JPS60141869A - 膜形成方法および膜形成装置 - Google Patents

膜形成方法および膜形成装置

Info

Publication number
JPS60141869A
JPS60141869A JP58249803A JP24980383A JPS60141869A JP S60141869 A JPS60141869 A JP S60141869A JP 58249803 A JP58249803 A JP 58249803A JP 24980383 A JP24980383 A JP 24980383A JP S60141869 A JPS60141869 A JP S60141869A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
vacuum chamber
film
source
evaporation source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58249803A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Suzuki
泰雄 鈴木
Yasunori Ando
靖典 安東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP58249803A priority Critical patent/JPS60141869A/ja
Priority to US06/653,685 priority patent/US4622919A/en
Publication of JPS60141869A publication Critical patent/JPS60141869A/ja
Priority to US06/860,119 priority patent/US4683149A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、試料表面に厚さ数μｍ以下の膜を形成する
だめの膜形成方法および膜形成装置に関する。
（ロ）従来技術 この種の膜形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ蒸
着法およびイオンプレーティグ法が公知である。
真空蒸着法は、膜の形成速度が大きい利点があるが、試
料に対する膜の付着力が弱い欠点があり、たとえばスト
リップ・スチール表面へのアルミニウム膜の形成の場合
、膜形成後のプレス加工等で膜がはがれることがある。
スパッタ蒸着法は、膜の形成速度が小さいという大きな
欠点がある。
イオンプレーティグ法は、膜の形成速度が大きく、試料
に対する膜の付着力も真空蒸着法に比較して強いが、し
かしそれでも付着力は充分満足できるｔｌど強くはない
。
一方、膜形成ではないが、表面状起改質の技術としてイ
オン注入法が知られている。イオン注入法によれば、表
面から数百〜数千Ａの深さまでの表面状態の改質を行う
ことができる。
） （）→目的 この発明は、膜形成速度が大きり、シかも試料　３− に対する付着力の強いＩｌｌ形成できる膜形成方法およ
び膜形成装置を提供することを目的とする。
に）構成 この発明は、真空槽中において、 （１）試料表面に５００Ｖ〜５ｋＶの加速電圧でイオン
照射を行って試料表面の活性化を行い、０）次いで真空
蒸着によってイオン注入しうる深さ以下の厚さの蒸着層
を形成し、 （ｉ）次に前記蒸着層に１ｏｋＶ〜１ｏｏｋＶの加速電
圧でイオン注入を行い、さらに必要に応じて、先に形成
した蒸着層に次の（１ｖ）又は（りのいずれかを所望回
行って、 （１り真空蒸着またはイオンブレーティングを行う、（
り前記０）および（ｉｔ）工程を行う、これにより所定
の厚さの膜を形成した試料を得ることを特徴とする膜形
成方法を提供する。
上記において、工程の組合せとしては、（＋）、（１）
。
（１）のみの場合、（＋）、　（１）、　（厘）、（Ｉ
Ｖ）の場合、（＋）。
（１）、　（１）、　（ｖ）、　（＋りの場合、（１）
、　（１）、　（１）、　（ｌｖ）、　（す。
（１りの場合などがある。すなわち、Ｑｖ）　（Ｖ）の
工程一番　− は行なわなくてもよいし、交互にいずれか一方を行って
もよい。なお、（１つの工程は先に形成した層とその層
上に次に形成する層の付着性が優れている場合（たとえ
ば同種の層）に行うのが好ましく、（りの工程は先に形
成した層とその層上に次に形成する層の付着性が劣って
いる場合（一般に異種の層）に行うのが好ましい。
またこの発明は、真空槽、その真空槽内で試料を移送す
る試料移送手段、その真空槽内での試料の移動方向に沿
って第１番目の位置に設けられ５００ｖ〜５　ｋＶの加
速電圧を有する第１イオン源、前記真空槽内での試料の
移動方向に沿って第２番目の位置に設けられる第１蒸発
源、前記真空槽内での試料の移動方向に沿って第３番目
の位置に設けられｘｏｋＶ〜１ｏｏｋＶの加速電圧を有
する第２イオン源および前記真空槽内での試料の移動方
向に沿って第４番目の位置に設けられる第２蒸発源を具
備してなることを特徴とする膜形成装置を提供する。
またこの発明は、真空槽、その真空槽内で試料を移送す
る試料移送手段、その真空槽内での試料の移動方向に沿
って第１番目の位置に設けられ５００■〜５　ｋＶの加
速電圧を有する第１イオン源、前記真空槽内での試料の
移動方向に沿って第２番目の位置に設けられる第１蒸発
源、前記真空槽内での試料の移動方向に沿って第３番目
の位置に設けられ］−ｏ　ｋＶ〜〕、ｏｏｋＶの加速電
圧を有する第２イオン源、前記真空槽内での試料の移動
方向に沿って第４番目の位置に設けられる第２蒸発源、
その第２蒸発源から試料への蒸気経路に設けられ蒸気を
イオン化するための高周波励起手段およびイオン化した
蒸気を試料に向けて加速するだめの電界を形成する電界
形成手段を具備してなること′ｆ、特徴とする膜形成装
置ｔ−提供する。
（ホ）実態例 第１図に示す（１）は、この発明の膜形成装置の一実施
例である。真空槽（２）内に、送りロール（３）と巻取
りロール（４）が設けられており、送りローＡ／（３）
から春取りロー／ｌ／（４）にテープ状試料（Ｔ）が送
られる。テープ状試料（Ｔ）の移動方向に沿って順に第
１イオン源（５）、第１蒸発源（６）、第２イオン源（
７）および第２蒸発源（８）が配設されている。
第１イオン源（５）は、たとえばＡｒ、　Ｘｅ等の不活
性元素のイオンを５００ｖ〜５１ｃＶで加速して試料（
Ｔ）に照射するもので、試料表面のクリーニングと活性
化とを行うものである。
第１蒸発源（６）は、電子銃（６ａ）から電子ビーム全
照射して蒸着材料（Ａ）＝ｋＫ子ビーム加熱することで
蒸着材料（Ａ）　を蒸気化させるものである。
この第１蒸発源（６）で形成する第１蒸着層の厚みは、
第１蒸着層におけるイオンの平均飛程と同程度かそれ以
下とする。したがって蒸着材料（Ａ）とイオンの種類と
イオンのエネＩレギーによって第１蒸着層の厚みは制限
され、たとえばイオン種類が同じならそのエネルギーが
大きいほど第１蒸着層の厚みを大きくとれる。またエネ
ルギーが同じなら質量の小さいイオンを用いるほど第１
蒸着層の厚みを大きくとれる。
第２イオン源（７）は、たとえば・駐、　Ｘｅ、　Ｎ等
の元素のイオンを１ｏｋＶ〜１００ｋＶで加速して蒸着
層にイオン注入を行うものである。注入イオンと蒸着層
構成原子あるいは試料構成原子との衝突現象等によって
、試料表面と蒸着層の境界で試料原子と蒸着層原子とが
混合した状態を生じ、試料表面から蒸着層にかけて組成
が連続変化となる。このため蒸着層は非常に強固に試料
表面に付着する。
第２蒸発源（８）は、第１蒸発源（６）と同様の構成で
ある。蒸着材料（Ｂ）が蒸着材料（Ａ）と同材料の場合
には、先に蒸着した蒸着層と同じ材料でかつ同じ真空中
におかれたま＼つづけて蒸着されるから、実質的に一体
の蒸着と同じであって付着性に全く問題がない。そこで
所望の厚さだけ真空蒸着すれば、試料表面上に所定の厚
さの膜を形成でき、しかもその膜と試料表面との付着性
は非常に強いものとなる。一方、蒸着材料（Ｂ）が蒸着
材料（Ａ）と異材料の場合には、先に蒸着形成した蒸着
層との付着性に優れた材料であれば同材料の場合と同様
に所望の厚さだけ真空蒸着すればよいが、付着性に劣る
材料（一般的に異材料の場合は付着　８− 性に劣る）であれば第１蒸着層を形成したときと同様に
１イオンの平均飛程と同程度かそれ以下の厚さに真空蒸
着し、次いで送りロー／Ｌ’（３）および巻取ロー／Ｌ
／（４）ｔ−逆転して試料（Ｔ）　を逆送し、第２イオ
ン源（グ）でイオン注入を行って付着性を強化する。
なお連続製造の観点から、試料（Ｔ）の逆送金避けたい
場合は、第２蒸発源（８）の後に第３イオン源を設置す
ればよい。また同じように必要に応じて蒸発源やイオン
源を試料（Ｔ）の移動ラインに沿って増設してもよい。
第２図に示す（１１）は、この発明の膜形成装置の他の
実施例である。（２）〜（８）の各要素は前述の装置（
１）と同じ構成で同じ参照番号を付しである。この第２
図の装置（１１）の特徴は、第２蒸発源（８）で蒸気化
した蒸着材料を高周波電源（１２）および高周波コイ）
ｖ（１３）でイオン化し、バイアス電源（１４）で加速
して試料（Ｔ）に付着させ、イオンブレーティングを行
うように構成していることである。
第３図に示す（２１）は、この発明の膜形成装置のさら
に他の実施例である。この装置（２１）では、真空槽（
２２）の外部に送りロール（２３）および巻取りロー／
Ｌ／（２４）が設けられておシ、テープ状試料（Ｔ）は
真空槽（２２）に設けられた受入部（ｚ２Ａ）から真空
槽内に導入され、送出部（２２Ｂ）から送り出される。
（５）〜（８）の各要素は＃、１図の装置（１）と同じ
構成で同じ参照番号を付しである。送ジロー／Ｉ／（２
’Ｓ）と巻取りロー１ｖ（２４）が外部にあるから、−
春目のテープ状試料（Ｔ）の後端に二春目のテープ状試
料（Ｔ）の前端を継ぎ足すことで、真空槽（２２）の真
空を保ったま＼何巻でも連続して処理できる利点がある
。
なお、第１図〜第３図において、（２ａ）、　（２２ａ
）。
（２２ｆ）、　（２２りはそれぞれ真空排気口で、真空
ポンプ（図示省略）に連結される。
以下、製造例を示す。
製造例１゜ 第１図に示す装置（１）ヲ用いて、前処理としてトリク
レンおよびアセトンによる脱脂処理を施し７’ＣＪＩ０
．５關、幅３ｏｏ鰭のストリップ・スチールの片面に対
膜の形成を行なった。
ストリップ・ステー／Ｉ／（Ｔ）を速度１〜１’５ｍ／
分で移動させた状態で、まず、第１イオン源（５）で電
圧５００■〜５　ｋＶで加速したＡｒイオンを照射し、
膜形成面のクリーニングと活性化を行なった。この際の
イオンの照射量は５　Ｘ　１０”〜５　Ｘ　１０”　’
°ｎ８るである。
次に第１蒸発源（６）によ−ｕ展を約４０ＯＡ　（約４
０　ｎｍ　）だけ形成した。この際のＭ３膜の厚みは、
イオン注入でよく知られているＬＳＳ理論（Ｌｉｎｄｈ
ａｒｄ−５ｃｈａｒｆｆ−Ｓｃｈｉ　ｄ　ｔｔ　ｔｈｅ
ｏｒｙ　）に甚く計算にょシ加速電圧４０ｋＶのＡｒイ
オンのＭ中の平均飛程にほぼ一致するように決定した。
次に第２イオン源（７）で電圧４ｏｋＶで加速したＡｒ
イオンを照射した。イオンの照射量はｌ　Ｘ　１０”〜
ｌ　Ｘ　１０”　１ｏｎｓ／、Ｉ”’Ｃ”あった。
最後に、第２蒸発源（８）によプＭ展を１μｍの） 膜厚まで形成させた。
以上によシストリップ・スチール上に厚さ１μｍ−１１
− のＭ膜を強固な付着性をもたせて形成することができた
。またＡｒイオンの触媒作用により蒸着膜の結晶が促進
された。
なお、膜形成時の真空槽（２）の真空度は、１０〜１０
　’ｒｏｒｒで、油回転ポンプと油拡散ポンプで排気を
行なった。各蒸発源に使用した電子銃は、第１蒸発源（
６）の電子銃（６ａ）は５ｏｋＷのものを、また第２蒸
発源（８）の電子銃（８ａ）は５ｏｋＷＯものを用いた
。
製造例２゜ 第１図に示す装置（１）ｆｔ用いて、前処理としてトリ
クレンおよびアセトンによる脱脂処理を施した厚さ０．
５１１１１４　＋幅３ｏｏ鰭のストリップｅスチーμの
片面にＴｉＮの形成を行なった。
ストリップ・ステー／Ｉ／（Ｔ）′ｆｔ速度１〜１５ｒ
ｒＬ／分で移動させた状態で、まず、第１イオン源（５
）で電圧５００■〜５ｋＶで加速したＡｒイオンを照射
し、膜形成面のクリーニングと活性化を行なった。この
際のイオンの照射量は５　Ｘ　１ｏｊＢ〜５Ｘ　１０１
６ｉｏｎｓるである。
　１２− 次に第１蒸発源（６）によりＴ１膜を約８０ＯＡ、（約
８０皿）だけ形成した。この際のＴ１膜の厚みは、イオ
ン注入でよく知られているＬＳＳ理論に基く計算によシ
加速電圧４０ｋＶの窒素イオンのＴｉ中の平均飛程にほ
ぼ一致するように決定した。
次に第２イオン源（））で電圧４０ｋＶで加速した窒素
イオンを照射した。イオンの照射量は約５×１０”　１
ｏｎｓ／／ｃＩｉであった。
最後に、第２蒸発源（８）によりＴｉＮ材料をｌ　ｌｔ
ｍの膜厚となるまで蒸着させた。
以上によシストリップ・スチール上に厚さｌ　Ｊｉｍの
ＴｉＮ材料を蒸着し、強固な付着性をもたせて形成する
ことができた。
なお、膜形成時の真空槽（２）の真空度は、ｌＯ１ 〜１０　ＴＯｒｒで、油回転ポンプと油拡散ポンプで排
気を行なった。各蒸発源に使用した電子銃は、第１蒸発
源（６）ノミ子銃（６ａ）は３０ｋＷノもノヲ、また第
２蒸発源（８）の電子銃（８ａ）は５ｏｋＷのものを用
いた。
製造例３゜ 第２図に示す装置（２１）　ｋ用いて、前処理としてト
リクレンおよびアセトンによる脱脂処理を施した厚み０
．５　ｊｌＪ　ｒ幅３００ｆｆのストリップ・スチール
の片面にＴｉＮ膜の形成を行なった。
まず真空槽（２）　′ｆｒ１０　Ｔｏｒｒ　ノオーダー
マテ排気した後、９９．９９９％以上の純度の窒素ガス
を導入し、１０　Ｔｏｒｒのオーダーの真空度としてお
く。
ストリップ−ステー／ｖ（Ｔ）を速度１０〜５ｏｃＩｎ
／分で移動させた状態で、第１イオン源（５）で電圧５
００ｖ〜５　ｋＶで加速した釘イオンを照射し、膜形成
面のクリーニングと活性化を行なった。この際のイオン
の照射量は５　Ｘ　１０１５〜５　Ｘ　１０１６ｉｎｎ
シシである。
次に１０ｋＷ電子ビ一ム加熱式蒸発源（６）にょシＴ１
換を６００〜６５０Ａ　（６０〜６５　ｎｍ　）だけ堆
積させた。このＴ１膜の厚みは加速電圧５ｏｋＶの窒素
イオンのＴｉ中の平均飛程にほぼ一致するよう決定した
。
次に第２イオン源（７）で電圧３ｏｋＶで加速した窒素
イオンを照射した。照射量は７　Ｘ　１０”〜３×１ｏ
１７ｉ０ｎｓ　／　ｃＩＩである。
この後、３０ｋＷ［子ビーム加熱式蒸発源（８）により
Ｔｉを蒸発させるが、その際、高周波コイル（１３）に
高周波電源より１３．５６　ＭＨｚの高周波５００Ｗ〜
１　ｋＷ　′ｆｔ印加し、放電を発生させ、かつバイア
ス電源（１４）によシ５ｏｏｖ〜ｌ　ｋＶの電圧を印加
しておく。
以上の結果、第１蒸発源（６）によるＴｉ蒸着層は、Ｎ
イオンを注入されることでＴｉ−Ｎ層となシかつストリ
ップ・ステー１ｖ（Ｔ）に強く付着する。
さらに第２蒸発源（８）によるＴ１蒸気は、窒素ガス存
在下の放電でイオン化され、先のＴｉ、−Ｎ層上にやは
、９　Ｔｉ　−Ｎ層を形成する。すなわち、ストリップ
・ステーμ（Ｔ）上にＴｉ　−Ｎ膜を強固な付着性をも
たせて形成できた。
（へ）効果 この発明の膜形成方法および装置によれば、従来の真空
蒸着法と同程度の大きな速度で膜形成を行うことができ
ると共に、形成した膜と試料表面の付着性を極めて強固
にできる効果がある。
　１５−
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の膜形成装置の一実施例の構成説明図
、第２図は他の実施例の構成説明図、第３図はさらに他
の実施例の構成説明図である。 （１）（１１）（２１）・・・膜形成装置、（２）（２
２）・・・真空槽、（２２Ａ）・・・受入部、（２２Ｂ
）・・・送出部、（３）（２３）・・・送ジローｐ１（
４）　（２４）・・・巻取ジローＮ、（５）・・・第１
イオン源、（６）・・・第１蒸発源、（））・・・第２
イオン源、（８）・・・第２蒸発源。 　１６　−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、真空槽中において、 （１）試料表面に５００Ｖ〜５ｋＶの加速電圧でイオン
    照射を行って試料表面の活性化を行い、（１次いで真空
    蒸着によってイオン注入しうる深さ以下の厚さの蒸着層
    を形成し、 （り次に前記蒸着層にｘｏｋＶ〜１００に■の加速電圧
    でイオン注入を行い、さらに必要に応じて、先に形成し
    た蒸着層に次の（１ｖ）又は（りのいずれかを所望回行
    って、 （１り真空蒸着またはイオンブレーティングを行う、（
    り前記（１１）および（Ｉｆ）工程を行う、これによシ
    所定の厚さの膜を形成した試料を得ることを特徴とする
    膜形成方法。 ２、真空槽、その真空槽内で試料を移送する試料移送手
    段、その真空槽内での試料の移動方向に沿って第１番目
    の位置に設けられ５００　Ｖ〜５　ｋＶの加速電圧を有
    する第１イオン源、前記真空槽内での試料の移動方向に
    沿って第２番目の位置に設けられる第１蒸発源、前記真
    空槽内での試料の移動方向に沿ってＭ３番目の位置に設
    けられ１ｏｋＶ　−ｘｏｏｋｆｆの加速電圧を有する第
    ２イオン源および前記真空槽内での試料の移動方向に沿
    って！！４番目の位置に設けられる第２蒸発源を具備し
    てなることを特徴とする膜形成装置。 ３、試料移送手段が、テープ状試料を移送する送ジロー
    １−ルおよび巻取ローｙからなる請求の範囲第２項記載
    の装置。 ４、送りローμおよび巻取ロー〜が、共に真空槽内に設
    置されてなる請求の範囲第３項記載の装置。 ５、送ジローρおよび巻取ローｐが共に真空槽外に設置
    され、真空槽にはテープ状試料の受入部と送出部とが設
    けられてなる請求の範囲第３項記載の装置。 ６・　真空槽、その真空槽内で試料を移送する試料移送
    手段、その真空槽内での試料の移動方向に沿って第１番
    目の位置に設けられ５００Ｖ〜５ｋＶの加速電圧を有す
    る第１イオン源、前記真空槽内での試料の移動方向に沿
    って第２番目の位置に設けられる第１蒸発源、前記真空
    槽内での試料の移動方向に沿って第３番目の位置に設け
    られ１ｏｋＶ〜１００ｋＶの加速電圧を有する第２イオ
    ン源、前記真空槽内での試料の移動方向に沿って第４番
    目の位置に設けられる第２蒸発源、その第２蒸発源から
    試料への蒸気経路に設けられ蒸気をイオン化するための
    高周波励起手段およびイオン化した蒸気を試料に向けて
    加速するための電界を形成する電界形成手段を具備して
    なることを特徴とする膜形成装置。
JP58249803A 1983-12-29 1983-12-29 膜形成方法および膜形成装置 Pending JPS60141869A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58249803A JPS60141869A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 膜形成方法および膜形成装置
US06/653,685 US4622919A (en) 1983-12-29 1984-09-21 Film forming apparatus
US06/860,119 US4683149A (en) 1983-12-29 1986-05-06 Film forming process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58249803A JPS60141869A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 膜形成方法および膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60141869A true JPS60141869A (ja) 1985-07-26

Family

ID=17198439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58249803A Pending JPS60141869A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 膜形成方法および膜形成装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US4622919A (ja)
JP (1) JPS60141869A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62260058A (ja) * 1986-05-01 1987-11-12 Nippon Light Metal Co Ltd 結晶性窒化アルミニウム層を有するアルミニウム材の製造方法
JPS637365A (ja) * 1986-06-28 1988-01-13 Pentel Kk 装飾用外装部品及びその製造方法
JPS6347362A (ja) * 1986-08-15 1988-02-29 Toobi:Kk イオンプレ−テイング装置
JPH02149661A (ja) * 1989-09-11 1990-06-08 Matsushita Electric Works Ltd 薄膜形成方法およびその装置
JPH02305959A (ja) * 1989-05-22 1990-12-19 Sato Seigyo Kk イオンプレーティング方法及び装置
JPH03291375A (ja) * 1990-04-05 1991-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法
US5429843A (en) * 1991-11-21 1995-07-04 Nisshin Steel Co., Ltd. Vapor deposition for formation of plating layer
US6294479B1 (en) 1992-05-21 2001-09-25 Nissin Electric Co., Ltd Film forming method and apparatus

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5278099A (en) * 1985-05-13 1994-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a semiconductor device having wiring electrodes
US5250327A (en) * 1986-04-28 1993-10-05 Nissin Electric Co. Ltd. Composite substrate and process for producing the same
US4868003A (en) * 1986-11-26 1989-09-19 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
US4777908A (en) * 1986-11-26 1988-10-18 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
US4882198A (en) * 1986-11-26 1989-11-21 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
JPS63137158A (ja) * 1986-11-27 1988-06-09 Nissin Electric Co Ltd アルミ薄膜の作製方法
JPS63137159A (ja) * 1986-11-27 1988-06-09 Nissin Electric Co Ltd 結晶性金属薄膜の形成方法
US4763601A (en) * 1987-09-02 1988-08-16 Nippon Steel Corporation Continuous composite coating apparatus for coating strip
US5015353A (en) * 1987-09-30 1991-05-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for producing substoichiometric silicon nitride of preselected proportions
US5798027A (en) * 1988-02-08 1998-08-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Process for depositing optical thin films on both planar and non-planar substrates
US5618388A (en) * 1988-02-08 1997-04-08 Optical Coating Laboratory, Inc. Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus
US5225057A (en) * 1988-02-08 1993-07-06 Optical Coating Laboratory, Inc. Process for depositing optical films on both planar and non-planar substrates
US4883686A (en) * 1988-05-26 1989-11-28 Energy Conversion Devices, Inc. Method for the high rate plasma deposition of high quality material
DE3902862A1 (de) * 1989-02-01 1990-08-02 Philips & Du Pont Optical Verfahren zur entfernung von partikeln auf substratoberflaechen
US4951604A (en) * 1989-02-17 1990-08-28 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
US5071670A (en) * 1990-06-11 1991-12-10 Kelly Michael A Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means
US5202149A (en) * 1990-07-25 1993-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making a magnetic recording medium
DE4024871A1 (de) * 1990-08-06 1992-02-13 Basf Ag Perlfoermige antistatische expandierbare styrolpolymerisate
US5520664A (en) * 1991-03-01 1996-05-28 Spire Corporation Catheter having a long-lasting antimicrobial surface treatment
US5468562A (en) * 1991-03-01 1995-11-21 Spire Corporation Metallized polymeric implant with ion embedded coating
US5393573A (en) * 1991-07-16 1995-02-28 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of inhibiting tin whisker growth
WO1993007924A1 (en) * 1991-10-18 1993-04-29 Spire Corporation Bactericidal coatings for implants
US5236509A (en) * 1992-02-06 1993-08-17 Spire Corporation Modular ibad apparatus for continuous coating
DE4207525C2 (de) * 1992-03-10 1999-12-16 Leybold Ag Hochvakuum-Beschichtungsanlage
GEP20002074B (en) * 1992-05-19 2000-05-10 Westaim Tech Inc Ca Modified Material and Method for its Production
US5681575A (en) * 1992-05-19 1997-10-28 Westaim Technologies Inc. Anti-microbial coating for medical devices
EP0746636A1 (en) * 1992-07-17 1996-12-11 Grumman Aerospace Corporation Corrosion prevention of honeycomb core panel construction using ion beam enhanced deposition
US5670415A (en) * 1994-05-24 1997-09-23 Depositech, Inc. Method and apparatus for vacuum deposition of highly ionized media in an electromagnetic controlled environment
US5445689A (en) * 1994-08-23 1995-08-29 Northrop Grumman Corporation Pulsed ion beam surface treatment process for aluminum honeycomb panels to improve corrosion resistance
US6155198A (en) * 1994-11-14 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for constructing an oxidized film on a semiconductor wafer
US6699530B2 (en) * 1995-07-06 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method for constructing a film on a semiconductor wafer
JP3315302B2 (ja) * 1995-12-18 2002-08-19 株式会社神戸製鋼所 真空アーク蒸着方法
DE19605335C1 (de) * 1996-02-14 1997-04-03 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbedampfungsprozesses
BE1010420A3 (fr) * 1996-07-12 1998-07-07 Cockerill Rech & Dev Procede pour la formation d'un revetement sur un substrat et installation pour la mise en oeuvre de ce procede.
US6209481B1 (en) * 1996-08-30 2001-04-03 University Of Maryland Baltimore County Sequential ion implantation and deposition (SIID) system
US5885666A (en) * 1997-05-06 1999-03-23 General Motors Corporation Conversion of hexagonal-like BN to cubic-like BN by ion implantation
DE19753656C1 (de) * 1997-12-03 1998-12-03 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Vakuumbeschichtung von Gleitlagern
JP2000021727A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Asahi Optical Co Ltd 半導体回路形成装置
RU2161661C1 (ru) * 1999-08-16 2001-01-10 Падеров Анатолий Николаевич Способ нанесения износостойких покрытий и повышения долговечности деталей
JP4268303B2 (ja) * 2000-02-01 2009-05-27 キヤノンアネルバ株式会社 インライン型基板処理装置
US6669824B2 (en) 2000-07-10 2003-12-30 Unaxis Usa, Inc. Dual-scan thin film processing system
WO2002004692A2 (en) * 2000-07-10 2002-01-17 Applied Materials, Inc. Two-stage sputter deposition method
US6495010B2 (en) 2000-07-10 2002-12-17 Unaxis Usa, Inc. Differentially-pumped material processing system
JP4181332B2 (ja) * 2002-03-26 2008-11-12 松下電器産業株式会社 薄膜の製造方法及び製造装置
SE527386C2 (sv) * 2003-12-23 2006-02-21 Sandvik Intellectual Property Belagd rostfri stålbandsprodukt med dekorativt utseende
SE0402082L (sv) * 2004-08-25 2006-04-18 Sandvik Intellectual Property Metallprodukt, metod för att tillverka en metallprodukt och användning av denna
US7997227B2 (en) * 2007-03-13 2011-08-16 General Electric Company Vacuum coater device and mechanism for supporting and manipulating workpieces in same
WO2010005382A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Sandvik Intellectual Property Ab Anti- tarnish silver alloy
CN102021576B (zh) * 2010-09-30 2012-06-27 深圳市信诺泰创业投资企业(普通合伙) 一种连续生产挠性覆铜板的方法
RU2552202C2 (ru) * 2013-08-05 2015-06-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" Способ защиты лопаток компрессора газотурбинного двигателя из титановых сплавов от пылеабразивной эрозии

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5521109A (en) * 1978-08-02 1980-02-15 Oki Electric Ind Co Ltd Package for accommodating semiconductor parts
JPS55100974A (en) * 1979-01-23 1980-08-01 Citizen Watch Co Ltd Parts for formation of film
JPS5756133A (en) * 1980-09-19 1982-04-03 Toshiba Corp Method for manufacturing piston with projection of englosed compressor
JPS57174459A (en) * 1981-04-21 1982-10-27 Namiki Precision Jewel Co Ltd Formation of thin film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4091138A (en) * 1975-02-12 1978-05-23 Sumitomo Bakelite Company Limited Insulating film, sheet, or plate material with metallic coating and method for manufacturing same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5521109A (en) * 1978-08-02 1980-02-15 Oki Electric Ind Co Ltd Package for accommodating semiconductor parts
JPS55100974A (en) * 1979-01-23 1980-08-01 Citizen Watch Co Ltd Parts for formation of film
JPS5756133A (en) * 1980-09-19 1982-04-03 Toshiba Corp Method for manufacturing piston with projection of englosed compressor
JPS57174459A (en) * 1981-04-21 1982-10-27 Namiki Precision Jewel Co Ltd Formation of thin film

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62260058A (ja) * 1986-05-01 1987-11-12 Nippon Light Metal Co Ltd 結晶性窒化アルミニウム層を有するアルミニウム材の製造方法
JPS637365A (ja) * 1986-06-28 1988-01-13 Pentel Kk 装飾用外装部品及びその製造方法
JPS6347362A (ja) * 1986-08-15 1988-02-29 Toobi:Kk イオンプレ−テイング装置
JPH0580555B2 (ja) * 1986-08-15 1993-11-09 Tobi Co Ltd
JPH02305959A (ja) * 1989-05-22 1990-12-19 Sato Seigyo Kk イオンプレーティング方法及び装置
JPH02149661A (ja) * 1989-09-11 1990-06-08 Matsushita Electric Works Ltd 薄膜形成方法およびその装置
JPH03291375A (ja) * 1990-04-05 1991-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法
JPH07103466B2 (ja) * 1990-04-05 1995-11-08 松下電器産業株式会社 イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法
US5429843A (en) * 1991-11-21 1995-07-04 Nisshin Steel Co., Ltd. Vapor deposition for formation of plating layer
US6294479B1 (en) 1992-05-21 2001-09-25 Nissin Electric Co., Ltd Film forming method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US4622919A (en) 1986-11-18
US4683149A (en) 1987-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60141869A (ja) 膜形成方法および膜形成装置
JPH02285072A (ja) 加工物表面のコーティング方法及びその加工物
JP2007277708A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP3386175B2 (ja) ガスクラスターイオン援用による化合物薄膜の形成方法
DE10124749A1 (de) Kombiniertes Beschichtungs Verfahren magnetfeldunterstützte Hochleistungs-Impuls-Kathodenzerstäubung und Unbalanziertes Magnetron
JPH01129958A (ja) 高密着窒化チタン膜形成方法
RU2339735C1 (ru) Способ нанесения пленочного покрытия
JPS60251269A (ja) イオンプレ−テイング方法および装置
JP3409874B2 (ja) イオンプレーティング装置
JP3260905B2 (ja) 皮膜形成装置
JPS63238270A (ja) 化合物薄膜の製造方法
JPH04221059A (ja) 立方晶窒化ほう素膜の形成方法
JPH0582467B2 (ja)
JPH01168857A (ja) 窒化チタン膜の形成方法
JPH02163366A (ja) 鉄又は、鋼材料表面へのクロム層形成方法
JPH04191364A (ja) イオンプレーティング方法および装置
JPS60131964A (ja) 膜被覆物の製造方法
JPS63161168A (ja) イオンビ−ムスパツタによる成膜方法
JPH05132754A (ja) 炭化チタン薄膜の形成方法
JPH0372069A (ja) 化合物の金属帯への連続蒸着法
JPS63255366A (ja) 絶縁性基体への導電性膜の被覆方法
JPH1068069A (ja) 金属ホウ化物膜の形成方法
JPS63262457A (ja) 窒化ホウ素膜の作製方法
SU1442080A3 (ru) Способ нанесени металлического покрыти на подложку
JPS60258468A (ja) 薄膜形成装置