JPS60141157U - 電荷結合素子 - Google Patents
電荷結合素子Info
- Publication number
- JPS60141157U JPS60141157U JP2635884U JP2635884U JPS60141157U JP S60141157 U JPS60141157 U JP S60141157U JP 2635884 U JP2635884 U JP 2635884U JP 2635884 U JP2635884 U JP 2635884U JP S60141157 U JPS60141157 U JP S60141157U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- type semiconductor
- region
- coupled device
- semiconductor region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図及び第2図は背景技術を示すもので、第1図はフ
ローティングディフュージョン出力タイプのCCDの出
力部の回路構成を示す図、第2図A、 Bは1チツプア
ンブリフアイアの各別の回路構成例を示す回路図、第3
図乃至第5図は本考案の実施の一例を示すもので、第3
図は感光素子部を示す断面図、第4図は出力部を示す断
面図、第5図は出力回路の回路図、第6図A〜Cは本考
案CCDの出力回路の各別の変形例を示す回路図である
。・パ′ 符号の説明、1・・・・・・第1導電型半導体基板、2
・・・・・・第2導電型半導体ウェル領域、2′・・・
・・・ベースどなる第2導電型半導体領域、17・・・
・・・エミッタとなる第1導電型半導体領域、Ml・・
・・・・検知用MO3FET、Q1.Q2・・・・・・
パイポーラトランジ、スタ。 第3図 第5図
ローティングディフュージョン出力タイプのCCDの出
力部の回路構成を示す図、第2図A、 Bは1チツプア
ンブリフアイアの各別の回路構成例を示す回路図、第3
図乃至第5図は本考案の実施の一例を示すもので、第3
図は感光素子部を示す断面図、第4図は出力部を示す断
面図、第5図は出力回路の回路図、第6図A〜Cは本考
案CCDの出力回路の各別の変形例を示す回路図である
。・パ′ 符号の説明、1・・・・・・第1導電型半導体基板、2
・・・・・・第2導電型半導体ウェル領域、2′・・・
・・・ベースどなる第2導電型半導体領域、17・・・
・・・エミッタとなる第1導電型半導体領域、Ml・・
・・・・検知用MO3FET、Q1.Q2・・・・・・
パイポーラトランジ、スタ。 第3図 第5図
Claims (1)
- 第1導電型半導体基板表面部に選択的に第2導電型半導
体ウェル領域を形成し、該半導体領域表面に少なくとも
信号電荷転送部、信号検知用MO3FETが形成された
電荷結合素子において、半導体基板の上記第2導電型半
導体ウェル領域から離間した位置の表面部にその半導体
ウェル領域と同じ深さの第2導電型半導体領域が形成さ
れ、該第2導電型半導体領域の表面部に選択的に第1導
電型半導体領域が形成され、そして、該第1導電型半導
体領域をエミッタとし、上記第2導電型半導体領域をベ
ースとし、上記第1導電型半導体基板をコレクタとする
バイポーラトランジスタが構成され、前記信号検知用M
O3FETにより検知された信号が上記バイポーラトラ
ンジスタにより増幅されるようにしてなることを特徴と
する電荷結合素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2635884U JPS60141157U (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 電荷結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2635884U JPS60141157U (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 電荷結合素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60141157U true JPS60141157U (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=30522291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2635884U Pending JPS60141157U (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 電荷結合素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60141157U (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02271661A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイスを含む半導体装置の製造方法 |
JPH0324759A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Toshiba Corp | 半導体集積回路とその製造方法 |
JPH03114235A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-05-15 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法 |
JPH03153071A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
JPH03161964A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-11 | Toshiba Corp | 複合型集積回路素子 |
JPH03214665A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法 |
JPH03214666A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法 |
JP2008125134A (ja) * | 2008-02-12 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-02-25 JP JP2635884U patent/JPS60141157U/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02271661A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイスを含む半導体装置の製造方法 |
JPH03114235A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-05-15 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法 |
JPH0324759A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Toshiba Corp | 半導体集積回路とその製造方法 |
JPH03153071A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
JPH03161964A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-11 | Toshiba Corp | 複合型集積回路素子 |
JPH03214665A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法 |
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JP2008125134A (ja) * | 2008-02-12 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
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