JPS6013220A - ガス流量センサ−及びその製造方法 - Google Patents

ガス流量センサ−及びその製造方法

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JPS6013220A
JPS6013220A JP58122196A JP12219683A JPS6013220A JP S6013220 A JPS6013220 A JP S6013220A JP 58122196 A JP58122196 A JP 58122196A JP 12219683 A JP12219683 A JP 12219683A JP S6013220 A JPS6013220 A JP S6013220A
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gas
measured
sensor
resistor
gas flow
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JP58122196A
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Hirofumi Ono
弘文 小野
Kiyoharu Tsujimura
辻村 清晴
Masayuki Kamo
加茂 政行
Yoritaka Isoda
磯田 頼孝
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Original Assignee
S Tec Inc
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    • G01P5/10Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、被測定ガス流路内を流れる被測定ガスを熱運
搬媒体として該被測定ガスに熱エネルギーを授与しかつ
この被測定ガスによる熱移動に伴う温度差に起因する電
気抵抗値の差によって被測定ガスの質量流量に対応した
電圧を出力する抵抗体を、センサー基材に設けたガス流
量センサー、並びに、そのガス流量センサーの製造方法
に関するものである。
上記のガス流量センサーは、被測定ガス流路内を流れる
被測定ガスの質量流量を測定するためのものであり、例
えば、エンジンの燃焼用ガス(空気)の流路内に設けら
れて、該流路内を流れるガス量を測定すると共に、その
測定ガス量に基いて燃料をエンジンのシリンダに供給さ
せる所謂空燃比の自動制御用などに用いられるものであ
る。
ところで、上記のガス流量センサーには、抵抗体として
2個の加熱抵抗体を被測定ガスの流路方向に間隔をへだ
でて設けた所謂自己加熱形式のものと、1個の加熱抵抗
体と該加熱抵抗体の前後に被測定ガス流路方向で間隔を
へだてて2個の感熱抵抗体を設けた所謂補助加熱形式の
ものとがあり、何れも抵抗体はブリッジ回路に接続され
ている。
而して、前者の自己加熱形式のものにおいては、ブリッ
ジ回路に電流を流して加熱抵抗体を加熱し、かつ、被測
定ガス流路に被測定ガスを流すと、該被測定ガスに対し
て上流側の加熱抵抗体から熱エネルギーが授与され、こ
の被測定ガスを熱運搬媒体として下流側加熱抵抗体への
熱移動が行なわれる。この結果、上流側加熱抵抗体の電
気抵抗値が減少し、下流側加熱抵抗体の電気抵抗値が増
大して、ブリッジ回路の平衡が崩れ、この電気抵抗値の
差に基いて被測定ガスの質量流量に応じた電圧を出力す
るものであり、そして後者の補助加熱形式のものにおい
ては、両路熱抵抗体にはほとんど電流を流さず、かつ、
加熱抵抗体に電流を流してこれを発熱させるものであっ
て、これによって加熱抵抗体の熱エネルギーが下流側の
感熱抵抗体に移動し、この熱移動に伴う両路熱抵抗体の
電気抵抗値の差に基いて、被測定ガスの質量流量に応じ
た電圧を出力するものである。
かかる流量センサーは、既述したエンジンの空燃比制御
の外に、流体の質量流量を正確に計測するための質量流
量計(マスフローメータ)、並びに質量流量を定確に制
御するための質母流量制仰器(マスフローコントローラ
)のセンサー基材テ、半導体工業、自動車工業、分析機
器、一般工業の各分野に広く利用され、とりわけ半導体
工業の分野では、半導体製造の原料となるガスの流量の
精密な計測と制御が半導体の質と歩留りに重大な影響を
及ぼすことから、既に半導体製造装置に大骨に導入され
ており、更に未だ導入されていない部門についても、ニ
ードルバルブとロータメータの組合せから、急速に質量
流1員制御器の採用に移行する傾向にあり、而して、廉
価でしかも特性が均質なるガス流量センサーの提供が望
まれているが、現状の技術では上記要望を満し得ないも
のであった。
即ち、従来は、センサー基材に白金線から成る抵抗体を
巻付けてガス流量センサーを作製しているのであるが、
センサー基材の個々に白金線を巻き付ける作業は、これ
の自動化に限度があってどうしても手作業に頼らざるを
得ず、生産性が悪い上、均質なる特性のものを多量生産
することが困難で、生産コストが高くつくものであった
更に、巻線が剥き出しのままであって、ガス流の乱れを
生じやす(11定精度の低下を伴いがちであると共に、
他物との当接によって断線しやすい欠点があった。
本第1発明は、特性が均質でしかも精度の高い測定を達
成し得る使用面で有用なガスfi?Lftセンサーの提
供を目的としており、そして本第2発明は、そのような
ガス流量センサーを多量生産し得る、延いては該センサ
ーを廉価に市場供給することのできる製造方法の提供を
目的としている。
以下、本発明の方法によるガス流丹センサーの作製手順
について説明する。
(1) 先ず、第り図(イ)に示すように、シリコンイ
ンゴットを薄くスライスしたシリコン結晶ウェハと称さ
れるセン勿−基板(11を用意する。
(2)次に、同図(ロ)に示すように、前記センサー基
板(1)の−側平面(板状基材の底面側であっても良い
。)に、酸化法やスパッタリング法による二酸化珪素や
、プラグ7 CV D (Chemi caI Vap
ourDepositionの略)法による四壁化珪素
等の無機物質の絶縁膜aを形成する。
この絶縁膜aの形成に先立って、前記センサー基板(1
)の絶縁膜形成面に研摩処理を施すことが望ましい。
即ち、シリコンインゴットをスライスして形成シタシリ
コンウェハには、そのスライス面に80〜60μ深さに
達する加工変質筋が形成されていて、スライス面が荒れ
ており、これでは、その表面に絶縁膜aを形成してもこ
れが剥離するされがあり、而してその加工変質層に、ラ
ッピング更にはポリッシング等の機械的な、あるいは更
にアルカリなどの化学溶液を併用した化学的な研摩処理
を施すことにより、絶縁膜aの形成を確実ならしめるこ
とが望ましいのである。
(3)次に、補助加熱形式のものを例にとって同図(ハ
)に示すように、前記絶縁膜(al上の所定箇所に複数
組の抵抗体(2)・・・を形成する。この抵抗体(2)
は、1個の加熱抵抗体(2a)と、これに対して所定間
隔をへだでる2個の感熱抵抗体(2b) 、 (2b)
 とから成り、これらの形成について詳しくは、前記絶
縁膜(a1上の所定位置に、加熱抵抗体用として例えば
ニッケル・クロム膜を、かつ、感熱抵抗体用として例え
ばニッケル膜を、順次(順序は不問である。)スパッタ
リング法などにより所定の大きさに形成し、該膜上にフ
ォトレジストを塗布する。
そして、所定形状の抵抗体パターンを有するマスクを前
記フォトレジストにかけて露光並びに現像を行ない、該
フォトレジストにエツチングパターンを形成するのであ
る。
そして次に、イオンビームミリング装置等によって抵抗
体膜をエツチングし、所定形状の抵抗体パターンを形成
する。次いでイオンビームエツチング又は溶剤等によっ
て前記フォトレジストを除去することにより、第1図e
X)において一部を拡大図示するように、所定のパター
ンの加熱並びに感熱の抵抗体(2a) 、 (2b) 
、 (2b) を形成スルノテする。
かかる加熱並びに感熱抵抗体(2a) 、 (2b)の
形成にあって、それらを各別に順次形成するも良い。
尚、第1図PIにおいて、図中(3)は導電用リード、
(4)はボンディングバットで、これらは例えば金から
なる。
(4)次いで、第1図に)に示すように、前記ボンディ
ングバット(4)・・・を除いて、抵抗体(2)とリー
ド(3)の夫々の上面に、スパッタリング法による二酸
化珪素やプラズマCVD法による四壁化珪素等の無機物
質の保護膜(blを形成し、かつ、該保護膜(blの」
二面を研磨する。この研磨は、前記絶縁膜(a)に対す
るものと同じ手法をとれば良い。
(5) さて次に、第2図に示すように、所定の切断線
(X)に沿って前記センサー基板(1)を切断し、該基
板【1)を複数のセンサー基材(5)・・・に分割する
のである。
(6)次に、第3図に概略断面で示すように、分割した
センサー基材(5)の夫々において、抵抗体(2a)。
(2b) 、 (2b)の並設方向における両端面部(
5a) 。
(6b)を流線形に加工し、かつ、必要に応じて取付用
フランジ(6)を備えさせ、もって・ 1個のセンサー
基板(1)から複数個の補助加熱形式のガス流量センサ
ー(Sl・・・を作製するものである。
かかるガス流量センサー(Slの使用例を第4図に示す
。このものは、前記ガス流量センサー(S)の抵抗体(
2)を、それの加熱並びに感熱の抵抗体(2a) 。
(2b) 、 (2b)を被測定ガスの流れ方向に沿わ
せる状態で被測定ガス流路(7)内に設けて、該流路(
7)を流れる被測定ガスの質量流量を測定するものであ
って、そのガス流量センサー(Slに対する電気回路囚
は第8図に示す如くであり、即ち、感熱抵抗体(2b)
 、 (2b) にはほとんど電流を流さず、加熱抵抗
体(2a)に電流を流す構成とするものであり、そして
前記流路(7)に被測定ガスを流すと該ガスは加熱抵抗
体(2a)によって加熱され、その熱が下流側の感熱抵
抗体(2b)に伝わり、この結果、同感熱抵抗体(2b
) 、 (2b)の温度抵抗値に差が生じ、同感熱抵抗
体(2b) 、 (2b)に対するブリッジ回路の平衡
が崩れて、被測定ガスの質量流量に応じた電圧が端子+
81 、 +8+に出力されるものである。
上記の測定にあって、被測定ガスが清浄なるものであれ
ば間穎は缶いが、例えばエンジン排ガスを測定対象とす
る場合は、センサー(Slにダストやミスト等が付着す
ることがあり、このような場合は特に、第5図に示すよ
うに、主流路(7A)にバイパス流路(7)を接続して
、該バイパスの被測定ガス流路(7)内にセンサー6)
を設置することが好ましい。
第6図にガス流量センサー(S)の別実施例を示す。
このものは、前記センサー基材(5)の抵抗体(2)に
対応する部分のみの厚さを薄く形成した点に特徴があり
、即ち、応答を早めるためには抵抗体(2)を被測定ガ
スに直接的に晒すことが1番であるが、更に応答速度を
早めるには基材(5)の厚さを薄くして熱容量を小さく
すれば良く、ところが基材(5)全体の厚さを薄くする
には強度的に限界があり、而して、抵抗体+21に対応
する部分のみを薄くして、全体の必要強度を十分に保ち
ながら熱容量を小と成したものである。
第7図にガス流通センサー(Slの第2の別実施例を示
す。このものは、前記センサー基材(5)の少なくとも
抵抗体(2)に対応する部分に中空部(Blを設けて、
センサー基材(5印体の強度を高く保ちながら熱容量を
小に構成したものであり、例えば第8図に示すように、
はぼ同寸法の複数の溝(cl・・・を形成したシリコン
結晶ウェハ(la)と、前記溝(C)・・・・を閉じる
同じくシリコン結晶ウェハ(1b)とによって、その両
者(la) 、 (lb)の接合によりセンサー基板(
1)を形成し、以後は、前記溝(clによる中窒部(B
lに抵抗体(2)を対応させる状態で、上述した手順(
2)〜(6)によって、中空構造のガス流量センサー(
Stを構成することができる。
第9図に自己加熱形式のガス流量センサー(Slを示す
。このものは、抵抗体(2ンが、加熱機能を有しかつ感
熱機能をも有する一対の加熱・感熱兼用の抵抗体(2c
) 、 (2d)から成り、これに対する電気回路(A
lは同じく第9図に示す如くであり、即ち、面抵抗体(
2c) 、 (2d)に電流を流してそれらを共に発熱
させるものであり、而して被測定ガス流路(71に被測
定ガスを流すと、上流側の低抗体(2c)から下流側の
抵抗体(2d)に熱が移動し、前記補助加熱形式のもの
と同様に、被測定ガスの質量流量に応じた電圧が端子(
8) 、 (8)に出力されるようになっている。
尚、前記センサー基材(5)の両端面部(5a) 、 
(5b)における形状としては、前記抵抗体(2)の部
分を流れる被測定ガスの流れを乱さないようにする形状
であれば良く、例えば第8図に仮想線で示すように、流
路下流側に?ける端面部(5b)をテーパー状にしたり
、逆に第7図に示すように、流路上流側の端面部(5a
)をテーパー状にしたりするも良く、あるいは、流路下
流側端面部(5b)において渦流を生じても、これか抵
抗体(2)部分を流れるガスの流れを乱すような事がな
ければ、該流路下流側端面部(5b)の形状は不問であ
る。
以上説明したように本第1発明は、冒頭に耐載したよう
に、被測定ガスの質り流量に対応した電圧を出力する抵
抗体をセンサー基材に設けて成るガス流、最センサーに
おいて、前記抵抗体をフォトリソグラフィー及びエツチ
ングによってセンサー基材上に膜状に形成すると共に、
該抵抗体の上面に保護膜を設けてこの保護膜を介して流
量を検出し、かつ、前記被測定ガス流路内への押入状急
における前記センサーバ材の少なくとも流路上流側の端
面部を、ガス流の乱れを抑制する形状に形成した点に特
徴がある。
即ち、フォトリソグラフィー及びエツチングによってセ
ンサー基材上に前記抵抗体を形成するものであるから、
それの抵抗値の再現性が著しく良好であり、換言すれば
、特性の力値なるガス流量センサーを得られるのであり
、しかも、センサー作製の自動化が8昌であって生産性
の向上も図れる。
そして、前記抵抗体を保詠脇で夕うものであるから、他
物の当接によるtFrWが少なくなり、がっ、センサー
バ材の流路上流側における端面部の形状との相乗によっ
て、抵抗体部分を流れるガス流の乱れを効果的に抑制で
き、見いては測定精度の向上を達成できるようになった
本第2発明によるガス流量センサーの製造方法は、切断
によってセンサー基14が形成されるセンサー基板の一
側平面に、フォトリソグラフィー及びエツチングによっ
てセンサーバ材相当部に複数個の抵抗体を膜状に形成す
ると共に、該抵抗体上に保証膜を設け、かつ、前記セン
サー基材を抵抗体の飽接中間において切断分離すると共
に、被測定ガスBttiB内への挿入状態におけるセン
サー基材の少なくとも流路上流側の端面部を、ガス流の
乱れを抑制する形状に形成して、複数個のガス流量セン
サーを作製するようにした点gこ特徴かある。
上記の方法によれは、既述した優れた機能を有するガス
+ff1ffiセンサーの複数個を一挙に得られるもの
であり、これは即ち、センサー基板の一側平面に、フォ
トリソグラフィー及びエツチングによって抵抗体を形成
することによってはじめて可能になったものであり、こ
れによってガス流量センサーの多投生産を実現できるよ
うになったのであり、延いてはガス流量センサーの大巾
なコストダウンを達成するに至ったものである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、第1図イ)〜に))はガ
ス流L1センザーの製作手順を示す説明図、第2図はガ
ス流量センサーとして切断分離する以前の全体平面図、
袷8図はガス流量センサーの断面図、第4図及び第5図
は夫々ガス流量センサーの使用例を示す説明図、第6図
と第7図と第9図は夫々ガス流量センサーの別実施例を
示す断面図、第8図は第7図のガス流量センサーの製作
に用いるセンサー基板の刺視図である。 [11=・センター基板、(21(2a 〜2b)−抵
抗体、(5)・・・センサーバ材、(5a)、(5b)
・・・端面部、(7)・・・被測定ガス流路、(Sl・
・・ガス流量センサー。 137 第4図 第5図 第7図 第8図 第9図 139−

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 被測定ガスa路内を流れる被測定ガスを熱運搬
    媒体として該被測定ガスに熱エネルギーを授与しかつこ
    の被測定ガスによる熱移動に伴う温度差に起因する電気
    抵抗値の差によって被測定ガスの質量流量に対応した電
    圧を出力する抵抗体を、センサー基材に設けたガスa量
    センサーであって、前記抵抗体をフォトリソグラフィー
    及びエツチングによってセンサー基材上に膜状に形成す
    ると共に、該抵抗体の上面に保護膜を設けてこの保護膜
    を介して流量を検出し、かつ、前記被測定ガス流路内へ
    の押入状態における前記センサー基材の少なくとも@、
    路上流側の端面部を、ガス流の乱れを抑制する形状に形
    成しであることを特徴とするガス流値センサー。
  2. (2)前記抵抗体が、被測定ガス流路方向で間隔をへだ
    でて設けた2個の加熱抵抗体から成り、上手側加熱抵抗
    体の被測定ガスに対する熱エネルギーの授与によって生
    ずる温度差に起因する面加熱抵抗体の電気抵抗値の差に
    よって、被測定ガスの質量流量に応じた電圧を出力する
    特許請求の範囲第(1)項に記載のガス流値センサー。
  3. (3) 前記抵抗体が、1個の加熱抵抗体と該加熱抵抗
    体の前後に流路方向で間隔をへだてて設けた2個の感熱
    抵抗体とから成り、前記加熱抵抗体の被測定ガスに対す
    る熱エネルギーの授与、並びに、加熱後の被測定ガスの
    下手側発熱体に対する熱エネルギー授与によって生ずる
    温度差に起因する両感熱抵抗体の電気抵抗値の差によっ
    て、被測定ガスの質量流量に応じた電圧を出力する特許
    請求の範囲第(1)項に記載のガス流量センサー。
  4. (4) 前記センサー基材の少なくとも抵抗体に対応す
    る部分を中空に形成して成ることを特徴とする特許請求
    の範囲第(11項ないし第(3)項の何れかに記載のガ
    ス流量センサー。
  5. (5)被測定ガス流路内を流れる被測定ガスを熱運搬媒
    体として該被測定ガスに熱エネルギーを授与しかっこの
    被測定ガスによる熱移動に伴う温度差に起因する電気抵
    抗値の差によって被測定ガスの質量流量に対応した電圧
    を出力する抵抗体を、センサー基材に設けたガス流量セ
    ンサーの製造方法であって、切断によってセンサー基材
    が形成されるセンサー基板の一側平面に、フォトリング
    ラフィ及びエツチングによってセンサー基材相当部に複
    数個の抵抗体を膜状に形成すると共に、該抵抗体上に保
    展腔を設け、かつ、前記センサー基材を抵抗体の隣接中
    間において切断分離すると共薯こ、被測定ガス流1路内
    への押入状態におけるセンサー基材の少なくとも流路上
    流側の端面部を、ガス流の乱れを抑制する形状に形成し
    て、複数個のガス流量センサーを作製することを特徴と
    するガス流側センサーの製造方法。
  6. (6) 前記センサー基板の抵抗体形成相当部に凹入部
    を形成すると共に、該凹入部を閉じる蓋部材を前記セン
    サー基板に接合することを特徴とする特許請求の範囲第
    (5)項に記載のガス流量センサーの製造方法。
JP58122196A 1983-07-04 1983-07-04 ガス流量センサ−及びその製造方法 Pending JPS6013220A (ja)

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