JPS60142514A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60142514A JPS60142514A JP25211983A JP25211983A JPS60142514A JP S60142514 A JPS60142514 A JP S60142514A JP 25211983 A JP25211983 A JP 25211983A JP 25211983 A JP25211983 A JP 25211983A JP S60142514 A JPS60142514 A JP S60142514A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この発明は半導体装置の電極のステンシル剥離法による
形成に利用される。
形成に利用される。
口、従来技術
半導体装置の電極形成は半導体基板上に全面に金属膜を
形成してから、この金属膜上に所定パターンのフォトレ
ジストＩ！ 、 （以下ＰＲ膜と称す）を形成した後、
ＰＲ膜で被覆されていない金属膜をエツチングしてＰＲ
ＩＱを除去するフォトエツチング法が一般的であるが、
金属膜がＴｉ、Ａｇ積層蒸着映のようにエツチングの難
しい金属の場合などにおいては上記方法は適用できず、
この場合は次のリフトオフ法ないしステンシル剥離法が
一般に適用される。この方法による電極形成の従来例を
第１図乃至第５図から説明する。
形成してから、この金属膜上に所定パターンのフォトレ
ジストＩ！ 、 （以下ＰＲ膜と称す）を形成した後、
ＰＲ膜で被覆されていない金属膜をエツチングしてＰＲ
ＩＱを除去するフォトエツチング法が一般的であるが、
金属膜がＴｉ、Ａｇ積層蒸着映のようにエツチングの難
しい金属の場合などにおいては上記方法は適用できず、
この場合は次のリフトオフ法ないしステンシル剥離法が
一般に適用される。この方法による電極形成の従来例を
第１図乃至第５図から説明する。
第１図に示すように不純物選択拡散が完了し上面全面に
５ｉ０２の熱酸化膜（１）が形成された半導体基板（２
）を用意し、先ず第２図に示すように熱酸化膜（１）上
全面にＰＲ膜（３）を形成する。次に第３図に示すよう
にＰＲ膜（３）の電極形成予定部分を露光、現像して窓
孔（４）を形成してから、第４図に示すように窓孔（４
）から露出する熱酸化膜（１）をエツチング除去して前
記窓孔（４）に対応するパターンの窓孔（５）を形成す
る。こののち、第５図に示すように、窓孔（４）を含む
ＰＲ膜（３）上全面にアルミニウムやチタン、銀等より
なる金属膜（６）を蒸着で形成する。次に全体を有機溶
剤に浸漬してＰＲ膜（３）に膨潤液を含浸させ、第６図
に示すようにＩ） Ｒ膜（３）を膨潤させてＰＲ膜（３
）上の金属膜（６ａ）を持ち上げて、窓孔（４）（５）
内の金属Ｈ￥（６ｂ）から切断分離させ、而る後必要に
応じてＰＲＩＡ（３）とその上の金属膜（６ａ）を粘着
テープなどで除去して第７図に示すように窓孔（５）内
の金属膜（６ｂ）のめ電極としで残す。或いは第５図の
ＰＲ膜公（３）を熱分解してガス化し、ｌ） Ｒ股（３
）をその上の金属ＩＱ （６ｎ）と共に除去して第７図
に示すものを得る。
５ｉ０２の熱酸化膜（１）が形成された半導体基板（２
）を用意し、先ず第２図に示すように熱酸化膜（１）上
全面にＰＲ膜（３）を形成する。次に第３図に示すよう
にＰＲ膜（３）の電極形成予定部分を露光、現像して窓
孔（４）を形成してから、第４図に示すように窓孔（４
）から露出する熱酸化膜（１）をエツチング除去して前
記窓孔（４）に対応するパターンの窓孔（５）を形成す
る。こののち、第５図に示すように、窓孔（４）を含む
ＰＲ膜（３）上全面にアルミニウムやチタン、銀等より
なる金属膜（６）を蒸着で形成する。次に全体を有機溶
剤に浸漬してＰＲ膜（３）に膨潤液を含浸させ、第６図
に示すようにＩ） Ｒ膜（３）を膨潤させてＰＲ膜（３
）上の金属膜（６ａ）を持ち上げて、窓孔（４）（５）
内の金属Ｈ￥（６ｂ）から切断分離させ、而る後必要に
応じてＰＲＩＡ（３）とその上の金属膜（６ａ）を粘着
テープなどで除去して第７図に示すように窓孔（５）内
の金属膜（６ｂ）のめ電極としで残す。或いは第５図の
ＰＲ膜公（３）を熱分解してガス化し、ｌ） Ｒ股（３
）をその上の金属ＩＱ （６ｎ）と共に除去して第７図
に示すものを得る。
ハ１発明が解決しようとする問題点
ところで上記リフトオフ法ないしステンシル剥離法にお
いて、第５図の電極膜蒸着工程で電極膜（６）は電極と
して残す部分（６ｂ）と不要で除去される部分（６ａ）
との境界部分く６Ｃ）が段状となって他より薄（て切れ
易く、これによりリフトオス法ないしステンシル剥離法
が効果的に適用でき答。ところが、実際はＰＲＩＱ（３
）の厚さのバラツキ、金属蒸着における上記境界部分（
６ｃ）の厚さのバラツキによるステップカバーレージ性
の変動によりＰＲ膜（３）を膨潤させたり熱分解しても
境界部分（６Ｃ）が切れずに残って精度の良い電極形成
を難しくしていた。
いて、第５図の電極膜蒸着工程で電極膜（６）は電極と
して残す部分（６ｂ）と不要で除去される部分（６ａ）
との境界部分く６Ｃ）が段状となって他より薄（て切れ
易く、これによりリフトオス法ないしステンシル剥離法
が効果的に適用でき答。ところが、実際はＰＲＩＱ（３
）の厚さのバラツキ、金属蒸着における上記境界部分（
６ｃ）の厚さのバラツキによるステップカバーレージ性
の変動によりＰＲ膜（３）を膨潤させたり熱分解しても
境界部分（６Ｃ）が切れずに残って精度の良い電極形成
を難しくしていた。
二１問題点を解決するための手段
本発明は上記問題の解決手段として次の（ａ）〜（ｆ）
の各工程で電極を形成するステンシル剥離法による方法
を提供する。
の各工程で電極を形成するステンシル剥離法による方法
を提供する。
（ａ）電極形成前の半導体基板上にこの半導体基板の従
来のＰＲ膜の下地層（熱酸化膜など）よりエツチングレ
ートの大きなｐｓｃ ＜リンガラス）などの絶縁性中間
層を全面に形成する工程。
来のＰＲ膜の下地層（熱酸化膜など）よりエツチングレ
ートの大きなｐｓｃ ＜リンガラス）などの絶縁性中間
層を全面に形成する工程。
（ｂ）上記中間層上全面にｐ Ｒ１ｌｊＪを形成して電
極形成予定部分を窓開けする工程。
極形成予定部分を窓開けする工程。
（ｃ）ｌ記Ｐ、 Ｒ膜の選択的に形成された窓孔から」
―記中間ｊｄをエツチングして選択的に除去する工程。
―記中間ｊｄをエツチングして選択的に除去する工程。
（ｄ）上記１） ＲＩＱの窓孔を含む全面に金属膜を形
成する工程。
成する工程。
（ｆ＞上記ＰＲＩＱをリフトオフ法ないしステンシル剥
１ｉｓＩｔ法で除去する工程。
１ｉｓＩｔ法で除去する工程。
ホ、実ｈｉｉ例
上記各工程（ａ）〜（ｆ）を第８図乃至第１４図の一４
体的実施例でもって説明する。先ず第８図に示すように
例えば上面に熱酸化膜（７）が形成された半導体基板（
８）を用意し、この半導体基板（８）上全面に第９図に
示すように熱酸化膜（７）より大きなエッチグレートを
持つＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） Ｍ化膜やＰＳＧ等の絶縁性中間
層（９）を形成する。次に第１θ図に示すように中間層
（９）上全面にＰ Ｒ膜（１０）を形成してから、第１
１図に示すようにＰＲ膜（１０）の電極形成予定部分に
窓孔（１１） ヲ選択的ニ形成スル。面ルＩｊ；ｔ Ｐ
ＲＩＩ！ （１０）の窓孔（１１）から中間層（９）
と熱酸化膜（７）より横方向に大きくエツチングされ、
熱酸化膜（７）の窓孔（１１）に対向する部分がエツチ
ングされた時点でもてエツチングを止めると第１２図に
示すように中間層（９）は窓孔（１１）からアンダーカ
ットされて窓孔（１１）より大きくなって、ＰＲＩＱ（
１０）の窓孔（１１）の周辺部分の下に空洞（１２）が
形成される。
体的実施例でもって説明する。先ず第８図に示すように
例えば上面に熱酸化膜（７）が形成された半導体基板（
８）を用意し、この半導体基板（８）上全面に第９図に
示すように熱酸化膜（７）より大きなエッチグレートを
持つＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） Ｍ化膜やＰＳＧ等の絶縁性中間
層（９）を形成する。次に第１θ図に示すように中間層
（９）上全面にＰ Ｒ膜（１０）を形成してから、第１
１図に示すようにＰＲ膜（１０）の電極形成予定部分に
窓孔（１１） ヲ選択的ニ形成スル。面ルＩｊ；ｔ Ｐ
ＲＩＩ！ （１０）の窓孔（１１）から中間層（９）
と熱酸化膜（７）より横方向に大きくエツチングされ、
熱酸化膜（７）の窓孔（１１）に対向する部分がエツチ
ングされた時点でもてエツチングを止めると第１２図に
示すように中間層（９）は窓孔（１１）からアンダーカ
ットされて窓孔（１１）より大きくなって、ＰＲＩＱ（
１０）の窓孔（１１）の周辺部分の下に空洞（１２）が
形成される。
後は従来同様に先ず第１３図に示すように、半導体基板
（８）上全面にアルミニウムやチタン、銀等の蒸着で金
属膜（１３）を形成する。この時金属膜（１３）のＰＲ
膜（１０）上の不用な部分（１３ａ）と窓孔（１１）内
の部分（１３ｂ）との境界部分（１３ｃ）は空洞（１２
）のため中空に浮いた状態となって他より大幅に薄くて
切れ易くなり、極端な場合は始めから切れた状態で形成
される。従って後のＰＲ膜（ｌＯ）の膨潤や熱分解によ
るＰ Ｒ膜（１０）とその上の金属膜（１３）の除去が
容易に、且つ確実、高精度に行えて、第１４図に示すよ
うに電極としての金属膜（１３ｂ ）のみが残る。
（８）上全面にアルミニウムやチタン、銀等の蒸着で金
属膜（１３）を形成する。この時金属膜（１３）のＰＲ
膜（１０）上の不用な部分（１３ａ）と窓孔（１１）内
の部分（１３ｂ）との境界部分（１３ｃ）は空洞（１２
）のため中空に浮いた状態となって他より大幅に薄くて
切れ易くなり、極端な場合は始めから切れた状態で形成
される。従って後のＰＲ膜（ｌＯ）の膨潤や熱分解によ
るＰ Ｒ膜（１０）とその上の金属膜（１３）の除去が
容易に、且つ確実、高精度に行えて、第１４図に示すよ
うに電極としての金属膜（１３ｂ ）のみが残る。
次に本発明の別の具体的実施例を第１５乃至第２１図か
ら説明する。これは第１５図に示すように上面に熱酸化
膜（７゛）とこの上に一部を重ねてポリシリコンＮ （
１４）を選択的に形成した半導体基板（１５）を用意し
て、ポリシリコン層（１４）上に電極パターンを選択的
に形成する場合を示し、先ず第１６図と第１７図に示す
ように半導体基板（１５）上全面に前記実施例と同じ中
間層（９゛）とｌ） Ｒ膜（１０’ ）を順次に形成す
る。次に第１８図に示すようにＰＲ膜（１０”）の電極
形成予定部分を選択的に除去して窓孔（１６）を形成し
てから、窓孔（１６）よりエツチングを行う。この場合
ポリシリコンＩＮ（１４）はエツチングされず、中間層
（９゛）のみがエツチングされて第１９図に示すように
Ｐ Ｒ膜（１０’ ）の窓孔（１６）周辺部分の下に十
分な大きさの空洞（１７）が形成された段階でエツチン
グを止める。次に第２０図と第２１図に示すように電極
膜（１３”）の全面形成を行ってから選択除去すれば所
望の電極が形成される。この場合も空洞（１７）により
重積形成は容易に正確に行える。
ら説明する。これは第１５図に示すように上面に熱酸化
膜（７゛）とこの上に一部を重ねてポリシリコンＮ （
１４）を選択的に形成した半導体基板（１５）を用意し
て、ポリシリコン層（１４）上に電極パターンを選択的
に形成する場合を示し、先ず第１６図と第１７図に示す
ように半導体基板（１５）上全面に前記実施例と同じ中
間層（９゛）とｌ） Ｒ膜（１０’ ）を順次に形成す
る。次に第１８図に示すようにＰＲ膜（１０”）の電極
形成予定部分を選択的に除去して窓孔（１６）を形成し
てから、窓孔（１６）よりエツチングを行う。この場合
ポリシリコンＩＮ（１４）はエツチングされず、中間層
（９゛）のみがエツチングされて第１９図に示すように
Ｐ Ｒ膜（１０’ ）の窓孔（１６）周辺部分の下に十
分な大きさの空洞（１７）が形成された段階でエツチン
グを止める。次に第２０図と第２１図に示すように電極
膜（１３”）の全面形成を行ってから選択除去すれば所
望の電極が形成される。この場合も空洞（１７）により
重積形成は容易に正確に行える。
へ０発明の効果
以上の如く、本発明によればリストオフ法ないしステン
シル剥離法による電極形成時の金属膜剥離性が一段と改
善され、信頼性の高い電極形成法が提供できる。
シル剥離法による電極形成時の金属膜剥離性が一段と改
善され、信頼性の高い電極形成法が提供できる。
第１図乃至第７図は従来の半導体装置電極形成方法を説
明するための各工程での半導体基板の部分断面図、第８
図乃至第１４図と第１５図乃至第２１図は本発明方法の
具体的実施例を示す各工程での半導体基板の部分断面図
である。 （７）−・下地Ｍ（熱酸化膜）、（８） −半導体基板
、（９） （９’）−中間層、（１０） （１’０”）
−フォトレジスト膜、（１３） （１３’ ）−金属膜
、（１４）−・−下地層（ポリシリコンＪｗ）、（１５
）−半導体基板。 １１！、す＋；、ｉ、ｌノ １１１図 ／ 第８図 ／ ２ 第４ 図 第７ 図
明するための各工程での半導体基板の部分断面図、第８
図乃至第１４図と第１５図乃至第２１図は本発明方法の
具体的実施例を示す各工程での半導体基板の部分断面図
である。 （７）−・下地Ｍ（熱酸化膜）、（８） −半導体基板
、（９） （９’）−中間層、（１０） （１’０”）
−フォトレジスト膜、（１３） （１３’ ）−金属膜
、（１４）−・−下地層（ポリシリコンＪｗ）、（１５
）−半導体基板。 １１！、す＋；、ｉ、ｌノ １１１図 ／ 第８図 ／ ２ 第４ 図 第７ 図
Claims (1)
- （１）電極形成前の半導体基板上に所要部分を窓開Ｌ３
したフォトレジスト膜を介して金属膜を全面に形成した
後、このフォトレジスト膜を膨潤又は熱分解して半導体
基板に電極を選択的に形成する方法におい′ζ、電極形
成前の半導体基板上に前記フォトレジスト膜の下地層よ
りエツチングレートの大きな絶縁性中間層を形成する工
程、この中間層上にフォトレジスト膜を形成して選択的
に窓開けする工程、前記フォトレジスト膜の窓孔から前
記中間層を選択的にエツチングする工程、前記フォトレ
ジスト膜の窓孔を含む全面に金属膜を形成する工程、前
記フォトレジスト膜を除去する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25211983A JPS60142514A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25211983A JPS60142514A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142514A true JPS60142514A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17232734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25211983A Pending JPS60142514A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100527588B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2005-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다층 배선 형성 방법 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25211983A patent/JPS60142514A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100527588B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2005-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다층 배선 형성 방법 |
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