 図 第１０図
回路図、 第２図は第１図に示した発光装置の特性を示すグラフ、 第３図はこの発明による発光装置の等価回路図、第４図
は第２図に示した発光装置の特性を示すグラフ、 第５図はこの発明による発光装置の一実施例を示す断面
図、 第６図は第５図のＶｌ−ｖｔ断面図、 第７図はこの発明による発）１Ｇ装置の部分実施例を示
す断面図、 第８図はこの発明による発光装置面の部分実施例を示す
断面図、 第９図はこの発明による発光装置の部分実施例を示す断
面図、 第１Ｏ図はこの発明による発光装置の部分実施例を示す
断面図である。 ＩＯ・発光装置、１２・・端子を兼ねるケース、１４
・ガラス、１６．１８・・端子、２０．２２一端子保持
部材、２４・・ヒートシンク、２６・・サブマウン１〜
．２８．３０・・・内部配線、３２・・・抵抗体、３４
・・・レーザ光、ＬＤ・・半導体発光素子、ＰＤ ・受
光素子。 第 １ 図 第 ２ 図 Ｉｄ ＩＪ 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第６図 第 ７ 図 第 ８ 図 第 ９ 図 第１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ３６半導体発光素子をケースに収納するとともに。 該素子の電極を上記ケースに設けられた外部接続用端子
に接続してなる発光装置であって、上記端子に並列に接
続する抵抗体を」二記ケース内に設けたことを特徴とす
る発光装置。 ２、上記発光素子が半導体レーザであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010009A JPS60154690A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010009A JPS60154690A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154690A true JPS60154690A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11738400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010009A Pending JPS60154690A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154690A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268922A (en) * | 1991-10-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Laser diode assembly |
| EP1750309A3 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-29 | Samsung Electro-mechanics Co., Ltd | Light emitting device having protection element |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP59010009A patent/JPS60154690A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268922A (en) * | 1991-10-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Laser diode assembly |
| EP1750309A3 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-29 | Samsung Electro-mechanics Co., Ltd | Light emitting device having protection element |
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