JPS60144749A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
−１赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。　、 ［従来技術］ 固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用
像形成部材や原稿読取装置における光導電層な形成する
光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉｐ
）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。

殊に、本務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

゛このような観点に立脚して、最近注目されている光導
電材料にアモルファスシリコン（以後ａ−９ｉと表記す
る）があり、例えば独国公開第２７４８９６７号公報、
同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材へ
の応用が、また、独国公開第２９３３４１１号公報には
光電変換読取装置への応用がそれぞれ記載されている。

しかしながら、従来のａ−Ｓｒで構成された光導重層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、および耐湿性等の使用
環境特性の点、更には経時的安定性の点において、総合
的な特性向上を図る必要があるという更に改善されるべ
き問題点がある０のが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰り返し使用し
続けると、繰り返し使用による疲労の蓄積が起って、残
像が生ずる所謂ゴースト現象を発するようになったり、
あるいは高速で繰り返し使用すると応答性が次第に低下
したりする等の不都合な点が少なくなかった。

更には、ａ−３ｉは可視光領域の短波長側に比べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザーとのマ
ツチングに於いて、また通常使用されているハロゲンラ
ンプや蛍光灯を光源とする場合長波長側の光を有効に使
用し得ないという点に於いて、それぞれ改良されるべき
余地が残っている。あるいは、照射される光が光導電層
中に於いて十分吸収されずに支持体に到達する光の量が
多くなると、支持体自体が光導電層を透過してくる光に
対する反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重
反射による干渉が起って、画像の「ポケ」が生ずる一要
因となる。この影響は、解像度を上げるために照射スポ
ットを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザーを
光源とする場合には大きな問題となっている。

更に、ａ−Ｓｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
あるいはフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、およ
び電気伝導型の制御のためにホウ素原子やリン原子等が
、あるいはその他の特性改良のために他の原子が、各々
構成原子として光導電層中に含有されるが、これ等の構
成原子の含有の様相いかんによっては、形成した層の電
気的あるいは光導電的特性に問題が生ずる場合がある。

すなわち、例えば形成した光導電層中に光照射によって
発生したフォトキャリアの該層中での寿命が十分でない
ことに基づき十分な画像濃度が得　、られなかったり、
あるいは暗部に於いて、支持体側からの電荷の注入の阻
止が十分でないことに基づ〈問題等を生ずる場合が多い
。

従って、ａ−３ｉ材料そのものの特性の改良が図られる
一方で、光導電部材を設計する際に、上記したような所
望の電気的及び光学的特性が得られるよう工夫される必
要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−Ｓｉに
関し電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意　′研究検討を続けた結果、
シリコン（Ｓｉ）を母体とする非晶質材料、殊にシリコ
ン原子（Ｓｉ）を母体とし、水素原子（Ｈ）またはハロ
ゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、すなわち所謂水素化アモルファスシリ
コン、ハロゲン化アモルファスシリコンあるいは／＼ロ
ゲン含含有水素化７ルルフアスシリコン以後これ等を総
称的にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）と表記する〕と、シリコン原
子（Ｓｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母体とする
非晶質材料、殊にこれらの原子を母体とし、水素原子（
Ｈ）またはハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なく
とも含有するアモルファス材料、すなわち所謂水素化ア
モルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウムあるいはハロゲン含有水素化
アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ等を総称
的にａ−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）と表記する〕とから構成さ
れる光導電部材を、以降に説明するようにその層構造を
特定化して作成された光導電部材は、実用上著しく優れ
た特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べて
みてもあらゆる点において凌駕していること、殊に電子
写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有してい
ることおよび長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優
れていることを見出した点に基づくものである。

［発明の目的］ 本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
て、殆ど使用環境の影響を受けない全環境型であり、長
波長側の光感受持性に優れるとともに耐光疲労特性に著
しく長け、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず、
残留電位が全くまたは殆ど観測されない光導電部材を提
供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、かつ光応
答の速い光導電部材を提供することである。鵬 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極あて有効に適用さ
れ得る。程度に静電像形成のための帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出てかつ解像度が高く、画像欠陥１画像流れの生
じない高品質画像を得ることが容易にできる電子写真用
の光導電部材を提供することである。

本発明の更にもラ一つの目的は、暗抵抗が十分高く、十
分な受容電位が得られる光導電部材を提供することであ
り、また、各層間の密着性を良くし、生産性を向上する
ことにある。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

′［発明の構成］ すなわち本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、゛この支持体上に設けられ、光導電性を有する光受
容層とを有する光導電部材に於いて、前記光受容層が、
前記支持体側から、シリコン原子を含む非晶質材料で構
成された第１の層（１）と、シリコン原子とゲルマニウ
ム原子とを含む非晶質材料で構成された第２の！　（Ｉ
Ｉ）と、シリコン原子と窒素原子とを含む非晶質材料で
構成された第３の層（ｍ）とから構成され、かつ前記第
２の層（ＩＩ）内に含有されるゲルマニウム原子が該層
の層厚方向に対して不均一に分布し、更に第１の層（Ｉ
）および第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に炭素原
子が含有されていることを特徴とする。

前記第１の層（Ｉ）中および前記第２の層（ＩＩ　）中
の少なくともいずれか一方に水素原子及び／又はハロゲ
ン原子が含有されることが望ましく、また、前記第１の
層（Ｉ）中および前記第２の層（ＩＩ　）中の少なくと
もいづれか一方に伝導性を支配する物質が含有されてい
ることが好ましい。

光受容層が上記したような層構造を取るようにして構成
された本発明の光導電部材は、前記した諸・問題の総て
を解決することができ、極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性および使用環境特性を示す
。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており、高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰り返し使用特性に長け、画像濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、かつ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰り返し得ることができる
。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、
かつ光応答が速い。

［発明を実施するための最良の形態］ 以下、図面に従って、本発明の光導電部材について詳細
に説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に層構造を模式的に示した図である。

本発明の光導電部材ｉｏｏは、第１図に示されるよう光
導電部材用の支持体１０１上に、十分な体積抵抗と光導
電性を有する光受容＠１０２を有する。光受容層１０２
は、前記支持体側からａ−５ｉ（ＩＩ、Ｘ）からなる第
１（７）層（Ｉ）１０３、ａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から
なる第２の層（ＩＩ）、１０４、ａ−３ｉＮ（Ｈ、Ｘ）
からなる第３の層（ｍ）ｉｏ５を有して構成される。光
導電性は、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ）のい
ずれに荷わせてもよいが、いずれにしても入射される光
が到達する層が光導電性を有するよう層設計される必要
がある。

また、この場合、第１の層（Ｉ）および第２の層（■）
の両者がそれぞれ所望の波長スペクトルの光に対して光
導電性を有し、かつ十分な量のフォトキャリアを発生し
得る層として設計されるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、または、支持体と光受容層との間のまたは光受容層
を構成する各層間の密着性の改良を計る為に、第１の層
（Ｉ）及び第２の層（ｎ）の少なくとも一方に炭素原子
が含有されている。

これらの目的を更により効果的に達成するためには第１
の層（Ｉ）及び第２の層ＣＵ）の両方に炭素原子を含有
させるのが好ましい。

第１の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ）の少なくとも一方
に含有される炭素原子は、これらの層の全層領域に万遍
なく含有されていても良いし、あるいは部分的に偏在さ
せて含有されていても良い。

炭素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｃ）が光受容層の層
厚方向に於いては、均一であっても、不均一であっても
良い。

本発明に於いて、このように第１の層（Ｉ）及び第２の
層（ＩＩ）の少なくとも一方の層中に設けられた炭素原
子を含有する層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向上を
計ることを主たる目的とする場合には、これらの層の全
層領域を占めるように設けられる。また、支持体と第１
の層（Ｉ）との密着面及び光受容層を構成する各層間の
密着面の中の所望の密着面の密着性の強化を計ることを
目的とする場合には、例えば、支持体と第１の層（Ｉ）
との密着性を強化したい場合には、第１の層の（Ｉ）の
支持体側端部層領域を、また第１の層（Ｉ）と第２の層
（ＩＩ　）との密着性を強化したい場合には、第１の層
（Ｉ）と第２の層（ｎ）の層界面及び層界面近傍の領域
を、第２の！　（ＩＩ）と第３の層（ｍ）との密着性の
強化を目的とする場合には、第２の層（ＩＩ　）の第３
の層（ＩＩＩ）側端部層領域を占めるように設ける等、
密着性の強化計ろうとする層界面及び層界面近傍の領域
を占めるように設けられる。

これらの目的を更により効果的に達成するためには第１
の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　）の両方に炭素原子を
含有させるのが好ましい。

前者の目的を構成しようとする場合には、層領域（Ｃ）
中に含有される炭素原子の含有量は、高光感度を維持す
るために比較的少なくされ、後者の場合には、層間の密
着性を強化するために比較的多くされるのが望ましい、
また、前者と後者の目的を同時に達成するためには、支
持体側に於いて比較的多く分布させ、光受容層の自由表
面側の層領域中に於いて比較的低濃度に分布させて層領
域（Ｃ）を形成させれば良い。

更に、支持体または第１の層（Ｉ）からの電荷の注入を
防止して、みかけ上の暗抵抗を上げることを目的とする
場合は、第１の！　（Ｉ）の支持体側に炭素原子を分布
させるか、第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ）の界面及
び／又は界面近傍に於いて高濃度に分布させるのが望ま
しい。

なお、本発明に於いては、上記のような層領域（Ｃ）は
、１つのみに限られることはなく、上記の目的に応じて
光受容層中に複数の層領域（Ｃ）を設けても良い。

本発明に於いて、このように第１の層（Ｉ）及びｔ５２
の層（ＩＩ）の少なくとも一方の層中に設けられる層領
域（Ｃ）に含有される炭素原子の含有量は、上記のよう
な目的を達成できるような層領域（Ｃ）自体に要求され
る特性、更に層領域（Ｇ）が支持体に直に接触して設け
られる場合には該支持体との接触界面に於いて要求され
る特性、あるいは層領域（Ｇ）に直に他の層領域が接触
して設けられる場合には、該層の層領域の有する特性及
び層領域（Ｃ）と他の層領域との接触界面に於いて要求
される特性等の有機的関連性に於いて、適宜選択するこ
とができる。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、好ましくは、０．００１〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｓ＋ｉｃ％とさ
れるのが好ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）及び第
２の層（ｎ）の少なくとも一方に伝導性を支配する物質
（Ｃ）を含有させることによって、含有される層の伝導
性を所望に従って制御することができる。該物質（Ｃ）
は、第１の層（Ｉ）および第２の層（ｎ）の少なくとも
一方に於いて、層厚方向には均一でも不均一でもいずれ
の分布状態であってもよいように含有される。また、物
質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＭ）に於いて、その層
厚方向に、物質（Ｃ）は連続的に、均一あるいは不均一
な分布状態となるように含有される。

例えば第２の層（■）の層厚を第１の層（Ｉ）の層厚よ
り厚くし、主に第２の層（ＩＩ）を電荷発生層と電荷輸
送層としての機能を持たせるようにして用いる場合には
、伝導性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｉ）では
支持体側で多くなるような分布状態となるようにするこ
とが望ましく、また伝導性を支配する物質（Ｃ）は第２
の７！　（ｎ）では、第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ
）との界面または界面近くで多くなるような分布状態と
することが望ましい。

このような伝導性を支配する物質（Ｇ）としては、所謂
、半導体分野でいわれる不純物を挙げることができ、本
発明に於いては、ＳｉまたはＧｅに対してＰ型伝導特性
を与えるｐ型不純物およびｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることができる。具体的には、ｐ型不純物と
しては、周期律表第■族に属する原子（第■族原子）、
例えばＢ、＾１．　Ｇａ、Ｉｎ、　ＴＩ等があり、殊に
好適に用いられるのはＢ　、　Ｇａである。ｎ型不純物
としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）
、例えばＰ　、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ、等があり、殊
に好適に用いられるのはＰ　、　Ａｓである。

本発明に於いて、光受容層中に設けられる伝導性を支配
する物質（Ｃ）の含有されている層領域（ＰＭ）中に含
有される伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、該層
領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、あるいは該層領域
（ＰＮ）が支持体に直に接して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて適宜選択することができる。また、前記層
領域（ＰＭ）に直に接して設けられる他の層領域の特性
や、該層の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮して伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量が適宜選
択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性
を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは０
．００１〜５Ｘ１０４ａｔｏ＋ｓｉｃ　ｐｐ＋ｓ、より
好ましくは０．５〜ＩＸ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ
、最適には１〜５Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いては、層領域（ＰＮ）に於ける伝導性を支
配する物質（Ｃ）の含有量を、好ましくは３０ａｔｏ■
ｉｃ　ＰＰ１１以上、より好ましくは５０ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ以
上にすることによって、例えば該物質（Ｃ）が前記ｐ型
不純物の場合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電
処理を受けた際に、支持体側からの光受容層中への電子
の注入を効果的に阻止することができ、一方、前記物質
（Ｃ）が前記ｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表
面がθ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側からの光
受容層中への正孔の注入を効果的に阻止することができ
る６ 上記のような場合には、前記層領域（ＰＮ）を除いた部
分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性の伝導性
を支配する物質（Ｃ）を含有させてもよいし、あるいは
同極性の伝導性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ
）に含有される量よりも一段と少ない量にして含有させ
てもよい。

このような場合、前記層領域（Ｚ）に含有される前記伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域（
ＰＭ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応
じて適宜決定されるものであるが、好ましくは０．００
１−１０００ａｔｏｓｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは０
．０５−５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には０．１
〜２００ａｔｏ■ｉ０　ＰＰ■とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）および層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては。

好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ腸以下とするのが望
ましい。上記した場合の他に、本発明に於いては、光受
容層中に一方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ
）を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を
支配する物質（Ｃ）を含有させた層領域とを直に接する
ように設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも
できる。すなわち、例えば光受容層中に前記のＰ型不純
物を含有する層領域と前記のｎｙＪ！！不純物を含有す
る層領域とを直に接するように設けて所謂ｐ−ｎ接合を
形成して、空乏層を設けることができる。

本発明に於いて、必要に応じて第１の層（Ｉ）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフッ素、塩
素を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第１
の層（Ｉ）を形成するには、例えばグロー放電法、スパ
ッタリング法、あるいはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法が適用される。

例えばグロー放電法によって、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第１の層（Ｉ）を形成するには、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス
と共に、水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス及び／又はハ
ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、その内部を減圧
にし得る堆積室内に所定の混合比とガス流量になるよう
にして導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させこれ等のガスのプラ
ズマ雰囲気を形成することによって、予め所定位置に設
置されている支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）から構
成される第１の層（Ｉ）を形成する。

また、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｉまたは５１０２、ある
いはこれらの混合物で構成されたターゲットをスパッタ
リングする際、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入
してやれば良い。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効
なものとして挙げられる。

先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈｇ　、　５ｉ４Ｈ１，
）等のガス状態のまたはガス化し得る水素化ケイ素（シ
ラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる
。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
ケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４．５ｉ２Ｆ　６　、５
ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化ケイ素を好ましい
ものとして挙げることができ、更には、ＳｉＨ２Ｆ２．
５ｉＨ２Ｉ２．５ｉ８２　ＣＩ２　、５ｉＨＣ１３、５
ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化
ケイ素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る、水素
原子を構成要素の一つとするハロゲン化物も有効な第１
の層（１）形成用の出発物質として挙げることができる
。

これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、前述したように層形成条件の適切な選択
によって、形成される第１の層（Ｉ）中にＳｉと共にハ
ロゲン原子（Ｘ）を導入することができる。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、ＣＩＦ　、　Ｃ
ｌＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＨＦ３　、
　ＩＦ７　、ＩＣＩ　、ＩＢｒ等ハロゲン間化合物、Ｈ
Ｆ、　ＨＣＩ　、　ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水
素を挙げることができる。

本発明に於いて第１の層（Ｉ）を構成する層領域の所望
の層領域中に炭素原子を含有する層領域（Ｃ）を設ける
場合には、上記の出発物質を用いて第１のＪ！＃（Ｉ）
を形成する際に炭素原子導入用の出発物質をその量を制
御させながら併用して、形成される層中に含有させれば
良い。

第１の層（Ｉ）中に含有される炭素原子は、第１の層（
Ｉ）の全領域に刃傷なく含有されていても良いし、また
の一層領域のみに含有されていても良い。

また、炭素原子の分布状態Ｃ（Ｃ）は、第１の層（Ｉ）
の層厚方向に於いて均一であっても、不均一であっても
良い。

本発明に於いて、第１の！　（１）に設けられる炭素原
子の含有されている層領域（ｃｒ）は、光感度と暗抵抗
の向上を目的とする場合には、第１の層（Ｉ）全層領域
を占めるように設けられ、基板との、更には第２の層（
ＩＩ）との密着性の強化を計る場合には、基板若しくは
第２の層（ＩＩ）または両方の側の端部層領域を占める
ように設けられる。

このように第１の層（Ｉ）中に設けられる層領域（ＣＩ
）に含有される炭素原子の含有量は、前述したような目
的を達成できるような層領域（ＣＩ）自体に要求される
特性、支持体との接触界面に於いて要求される特性、あ
るいは層領域（ＣＩ）に直に接触して設けられる他の層
領域の有する特性及び層領域（ＣＩ）と他の層領域との
接触界面に於いて要求される特性等の有機的関連性に於
いて、適宜選択することができる。

層領域（ＣＩ）中に含有される炭素原子の量は、形成さ
れる光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って
適宜状められるが、好ましくは、０．００１〜５０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

層領域（ＣＩ）を形成するのにグロー放電法を適用する
場合には、上記の第１の層（Ｉ）形成用の出発物質の中
から所望に応じて選択されたものに更に炭素原子導入用
の出発物質が加えられる。そのような炭素原子導入用の
出発物質としては、少なくとも炭素原子を構成原子とし
て有するガス状の物質またはガス化することのできる物
質をカス化したものの中の大概のものを使用することが
できる。

使用する原料ガスの組合せとしては、 （ａ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと必要に
応じて水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用する。

（ｂ）シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）とを構成
原子とする原料ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を構成原子
とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原
料ガスとを所望の混合比で混合して使用する、 （Ｃ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｇ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、所望の混合比で混合する、 （ｄ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、シリコン原子（Ｓｉ）と炭素原子（Ｃ）と水素原子
（Ｈ）との３つの原子を構成原子とする原料カスとを所
望の混合比で混合して使用する 等の組合せを挙げることができる。

層領域（ＣＩ）を形成するために使用される炭素原子（
Ｃ）供給用の原料ガスとして有効に使用される出発物質
としては、Ｃを構成原子とする、あるいはＣとＨとを構
成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭
素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセ
チレン系炭化水素等が挙げられる。

そのようなものとしては、飽和炭化水素としてメタン、
エタン、プロパン、ｎ−ブタン、ペンタン等、エチレン
系炭化水素としてエチレンプロピレン、ブテン−１、ブ
テン−２、インブチレン、ペンテン等、アセチレン系炭
化水素としてアセチレン、メチルアセチレン、ブチン等
が挙げられる。

これらの他に更に、ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原
料ガスとして、Ｓ　ｉ　（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈｓ
）ｎ等をぼることができる。

本発明に於いては１、層領域（Ｃ）中には、炭素原子で
得られる効果を更に助長させるために、炭素原子に加え
て、更に酸素原子及び／または窒素原子を含有させるこ
とができる。

層領域（ＣＩ）中に酸素原子を導入する場合の原料ガス
としては、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素
（８２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化窒素
（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸化窒素
（Ｎ０３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と
水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシロキサ
ン（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓｉ
Ｏ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げる
ことができる。

層領域（ＣＩ）中に窒素原子（Ｎ）を導入するための原
料ガスになり得るものとして有効に使用される出発物質
としては、Ｎを構成原子とする、あるいはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨａ
）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ
３）、アジ化アンモニウム（Ｎ）Ｌ＄　Ｎ３　）　等ノ
カス状のまたはガス化することのできる窒素、窒化物及
びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この
他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（
Ｘ）も導入できるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）
　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）、等のＩ＼ロゲン化窒素化
合物を挙げることができる。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有する第１の
層（Ｉ）を形成する場合には、単結晶または多結晶のＳ
ｉウェーハー及び／またはＣウェーハー、またはＳｉと
Ｃが混合されて含有されているウェーハーをターゲット
として、これらを種々のカス雰囲気中でスパッタリング
することによって行なえば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用する場
合、炭素原子と必要に応じて水素原子及び／またはハロ
ゲン原子を導入するための原料ガスを必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、こ
れらガスのガスプラズマを形成させて前記Ｓｉウェーハ
ーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、あるいはＳｉとＣとが混合された一枚のターゲッ
トとして使用する場合には、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（Ｈ
）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
所望の層領域中に炭素原子を含有する層領域（ＣＩ）が
設けられた第１の層（Ｉ）を形成することができる。

なお、炭素原子導入用のガスとしては、前述したグロー
放電法に於いて炭素原子導入用のガスとして挙げたもの
がスパッタリング用のガスとしても利用することができ
る。

第１の層（Ｉ）を構成する層領域中に伝導性を支配する
物質（Ｃ）、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第■族原子導入用の
出発物質または第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に第１の層（Ｉ）を形成するための他の出発
物質と共に導入してやればよい。このような第■族原子
導入用の出発物質用となり得るものとしては、常温常圧
でガス状のまたは少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用され゛るのが望ましＩ／４゜このよ
うな第■族原子導入用の出発物質としては、具体的には
、ホウ素原子導入用としては。

Ｂ２Ｈ６・Ｂ４Ｈ１０，ＢＳＨ９、Ｂ５Ｈ目、Ｂ６Ｈ１
０，Ｂ６ＨＩ２．Ｂ６）１１４等の水素化ホウ素、ＢＦ
３．　ＢＣｌ２．８８丁３等のハロゲン化ホウ素等が挙
げられる。また、この他、他の第■族原子導入用として
、ＡｌＣｌ３　、　ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＣＨ３）３、Ｉ
ｎＣｌ３　、７ＩＣ１３等を挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、リン原子導入用としては、ＰＨ３
，Ｐ２Ｈ４等の水素化リン、ＰＨ４１、ＰＦ３．　ＰＦ
ｓ　、　ＰＣＩ：ｉ、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３、ＰＢｒ３、
ＰＩ３等のハロゲン化リン等が挙げられる。この他、Ａ
＋Ｈ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ３　、　ＡｓＢｒ３　、　
ＡｓＦ５、！３ｂＨ３、ＳｂＦ３゜ＳｂＦ５．５ｂＣＩ
３　、　ＳｂＣｌ２　、　ＢｉＩ３、ＢｉＣｌ３　、　
Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に含有される伝導性を
支配する物質（Ｃ）の含有量は、該第１の層（Ｉ）に要
求される伝導特性、あるいは該層（Ｉ）に直に接して設
けられる他の層の特性や、該層の層との接触界面に於は
特性等との関係等、有機的関連性の上で適宜選択される
。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）中に含有される伝導性
を支配する物質の含有量としては、好ましくは０．００
１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは
０．５〜ＩＸ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適に
は１〜５Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）中に含有されてもよい
水素原子（Ｈ）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の量または水
素原子とハロゲン原子との量の和（ｎ＋ｘ）は、好まし
くは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｉ）中に含有されてもよい水素原子（）Ｉ）
及び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例
えば支持体温度、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ）
を含有させるために使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、あるｌ７１４士放電電力等を制御してや
ればよい。

本発明の第１の層（Ｉ）の層厚は、該第１の層（Ｉ）が
主に支持体と第２の層（ｎ）との密着層として働くか、
または密着層と電荷輸送層として働くかによって所望に
よって適宜決定される。

前者の場合には、好ましくは１００ＯＡ〜５０−１より
好ましくは２０００Ａ〜３０−１最適には２０Ｇ０Ａ〜
１０牌とされるのが望ましい。後者の場合には、好まし
くは１〜１００μ、より好ましくは１〜８０μ、最適に
は２〜５０ｕとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）１０３
上に第２の層（ｎ）１０４が形成される。第１の層（Ｉ
）と第２の層（■）とは、その各々がシリコン原子とい
う共通の構成原子を有してなる非晶質材料を主成分とす
るものなので、その積層界面において化学的な安定性が
十分確保されている。

本発明の光導電部材に於いては、第２の層（ＩＩ）中に
含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向に
関しては、不均一な分布状態をとるが、支持体の表面と
平行な面内方向に関しては均一な分布状態とされるのが
望ましい。

このような層構造に第２の層（ＩＩ）を形成することに
よって、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長
波長までの全波長領域の光に対して光感度が優れている
光導電部材が形成される。

また、第２の層（■）中に於けるゲルマニウム原子の分
布状態は、全領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し
、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布一度Ｃが、第１の
層（Ｉ）との境界から第３の層（ｍ）との境界へ向って
減少するよう分布しているもの、第１の層（Ｉ）との境
界から第３の層（ｍ）との境界へ向って増加するよう分
布しているもの、またはこれ等両者の特徴を合わせ持っ
ているもの等の層構成などが許される。

第２図乃至第１３図には、本発明における光導電部材の
第２の層（ｎ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型的な例が示されている。

第２図乃至第１３図に於いて、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第２の層（ＩＩ）の層厚を示
し、ｔｏは第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）との境
界面の位置を、ｔｌは第２の層（ＩＩ）と第３の層（ｍ
）との境界面の位置を示す。すなわち、ゲルマニウム原
子の含有される第２の層（ＩＩ）は１Ｂ側から１丁側に
向って層形成がなされる。

第２図には、第２の層（ｎ）中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第２の層（ＩＩ　）が形成される第１の層（Ｉ）との
境界面位１　ｔＢより１．の位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値をとりながら第２
の層（ｆｆ）中に含有され、位ｉ１ｔ＋からは濃度Ｃ２
より第３の層（ｍ）との境界面１丁に至るまで徐々に連
続的に減少されている。

境界面１丁に於いてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
Ｃ３とされる。

第３図に示される例に於いては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置１Ｂより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１丁において
濃度Ｃ５となるような分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間に於いて、徐々に連続的に減少
され、位置１丁に於いて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置１Ｂより位置１．に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置１丁に於いて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１Ｂと位置１３間に於いては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置１Ｔに於いては濃度Ｃ□。とされる
。位置ｔ３と位置１丁との間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少されている
。

第７図に示される例に於いては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位ｔｉ
ｌｔｓより位置１丁までは濃度Ｃ□２より濃度ＣＩ３ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例に於いては、位置１Ｂより位置１丁に至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４よ
り実質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第９図に於いては、位置１Ｂより位置ｔ５に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩｓより濃度
ＣＩ６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔ１
との間に於いては、濃度０１６の一定値とされた例が示
されている。

第１０図に示される例に於いては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢに於いて濃度ＣＩＩであり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくりと
減少され、Ｉ６の位置付近に於いては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間に於いては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置１Ｂとの間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８に於いて、濃
度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置１丁の間に於いては、
濃度Ｃ２０より実質的に零になるように図に示すような
形状の曲線に従って減少されている。

第１１図に示す例に於いては、位置１Ｂより位置ｔ９ま
でゲルマニウム濃度Ｃ２２で一定で位置ｔ９から位置１
Ｂまでゲルマニウム濃度Ｃは一定のＣ２１にされている
。

第１２図に示す例に於いては、位置１Ｂではゲルマニウ
ム濃度は実質的に零で位置１丁でゲルマニウム濃度がＣ
２３になるよう図のような曲線で増加している。

第１３図においては１位置１Ｂではゲルマニウム濃度は
実質的に零で位置１．から位置ｔｔｏでの濃度Ｃ２４ま
で図のような曲線でゲルマニウム濃度が増加し、位置賄
から位置ｔ□までゲルマニウム濃度Ｃ２４で一定である
。

また、第２図から第１３図に示したゲルマニウム濃度分
布は、第２図から第１０図まででは第１の層（Ｉ）との
境界面近傍でゲルマニウム濃度が多い分布を示し、第１
１図から第１３図まででは第３の層（ｍ）との境界面近
傍でゲルマニウム濃度の多い分布を示したが、これらを
組み合せたゲルマニウム濃度分布にしてもよい。

以上、第２図乃至第１３図により、第２の層（ＩＩ　）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明したように、本発明に於いては
、第１の層（Ｉ）との境界面近傍及び／又は第３の層（
ｍ）との境界面近傍に於いて、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、第２の層（ｎ）の中央に於い
ては、前記分布濃度Ｃは第１のＪ！　（Ｉ）との境界面
近傍および第３の層（ｍ）との境界面近傍に比べてかな
り低くされた部分を有するゲルマニウム原子の分布状態
が第２のＦ！！　（ＩＩ）に設けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層を構成す
るＭ２の暦１）は、好ましくは上記のように第１の層（
Ｉ）との境界面近傍及び／又は第３の層（ｍ）との境界
面近傍にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１３
図に示す記号を用いて説明すれば、境界面位置１Ｂまた
は１丁からは５牌以内の領域に設けられるのが望ましい
。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は。

界面位ｆｆ１ｔＢまたは１丁より５ｕ厚までの全層領域
（ＬＴ）とされる場合もあるし、また、層領域（Ｌ□）
の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするかまたは
全部とするかは、形成される層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏ履ｉｃ　ＰＰ層以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩＸ　
１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされるような分布
状態となり得るように層形成されるのが望ましい。

すなわち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有
される第２の層（ｎ）は、第１の層（１）側または、第
２の層（ＩＩ）の自由表面からの層厚で５鱗以内（ｔＢ
から５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ５ａｘが存
在するように形成されるのが好ましい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成されるように所望に従って適宜法められるが、
好ましくは１〜１１．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐ
ｍ、より好ましくは１００〜８ＸＩＱＳａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、最適には５００−７Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には第１の層（Ｉ）と第２の層（Ｕ）または第２
の層ｃｍ＞と第３の層（Ｉ［Ｉ）との密着性、あるいは
第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）と第３の層（ｍ）
との密着性の改良を計る目的で、第２の層（ｎ）中には
、炭素原子が含有されていることが望ましい。

第２の層（ＩＩ　）巾に含有される炭素原子は、第２の
層（ＩＩ）の全領域に刃傷なく含有されていても良いし
、またの一層領域のみに含有されていても良い。

また、炭素原子の分布状態Ｃ（Ｃ）は、第２の層のＭＪ
Ｉ一方向に於いて均一であっても、不均一であっても良
い。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に設けられる炭素
原子の含有されている層領域（Ｃ■）は、光感度と暗抵
抗の向上を目的とする場合には、第２の！　（Ｕ）全層
領域を占めるように設けられ、第１の層（Ｉ）との、及
び／または第３の層（ｍ）との密着性の強化を計る場合
には、第１の層（Ｉ）及び／または第３の層（ＩＩＩ）
側の端部層領域を占めるように設けられる。

このように第２の層（ＩＩ）巾に設けられる層領域（Ｃ
■）に含有される炭素原子の含有量は、前述したような
目的を達成できるように層領域（ｃ■）自体に要求され
る特性、第１の層（Ｉ）や第３の層（ＩＩＩ）との接触
界面に於いて要求される特性、あるいは第１の層（Ｉ）
や第３の層（ｍ）層の有する特性等との有機的関連性に
於いて、適宜選択することができる。

層領域（Ｃ■）中に含有される炭素原子の量は、形成さ
れる光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って
適宜状められるが、好ましくは、０．００１〜５０　ａ
ｔｏｍｉｃ＄、より好ましくは０．００２〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ＄
とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（１）の層厚
が薄い場合にはゲルマニウム原子の含有される第２の層
（ＩＩ）には、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させ
た層領域（ＰＭ）を第１の層（Ｉ）側に局在的に設ける
ことにより、該層領域（ＰＮ）を所謂電荷注入阻止層と
して機能させることができる。

すなわち、伝導性を支配する物質（Ｃ）が含有される層
領域（ＰＭ）に於ける該物質の含有量を、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ腸以上、より好ましくは５０ａｔ
ｏｍｉｃ　ＰＰ１１以上、最適には１００１００ａｔｏ
　ｐｐｍ以上にすることによって、例えば該含有される
物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層の
自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支持体側から
光受容層中への電子の注入を効果的に阻止することがで
き、また、前記含有される物質（Ｃ）が前記のｎ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理
を受けた際に支持体側から光受容層中への正孔の注入を
効果的に阻止することができる。

上記のような場合には、第２の層（ｎ）に於いて前記層
領域（ＰＭ）を除いた部分の層領域（Ｚｎ）には、層領
域（ＰＮ）に含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）の
極性とは別の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させて
もよいし、あるいは同極性の伝導性を支配する物質（Ｃ
）を層領域（ＰＭ）に含有させる量よりも一段と少ない
量にして含有させてもよい。

このような場合、前記層領域（ｚｎ）に含有される前記
伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｇ）の極性や含有量に
応じて適宜決定されるものであるが。

好ましくは０．００１〜１０００ａｔｏ＋ｗｊｃ　ｐｐ
ｍ、より好ましくは０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｔａ、最適には０．１〜２００ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐ−
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ）に設けられる層領域
（ＰＭ）および層領域（ｚｎ）に同種の伝導性を支配す
る物質ＣＧ）を含有させる場合には、前記層領域（ｚｎ
）に含有される前記伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有
量としては、好ましくは３０ａｔｏ腸１ｃｐｐ園以下と
するのが望ましい、上記した場合の他に、本発明に於い
ては、第２の層（ｎ）中に、一方の極性を有する伝導性
を支配する物質ＣＣ）を含有させた層領域と、他方の極
性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させた層
領域とを直に接するように設けて、該接触領域に所謂空
乏層を設けることもできる。すなわち、例えば第２の層
（ＩＩ　）中に前記のｐ型不純物を含有する層領域と前
記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接するように
設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設けること
ができる。

本発明に於いて、必要に応じて第２の層（ＩＩ）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフッ素、
塩素を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２のＦｉ！（ｎ）を形成するには、例えばグロー放電
法、スパッタリング法、あるいはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

例えばグロー放電法によって、ａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（■）を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供
給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の原料ガス及び／又はハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、その内部を減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されている第１の層（Ｉ）がその
表面に形成された支持体上に、含有されるゲルマニウム
原子の分布曲線が所望の変化率曲線となるよう制御しな
からａ−ＳｉＧｅ（Ｈ，りから構成される第２の層（Ｉ
Ｉ　）を形成する。

また、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲッ
ト、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲットとの二
枚のターゲット、あるいはＳｉとＧｅとの混合されたタ
ーゲットを使用して、Ａｒ、　Ｈｅ等の希釈ガスで希釈
されたＧｅ供給用の原料ガスや必要に応じて水素原子（
Ｈ）導入用の原料ガス及び／又はハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、
所望のガスプラズマ雰囲気を形成するとともに、前記Ｇ
ｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従
って制御しながら、前記のターゲットをスパッタリング
してやればよい。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとをそれぞれ蒸発源として蒸着ポートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛躍蒸発
物を所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はス
パッタリングの場合と同様にして実施できる。

本発明に於いて、第２の層（ｎ）を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質としては。

次のものが有効なものとして挙げられる。

先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１６
等のガス状態のまたはガス化し得る水素化ケイ素（シラ
ン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、
層作成作業の扱い易さ、Ｓｔ供給効率の良さ等の点でＳ
ｉ）＋４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる
。　Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、Ｇ
ｅＨ４、Ｇｅ２ＨＧ　、　Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ４Ｈ１
０、Ｇｅ５Ｈｓ２、Ｇｅ６Ｈｓ＋、Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇｅ
ＢＨｓｅ、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態のまたはガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、　Ｇｅ供給効
率の良さ等の点でＧｅ）Ｌ、、（ｉｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ
Ｂが好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて、第２の層（ｎ）を形成するのに使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、多くのハロゲン化合物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物
、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましくは挙げられ
る。また、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状態のまたはガス化し得るハロゲン原
子を含む水素化ケイ素も有効に使用されるものとして挙
げられる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ）を形成するのに好適
に使用されるハロゲン化合物としては、具体的には、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、ＣＩＦ　
、　ＣｌＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ
３　、　ＩＦ７　、　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ等ハロゲン間
化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物、所謂ハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
ＳｉＦ４．５ｉ２Ｆ　６　、５ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化ケイ素が好ましいものとして挙げることが
できる。

このようなハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使
用して、グミ−放電法によって本発明の光導電部材の第
２の層（ｎ）を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガ
スと共にＳｉを供給し得る原料ガスとしての水素化ケイ
素ガスを使用しなくとも、第１の層（Ｉ）がその表面に
形成された支持体上にａ−ＳｉＧｅ（）１．Ｋ）から構
成される第２の層１）を形成することができる。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子、（ｘ）を含む第
２の層（ｎ）を形成する場合、基本的には、例えばＳｉ
供給用の原料ガスとなるハロゲン化ケイ素と、Ｇｅ供給
用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムと、Ａｒ、　Ｈ
ｅ等のガスとを、所定の混合比とガス流量になるように
して導入して、第２の層（１１）を形成する堆積室に導
入し、グロー放電を生起させこれ等のガスのプラズマ雰
囲気を形成することによって、第１の層（Ｉ）がその表
面に形成された支持体上に第２の層（■）を形成するこ
とができる。また、水素原子の導入割合の制御をより容
易にするために、これらのガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して第２
の層（ｎ）を形成してもよい。また、各ガスは、単独種
のみでなく、所定の混合比で複数使用してもさしつかえ
ない。

スパッタリング法、イオンブレーティング法のいずれの
場合にも、形成される層中にハロゲン原子（Ｘ）を導入
するには、前記のハロゲン化物またはハロゲン原子を含
むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
ガス、例えばＨ２、あるいは前記のシラン類及び／又は
水素化ゲルマニウム等のガスなスパッタリング用の堆積
室に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば
よい。

本発明に於いて、第２の層（ｎ）の形成の際のハロゲン
原子導入用の原料ガスとして、前記の／＼ロゲン化物ま
たはハロゲン原子を含むケイ素化合物が有効なものとし
て使用されるが、その他に、肝、ＨＣＩ　、　ＨＢｒ　
、　Ｈｌ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ２．５ｉ
Ｈ２１２，５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＧ＋３．５ｉＨ２Ｂ
ｒ２．５ｉＨ２Ｂｒ、　５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換
水素化ケイ素、およびＧｅ１（Ｆ３　、　ＧｅＨＢｒ３
、ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨ２Ｃ１２、Ｇ
ｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨ２Ｃ１２、ＧｅＨＢ
ｒ３ｔ ルマニウム、等の水素原子を構成要素の一つとするハロ
ゲン化物、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ４　、　ＧｅＢｒ４　、
　ＧｅＩ４、ＧｅＦ２、ＧｅＣＩ２　、　ＧｅＢｒ２　
、　Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス
状態のあるいはガス化し得る、水素原子を構成要素の一
つとする／＼ロゲン化物も有効な第２の層（ＩＩ）形成
用の出発物質として挙げることができる。

これらの物質のうち、水素原子を含む／＼ロゲン化物は
、第２の層（ＩＩ　）の形成の際に、該層中にハロゲン
原子の導入と同時に電気的あるいは光導電的特性の制御
に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に於
いては好適なハロゲン原子導入用の原料として使用され
る。

水素原子を第２の層（■）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２あるいはＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６，５
ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ１゜等の水素化ケイ素なＧｅを供給
するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合物と、
あるいはＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　ｃ”
４）１１０、［１ｅ５Ｈ，２、ＧｅｔｓＨ１４、Ｇｅ７
Ｈ１（、、ＧｅｅＨ＋ａ、ＧｅｇＨ２６等の水素化ゲル
マニウムをＳｉを供給するためのシリコンまたはシリコ
ン化合物とを、堆積室中に共存させて、放電を生起させ
ることによっても実施できる。

本発明の好ましい例に於いて、形成される光導電部材の
第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ
）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロ
ゲン原子との量の和（Ｈ十Ｋ）は、好ましくは０．０１
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

第２の層（ＩＩ）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ）
及び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例
えば支持体温度、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ）
を含有させるために使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、あるいは放電電力等を制御してやればよ
い。

第２の層（ＩＩ　）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、第１の層（Ｉ）の形成法を説明した場合と同様
に、層形成の際に前記した第■族原子導入用の出発物質
または第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室
中に、第２の層（ＩＩ　）を形成するための他の出発物
質と共に導入してやればよい。

本発明の光導電部材に於ける第２の層（ＩＩ）の層謄は
、該第２の層（■）を主にフォトキャリアの発生層とし
て用いる場合には、フォトキャリアの励起光源に対する
第２の層（ＩＩ　）の吸収係数を考慮して適宜決定され
、好ましくは１００（ＩＡ〜５０μ、より好ましくはＩ
ＧＯＯＡ〜３０騨、最適には１００〇八〜２Ｏ脚とされ
るのが望ましい。

また、第２の層（ＩＩ）を主にフォトキャリアの発生と
輸送のための層として用いる場合には、フォトキャリア
が効率よく輸送されるように所望によって適宜決定され
、好ましくは１〜１００−１より好ましくは１〜８０ｕ
、最適には２〜５０−とされるのが望ましい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ）に炭素原子の含有さ
れた層領域（ｃｎ）を設けるには、上述したような第２
の層（ＩＩ　）の形成の際に、炭素原子導入用の出発物
質を前記した第２の層（ＩＩ）形成用の出発物質と共に
使用する以外は、第１の層（Ｉ）中に炭素原子を含有す
る層領域を形成するのと同様にして形成される層中にそ
の量を制御しながら含有させてやれば良い。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　
）を形成する際に、炭素原子の含有された層領域（Ｃ）
をこれらの層の少なくとも一方に設ける場合、該層領域
（Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚
方向に変化させて、所望の層厚方向での分布状態（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得るためには、グミ−放電
法の場合には、分！ｒｉ濃度Ｃ（Ｃ）を変化させるべき
炭素原子導入用の出発物質からなるカスを、その流量を
所望の変化率曲線に従って適宜変化させながら、堆積室
内に導入してこれらの層を形成する方法を適用すること
ができる。

スパッタリングによる場合には、スパッタリング用のタ
ーゲットとして、例えばＳｉとＳｉ３Ｎ４との混合され
たターゲットを使用する際には、ＳｉとＳｉ３Ｎ４との
混合比を、ターゲットの層厚方向に於いて予め変化させ
ておくことによって所望の層厚方向での炭素原子の分布
状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得ることができ
る。

本発明の光導電部材の第２の層（ＩＩ）１０４上に形成
される第３の層（Ｉ［Ｉ）１０５は、自由表面を有し、
主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するた
めに設けられる。第２の層（ＩＩ　）と第３の層（ＩＩ
Ｉ）とは、その各々がシリコン原子という共通の構成原
子を有してなる非晶質材料を主成分とするものなので、
その積層界面において化学的な安定性が十分確保されて
いる。

本発明に於ける第３のＪｉ！　（ｍ）は、シリコン原子
（Ｓｉ）と窒素原子（Ｎ）と、必要に応じて水素原子（
）Ｉ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有する非晶質
を主成分とする材料（以後、ａ−（ＳｉｘＮ１−Ｘ　）
ｙ　（Ｈ。

ＸＬ−７と記す、但し、Ｏ＜　ｘ、ｙ＜　１）で構成さ
れる。

ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ＋　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ　
テ構成される第３の層（ｍ）の形成は、グロー放電法、
スパッタリング法、イオンインプランテーション法、イ
オンブレーティング法、エレクトＯンビーム法等によっ
て実施される。これらの製造法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望する特性を有する光導電部材を製造するため
の条件の制御が比較的容易であり、かつシリコン原子と
共に窒素原子やハロゲン原子を、作製する第３の層（Ｉ
ＩＩ）中に導入するのが容易に行える等の利点から、グ
ロー放電法あるいはスパッタリング法が好適に採用され
る。また、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装
置系内で併用して第３の層（ｍ）を形成してもよい。

グロー放′尾法によって第３の層（１１１１１）を形成
するには、ａ−（ＳｉｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘＬ−ｙ形
成用の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスと所定の混合
比で混合し、第２の層（ＩＩ　）が形成された支持体の
設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入された
ガスをグロー放電を生起させることによりガスプラズマ
化して、前記支持体上の第２の層（ＩＩ　）上にａ−（
Ｓｉｘ　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙを堆積
させればよい。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン
原子（Ｓｉ）、窒素原子（Ｎ）、水素原子（Ｈ）及びハ
ロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原子
として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質をカ
ス化したものの内の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｎ　、　Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原
子とする原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを
構成原子とする原料カスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／
又はＸｌｅ構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で
混合して使用するか、あるいは、Ｓｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｎ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／
又はＮ及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、あるいはまた、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｓｉ、Ｎ及びＨの三つを構成原子
とする原料ガス又はＳｉ、　Ｎ及びＸの三つを構成原子
とする原料カスとを所望の混合比で混合して使用する例
が挙げられる。

あるいは他法として、ＳｉとＩとを構成原子とする原料
ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスとを混合して使用
してもよいし、あるいはＳｉとＸとを構成原子とする原
料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスとを混合して使
用してもよい。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）中に含有されてもよい
ハロゲン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ　、　ＣＩ
、Ｂｒ、Ｉであり、殊４．：Ｆ、Ｃ：ｌをか望ましいも
のである。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）形成用の原料ガスとな
る出発物算としては、ＳｉとＨとを構成原子とするＳｉ
Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４ＨＩ（、等
ノカス状のまたはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成
作業の扱いやすさ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点からＳ　
ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる
。

これらの出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって、形成される第３の層（Ｉ［［）中
にＳｉと共にＨも導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
ケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４．５ｉ２Ｆ　６　、５
ｉＣＩ４　、　ＳｉＢｒ４等ノハロゲン化ケイ素が好ま
しいものとして挙げられることができ、更には、ＳｉＨ
２Ｆ２、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｃ１２、５ｉＨＣ１３
，５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水
素化ケイ素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る、
水素原子を構成要素の一つとするハロゲン化物も有効な
第３の層（ｍ）形成用の出発物質として挙げることがで
きる。

これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、前述したように層形成条件の適切な選択
によって、形成される第３の層（Ｉ［［）中にＳｉと共
にハロゲン原子（Ｘ）を導入することかできる。

本発明に於いて、第３の層（Ｉ［［）を形成するのに使
用されるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、ＣＩＦ　、
　ＣｌＦ３、ＢｒＦ　、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ３．
　ＩＦ７　、　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ等ハロゲン間化合物
、）ＩＦ、　ＨＣＩ　、ＨＢｒ　、　ＩＩ等のハロゲン
化水素を挙げることができる。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）を形成するのに使用さ
れる窒素原子（Ｎ）供給用の原料カスとして有効に使用
される出発物質としては、Ｎを構成原子とする、あるい
はＮとＨとを構成原子とする、例えば窒素（Ｎ２）、ア
ンモニア（ＮＨ３）　、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ　ＮＨ２）
　、アジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（Ｎ
Ｈ２Ｎ３）等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒化
物、アジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。こ
の他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えてハロゲン原子（
Ｘ）の導入もできるという点から、三フッ化窒素（Ｆａ
Ｎ）四フフ化窒素（ＦａＮ２）等のハロゲン化窒素化合
物を挙げることができる。

これ等の第３の層（ｍ）形成物質は、形成される第３の
層（ＩＩＩ）中に、所定の組成比でシリコン原子、窒素
原子及び必要に応じてハロゲン原子及び／又は水素原子
が含有されるように、第３の層（ｍ）の形成の際に所望
に従って選択されて使用される。

スパッタリング法によって第３の層（ｍ）を形成するに
は、例えば次のような方法が採用できる。

第１の方法は、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまた
はこれらのガスをベースとした混合ガス雰囲気中で８１
で構成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素
原子（Ｎ）導入用の原料カスを、必要に応じて水素原子
（Ｈ）導入用の及び／又はＩ＼ロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスと共にスパッタリンを行う堆積室内に導入し
てやればよい。

また、第２の方法は、スパッタリング用のターゲットと
して、Ｓｉで構成されたターゲットか、Ｓｉで構成され
たターゲットとＳｉ３Ｎ４で構成されたターゲットとの
二枚か、あるいはＳｉとＳｉ３Ｎ４で構成されたターゲ
ットを使用することによって、第３の層（ＩＩＩ）中に
窒素原子（Ｎ）を導入することができる。この際、前記
の窒素原子（Ｎ）導入用の原料カスを併せて使用すれば
、その流量を制御することによって第３の！　（ＩＩＩ
）中に導入される窒素原子（Ｎ）の量を任意に制御する
ことが容易である。

Ｎ、ＨおよびＸの導入用の原料ガスとなる物質としては
、先述したグロー放電の例で示した第３の層（ｍ）形成
用の物質がスパッタリング法の場合にも有効な物質とし
て使用され得る。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）をグロー放電法又
はスパッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ、　Ａｒ等が
好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける第３の層（ｍ）は、その要求される特性
が所望通りに与えられるように往意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、　Ｎ　、必要に応じてＨ及び／又はＸを構
成原子とする物質は、その作成条件によって構造的には
結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気的性質と
しては、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を
、また光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質
を各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた所望
の特性を有するａ−（Ｓｔ、　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ
，Ｘ）＋−ｙが形成されるように、所望に従ってその作
成条件の選択がＷ２密に成される。例えば、第３の層（
ｍ）を電気的耐圧性の向上を主な目的として設ける場合
には、ａ−（ＳｔＫＮ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ
−ｙは使用環境において電気絶縁性的挙動の顕著な非晶
質材料として作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向」二を主
たる目的として第３の層（ｍ）が設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ
−（ＳｌｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘ）＋−ｙが作成される
。

第２の層（ＩＩ）（７）表面」二にａ−（ＳＬ＋　Ｎ＋
　−＋ｃ　）ｙ　（ＨｌＸ）＋−アから成る第３の層（
ＩＩＩ）を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成
される層の構造及び特性を左右する重要な因子の一つで
あって、本発明においては、目的とする特性を有するａ
−（ＳｉＸＮトｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙが所望通
りに作成され得るように層作成時の支持体温度が厳密に
制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるだめ
の第３の層（ＩＩＩ）の形成法に合わせて適宜最適範囲
が選択されて、第３のｆｆ１）　（ＩＩＩ）の形成が実
行されるが、好ましくは、２０〜４００℃、より好適に
は５０〜３５０℃、最適には１００〜３００℃とされる
のが望ましい。第３の層（ｍ）の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的
容易であること等のために、グロー放電法やスパッタリ
ング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第２
の層を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電パワーが作成されるａ−（ＳｔＸＮ、　
−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙの特性を左右する重要
な因子の一つとして挙げることができる。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（ＳｉＸＮ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ
−ｙが生産性よく効果的に作成されるための放電パワー
条件としては、好ましくはｌＯ〜３００Ｗ、より好適に
は２０〜２５０Ｗ、最適には５０〜２００Ｗとされるの
が望ましい。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜１　
Ｔａｒｔ、好適には、Ｑ、ｌ　〜Ｑ、５Ｔｏｒｒ程度と
されるのが望ましい。

本発明に於いては第３の層（ｍ）を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性のａ
−（ＳｔＸＮ、　−Ｘ　）ｙ　（）ｌ、Ｘ）トｙから成
る第３の層（ＩＩ［）が形成されるように相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第３の層（ｍ）に含有され
る窒素原子の量は、第３の層（ｍ）の作成条件と同様、
本発明の目的を達成される所望の特性が得られる第３の
層（■）が形成されるための重要な因子の一つである。

本発明における第３の層（ＩＩＩ）に含有される窒素原
子の量は、第３の層（ＩＩ［）を構成する非晶質材料の
特性に応じて適宜所望に応じて決められるものである。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
１−　ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコ
ン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後、ａ
−ｓｉ、Ｎ、−、と記す。但し、０＜ａ＜１）、シリコ
ン原子と窒素原子と水素原子とで構成される非晶質材料
（以後、ａ−（Ｓｉ１．　Ｎ＋　−ｂ　）。Ｈｌ−１：
と記す。但し、０＜　ｂ、　ｃ　＜　１）　、シリコン
原子と窒素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、ａ−（Ｓｉ４Ｎ＋　
−ｄ）ｅ　（Ｈ，Ｘ）＋−ａと記す。但し、０＜ｄ、ｅ
＜１）に分類される。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）がａ−５ｉａＮ＋
−ａで構成される場合、第３の層（ｍ）に含有される窒
素原子の量は、好ましくは、ｌＸｌ０−３〜６０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好適には１〜５０ａｔｏｍｉｃ％、最適
には１０〜４５ａｔｏ＋＋＋ｉｃ％とされるのが望まし
いものである。即ち、先のａ−ＳｉａＮ　＋−ａのａの
表示で行えば、ａが好ましくは０．４〜０．９９１１９
９、より好適には０．５〜０．１１９．最適には０．５
５〜０．９である。

一方、本発明に於いて、第３の層（Ｉ［Ｉ）がａ−（Ｓ
ｉｂ　Ｎ１−ｂ　）ｃ　ＨＩ−ｅで構成される場合、第
３の層（ＩＩＩ）に含有される窒素原子の量は、好まし
くはＩ　Ｘ　１０−３−６０ａｔｏｍｉｃ％、より好ま
しくは１〜５０ａｔｏｆｆＩｉｃ％、最適には１０〜５
０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水
素原子の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍ
ｉｃ％、より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適
には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光導電
部材は、実際面において優れたものとして充分適用させ
得るものである。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＮ＋−ｂ）ｅＨｔ−０の表示で
行えば、ｂが好ましくは０．４５〜０．９９９９９、よ
り好適には０．４５〜０．８日、最適には０．４５〜０
．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９８、より好適には
０．６５〜０．８８、最適には０．７〜０．８５である
のが望ましい。

第３の層（ＩＩＩ）が、ａ−（ＳｉａＮ＋−ａ’）ｅ　
（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｅで構成される場合には、第３の層（
Ｉ［［）中に含有される窒素原子の含有量としては、好
ましくは、Ｉ　Ｘ　１０”　〜ｅＯａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には１〜６０ａｔｏａ＋ｉｃ％、最適には１０〜
５５’ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである
。ハロゲン原子の含有量としては、好ましくは、１〜２
０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には　ｌ−１８ａｔｏ＋ｉ
ｉｃ％、最適には２〜＋５ａＹｏｍｉｃ％とされるのが
望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場
合に作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得る
ものである。必要に応して含有される水素原子の含有量
としては、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好
適には１３ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいも
のである。

即ち、先（７）ａ−（Ｓｉ４Ｎｔ−ｉ）ｅ（Ｈ，Ｘ）ｉ
−ｅ　（７）　ｄ、　ｅ　１７）表示で行えば、ｄが好
ましくは、０．４〜０．９９９Ｈより好適には０．４〜
０．８８、最適には０．４５〜０．８、ｅが好ましくは
０．８〜０．８９、より好適には０．８２〜Ｏ，Ｓ８．
最適には０．８５〜０．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層（ｍ）の層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。本発明の目的を効果的に達成するように、所期
の目的に応じて適宜所望に従って決められる。

また、第３の層（ＩＩＩ）の層厚は、該第３のＪｌ＃　
（ｍ）中に含有される窒素原子の量や第１の層（Ｉ）お
よび第２の層Ｃ１１）の層厚との関係においても、各々
の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の下に所
望に従って適宜決定される必要がある。更に加え得るに
、生産性や量産性を加味した経済性の点においても考慮
されるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層（ＩＩ［）の層厚としては、好
ましくは０．００３〜３０４ｍ　、より好適には０．０
０４〜２０ｕ、最適にはＱ、ＱＯ５〜ｔａｇｓとされる
のが望ましいものである。

本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、八ｌ、　Ｏｒ、　
ＴＡｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐ
ｔ、Ｐｄ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテ−１−、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

すなわち、例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣ
ｒ、　ＡＩ、Ｃｒ、　Ｎｏ、Ａｕ、Ｉｒ、　Ｎｄ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、丁１、Ｐｔ、　Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎ２０３　＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設
けることによって導電性が付与され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、
　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、Ａｕ、　Ｏ
ｒ、　Ｎｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、
　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パッタリング等でその表面に設け、または前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。

支持体の形状としては、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が十分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら
、このような場合支持体の製造上及び取扱い上、更には
機械的強度等の点から、通常は、ｌＯμ以」二とされる
。

次に、本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示す。

［１中ｃｌｔｏ２〜１１０８のガスボンベには、本発明
の光導電部材の光導電層を形成するための原料ガスが密
封されており、その−例として、例えば１１０２はＨｅ
で希釈されたＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下
５ｉＨｎ／Ｈｅカスと略す）ボンベ、１１０３はＨｅで
希釈されたＧｅＦ４ガス（純度９８．８９９％、以下Ｇ
ｅＦ４　／　Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１０４はＨｅ
で希釈されたＢ２Ｈらガス（純度１１１９．！１１９９
％、以下Ｂ２　Ｈ６／　Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１
０５はｃ２Ｈ４ガス（純度９９．９８％）ボンベ、１１
０ＥｉはＮＨ３ガス（純度９！３．９９％）ボンベであ
る。

図示されていないがこれら以外に、必要に応じて所望の
ガス種のボンベを増設することが可能である。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるには、ガス
ボンベ１１０２〜１１０Ｇの各バルブ１１２２〜１１２
ｆｉ及びリークバルブ１１３５が閉じられていることを
確認し、また、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１及び補助バルブ１１３２．１工
３３が開かれていることを確認して、先づメインバルブ
１１３４を開いて反応室１１０１及び各ガス配管内を排
気する。次に真空計１１３８の読みが約５Ｘ　１０’　
ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ１１３２．１１３３
及び流出バルブｌｉｔ？〜１１２１を閉じる。

先ず、シリング−状基体１１３７Ｊ−に第１の層（Ｉ）
を形成する場合の一例を示すと、カスボンベ１１０２よ
りＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０４よりＢ２　
Ｈ６／　Ｈｅガス、ガスボンベｌ　１（１５よりＣ２Ｈ
４カスをバルブ１１２２．１１２４．１１２５をそれぞ
れ開いて出目圧ゲージ＋１２７．１１２８．１１３０（
７）圧を１Ｋｇ７ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１２
．１１１４．１１１５を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ１１０７．１１０９．１１１０内にそれぞれ流入
させる。引き続いて流出バルブ１１１７．１１１９．１
１２０及び補助バルブ１１３２を徐々に開いてそれぞれ
のガスを反応室１ｔｏｔに流入させる。

このときＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＧｚ　Ｈ４ガス流量
とＢ２　Ｈ６／　Ｈｅガス流量との比が所望の値になる
ように流出バルブ１１１７．１１１９．１１２０を調整
し、また、反応室内の圧−力が所望の値になるように真
空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の
開口を調整する。そして基体シリンダー１１３７の温度
が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の所定の
温度に設定されていることを確認した後、電源１１４０
を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電
を生起させて、基体シリンダー１１３７４二に第１の層
（Ｉ）を形成する。また、層形成を行っている間は、層
形成の均一化を計るために基体シリンダー１１３７をモ
ータ１１３９により一定速度で回転させる。

最後に使用した全てのガス操作系バルブを閉じ、反応室
１１０１を一旦高真空まで排気する。

次にこのようにして形成された第１の層（Ｉ）の上に第
２の層ＣＵ＞を形成する場合の一例を示すと、真空計１
１３８の読みが約５Ｘ　１０”　ｔｏｒｒになったら上
記の場合と同様な操作の繰り返しを行う。

すなわち、カスポンベ１１０２よりＳｉＨ４／Ｈｅカ゛
ス、カスポンベ１１０３よりＧｅＦ４　／　Ｈｅガス、
ガスポンベ１１０４より８２　Ｈ６／　Ｈｅガス、ガス
ポンベ１１０５よりＣ２Ｈ４ガスをバルブ１１２２．１
１２３．１１２４．１１２５をそれぞれ開いて出口圧ゲ
ージ１１２７．１１２Ｂ、１１２９．１１３０（７）圧
を１Ｋｇ７ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１２．１１
１３゜１１１４．１１１５ヲ徐々に開けて、マスフロコ
ントローラ１１０７．１１０Ｂ、１１０９．１１１０内
にそれぞれ流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７
．１１１Ｂ、１１１１１゜１１２０及び補助バルブ１１
３２を徐々に開いてそれぞれのガスを反応室１１０１に
流入させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＧｅＦ
４　／　Ｈｅカス流量とＢ２　Ｈ６／　Ｈｅガス流量と
Ｃ２Ｈ４ガスとの比が所望の値になるように流出バルブ
１１１７．１１１８．１１１９．１１２０を調整し、ま
た、反応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１
３８の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調
整する。そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒ
ーター１１３８により５０〜４００℃の所定の温度に設
定されていることを確認した後、電源１１４０を所望の
電力に設定して反応室１１吋内にグロー放電を生起させ
て、基体シリンダー１１３７上に第１の層（Ｉ）の形成
の場合と同様にして第２の層（ＩＩ　）を形成する。

次にこのようにして形成された第２の層（ＩＩ）の」二
に第３の層（ｍ）を形成する場合には、先の場合と同様
に、使用した全てのガス操作系バルブを閉じ、反応室１
１０１を一旦高真空まで排気し、真空計１１３６の読み
が約５Ｘ　１０”　ｔａｒｔになったら、上記の場合と
同様にして、例えばガスポンベ１１０２よりＳ＋Ｈ，、
／　Ｈｅガス、ガスポンベ１１０ＢよりＮＨ３ガスを供
給して、グロー放電を生起させ第３の層（ＩＩＩ）が形
成される。第３の層（ｍ）中の窒素原子の量はＮＨ３カ
スの供給流量を調整することによって制御される。

以下、実施例について説明する。

実施例１ 第２０図に示した光導電部材の製造装置を用い、先に詳
述したグロー放電分解法によりＡｌ製のシリンダー上に
第１表に示した製造条件に従い光受容層を形成し、電子
写真用の像形成部材の各試料（試料、４１−１−１−１
６−１０−１１　（７）合計８８０個）を作成した。

各試料に於ける光受容層中の第１の層（１）と第２の層
（ＩＩ　）からなる層領域に含有された硼素原子の分布
状態を第１４Ａ図及び第１４Ｂ図に、炭素原子の分布状
態を第１５図に、更に第２の層（ＩＩ　）に含有された
ゲルマニウム原子の分布状態を第１６図に示す。

各試料の個々に於ける硼素原子、炭素原子、及びゲルマ
ニウム原子の分布状態は、各試料に付した試料番号（届
）によって表わした。

即ち、硼素原子及び炭素原子の分布状態は第３表に示し
たように１−１−１８−１０の番号で示され、更にゲル
マニウム原子の分布状態は各試料について第１６図で示
された６種の分布状態（５０１〜５０６）の末尾の番号
に対応した１〜Ｂの番号を第３表に示した１−１−１１
１−１０の番号の末尾に付与した。

このような硼素原子、炭素原子、及びゲルマニウム原子
の分布は、予め定められたガス流量の変化曲線に従って
該当するバルブの開閉状態を自動的に操作することによ
って、Ｂ２Ｈ６／）Ｉｅ、　［：２Ｈ４及びＧｅＦａ　
／　Ｈｅのカス流量を調節することによって形成した。

このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に帯電露光実験装置にセットして＄５．ＯＫＶで
０１３秒間コロナ帯電を行い、直ち番と光像を照射した
。光像は、タングステンランプ光源を用い、０．２　ｌ
ｕｘ　・ｓｅｃの光量を透過型のテストチャートを通し
て照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を光導電部材表面をカスケードすることによっ
て光導電部材表面上に良好なトナー画像を得た。光導電
部材表面上のトナー画像を■５．ＯＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写したところ、解像度に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高濃度の画像が得られた。

次に、光源をタングステンランプのイ曵わりに、８１０
ｎ＋ｗのＧａＡ、ｓ系半導体レーザー（ｌｏｍＷ）を用
Ｉ／）て、静電像の形成を行なった以外ｌま上記と同様
なトナー画像形成条件にして、トナー転写画像の画質評
価を行ったところ、階調再現性の良し）、鮮明な高品位
の画像が得られた。

実施例２ 第２０図の製造装置を用い、シリンダー状のＡ１製基体
上に、第２表に示した製造条件にした以外ｔ±実施例１
と同様にして、電子写真用の像形成部材の各試料（試料
２１−１−１〜２Ｂ−９−６の合１（−４３２４國）を
作製した。

本実施例で得られた各試料の光受容層中の第１の層（Ｉ
）と第２の層（Ｉｔ　）からなる層領域に含有された硼
素原子の分布状態を第１７図に、炭素原子の分布状態を
第１８図に、更に第２の層（１１））こ含有されたゲル
マニウム原子の分布状態を第１９図に示す。

各試料の個々に於ける硼素原子、炭素原子、及びゲルマ
ニウム原子の分布状態は、実施例１と閃１様にして各試
料に付した試料番号（Ｎ６）によって表わした。

即ち、硼素原子及び炭素原子の分布状態は第４表に示し
たように２１−１〜２８−９の番号で示され、更にゲル
マニウム原子の分布状態は各試料について第１９図で示
された６種の分布状態（６０１〜６０Ｂ）の末尾の番号
に対応した１〜６の番号を第４表に示したｌ−１−Ｉｆ
ｆ−１０の番号の末尾に付与した。

このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に用いて実施例１と同様にトナー転写画像の画質
評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例３ 第２０図の製造装置を用い、第３の層（ｍ）の作成条件
を第５表に示した各条件にした以外は、それぞれ実施例
１の試料、１１１５−５−２及び１４−１０−５並びに
実施例２の試料／Ｌ２５−３−４を作成したのと同様の
条件と手順に従って電子写真用の像形成部材をそれぞれ
（試糾孟５−５−２−１〜５−５−２−８　、１４−１
０−５−１〜１４−．１０−５−８　、２５−３−４−
１〜２５−３−４−８の合計２４個の試料）作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な条件で画質評価と、繰り返し連続使
用による耐久性の評価を行った。

これらの各試料の評価結果を第６表に示した。

実施例４ 第３の層（ｍ）の作製をスパッタリング法により実施し
、その形成時にシリコンウニ／＼−と窒化シリコンウェ
ハーのターゲツト面積比を種々変更して、第３の層（ｍ
）中のシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化させた
以外は実施例１の試料１０．８−９−４　と同様にして
シリンダー状のＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子
写真用の像形成部材（試料酸８−９−４−１〜８−９−
４−７の計７個）を作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第７
表の評価結果を得た。

実施例５ 第３の層（ｍ）の形成時に、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガス
の流量比を変えて、第３の層（Ｉ［［）中のシリコン原
子と窒素原子の含有量比を変化させた以外は実施例１の
試料遂８−９−４と全く同様にしてシリンダー状のＡｌ
製基体上に光受容層を形成して電子写真用の像形成部材
（試料遂８−９−４−１１〜８−１１−４−１８の計８
個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第８
表の評価結果を得た。

実施例６ 第３の層（ｍ）の形成時に、ＳｉＨ４ガスとＳｉＦ４ガ
スとＮＨ３カスの流量比を変えて、第３の層（ｍ）中の
シリコン原子と窒素原子の含有量比を変化させた以外は
実施例１の試料遂８−８−４と全く同様にしてシリンタ
ー状のＡｌ製基体上に光受容層を形成して電子写真用の
像形成部材（試料ＡＩＩＬ８−９−４−２１〜Ｂ−９−
４−２８の計８個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第９
表の評価結果を得た。

実施例７ 第３の層（ＩＩＩ）の層厚をを変化させた以外は実施例
１の試料＃６．８−９−４と全く同様にしてシリンター
状のＡｌ製基体上に光受容層を形成して電子写真用の像
形成部材（試料逅８−９−４−３１〜８−９−４−３４
の計４個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第１
Ｏ表の評価結果を得た。

以上の本実施例に於ける共通の層作成条件を以下に示す
。

支持体温度 第１の層及び第３の層形成時：約２５０℃第２の層形成
時：約２００°Ｃ 放電周波数：　１３．５８ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ第１０表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の構成を説明するために層
構造を模式的に示した図、第２図〜第１３図はそれぞれ
本発明の第２の層（ＩＩ　）に於けるゲルマニウム原子
の分布状態を示すための模式図、第１４Ａ図及び第１４
Ｂ図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電部材
の光受容層に於ける硼素原子の分布状態を示した図、第
１５図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電部
材の光受容層に於ける炭素原子の分布状態を示した図、
第１８図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電
部材の第２の層（ＩＩ　）に於けるゲルマニウム原子の
分布状態を示すための模式図、第１７図は本発明の実施
例２に於いて作成された光導電部材の光受容層に於ける
硼素原子の分布状態を示した図、第１８図は本発明の実
施例２に於いて作成された光導電部材の光受容層に於け
る炭素原子の分布状態を示した図、第１８図は本発明の
実施例２に於いて作成された光導電部材の第２の層（■
）に於けるゲルマニウム原子の分布状態を示すための模
式図、第２０図はグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示した図である。 １００：光導電部材　１０１：支持体 １０２：光受容層　１０３：第１の層 １０４：第２の層　１０５：第３の層 １１０１　：反応室 １１０２〜１１０８：ガスボンベ １１０７〜１１１１　：マスフロコントローラ１１１２
〜１１１６：流入バルブ １１１７〜１１２１　：流出バルブ １１２２〜１１２６：バルブ １１２７〜１１３１　：圧力調整器 １１３２：補助バルブ　１１３３：メインバルブ１１３
４：ゲートバルブ　１１３５：リークバルブ１１３８＋
真空計　１１３７　：基体シリンダー１１３８　：加熱
ヒーター　１１３９：モータ１１４０　：高周波電源（
マツチングボックス）第１図 □Ｃ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９　図 第１０図 （４０１）　（１４０２）　（４０３）　（４１０Ｌ４
）　（１４０５）（４０６）　（４０７）　（４０８）
　（４０９）（６０１）　（６０２）　（６０３） （ａｅｏｍｉｃＺ） 第１ （６０４）　（６０５）　（６０６） ９図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、この支持体上に設けら
   れ、光導電性を有する光受容層とを有する光導電部材に
   於いて、前記光受容層が、前記支持体側から、シリコン
   原子を含む非晶質材料で構成された第１のＮ（Ｉ）と、
   シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で
   構成された第２の層（ＩＩ　）と、シリコン原子と窒素
   原子とを含む非晶質材料で構成された第３の層（ＩＩＩ
   ）とから構成され、かつ前記第２の層（ＩＩ）内に含有
   されるゲルマニウム原子が、該層の層厚方向に対して不
   均一に分布しており、更に第１の層（Ｉ）および第２の
   層（■）の少なくとも一方に、炭素原子が含有されてい
   ることを特徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層（１）および第２のＮ（ＩＩ）の少なく
   とも一方に、水素原子及び／又はハロゲン原子が含有さ
   れている特許請求の範囲第１項記載の光導電部材。
3. （３）第１の層（Ｉ）および第２の層（ｎ）の少なくと
   も一方に、伝導性を支配する物質が含有されている特許
   請求の範囲第１項または第２項記載の光導電部材。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部材す
5. （５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部材。