JPS60149136A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60149136A JPS60149136A JP593084A JP593084A JPS60149136A JP S60149136 A JPS60149136 A JP S60149136A JP 593084 A JP593084 A JP 593084A JP 593084 A JP593084 A JP 593084A JP S60149136 A JPS60149136 A JP S60149136A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関する、集積回路等の
半導体装置を製造する時、半導体表面上にリン(ト)ド
ープされた多結晶シリコン層を形成することがある。
パ 従来、Pドープされた多結晶シリコン層を形成してこの
Pドープされた多結晶シリコン層にパターンを施すには
次のような工程を必要とした。
半導体装置を製造する時、半導体表面上にリン(ト)ド
ープされた多結晶シリコン層を形成することがある。
パ 従来、Pドープされた多結晶シリコン層を形成してこの
Pドープされた多結晶シリコン層にパターンを施すには
次のような工程を必要とした。
第1図で説明すると先ずSi半導体基板1上に形成した
酸化膜2上にPドープされた多結晶シリコン層3を形成
する。次にPドープされた多結晶シリコン層3上にホト
レジスト4を形成し、このホトレジスト4をある所望す
る型に加工する。
酸化膜2上にPドープされた多結晶シリコン層3を形成
する。次にPドープされた多結晶シリコン層3上にホト
レジスト4を形成し、このホトレジスト4をある所望す
る型に加工する。
このようにパターニングされたホトレジスト4をマスク
として、例えば塩素系のガスを用いた反応性イオンエツ
チング捷たは平行平板プラズマエツチングにより前記P
ドープされた多結晶シリコン層3をエツチングしPドー
プされた多結晶シリコン層3を所望するパターンに加工
し、マスクとして使用したホトレジスト4を除去する。
として、例えば塩素系のガスを用いた反応性イオンエツ
チング捷たは平行平板プラズマエツチングにより前記P
ドープされた多結晶シリコン層3をエツチングしPドー
プされた多結晶シリコン層3を所望するパターンに加工
し、マスクとして使用したホトレジスト4を除去する。
しかしながらSi半導体基板上に形成した酸化膜2上の
Pドープされた多結晶シリコン層3をホトレジスト4等
をマスクとして塩素系のガスを用いた反応性イオンエツ
チングまたは平行平板プラズマエツチングによりエツチ
ング加工する際に次のような問題がある。
Pドープされた多結晶シリコン層3をホトレジスト4等
をマスクとして塩素系のガスを用いた反応性イオンエツ
チングまたは平行平板プラズマエツチングによりエツチ
ング加工する際に次のような問題がある。
それはエツチングされたPドープ多結晶シリコン層3の
断面形状が逆テーパーになることおよび酸化膜2とPド
ーグされた多結晶シリコン層3との界面のPドープされ
た多結晶シリコン層S部分にくびれが生じることである
。上述の現象は、“Reactive Ion 引ch
ing of dopped Po1y8i”堀池他、
Proceeding of Symposium
on DryProcess 1981に於ける報告と
ほぼ一致する。
断面形状が逆テーパーになることおよび酸化膜2とPド
ーグされた多結晶シリコン層3との界面のPドープされ
た多結晶シリコン層S部分にくびれが生じることである
。上述の現象は、“Reactive Ion 引ch
ing of dopped Po1y8i”堀池他、
Proceeding of Symposium
on DryProcess 1981に於ける報告と
ほぼ一致する。
前述したPドープされた多結晶シリコン層3のくびれは
、エツチングの加工精度および半導体装置の電気的特性
を低下させる。
、エツチングの加工精度および半導体装置の電気的特性
を低下させる。
従って半導体装置の製造に於て歩留に悪い影響を与える
。
。
従って本発明の目的は上記逆テーパーおよびくびれが発
生しない、半導体装置製造方法を提供することにある。
生しない、半導体装置製造方法を提供することにある。
本発明者は上記目的のために、多結晶シリコン層のエツ
チングされない部分にのみ所望するパターンで選択的に
リンを鶏拡%l−次に前記多結晶シリコン層をホトレジ
ストでおおいPドープされていない多結晶シリコン層の
みが露出するようなパターニング方法を用いた。
チングされない部分にのみ所望するパターンで選択的に
リンを鶏拡%l−次に前記多結晶シリコン層をホトレジ
ストでおおいPドープされていない多結晶シリコン層の
みが露出するようなパターニング方法を用いた。
塩素系ガスを用いた反応性イオンエツチングまたは平行
平板プラズマエツチングにょるPドープされた多結晶シ
リコン層のエツチングに於て、前記くびれが生じること
およびエツチング後のPドープされた多結晶シリコン層
の断面形状が逆チーハーニすることは前述したが、この
くびれおよび断面形状の逆テーパーは、Pドープされズ
いない多結晶シリコン層をエツチングする場合には発生
しない。
平板プラズマエツチングにょるPドープされた多結晶シ
リコン層のエツチングに於て、前記くびれが生じること
およびエツチング後のPドープされた多結晶シリコン層
の断面形状が逆チーハーニすることは前述したが、この
くびれおよび断面形状の逆テーパーは、Pドープされズ
いない多結晶シリコン層をエツチングする場合には発生
しない。
以下この発明による代表的一実施例を説明する。
第2図(a)において半導体11例えばN型シリコンウ
ェハーの表面上に絶縁物層として酸化膜12を形成した
後K、多結晶シリコン層5を形成する。
ェハーの表面上に絶縁物層として酸化膜12を形成した
後K、多結晶シリコン層5を形成する。
次に第2図(b)において多結晶シリコン層5上に窒化
膜15をCVD法により形成する。この時の窒化膜の膜
厚は、後で多結晶シリコン層にリンを選択的に熱拡散す
る際に、熱拡散のマスクとなる厚さ例えば約5000人
である。 ′ 次に第2図(C)において窒化膜15を選択的に1ある
型」にパターニングされたホトレジスト14例えば0F
PR−800(東京応化社の製品名)をマスクとして、
窒化膜15を異方性エツチングによシ、所望するパター
ンに加工する。この時の異方性エツチングは例えばCF
4にH2を添加したガスをエツチングガスとして使用す
る反応性イオンエツチング装置例えば高周波として13
.56 MHzを使用した反応性イオンエツチング装置
によシ行なう。この際のエツチング条件は例えばCF4
流量が30cc/fnin。
膜15をCVD法により形成する。この時の窒化膜の膜
厚は、後で多結晶シリコン層にリンを選択的に熱拡散す
る際に、熱拡散のマスクとなる厚さ例えば約5000人
である。 ′ 次に第2図(C)において窒化膜15を選択的に1ある
型」にパターニングされたホトレジスト14例えば0F
PR−800(東京応化社の製品名)をマスクとして、
窒化膜15を異方性エツチングによシ、所望するパター
ンに加工する。この時の異方性エツチングは例えばCF
4にH2を添加したガスをエツチングガスとして使用す
る反応性イオンエツチング装置例えば高周波として13
.56 MHzを使用した反応性イオンエツチング装置
によシ行なう。この際のエツチング条件は例えばCF4
流量が30cc/fnin。
H2流1kが20cc/min、エツチング中の反応室
内の圧力が5. OPa、 R,F、POWERが35
0Wテ#る。
内の圧力が5. OPa、 R,F、POWERが35
0Wテ#る。
なお上記「ある型」は、後で多結晶シリコン層5をパタ
ーニング加工する時に用いるマスクの型を反転したパタ
ーンである。ただし「ある型」のパターン幅は多結晶シ
リコン層5を加工する時に用いるマスクのパターン幅よ
り小さい。
ーニング加工する時に用いるマスクの型を反転したパタ
ーンである。ただし「ある型」のパターン幅は多結晶シ
リコン層5を加工する時に用いるマスクのパターン幅よ
り小さい。
次にホトレジスト14を除去し、窒化膜15をマスクに
多結晶シリコン5ヘリンを熱拡散する。(第2図(d)
)。この時の多結晶シリコン5へのリンの熱拡散は例え
ばPOCl、液体中にN2を送りキャリヤガスとして用
い、920℃20分の条件で行なう。
多結晶シリコン5ヘリンを熱拡散する。(第2図(d)
)。この時の多結晶シリコン5へのリンの熱拡散は例え
ばPOCl、液体中にN2を送りキャリヤガスとして用
い、920℃20分の条件で行なう。
次に第2図(e)のように多結晶シリコン5ヘリンを熱
拡散する際に形成される多結晶シリコン13上の酸化物
層16および窒化膜15上に形成される酸化物層16を
除去する。前記酸化物層16除去後、窒化膜15を除去
する(第2図(f))。
拡散する際に形成される多結晶シリコン13上の酸化物
層16および窒化膜15上に形成される酸化物層16を
除去する。前記酸化物層16除去後、窒化膜15を除去
する(第2図(f))。
次に熱拡散により選択的にリンドープされた多結晶シリ
コン層13およびリンドープされていない多結晶シリコ
ン層5上にホトレジスト24例えば0FPR−800を
所望するパターンに形成する。この時ノホトレジスト2
4のパターン幅(di)は熱拡散により選択的にリンド
ープされた多結晶シリコン層13(7)幅(d2)よシ
大きく例えばdl =;=d2+0.2 (um)に選
ぶ(第2図(g))。
コン層13およびリンドープされていない多結晶シリコ
ン層5上にホトレジスト24例えば0FPR−800を
所望するパターンに形成する。この時ノホトレジスト2
4のパターン幅(di)は熱拡散により選択的にリンド
ープされた多結晶シリコン層13(7)幅(d2)よシ
大きく例えばdl =;=d2+0.2 (um)に選
ぶ(第2図(g))。
次に所望するパターンに形成したホトレジスト24をi
スフに塩素系ガスまたは弗素系ガス例えばCCl2F、
にN、を添加したガスをエツチングガスとして使用する
反応性イオンエツチング装置または平行平板プラズマエ
ツチング装置例えば高周波として13.56 MHzを
使用した反応性イオンエツチング装置により、第2図(
h)に示す如くエツチングを行なう。この時のエツチン
グ条件は例えばCC2F2流量が60〜75 cc/m
in 、 N2流量が15〜20cc/min、エツチ
ング中の反応室内の圧力が16〜25 Pa 、 R,
F、POWiiRが600W、電極間隔が6.5cmで
ある。
スフに塩素系ガスまたは弗素系ガス例えばCCl2F、
にN、を添加したガスをエツチングガスとして使用する
反応性イオンエツチング装置または平行平板プラズマエ
ツチング装置例えば高周波として13.56 MHzを
使用した反応性イオンエツチング装置により、第2図(
h)に示す如くエツチングを行なう。この時のエツチン
グ条件は例えばCC2F2流量が60〜75 cc/m
in 、 N2流量が15〜20cc/min、エツチ
ング中の反応室内の圧力が16〜25 Pa 、 R,
F、POWiiRが600W、電極間隔が6.5cmで
ある。
多結晶シリコン層5をエツチングした後ホトレジスト2
4を除去する。第2図(i)に示すようにSi基板上の
酸化膜12と多結晶シリコン層5の界面にくびれの発生
しないかつ多結晶シリコン層の断面形状が逆テーパーに
ならないアンダーカットのない所望するパターンを得る
。
4を除去する。第2図(i)に示すようにSi基板上の
酸化膜12と多結晶シリコン層5の界面にくびれの発生
しないかつ多結晶シリコン層の断面形状が逆テーパーに
ならないアンダーカットのない所望するパターンを得る
。
以上述べた如く本発明によると塩素系ガスまたは弗素系
ガスを用いた反応性イオンエツチングおよび平行平板プ
ラズマエツチングによる多結晶シリコン層のパターニン
グに於いて、リンドープされた多結晶シリコン層とほぼ
同程度の比抵抗を有する多結晶シリコン層で、8i基板
上の酸化膜と多結晶シリコン層の界面にくびれのないか
つエツチング後の多結晶シリコン層の断面形状が逆テー
パーにならないアンダーカットのないパターンを形成す
ることが可能なことが明らかになった。
ガスを用いた反応性イオンエツチングおよび平行平板プ
ラズマエツチングによる多結晶シリコン層のパターニン
グに於いて、リンドープされた多結晶シリコン層とほぼ
同程度の比抵抗を有する多結晶シリコン層で、8i基板
上の酸化膜と多結晶シリコン層の界面にくびれのないか
つエツチング後の多結晶シリコン層の断面形状が逆テー
パーにならないアンダーカットのないパターンを形成す
ることが可能なことが明らかになった。
第1図は従来のパターニング方法によりエツチングした
後のPドープされた多結晶シリコン層の逆テーパーおよ
び半導体基板上の酸化膜とPドープされた多結晶シリコ
ン層との界面に発生したくびれを示す図である。 第2図(a)乃至第2図t++は本発明の実施例の各工
程を説明するための断面図である。 同、図において1.11・・・・・・半導体基板、2.
12・・・・・・酸化膜、3.13・・・・・・Pドー
プ多結晶シリコン、4、14.24・・・・・・ホトレ
ジスト、5・・・・・・多結晶シリコン、15・・・・
・・窒化膜、16・・・・・・酸化物層、6・・・・・
・リンの熱拡散。 手続補正書(自発) 1.事件の表示 昭和59年 特 許 願第5930号
2、発明の名称 半導体装置の製造方法3、補正をする
者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33 m 18 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東工;〔都港区芝五I’l:137番8号
fト友三111ビル −5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書箱7頁、4行目の記載「CC8」を「C(
J鵞」と創正いたします。
後のPドープされた多結晶シリコン層の逆テーパーおよ
び半導体基板上の酸化膜とPドープされた多結晶シリコ
ン層との界面に発生したくびれを示す図である。 第2図(a)乃至第2図t++は本発明の実施例の各工
程を説明するための断面図である。 同、図において1.11・・・・・・半導体基板、2.
12・・・・・・酸化膜、3.13・・・・・・Pドー
プ多結晶シリコン、4、14.24・・・・・・ホトレ
ジスト、5・・・・・・多結晶シリコン、15・・・・
・・窒化膜、16・・・・・・酸化物層、6・・・・・
・リンの熱拡散。 手続補正書(自発) 1.事件の表示 昭和59年 特 許 願第5930号
2、発明の名称 半導体装置の製造方法3、補正をする
者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33 m 18 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東工;〔都港区芝五I’l:137番8号
fト友三111ビル −5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書箱7頁、4行目の記載「CC8」を「C(
J鵞」と創正いたします。
Claims (1)
- 塩素系ガスを使用した反応性イオンエツチングまたは平
行平板プラズマエツチングにより半導体基板上に形成さ
れた多結晶シリコン層を加工する方法において、前記多
結晶シリコン膜の所定領域に選択的にリンを熱拡散させ
た後、このリン拡散層をマスク層でおおい、リンドープ
されない多結晶シリコン層を露出させエツチング加工す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP593084A JPS60149136A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP593084A JPS60149136A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60149136A true JPS60149136A (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=11624609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP593084A Pending JPS60149136A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60149136A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60186411A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-21 | Anelva Corp | ドライエツチング方法 |
US6110838A (en) * | 1994-04-29 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic polysilicon plus nitride stripping |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP593084A patent/JPS60149136A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60186411A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-21 | Anelva Corp | ドライエツチング方法 |
US6110838A (en) * | 1994-04-29 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic polysilicon plus nitride stripping |
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