JP2003229629A - 光モジュール - Google Patents
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- wiring
- ceramic substrate
- optical
- optical module
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザ光を送受信する発光素子や受光素子等の
光素子をキャン内に内装する光モジュールで、高速信号
伝送が可能なキャンパッケージ型光モジュールを実現す
る。 【解決手段】キャンパッケージのステム1にセラミック
基板3を貫通させ、このセラミック基板3に高速信号配
線17−19を含む所望の本数の配線13を形成すると
ともに、キャンパッケージ11内にドライバLSI7や
増幅LSI等、受発光素子6以外の必要な電子部品も収
納する。
光素子をキャン内に内装する光モジュールで、高速信号
伝送が可能なキャンパッケージ型光モジュールを実現す
る。 【解決手段】キャンパッケージのステム1にセラミック
基板3を貫通させ、このセラミック基板3に高速信号配
線17−19を含む所望の本数の配線13を形成すると
ともに、キャンパッケージ11内にドライバLSI7や
増幅LSI等、受発光素子6以外の必要な電子部品も収
納する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュール、更
に詳しく言えば、光通信のためのレーザ光を送受信する
発光素子や受光素子等の光素子をキャン内に内装する光
モジュールに関わる。
に詳しく言えば、光通信のためのレーザ光を送受信する
発光素子や受光素子等の光素子をキャン内に内装する光
モジュールに関わる。
【0002】
【従来の技術】通常、発光素子であるレーザダイオード
や受光素子であるフォトダイオード等の光素子は、レン
ズや他の必要な部品とともに各種パッケージに収納され
る。この各種パッケージの中で、長期間の使用に耐え得
るように高信頼性を重視したものとしてキャンパッケー
ジがある。その構造は例えば、公開特許公報特開平8−
114728号に示されているように、光素子はパッケ
ージの外気と遮断された構造、即ち気密封止構造であ
る。その概要を図8を用いて説明する。円盤状のステム
60に、受発光素子61が直接あるいは予めサブマウン
ト(図示せず)に取り付けた状態で固着される。ステム
60には、光素子61とキャンパッケージ外部の回路と
の電気接続を行うためのリードピン62、63が設けて
ある。リードピン62はステム60に直接固着され、ス
テム60と電気的に短絡された構造となっている。一方
リードピン63はガラス64によってステム穴65に固
定され、ステム60とは電気的に絶縁されている。リー
ドピン62、63の直径は通常0.45mmであり、ス
テム穴65の直径は1mm程度である。光素子61とリ
ードピン63とはワイヤボンディングによって接続され
る。またキャンパッケージでは、金属円筒状のキャップ
66が、ステム60の周辺全体に溶接によって固着され
る。キャップ66の中央部には、レンズ67がガラス封
着されるが、レンズ67の代わりに平板ガラスが封着さ
れる場合もある。
や受光素子であるフォトダイオード等の光素子は、レン
ズや他の必要な部品とともに各種パッケージに収納され
る。この各種パッケージの中で、長期間の使用に耐え得
るように高信頼性を重視したものとしてキャンパッケー
ジがある。その構造は例えば、公開特許公報特開平8−
114728号に示されているように、光素子はパッケ
ージの外気と遮断された構造、即ち気密封止構造であ
る。その概要を図8を用いて説明する。円盤状のステム
60に、受発光素子61が直接あるいは予めサブマウン
ト(図示せず)に取り付けた状態で固着される。ステム
60には、光素子61とキャンパッケージ外部の回路と
の電気接続を行うためのリードピン62、63が設けて
ある。リードピン62はステム60に直接固着され、ス
テム60と電気的に短絡された構造となっている。一方
リードピン63はガラス64によってステム穴65に固
定され、ステム60とは電気的に絶縁されている。リー
ドピン62、63の直径は通常0.45mmであり、ス
テム穴65の直径は1mm程度である。光素子61とリ
ードピン63とはワイヤボンディングによって接続され
る。またキャンパッケージでは、金属円筒状のキャップ
66が、ステム60の周辺全体に溶接によって固着され
る。キャップ66の中央部には、レンズ67がガラス封
着されるが、レンズ67の代わりに平板ガラスが封着さ
れる場合もある。
【0003】キャンパッケージと光ファイバとの間で信
号光の送受は、円筒状のスリーブ68の一方をキャップ
66に勘合し、他方に光ファイバ先端のフェルール(図
示せず)を挿入する事によって簡便に実現できる。キャ
ンパッケージは気密封止構造であるために、パッケージ
外部の水分や酸素等の侵入が無く、光素子61等の劣化
や特性変動を防ぐ事ができ、長期間にわたって高信頼性
を保持できる。また、円筒形状のスリーブを用いること
により、容易に光ファイバと光素子61の結合ができ
る。
号光の送受は、円筒状のスリーブ68の一方をキャップ
66に勘合し、他方に光ファイバ先端のフェルール(図
示せず)を挿入する事によって簡便に実現できる。キャ
ンパッケージは気密封止構造であるために、パッケージ
外部の水分や酸素等の侵入が無く、光素子61等の劣化
や特性変動を防ぐ事ができ、長期間にわたって高信頼性
を保持できる。また、円筒形状のスリーブを用いること
により、容易に光ファイバと光素子61の結合ができ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図8の
キャンパッケージはリードピン63をガラス64によっ
てステム穴65に固定しているため、ステム穴65の直
径が1mm程度となり、リードピン数を増やすことが困
難で、最大でも6本程度にとどまっている。そのためリ
ードピン数が不足して、レーザーダイオードを駆動する
ドライバLSIや、フォトダイオードの信号を増幅する
増幅LSI等の電子回路部品を、キャンパッケージ内に
収納する事ができず、電子回路部品はパッケージの外に
設置せざるを得なかった。このことは、光素子とドライ
バLSIや増幅LSIとの距離が長くなり、高速信号伝
送への適用が困難であった。また、上記リードピン構造
では、高速信号伝送配線の特性インピーダンス(通常5
0Ω)のマッチングを取ることが困難であった。そのた
め、キャンパッケージの光モジュールは2.5Gb/秒
以下の通信に用いられているのが実状となっている。
キャンパッケージはリードピン63をガラス64によっ
てステム穴65に固定しているため、ステム穴65の直
径が1mm程度となり、リードピン数を増やすことが困
難で、最大でも6本程度にとどまっている。そのためリ
ードピン数が不足して、レーザーダイオードを駆動する
ドライバLSIや、フォトダイオードの信号を増幅する
増幅LSI等の電子回路部品を、キャンパッケージ内に
収納する事ができず、電子回路部品はパッケージの外に
設置せざるを得なかった。このことは、光素子とドライ
バLSIや増幅LSIとの距離が長くなり、高速信号伝
送への適用が困難であった。また、上記リードピン構造
では、高速信号伝送配線の特性インピーダンス(通常5
0Ω)のマッチングを取ることが困難であった。そのた
め、キャンパッケージの光モジュールは2.5Gb/秒
以下の通信に用いられているのが実状となっている。
【0005】従って本発明の主な目的は、高速信号伝送
が可能なキャンパッケージ型光モジュールを提供するこ
とである。本発明の他の目的は、キャンパッケージ内に
光素子とともにLSI等の電気回路部品を用意に収納で
きる光モジュールを提供することである。本発明の更に
他の目的は、キャンパッケージ内の光素子との高速信号
伝送配線の特性インピーダンスのマッチングを容易にで
き光モジュールを提供することである。
が可能なキャンパッケージ型光モジュールを提供するこ
とである。本発明の他の目的は、キャンパッケージ内に
光素子とともにLSI等の電気回路部品を用意に収納で
きる光モジュールを提供することである。本発明の更に
他の目的は、キャンパッケージ内の光素子との高速信号
伝送配線の特性インピーダンスのマッチングを容易にで
き光モジュールを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光モジュールでは、配線を施したセラミッ
ク基板を第1のステムに貫通させて固着し、光素子又は
光素子及び電子部品をキャン内に内包して、光透過性窓
付きのキャンキャップを光素子又は光素子及び電子部品
をキャン内に内包するように上記ステムに取り付け、上
記配線の一部は上記キャン内外に連続して形成される。
め、本発明の光モジュールでは、配線を施したセラミッ
ク基板を第1のステムに貫通させて固着し、光素子又は
光素子及び電子部品をキャン内に内包して、光透過性窓
付きのキャンキャップを光素子又は光素子及び電子部品
をキャン内に内包するように上記ステムに取り付け、上
記配線の一部は上記キャン内外に連続して形成される。
【0007】上記光素子は、発光素子、受光素子が主で
あるが、その他、光変調器などの光学素子等の光素子を
含んでもよい。上記電子部品は、レーザーダイオード駆
動LSI、フォトダイオードのプリアンプ等を含む。上
記第1のステムは金属平板が一般的であるが、それに限
定されない。
あるが、その他、光変調器などの光学素子等の光素子を
含んでもよい。上記電子部品は、レーザーダイオード駆
動LSI、フォトダイオードのプリアンプ等を含む。上
記第1のステムは金属平板が一般的であるが、それに限
定されない。
【0008】光透過性窓は平板のほか光学レンズも含
む。
む。
【0009】上記セラミック基板は単層配線セラミック
基板、多層配線セラミック基板のいずれでもよい。
基板、多層配線セラミック基板のいずれでもよい。
【0010】本発明の好ましい実施形態では、上記セラ
ミック基板には他の金属ステムが、上記キャン内部のみ、
又は上記キャン内外にわたって固着される。
ミック基板には他の金属ステムが、上記キャン内部のみ、
又は上記キャン内外にわたって固着される。
【0011】上記セラミック基板は複数のセラミック基
板を組み合わせたセラミックブロックで構成され、上記
セラミックブロックの上記光素子の光軸に垂直な表面及
び平行な表面に配線が形成される。上記光素子がホトダ
イオードの場合、上記ホトダイオードは上記光軸に垂直
な表面に搭載することが望ましい。また、上記受発光素
子及び電子部品は上記セラミックブロックの表裏の二つ
の平行な面に配設し、上記配設された受発光素子及び電
子部品間を上記セラミックブロックにも受けられたスル
ーホールを介して接続される。特に、スルーホールを介
して接続は、高周波信号の伝送の場合において望まし
い。
板を組み合わせたセラミックブロックで構成され、上記
セラミックブロックの上記光素子の光軸に垂直な表面及
び平行な表面に配線が形成される。上記光素子がホトダ
イオードの場合、上記ホトダイオードは上記光軸に垂直
な表面に搭載することが望ましい。また、上記受発光素
子及び電子部品は上記セラミックブロックの表裏の二つ
の平行な面に配設し、上記配設された受発光素子及び電
子部品間を上記セラミックブロックにも受けられたスル
ーホールを介して接続される。特に、スルーホールを介
して接続は、高周波信号の伝送の場合において望まし
い。
【0012】
【発明の実施の形態】図1は本発明による光モジュール
の第一の実施例の構成を示す図である。図1の(1)は
平面図、(2)は(1)のX−X断面図、(3)は
(1)のY−Y断面図である。本実施例は発光素子であ
るレーザーダイオードを含む送信用光モジュールに関わ
る。先ず、全体構造を説明する。円盤状のキャンステム
1の基板貫通孔2を貫いて、配線13が形成されたセラ
ミック基板3が固着されている。キャンステム1の上面
及びセラミック基板3に金属ステム4が固着されてい
る。金属ステム4の光軸と平行な面上にレーザーダイオ
ードキャリア5、レーザーダイオード6、ドライバLS
I7、モニタフォトダイオード8、サーミスタ9、サー
ミスタキャリア23、バイアス端子用インダクタ10、
モニタフォトダイオードキャリア22等の発光素子及び
電子部品が装着されている。キャンステム1の上面に
は、キャンキャップ11が固着され、キャンキャップ1
1の上面中央部にはレンズ12が固着されている。
の第一の実施例の構成を示す図である。図1の(1)は
平面図、(2)は(1)のX−X断面図、(3)は
(1)のY−Y断面図である。本実施例は発光素子であ
るレーザーダイオードを含む送信用光モジュールに関わ
る。先ず、全体構造を説明する。円盤状のキャンステム
1の基板貫通孔2を貫いて、配線13が形成されたセラ
ミック基板3が固着されている。キャンステム1の上面
及びセラミック基板3に金属ステム4が固着されてい
る。金属ステム4の光軸と平行な面上にレーザーダイオ
ードキャリア5、レーザーダイオード6、ドライバLS
I7、モニタフォトダイオード8、サーミスタ9、サー
ミスタキャリア23、バイアス端子用インダクタ10、
モニタフォトダイオードキャリア22等の発光素子及び
電子部品が装着されている。キャンステム1の上面に
は、キャンキャップ11が固着され、キャンキャップ1
1の上面中央部にはレンズ12が固着されている。
【0013】上記送信用光モジュールの個々の部分につ
いて詳細に説明する。円盤状のキャンステム1はコバー
ル等の金属製ステムであり、予めセラミック基板3を貫
通させるための基板貫通孔2が形成されている。セラミ
ック基板3はアルミナ、窒化アルミ等であり、電気回路
として必要な配線及びワイヤボンディング用電極(詳細
は図示せず)やモジュール外部との接続に必要な外部電
極13が形成されている。配線形成はタングステン等の
ペーストの印刷、焼成によるが、必要に応じてスルーホ
ールを形成し、多層配線基板とする。ワイヤボンディン
グ用電極や外部電極13にはタングステン等の上にNi
/Auめっきを施す。
いて詳細に説明する。円盤状のキャンステム1はコバー
ル等の金属製ステムであり、予めセラミック基板3を貫
通させるための基板貫通孔2が形成されている。セラミ
ック基板3はアルミナ、窒化アルミ等であり、電気回路
として必要な配線及びワイヤボンディング用電極(詳細
は図示せず)やモジュール外部との接続に必要な外部電
極13が形成されている。配線形成はタングステン等の
ペーストの印刷、焼成によるが、必要に応じてスルーホ
ールを形成し、多層配線基板とする。ワイヤボンディン
グ用電極や外部電極13にはタングステン等の上にNi
/Auめっきを施す。
【0014】セラミック基板3の、基板貫通孔2に於い
て固着される部分には、その表面全周にタングステン/
Ni/Auのメタライズを形成し、基板貫通孔2に於い
て、キャンステム1と銀ロウ等を用いて固着する。この
場合、高速信号伝送配線14を伝送特性上、セラミック
基板3の表面のみで形成する必要がある場合は、図2に
示すように、セラミック基板3の高速信号伝送配線14
の基板貫通孔2に於いて固着される部分に、絶縁層15
を設け、絶縁層15の表面も含めて、基板貫通孔2に於
いて固着される部分に、その表面全周にタングステン/
Ni/Auのステム接合用メタライズ16を形成する。
本実施例では、絶縁層15にはセラミック基板3と同じ
アルミナを用いたが、これに限定するものではない。こ
のようにキャンステム1とセラミック基板3とは、銀ロ
ウ等を用いて金属接合することにより、気密性が保たれ
た接合となる。
て固着される部分には、その表面全周にタングステン/
Ni/Auのメタライズを形成し、基板貫通孔2に於い
て、キャンステム1と銀ロウ等を用いて固着する。この
場合、高速信号伝送配線14を伝送特性上、セラミック
基板3の表面のみで形成する必要がある場合は、図2に
示すように、セラミック基板3の高速信号伝送配線14
の基板貫通孔2に於いて固着される部分に、絶縁層15
を設け、絶縁層15の表面も含めて、基板貫通孔2に於
いて固着される部分に、その表面全周にタングステン/
Ni/Auのステム接合用メタライズ16を形成する。
本実施例では、絶縁層15にはセラミック基板3と同じ
アルミナを用いたが、これに限定するものではない。こ
のようにキャンステム1とセラミック基板3とは、銀ロ
ウ等を用いて金属接合することにより、気密性が保たれ
た接合となる。
【0015】ここで、セラミック基板3としてアルミナ
基板を用いた高速信号伝送配線14は、差動信号配線1
7及び18の2本から成り、お互いに正負の符号が反転
した信号を伝送させる。この差動信号方式により、信号
のエネルギーロス及び外部への不要輻射を抑制すること
ができる。差動信号配線17及び18の左右及び、間に
はグランド配線19を形成した。配線の特性インピーダ
ンスを50Ωとするために、差動信号配線17及び18
の幅を0.19mm、グランド配線19とのスペースを
0.06mm、セラミック基板3の厚さを0.5mmと
した。本実施例では、上記5本の差動信号配線17、1
8及びグランド配線19を含めて、合計22本の配線を
形成し、同数の外部電極13に導いた。本実施例よる高
速信号伝送配線及び多数の電気配線及び外部電極は、キ
ャンステム1の基板貫通孔2を貫いて固着したセラミッ
ク基板3によって実現できた。
基板を用いた高速信号伝送配線14は、差動信号配線1
7及び18の2本から成り、お互いに正負の符号が反転
した信号を伝送させる。この差動信号方式により、信号
のエネルギーロス及び外部への不要輻射を抑制すること
ができる。差動信号配線17及び18の左右及び、間に
はグランド配線19を形成した。配線の特性インピーダ
ンスを50Ωとするために、差動信号配線17及び18
の幅を0.19mm、グランド配線19とのスペースを
0.06mm、セラミック基板3の厚さを0.5mmと
した。本実施例では、上記5本の差動信号配線17、1
8及びグランド配線19を含めて、合計22本の配線を
形成し、同数の外部電極13に導いた。本実施例よる高
速信号伝送配線及び多数の電気配線及び外部電極は、キ
ャンステム1の基板貫通孔2を貫いて固着したセラミッ
ク基板3によって実現できた。
【0016】金属ステム4は銅−タングステン合金のよ
うに、熱伝導率が大きく(200W/(m・K))、且つキャン
ステム1のコバール及びセラミック基板3のアルミナも
しくは窒化アルミ等と熱膨張係数が同等(5〜7x10-6/
℃)の金属から成り、キャンステム1に銀ロウ等により
固着する。銅−タングステン合金による金属ステム4
は、後述するドライバLSI7の発熱をキャンステム1
へ効率よく伝導して逃がす作用をする。
うに、熱伝導率が大きく(200W/(m・K))、且つキャン
ステム1のコバール及びセラミック基板3のアルミナも
しくは窒化アルミ等と熱膨張係数が同等(5〜7x10-6/
℃)の金属から成り、キャンステム1に銀ロウ等により
固着する。銅−タングステン合金による金属ステム4
は、後述するドライバLSI7の発熱をキャンステム1
へ効率よく伝導して逃がす作用をする。
【0017】金属ステム4の、光軸と平行な面上にレー
ザーダイオードキャリア5を搭載する。レーザーダイオ
ードキャリア5の金属ステム4への搭載は、例えば、金
−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。レーザ
ーダイオードキャリア5は、窒化アルミ等のセラミック
基板であり、インピーダンス整合抵抗21が形成されて
いる。インピーダンス整合抵抗21は、例えば、レーザ
ーダイオードキャリア5上に形成されたニッケル−クロ
ム等の薄膜抵抗もしくは、チップ抵抗等を用いる。
ザーダイオードキャリア5を搭載する。レーザーダイオ
ードキャリア5の金属ステム4への搭載は、例えば、金
−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。レーザ
ーダイオードキャリア5は、窒化アルミ等のセラミック
基板であり、インピーダンス整合抵抗21が形成されて
いる。インピーダンス整合抵抗21は、例えば、レーザ
ーダイオードキャリア5上に形成されたニッケル−クロ
ム等の薄膜抵抗もしくは、チップ抵抗等を用いる。
【0018】レーザーダイオード6はレーザーダイオー
ドキャリア5に搭載される。レーザーダイオード6のレ
ーザーダイオードキャリア5への搭載は、例えば、金−
すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。レーザー
ダイオード6の信号光は図1の(2)に於いて、上方向
に発せられ、その発光中心は図1の(1)のキャンステ
ム1の中心に位置するように金属ステム4、レーザーダ
イオードキャリア5及び、レーザーダイオード6の位置
が決定される。インピーダンス整合抵抗21が不要の場
合は、レーザーダイオードキャリア5を用いないで、レ
ーザーダイオード6を直接金属ステム4に搭載しても良
い。
ドキャリア5に搭載される。レーザーダイオード6のレ
ーザーダイオードキャリア5への搭載は、例えば、金−
すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。レーザー
ダイオード6の信号光は図1の(2)に於いて、上方向
に発せられ、その発光中心は図1の(1)のキャンステ
ム1の中心に位置するように金属ステム4、レーザーダ
イオードキャリア5及び、レーザーダイオード6の位置
が決定される。インピーダンス整合抵抗21が不要の場
合は、レーザーダイオードキャリア5を用いないで、レ
ーザーダイオード6を直接金属ステム4に搭載しても良
い。
【0019】レーザーダイオード6を駆動するドライバ
LSI7は、レーザーダイオードキャリア5のできるだ
け近くの金属ステム4上に配置する。ドライバLSI7
の金属ステム4への搭載は、例えば、金−すず、すず−
銀等によるはんだ付けもしくは、銀エポキシ系等の接着
剤固定によって行う。本実施例では、ドライバLSI7
の端子数は17本であり、前述のようにセラミック基板
3をキャンステム1に貫通させる構造を採用する事によ
って、ドライバLSI7をレーザーダイオード6の近く
に設置して、且つ17本の配線をキャン外部に取り出す
ことができた。
LSI7は、レーザーダイオードキャリア5のできるだ
け近くの金属ステム4上に配置する。ドライバLSI7
の金属ステム4への搭載は、例えば、金−すず、すず−
銀等によるはんだ付けもしくは、銀エポキシ系等の接着
剤固定によって行う。本実施例では、ドライバLSI7
の端子数は17本であり、前述のようにセラミック基板
3をキャンステム1に貫通させる構造を採用する事によ
って、ドライバLSI7をレーザーダイオード6の近く
に設置して、且つ17本の配線をキャン外部に取り出す
ことができた。
【0020】モニタフォトダイオード8は、予めモニタ
フォトダイオードキャリア22に搭載され、その受光面
がレーザーダイオード6の後方発光を受光できる位置に
配置される。モニタフォトダイオード8のモニタフォト
ダイオードキャリア22への搭載及び、モニタフォトダ
イオードキャリア22の金属ステム4への搭載は、例え
ば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。
モニタフォトダイオードキャリア22には、モニタフォ
トダイオード8搭載面及び、セラミック基板3表面と平
行な面に配線が形成されている。
フォトダイオードキャリア22に搭載され、その受光面
がレーザーダイオード6の後方発光を受光できる位置に
配置される。モニタフォトダイオード8のモニタフォト
ダイオードキャリア22への搭載及び、モニタフォトダ
イオードキャリア22の金属ステム4への搭載は、例え
ば、金−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。
モニタフォトダイオードキャリア22には、モニタフォ
トダイオード8搭載面及び、セラミック基板3表面と平
行な面に配線が形成されている。
【0021】レーザーダイオード6の温度をモニターす
るサーミスタ9は、金属ステム4との電気絶縁をとるた
めに窒化アルミ等のサーミスタキャリア23に搭載し、
サーミスタキャリア23をレーザーダイオード6近傍の
金属ステム4上に配置する。サーミスタ9のサーミスタ
キャリア23への搭載及び、サーミスタキャリア23の
金属ステム4への搭載は、例えば、金−すず、すず−銀
等のはんだ付けによって行う。サーミスタ9は、レーザ
ーダイオードキャリア5に搭載しても良い。更に本実施
例では、レーザーダイオード6のバイアス電位を与える
ための端子に、レーザーダイオード6の高周波駆動信号
がバイアス端子から外部に漏れ出すことを防ぐためのイ
ンダクタ10を、セラミック基板3上に搭載した。イン
ダクタ10のセラミック基板3への搭載は、例えば、金
−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。上記し
た各部品は、ワイヤボンディングやリボンボンディング
により、電気的に接続される。
るサーミスタ9は、金属ステム4との電気絶縁をとるた
めに窒化アルミ等のサーミスタキャリア23に搭載し、
サーミスタキャリア23をレーザーダイオード6近傍の
金属ステム4上に配置する。サーミスタ9のサーミスタ
キャリア23への搭載及び、サーミスタキャリア23の
金属ステム4への搭載は、例えば、金−すず、すず−銀
等のはんだ付けによって行う。サーミスタ9は、レーザ
ーダイオードキャリア5に搭載しても良い。更に本実施
例では、レーザーダイオード6のバイアス電位を与える
ための端子に、レーザーダイオード6の高周波駆動信号
がバイアス端子から外部に漏れ出すことを防ぐためのイ
ンダクタ10を、セラミック基板3上に搭載した。イン
ダクタ10のセラミック基板3への搭載は、例えば、金
−すず、すず−銀等のはんだ付けによって行う。上記し
た各部品は、ワイヤボンディングやリボンボンディング
により、電気的に接続される。
【0022】一方、円筒形状のキャンキャップ11は、
キャンステム1と同じ材料で成形され、キャンキャップ
11の上面中央部は開口されて、レンズ12がガラス封
着される。本実形態ではレンズ12として、レーザーダ
イオード6からのレーザー光と、これを受ける光ファイ
バ(図示せず)との光結合効率を高く取る目的で、球面
収差の少ない非球面レンズを用いたが、レーザー光パワ
ーが十分に大きい場合はより低価格のボールレンズを用
いても良い。キャンキャップ11は、レーザーダイオー
ド6の発光中心とレンズ12の中心が一致するように、
キャンステム1に取り付ける。その方法は、例えばキャ
ンキャップ11をキャンステム1に重ねた状態で、レー
ザーダイオード6を発光させ、レンズ12からのレーザ
ー光パワーを測定しながら、キャンステム1上でのキャ
ンキャップ11の最適位置を求め、キャンキャップ11
とキャンステム1とを抵抗溶接法でリング状に溶接す
る。また、レンズをキャンモジュールの外部に取り付け
るような構成を用いる場合は、キャンキャップ11の上
面中央部開口にはガラス板(図示せず)を取り付けても
良い。この場合、要求信頼度によっては必ずしも気密封
止に限定せず、接着剤などを用いた非気密性の封止であ
っても良い。
キャンステム1と同じ材料で成形され、キャンキャップ
11の上面中央部は開口されて、レンズ12がガラス封
着される。本実形態ではレンズ12として、レーザーダ
イオード6からのレーザー光と、これを受ける光ファイ
バ(図示せず)との光結合効率を高く取る目的で、球面
収差の少ない非球面レンズを用いたが、レーザー光パワ
ーが十分に大きい場合はより低価格のボールレンズを用
いても良い。キャンキャップ11は、レーザーダイオー
ド6の発光中心とレンズ12の中心が一致するように、
キャンステム1に取り付ける。その方法は、例えばキャ
ンキャップ11をキャンステム1に重ねた状態で、レー
ザーダイオード6を発光させ、レンズ12からのレーザ
ー光パワーを測定しながら、キャンステム1上でのキャ
ンキャップ11の最適位置を求め、キャンキャップ11
とキャンステム1とを抵抗溶接法でリング状に溶接す
る。また、レンズをキャンモジュールの外部に取り付け
るような構成を用いる場合は、キャンキャップ11の上
面中央部開口にはガラス板(図示せず)を取り付けても
良い。この場合、要求信頼度によっては必ずしも気密封
止に限定せず、接着剤などを用いた非気密性の封止であ
っても良い。
【0023】図3は、本発明による光モジュールの第二
の実施形態の構成を示す図である。図3の(1)は平面
図、(2)は(1)のX−X断面図、(3)は(1)の
Y−Y断面図である。本実施例はフォトダイオードを含
む受信用モジュールである。本実施形態では、フォトダ
イオードの機能を果たす素子として、フォトダイオード
及びプリアンプを一体化したOEIC(Opto−Erectron
ic IC)を用たものである。
の実施形態の構成を示す図である。図3の(1)は平面
図、(2)は(1)のX−X断面図、(3)は(1)の
Y−Y断面図である。本実施例はフォトダイオードを含
む受信用モジュールである。本実施形態では、フォトダ
イオードの機能を果たす素子として、フォトダイオード
及びプリアンプを一体化したOEIC(Opto−Erectron
ic IC)を用たものである。
【0024】先ず、受信用モジュールの全体構造を説明
する。円盤状のキャンステム1のセラミックブロック貫
通孔35を貫いて、配線が形成されたセラミックブロッ
ク31が固着されている。セラミックブロック31の光
軸と垂直あるいは斜めに交わるOEIC搭載面32上に
OEIC33が搭載されている。OEIC搭載面32上
には、OEIC33の近傍に、OEIC33の電源電圧
を安定化させるためのコンデンサ34が配置されてい
る。キャンステム1の上面には、キャンキャップ11を
固着する。キャンキャップ11の上面中央部にはレンズ
12が固着されている。
する。円盤状のキャンステム1のセラミックブロック貫
通孔35を貫いて、配線が形成されたセラミックブロッ
ク31が固着されている。セラミックブロック31の光
軸と垂直あるいは斜めに交わるOEIC搭載面32上に
OEIC33が搭載されている。OEIC搭載面32上
には、OEIC33の近傍に、OEIC33の電源電圧
を安定化させるためのコンデンサ34が配置されてい
る。キャンステム1の上面には、キャンキャップ11を
固着する。キャンキャップ11の上面中央部にはレンズ
12が固着されている。
【0025】上記受信用モジュールの個々の部分につい
て詳細に説明する。円盤状のキャンステム1はコバール
等の金属製ステムであり、予めセラミックブロック31
を貫通させるためのセラミックブロック貫通孔35が形
成されている。セラミックブロック31はアルミナ、窒
化アルミ等であり、電気回路として必要な配線及びワイ
ヤボンディング用電極やモジュール外部との接続に必要
な外部電極13が形成してある。配線形成はタングステ
ン等のペーストの印刷、焼成によって形成し、フォトダ
イオード搭載面32上の配線と外部電極形成面36上の
配線とは、上記両面の交わる線の部分において接続され
ている。即ちセラミックブロック31の配線は、セラミ
ックブロック31の外表面のみに形成する。
て詳細に説明する。円盤状のキャンステム1はコバール
等の金属製ステムであり、予めセラミックブロック31
を貫通させるためのセラミックブロック貫通孔35が形
成されている。セラミックブロック31はアルミナ、窒
化アルミ等であり、電気回路として必要な配線及びワイ
ヤボンディング用電極やモジュール外部との接続に必要
な外部電極13が形成してある。配線形成はタングステ
ン等のペーストの印刷、焼成によって形成し、フォトダ
イオード搭載面32上の配線と外部電極形成面36上の
配線とは、上記両面の交わる線の部分において接続され
ている。即ちセラミックブロック31の配線は、セラミ
ックブロック31の外表面のみに形成する。
【0026】ワイヤボンディング用電極や外部電極13
にはタングステン等の上にNi/Auめっきを施す。セ
ラミックブロック31がブロック貫通孔35に於いて固
着される部分には、図4に示すように、絶縁層15を設
け、絶縁層15の表面も含めて、ブロック貫通孔35に
於いて固着される部分に、その表面全周にタングステン
/Ni/Auのステム接合用メタライズ16を形成し、
キャンステム1と銀ロウ等を用いて固着する。
にはタングステン等の上にNi/Auめっきを施す。セ
ラミックブロック31がブロック貫通孔35に於いて固
着される部分には、図4に示すように、絶縁層15を設
け、絶縁層15の表面も含めて、ブロック貫通孔35に
於いて固着される部分に、その表面全周にタングステン
/Ni/Auのステム接合用メタライズ16を形成し、
キャンステム1と銀ロウ等を用いて固着する。
【0027】本実施形態では、絶縁層15にはセラミッ
ク基板3と同じアルミナを用いているが、これに限定さ
れない。このようにキャンステム1とセラミックブロッ
ク31とは、金属接合することにより、気密性が保たれ
た接合となる。ここで、セラミックブロック31として
アルミナ基板を用い、高速信号伝送配線14を以下のよ
うに構成した。信号配線は差動信号配線17及び18の
2本から成り、お互いに正負の符号が反転した信号を伝
送させる。差動信号配線17及び18の左右及び、間に
はグランド配線19が形成されている。本実施形態の実
施例では、配線の特性インピーダンスを50Ωとするた
めに、差動信号配線17及び18の幅を0.19mm、
グランド配線19とのスペースを0.06mmとした。
本実施例よる高速信号伝送配線設計はキャンステム1の
ブロック貫通孔35を貫いて固着したセラミックブロッ
ク31によって、この差動信号方式により、信号のエネ
ルギーロス及び外部への不要輻射を抑制することができ
た。
ク基板3と同じアルミナを用いているが、これに限定さ
れない。このようにキャンステム1とセラミックブロッ
ク31とは、金属接合することにより、気密性が保たれ
た接合となる。ここで、セラミックブロック31として
アルミナ基板を用い、高速信号伝送配線14を以下のよ
うに構成した。信号配線は差動信号配線17及び18の
2本から成り、お互いに正負の符号が反転した信号を伝
送させる。差動信号配線17及び18の左右及び、間に
はグランド配線19が形成されている。本実施形態の実
施例では、配線の特性インピーダンスを50Ωとするた
めに、差動信号配線17及び18の幅を0.19mm、
グランド配線19とのスペースを0.06mmとした。
本実施例よる高速信号伝送配線設計はキャンステム1の
ブロック貫通孔35を貫いて固着したセラミックブロッ
ク31によって、この差動信号方式により、信号のエネ
ルギーロス及び外部への不要輻射を抑制することができ
た。
【0028】セラミックブロック31の、光軸と垂直な
OEIC搭載面32上にOEIC33を搭載する。OE
IC33のOEIC搭載面32への搭載は、例えば、金
−すず、すず−銀等のはんだ付けもしくは、銀エポキシ
系等の接着剤固定によって行う。OEIC33に内蔵さ
れているフォトダイオード37の受光面の中心が図3の
(1)のキャンステム1の中心に位置するように、セラ
ミックブロック31及び、OEIC33の位置が決定さ
れる。OEIC搭載面32上には、OEIC33の近傍
に、OEIC33の電源電圧を安定化させるためのコン
デンサ34を配置する。本実施例では、フォトダイオー
ド及びプリアンプを一体化したOEIC33及び、特性
インピーダンスを50Ωに整合させた差動信号配線を用
いて、低ノイズで高速な信号伝送を得ている。配線本数
は7本であり、多数本で高速の配線は、前述のようにセ
ラミックブロック31をキャンステム1に貫通させる構
造を採用する事によってキャン外部に取り出すことがで
きる。OEIC33はワイヤボンディングやリボンボン
ディングにより、配線に接続される。
OEIC搭載面32上にOEIC33を搭載する。OE
IC33のOEIC搭載面32への搭載は、例えば、金
−すず、すず−銀等のはんだ付けもしくは、銀エポキシ
系等の接着剤固定によって行う。OEIC33に内蔵さ
れているフォトダイオード37の受光面の中心が図3の
(1)のキャンステム1の中心に位置するように、セラ
ミックブロック31及び、OEIC33の位置が決定さ
れる。OEIC搭載面32上には、OEIC33の近傍
に、OEIC33の電源電圧を安定化させるためのコン
デンサ34を配置する。本実施例では、フォトダイオー
ド及びプリアンプを一体化したOEIC33及び、特性
インピーダンスを50Ωに整合させた差動信号配線を用
いて、低ノイズで高速な信号伝送を得ている。配線本数
は7本であり、多数本で高速の配線は、前述のようにセ
ラミックブロック31をキャンステム1に貫通させる構
造を採用する事によってキャン外部に取り出すことがで
きる。OEIC33はワイヤボンディングやリボンボン
ディングにより、配線に接続される。
【0029】一方、円筒形状のキャンキャップ11は、
コバール等のキャンステム1と同じ材料で成形されたも
のであり、その上面中央部は開口されて、レンズ12が
ガラス封着される。本実施例では、レンズ12として低
価格なボールレンズを用いたが、必要とする性能に応じ
てより高性能な非球面レンズ等を用いても良い。キャン
キャップ11は、OEIC33に内蔵されているフォト
ダイオード37の受光面の中心とレンズ12の中心が一
致するように、キャンステム1に取り付ける。その方法
は、例えばキャンキャップ11をキャンステム1に重ね
た状態で、外部からレーザー光をレンズ12を介してフ
ォトダイオード37に導き、フォトダイオード37の受
光パワーを測定しながら、キャンステム1上でのキャン
キャップ11の最適位置を求め、キャンキャップ11と
キャンステム1とを抵抗溶接法でリング状に溶接する。
また、レンズをキャンモジュールの外部に取り付けるよ
うな構成を用いる場合は、キャンキャップ11の上面中
央部開口にはガラス板(図示せず)を取り付けても良
い。この時、要求信頼度によっては必ずしも気密封止に
限定せず、接着剤などを用いた非気密性の封止であって
も良い。
コバール等のキャンステム1と同じ材料で成形されたも
のであり、その上面中央部は開口されて、レンズ12が
ガラス封着される。本実施例では、レンズ12として低
価格なボールレンズを用いたが、必要とする性能に応じ
てより高性能な非球面レンズ等を用いても良い。キャン
キャップ11は、OEIC33に内蔵されているフォト
ダイオード37の受光面の中心とレンズ12の中心が一
致するように、キャンステム1に取り付ける。その方法
は、例えばキャンキャップ11をキャンステム1に重ね
た状態で、外部からレーザー光をレンズ12を介してフ
ォトダイオード37に導き、フォトダイオード37の受
光パワーを測定しながら、キャンステム1上でのキャン
キャップ11の最適位置を求め、キャンキャップ11と
キャンステム1とを抵抗溶接法でリング状に溶接する。
また、レンズをキャンモジュールの外部に取り付けるよ
うな構成を用いる場合は、キャンキャップ11の上面中
央部開口にはガラス板(図示せず)を取り付けても良
い。この時、要求信頼度によっては必ずしも気密封止に
限定せず、接着剤などを用いた非気密性の封止であって
も良い。
【0030】図5は本発明による光モジュールの第三の
実施形態の構成を示す側断面図である。本実施形態の光
モジュールの平面図、X−X断面図は、各々図1の
(1)、(2)と同様である。すなわち、第三の実施形
態は第一の実施形態とY−Y断面図のみ異なり、金属ス
テム4がキャンステム1を貫通してキャン外部に伸びて
いる点を除いては第一の実施形態と同じである。図1に
示した実施形態の構成要素と同じ部分には図1と同じ番
号を付して説明を省く。金属ステム4は熱伝導率が大き
いため、4金属ステムのキャン外部に伸びた部分と、キ
ャン形の光モジュール全体を実装するパッケージの放熱
フィン(図示せず)を、直接もしくは熱伝導率の大きい
アルミ等の金属のブロック(図示せず)を介して接続す
ることによって、更に効率的に放熱する。
実施形態の構成を示す側断面図である。本実施形態の光
モジュールの平面図、X−X断面図は、各々図1の
(1)、(2)と同様である。すなわち、第三の実施形
態は第一の実施形態とY−Y断面図のみ異なり、金属ス
テム4がキャンステム1を貫通してキャン外部に伸びて
いる点を除いては第一の実施形態と同じである。図1に
示した実施形態の構成要素と同じ部分には図1と同じ番
号を付して説明を省く。金属ステム4は熱伝導率が大き
いため、4金属ステムのキャン外部に伸びた部分と、キ
ャン形の光モジュール全体を実装するパッケージの放熱
フィン(図示せず)を、直接もしくは熱伝導率の大きい
アルミ等の金属のブロック(図示せず)を介して接続す
ることによって、更に効率的に放熱する。
【0031】図6は本発明による光モジュールの第四の
実施形態の構成を示す図である。図6の(1)は平面
図、(2)は(1)のA方向からみた図、(3)は
(1)のB方向からにた図である。本実施形態はレーザ
ーダイオードを含む送信用光モジュールである。ドライ
バLSI7とレーザーダイオードキャリア5、レーザー
ダイオード6、モニタフォトダイオード8、モニタフォ
トダイオードキャリア22等は、セラミック基板3の表
裏の面に配置される。これらの部品のセラミック基板3
等への搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等によるは
んだ付けもしくは、銀エポキシ系等の接着剤固定によっ
て行う。受発光素子及び電子部品をセラミック基板3の
両面に配置することによって、これらを片面のみに配置
する場合に比べ、セラミック基板3を小形化できる。そ
のためキャンステム1も小径化できる。ドライバLSI
7とレーザーダイオード6の電気接続は、例えば、セラ
ミック基板3に設けたスルーホールを介して行う。スル
ーホールを介して接続することによって、ドライバLS
I7とレーザーダイオード6の距離を近づけることがで
き、インダクタンスを低減し、必要な周波数帯域のイン
ピーダンス整合をとることができる。伝送特性を確保す
るために、必要に応じて、高周波信号を伝達するスルー
ホールの周辺にグランドのスルーホールを配置し、信号
のエネルギーロス及び外部への不要輻射を抑制しても良
い。
実施形態の構成を示す図である。図6の(1)は平面
図、(2)は(1)のA方向からみた図、(3)は
(1)のB方向からにた図である。本実施形態はレーザ
ーダイオードを含む送信用光モジュールである。ドライ
バLSI7とレーザーダイオードキャリア5、レーザー
ダイオード6、モニタフォトダイオード8、モニタフォ
トダイオードキャリア22等は、セラミック基板3の表
裏の面に配置される。これらの部品のセラミック基板3
等への搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等によるは
んだ付けもしくは、銀エポキシ系等の接着剤固定によっ
て行う。受発光素子及び電子部品をセラミック基板3の
両面に配置することによって、これらを片面のみに配置
する場合に比べ、セラミック基板3を小形化できる。そ
のためキャンステム1も小径化できる。ドライバLSI
7とレーザーダイオード6の電気接続は、例えば、セラ
ミック基板3に設けたスルーホールを介して行う。スル
ーホールを介して接続することによって、ドライバLS
I7とレーザーダイオード6の距離を近づけることがで
き、インダクタンスを低減し、必要な周波数帯域のイン
ピーダンス整合をとることができる。伝送特性を確保す
るために、必要に応じて、高周波信号を伝達するスルー
ホールの周辺にグランドのスルーホールを配置し、信号
のエネルギーロス及び外部への不要輻射を抑制しても良
い。
【0032】図7は本発明による光モジュールの第五の
実施形態の構成を示す図である。図7の(1)は平面
図、(2)は(1)のA方向からみた図、(3)は
(1)のB方向からにた図である。本実施形態はレーザ
ーダイオードを含む送信用光モジュールである。ドライ
バLSI7は、金属ステム4上に配置される。ただし、
放熱の条件を満足する場合は、セラミック基板3上に配
置しても良い。一方、レーザーダイオードキャリア5、
モニタフォトダイオードキャリア22等は、ドライバL
SI7を配置した金属ステム4の面と直交した金属ステ
ム4上に配置される。これらの部品の金属ステム4等へ
の搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等によるはんだ
付けもしくは、銀エポキシ系等の接着剤固定によって行
う。ドライバLSI7とレーザーダイオード6の電気接
続は、中継基板24上のメタライズパターンとレーザー
ダイオードキャリア5の側面メタライズパターンをワイ
ヤボンディングもしくはリボンボンディングすることで
行う。なお、絶縁層15、外部電極13、作動信号配線
17、18、グランド配線19、絶縁層15等の構成は
他の実施形態と同じであるので説明を省く。
実施形態の構成を示す図である。図7の(1)は平面
図、(2)は(1)のA方向からみた図、(3)は
(1)のB方向からにた図である。本実施形態はレーザ
ーダイオードを含む送信用光モジュールである。ドライ
バLSI7は、金属ステム4上に配置される。ただし、
放熱の条件を満足する場合は、セラミック基板3上に配
置しても良い。一方、レーザーダイオードキャリア5、
モニタフォトダイオードキャリア22等は、ドライバL
SI7を配置した金属ステム4の面と直交した金属ステ
ム4上に配置される。これらの部品の金属ステム4等へ
の搭載は、例えば、金−すず、すず−銀等によるはんだ
付けもしくは、銀エポキシ系等の接着剤固定によって行
う。ドライバLSI7とレーザーダイオード6の電気接
続は、中継基板24上のメタライズパターンとレーザー
ダイオードキャリア5の側面メタライズパターンをワイ
ヤボンディングもしくはリボンボンディングすることで
行う。なお、絶縁層15、外部電極13、作動信号配線
17、18、グランド配線19、絶縁層15等の構成は
他の実施形態と同じであるので説明を省く。
【0033】上述のように配置することによって、前記
光素子及び電子部品をセラミック基板3の片面のみに配
置する場合に比べ、セラミック基板3を小形化できる。
そのためキャンステム1も小径化できる。本発明は上記
実施形態に限定されるモノでなく、更に他の光素子、電
子回路部品をキャン内に装着してもよい。
光素子及び電子部品をセラミック基板3の片面のみに配
置する場合に比べ、セラミック基板3を小形化できる。
そのためキャンステム1も小径化できる。本発明は上記
実施形態に限定されるモノでなく、更に他の光素子、電
子回路部品をキャン内に装着してもよい。
【0034】
【発明の効果】本発明の光モジュールでは、キャンパッ
ケージのステムにセラミック基板を貫通させ、このセラ
ミック基板に高速信号配線を含む所望の本数の配線を形
成できるので、キャンパッケージ内にドライバLSIや
増幅IC等、受発光素子以外の必要な部品も受発光素子
の極く近傍に搭載することができ、低ノイズで高速の信
号伝送ができる。
ケージのステムにセラミック基板を貫通させ、このセラ
ミック基板に高速信号配線を含む所望の本数の配線を形
成できるので、キャンパッケージ内にドライバLSIや
増幅IC等、受発光素子以外の必要な部品も受発光素子
の極く近傍に搭載することができ、低ノイズで高速の信
号伝送ができる。
【図1】本発明による光モジュールの第一の実施形態の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図2】図1のセラミック基板部3の形態を示す図であ
る。
る。
【図3】本発明による光モジュールの第二の実施形態の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図4】図3のセラミック基板部3の形態を示す図であ
る。
る。
【図5】本発明による光モジュールの第三の実施形態の
構成を示す側断面図である。
構成を示す側断面図である。
【図6】本発明による光モジュールの第四の実施形態の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図7】本発明による光モジュールの第五の実施形態の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図8】従来の光モジュールの構成を示す側断面図であ
る。
る。
1…キャンステム、2…基板貫通孔、3…セラミック基
板、4…金属ステム、5…レーザーダイオードキャリ
ア、6…レーザーダイオード、7…ドライバLSI、8
…モニタフォトダイオード8、9…サーミスタ、10…
インダクタ、11…キャンキャップ、12…レンズ、1
3…外部電極、14…高速信号伝送配線、15…絶縁
層、16…ステム接合用メタライズ16、17…差動信
号配線、18…差動信号配線、19…グランド配線、2
1…インピーダンス整合抵抗、22…モニタフォトダイ
オードキャリア、23…サーミスタキャリア、24…中
継基板、31…セラミックブロック、32…OEIC搭
載面、33…OEIC、34…コンデンサ、35…セラ
ミックブロック貫通孔、36…外部電極形成面、60…
ステム、61…受発光素子、62…リードピン、63…
リードピン、64…ガラス、65…ステム穴、66…キ
ャップ、67…レンズ、68…スリーブ。
板、4…金属ステム、5…レーザーダイオードキャリ
ア、6…レーザーダイオード、7…ドライバLSI、8
…モニタフォトダイオード8、9…サーミスタ、10…
インダクタ、11…キャンキャップ、12…レンズ、1
3…外部電極、14…高速信号伝送配線、15…絶縁
層、16…ステム接合用メタライズ16、17…差動信
号配線、18…差動信号配線、19…グランド配線、2
1…インピーダンス整合抵抗、22…モニタフォトダイ
オードキャリア、23…サーミスタキャリア、24…中
継基板、31…セラミックブロック、32…OEIC搭
載面、33…OEIC、34…コンデンサ、35…セラ
ミックブロック貫通孔、36…外部電極形成面、60…
ステム、61…受発光素子、62…リードピン、63…
リードピン、64…ガラス、65…ステム穴、66…キ
ャップ、67…レンズ、68…スリーブ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 黒口 克己
神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 日
本オプネクスト株式会社内
(72)発明者 吉田 亨
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 古市 浩朗
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 川本 和民
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 吉田 勇
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
Fターム(参考) 5F073 AB15 AB27 BA02 EA14 EA27
FA02 FA06 FA15 FA22 FA27
FA29
5F088 AA01 BA02 BA03 BA15 BA16
BB01 EA07 EA09 EA16 GA02
JA03 JA07 JA10 JA12
Claims (6)
- 【請求項1】配線を施したセラミック基板を第1のステ
ムに貫通させて固着し、光透過性窓付きのキャンキャッ
プを光素子又は光素子及び電子部品をキャン内に内包す
るように前記第1のステムに取り付けて、前記配線の一
部は前記キャン内外に連続して形成して構成されたこと
を特徴とする光モジュール。 - 【請求項2】前記第1のステム上に第2の金属ステムが
前記キャン内で固着され、前記発光素子及び電子部品の
少なくとも一部が前記第2の金属ステムに搭載されたこ
とを特徴とする請求項1記載の光モジュール。 - 【請求項3】配線を施したセラミック基板と金属ステム
とを第1のステムに貫通させて固着し、光透過性窓付き
のキャンキャップを光素子又は光素子及び電子部品をキ
ャン内に内包するように前記第1のステムに取り付け
て、前記配線の一部は前記キャン内外に連続して形成し
て構成されたことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項4】前記セラミック基板が多層配線セラミック
基板であることを特徴とする請求項1、2、又は3に記
載の光モジュール。 - 【請求項5】前記セラミック基板が、前記光素子の光軸
に垂直な表面と、平行な表面に配線を施したセラミック
ブロックであることを特徴とする請求項1、2、3又は
4に記載の光モジュール。 - 【請求項6】前記セラミック基板に前記受発光素子の電
極及び電子部品を電気的に接続するために、少なくとも
一つ以上のスルーホールが設けられたことを特徴とする
請求項5に記載の光モジュール。
Priority Applications (2)
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