JPS60127747A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS60127747A JPS60127747A JP23664883A JP23664883A JPS60127747A JP S60127747 A JPS60127747 A JP S60127747A JP 23664883 A JP23664883 A JP 23664883A JP 23664883 A JP23664883 A JP 23664883A JP S60127747 A JPS60127747 A JP S60127747A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子計算機や各種電子機器に用いられている
半導体装置において、プラスチック等の樹脂により半導
体素子がパッケージングされた樹脂封止型半導体装置の
構造に関するものである。
半導体装置において、プラスチック等の樹脂により半導
体素子がパッケージングされた樹脂封止型半導体装置の
構造に関するものである。
従来例の構成とその問題点
通常、ＩＣ，ＬＳＩなどの高密度集積回路素子ヲハソケ
ージングする方法としては、主にセラミック封止型と樹
脂封止型とに分けられる。このうち量産性や価格面で有
利な樹脂封止型は、放熱性においてやや問題があるが小
電力型半導体装置であるＬＳＩなどの集積回路素子のノ
くノケージングの現在の主流となっている。また、近年
では放熱ディスクを設けることによって高電力型半導体
装置の外囲器としても樹脂封止が採用されている。
ージングする方法としては、主にセラミック封止型と樹
脂封止型とに分けられる。このうち量産性や価格面で有
利な樹脂封止型は、放熱性においてやや問題があるが小
電力型半導体装置であるＬＳＩなどの集積回路素子のノ
くノケージングの現在の主流となっている。また、近年
では放熱ディスクを設けることによって高電力型半導体
装置の外囲器としても樹脂封止が採用されている。
半導体素子が樹脂封止されたプラスチックタイプの半導
体装置の一例を第１図に示す。第１１９ｅ）は、Ｄ Ｉ
Ｐ （ｄｕａｌ １ｎ−１ｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ
）形の樹脂封止された半導体装置の上から見た図を示し
たもので１はプラスチック樹脂、２はリード、同１ン］
争）は、同図（＆）のＩ−１’線の位置での半導体装置
の断面図を示している。３はプリント基板、４はノ・ン
ダを示す。
体装置の一例を第１図に示す。第１１９ｅ）は、Ｄ Ｉ
Ｐ （ｄｕａｌ １ｎ−１ｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ
）形の樹脂封止された半導体装置の上から見た図を示し
たもので１はプラスチック樹脂、２はリード、同１ン］
争）は、同図（＆）のＩ−１’線の位置での半導体装置
の断面図を示している。３はプリント基板、４はノ・ン
ダを示す。
この図のような、フルプラスチッククイツブのノくノケ
ージングは、セラミックタイプに比べその拐゛質である
プラスチック樹脂とセラミックの違いにより放熱性が悪
く信頼性の面で劣っている。したがって、従来から特に
放熱性を必要とするＬＳＩやい寸−歩信頼性の面でプラ
スチック化にふみきれない新タイプのメモリやＣＰＵな
どのパッケージは、セラミックタイプ又はサーディツプ
タイプのものが用いられるなど、樹脂封止のプラスチッ
クタイプの拐質に起因する弱点となっている。
ージングは、セラミックタイプに比べその拐゛質である
プラスチック樹脂とセラミックの違いにより放熱性が悪
く信頼性の面で劣っている。したがって、従来から特に
放熱性を必要とするＬＳＩやい寸−歩信頼性の面でプラ
スチック化にふみきれない新タイプのメモリやＣＰＵな
どのパッケージは、セラミックタイプ又はサーディツプ
タイプのものが用いられるなど、樹脂封止のプラスチッ
クタイプの拐質に起因する弱点となっている。
しかも、第１図中）かられかるようにプリント基板３と
その半導体装置のプリント基板３側に面する表面との間
に空間がほとんどなく、その部分の放熱性は悪化すると
いう半導体装置の実装上の問題も発生する。
その半導体装置のプリント基板３側に面する表面との間
に空間がほとんどなく、その部分の放熱性は悪化すると
いう半導体装置の実装上の問題も発生する。
発明の目的
本発明は、このような従来の欠点をその製造工程を複雑
にすることなく容易により効果的に解決するものであり
、樹脂封止型パッケージの半導体装置の表面の冷却効果
の改善又は放熱性の向上を可能とする半導体装置を提供
するものである。
にすることなく容易により効果的に解決するものであり
、樹脂封止型パッケージの半導体装置の表面の冷却効果
の改善又は放熱性の向上を可能とする半導体装置を提供
するものである。
発明の構成
本発明の半導体装置は、半導体素子の樹脂封止型パッケ
ージの半導体装置において、その樹脂表面の一部又は全
部にその断面が凹凸の構造となるヒダ状の表面を形成し
たもので、従来の製造工程を複雑にすることなく余分な
工程を追加することなく容易に実現可能である。これに
よって半導体装置の放熱性が向上させ、さらにプリント
基板等に実装した場合でもプリント基板と半導体装置の
プリント基板側の表面との間に、その表面がフ゛ラスチ
ック樹脂であれば放熱効果を高めることｌｒ’ｓできる
空間領域を形成可能な半導体装置である。
ージの半導体装置において、その樹脂表面の一部又は全
部にその断面が凹凸の構造となるヒダ状の表面を形成し
たもので、従来の製造工程を複雑にすることなく余分な
工程を追加することなく容易に実現可能である。これに
よって半導体装置の放熱性が向上させ、さらにプリント
基板等に実装した場合でもプリント基板と半導体装置の
プリント基板側の表面との間に、その表面がフ゛ラスチ
ック樹脂であれば放熱効果を高めることｌｒ’ｓできる
空間領域を形成可能な半導体装置である。
実施例の説明
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
まず第１の実施例を説明する。第２図に示すように半導
体装置のプラスチック樹脂６の表面に、四部１５人、凸
部５Ｂを有する凹凸構造の断面をもつ面を形成したもの
で、その半導体装置の」二部表面にのみ形成したもの断
面図を第２図（ｂ）に示している。これば、半導体装置
を上から見た１第２図（ｉａ）におけるｎ−ｕ’の鎖線
の位置の断面図である。ただし、内部の半導体素子チッ
プは省略している。
体装置のプラスチック樹脂６の表面に、四部１５人、凸
部５Ｂを有する凹凸構造の断面をもつ面を形成したもの
で、その半導体装置の」二部表面にのみ形成したもの断
面図を第２図（ｂ）に示している。これば、半導体装置
を上から見た１第２図（ｉａ）におけるｎ−ｕ’の鎖線
の位置の断面図である。ただし、内部の半導体素子チッ
プは省略している。
６はリード、７はプリント基板、８は／％ンダである。
このようにすることにより、プラスチック樹脂５の表面
の実質的な面積の拡大を可能とし、その装置の放熱性の
向−ヒをもたらす。ゆえに、従来からのプラスチック樹
脂による封止型半導体装置の最大の問題点である材料の
欠点を改善することができ、素子特性の信頼性も向上す
る。
の実質的な面積の拡大を可能とし、その装置の放熱性の
向−ヒをもたらす。ゆえに、従来からのプラスチック樹
脂による封止型半導体装置の最大の問題点である材料の
欠点を改善することができ、素子特性の信頼性も向上す
る。
第２図（Ｃ）は、第２図（ｂ）に示した場合に加えてさ
らに、半導体装置の下部表面、つ′！Ｉ′リプリント基
板と接する方の表面を凹凸構造の断面をもつ表面にした
第２の実施例を示した半導体装置の断面図である。この
第２の実施例は、半導体装置を実装するプリント基板に
面する半導体装置の樹脂表面に先に示した構造のものを
形成し、基板との間に空間領域を形成したもので、実装
時の半導体装置の大幅な放熱性の向上を得られる。
らに、半導体装置の下部表面、つ′！Ｉ′リプリント基
板と接する方の表面を凹凸構造の断面をもつ表面にした
第２の実施例を示した半導体装置の断面図である。この
第２の実施例は、半導体装置を実装するプリント基板に
面する半導体装置の樹脂表面に先に示した構造のものを
形成し、基板との間に空間領域を形成したもので、実装
時の半導体装置の大幅な放熱性の向上を得られる。
第３図に、本発明の第３の実施例を示す。第３図（ａ）
ｆｌ、プラスチック樹脂６の封止型半導体装置の上から
見た図を示し、図中の鎖線■の位置の断面を示した図が
第３図（ｂ）である。第３図（ｂ）において樹脂封止さ
れた半導体素子のチップについては省略している。
ｆｌ、プラスチック樹脂６の封止型半導体装置の上から
見た図を示し、図中の鎖線■の位置の断面を示した図が
第３図（ｂ）である。第３図（ｂ）において樹脂封止さ
れた半導体素子のチップについては省略している。
第３図（ａ）に示すように、半導体装置の樹脂表面の一
部分の領域９以外の部分に、凹部６Ａ、凸部５Ｂを有す
る凹凸構造を連続的に配置させできるだけ実効的表面積
の拡大を図っている。これにより樹脂表面の放熱性の著
しい向上ヶ可能とし、より信頼性が高くなる。領域９の
部分は、平坦な面を形成し、半導体装置の品番等のマー
キングに使用することを目的とすることができる領域で
あり表面状態を凹凸構造にする必要のない部分である。
部分の領域９以外の部分に、凹部６Ａ、凸部５Ｂを有す
る凹凸構造を連続的に配置させできるだけ実効的表面積
の拡大を図っている。これにより樹脂表面の放熱性の著
しい向上ヶ可能とし、より信頼性が高くなる。領域９の
部分は、平坦な面を形成し、半導体装置の品番等のマー
キングに使用することを目的とすることができる領域で
あり表面状態を凹凸構造にする必要のない部分である。
さらに、プリント基板と接する半導体装置の樹脂表面に
も凹凸の断面構造を形成し、実装時での放熱１生の向上
を図っている図を示したのが第３図（ｂ）である。
も凹凸の断面構造を形成し、実装時での放熱１生の向上
を図っている図を示したのが第３図（ｂ）である。
第４図は、放熱ディスクを有する樹脂封止型半導体装置
であり、プラスチック樹脂はその外囲器として用いられ
ている。１Ｏは銅または鉄入り銅製の放熱ディスクであ
る。この放熱ディスク１Ｏ上には図示しない半導体素子
がマウントされ、プラスチック樹脂５で封止している。
であり、プラスチック樹脂はその外囲器として用いられ
ている。１Ｏは銅または鉄入り銅製の放熱ディスクであ
る。この放熱ディスク１Ｏ上には図示しない半導体素子
がマウントされ、プラスチック樹脂５で封止している。
１３はリードであり前記の半導体素子に接続されている
。この半導体装置は、放熱ディスク１ｏの露出した下面
をンヤーシ等の面積の大きい放熱板１２に接触させ、ビ
ス１１で固定して″使用される。第４図（２Ｌ）はこの
半導体装置の上部より見た外観図で、同図（ｂ）は鎖線
１Ｖ −１Ｖ’の位置でのこの装置の断面図である。
。この半導体装置は、放熱ディスク１ｏの露出した下面
をンヤーシ等の面積の大きい放熱板１２に接触させ、ビ
ス１１で固定して″使用される。第４図（２Ｌ）はこの
半導体装置の上部より見た外観図で、同図（ｂ）は鎖線
１Ｖ −１Ｖ’の位置でのこの装置の断面図である。
第４図かられかるように、半導体素子をマウントした放
熱ディスク１○の上面を被覆しているプラスチック樹脂
表面を、凹凸構造の断面を有する表面にすることにより
放熱効果をさらに改善する働きを有する半導体装置とな
る。主として、プラスチック樹脂が用いられる半導体装
置は、小電力型のものであるが、このような放熱ディス
クを持ち、一部にプラスチック樹脂が用いられている比
較的高電力型半導体装置に対しても、そのプラスチック
樹脂表面に前記凹凸の断面構造を持たせることによりそ
の放熱性が向上し信頼性を高めることが可能である。
熱ディスク１○の上面を被覆しているプラスチック樹脂
表面を、凹凸構造の断面を有する表面にすることにより
放熱効果をさらに改善する働きを有する半導体装置とな
る。主として、プラスチック樹脂が用いられる半導体装
置は、小電力型のものであるが、このような放熱ディス
クを持ち、一部にプラスチック樹脂が用いられている比
較的高電力型半導体装置に対しても、そのプラスチック
樹脂表面に前記凹凸の断面構造を持たせることによりそ
の放熱性が向上し信頼性を高めることが可能である。
以上のように、これらの実施例においてプラスチック樹
脂表面に形成させる凹凸構造の形成は、必ずしも実施例
にするような直線で構成された凹凸構造でなくても曲線
で構成された波状の構造でもよく、捷だ＠線の構成でも
三角すい又は四角すい状の表面構造を構成することによ
り実効的表面積を増加させてもよい。丑た、凹凸の構造
全形成させる場所は、樹脂表面全域にわたって形成する
必要性は必ずしもなく選択的に行なうことも可能である
。さらに上記の実施例において示した通常のＤＩＰ型だ
けでなく中空樹脂モールド、フラットパッケージ型など
のプラスチック樹脂封止型半導体にも適用可能である。
脂表面に形成させる凹凸構造の形成は、必ずしも実施例
にするような直線で構成された凹凸構造でなくても曲線
で構成された波状の構造でもよく、捷だ＠線の構成でも
三角すい又は四角すい状の表面構造を構成することによ
り実効的表面積を増加させてもよい。丑た、凹凸の構造
全形成させる場所は、樹脂表面全域にわたって形成する
必要性は必ずしもなく選択的に行なうことも可能である
。さらに上記の実施例において示した通常のＤＩＰ型だ
けでなく中空樹脂モールド、フラットパッケージ型など
のプラスチック樹脂封止型半導体にも適用可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、プラスチック樹脂によりその一
部は全部が封止されている半導体装置の樹脂表面に上記
に述べたような凹凸の構造を持つ断面とする形状を形成
することにより、半導体装置の実質的な表面積を拡大さ
せその装置の放熱１イトが向上し、熱放散の良好な半導
体装置がＶ４．）られ。
部は全部が封止されている半導体装置の樹脂表面に上記
に述べたような凹凸の構造を持つ断面とする形状を形成
することにより、半導体装置の実質的な表面積を拡大さ
せその装置の放熱１イトが向上し、熱放散の良好な半導
体装置がＶ４．）られ。
プラスチック樹脂封止型半導体装置の欠点を著しく改善
する。また、実装時のプリント基板と半導体装置との接
する面の間に熱放散を促進するだけの空間を形成するこ
とが可能であり、従来よう装置実装において特性の改善
・信頼性の向上を歯ること示・できる。
する。また、実装時のプリント基板と半導体装置との接
する面の間に熱放散を促進するだけの空間を形成するこ
とが可能であり、従来よう装置実装において特性の改善
・信頼性の向上を歯ること示・できる。
さらに、この半導体装置の製造において、プラスチック
樹脂の封止工程は従来より複雑にする必要がなく余分な
工程を追加する必要もなく一部の変更により容易に実現
できる実用上きわめて有利なものとなる。
樹脂の封止工程は従来より複雑にする必要がなく余分な
工程を追加する必要もなく一部の変更により容易に実現
できる実用上きわめて有利なものとなる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ｎ）、 （ｂ）は従来の半導体素子がプラスチ
ック樹脂により封止されているＤＩＰ型半導体装置の平
面図、Ｉ−１’線断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本
発明の第１の実施例の半導体装置の平面図、ＩＩ−Ｐ線
断面図、第２図（Ｃ）は本発明の第２の実施例の半導体
装置の断面図、第３図（？Ｌ）、第４図（ａ）は本発明
ＩＹ −１Ｖ’線断面図である。 ６・・・・・・プラスチック樹脂、５Ａ、６Ｂ・旧・・
表面凹部及び凸部、６・・・・・リード、７・・・・・
、プリント基板、９・・・・・・凹凸構造を設けない領
域、１○・・・・・放熱ディスク、１２・・・・・・放
熱板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１！１ （の９ （ｂ〕 （αう 第 ３ 図 （偽う （′ｂ） 第４図 （ａ−）
ック樹脂により封止されているＤＩＰ型半導体装置の平
面図、Ｉ−１’線断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本
発明の第１の実施例の半導体装置の平面図、ＩＩ−Ｐ線
断面図、第２図（Ｃ）は本発明の第２の実施例の半導体
装置の断面図、第３図（？Ｌ）、第４図（ａ）は本発明
ＩＹ −１Ｖ’線断面図である。 ６・・・・・・プラスチック樹脂、５Ａ、６Ｂ・旧・・
表面凹部及び凸部、６・・・・・リード、７・・・・・
、プリント基板、９・・・・・・凹凸構造を設けない領
域、１○・・・・・放熱ディスク、１２・・・・・・放
熱板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１！１ （の９ （ｂ〕 （αう 第 ３ 図 （偽う （′ｂ） 第４図 （ａ−）
Claims (2)
- （１）樹脂により半導体素子の一部又は全体を封止し、
前記樹脂表面の一部又は全部を凹凸構造の断面を持つ表
面形状にすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）凹凸構造を、実装される基板に面する側の表面に
形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23664883A JPS60127747A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23664883A JPS60127747A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127747A true JPS60127747A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=17003727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23664883A Pending JPS60127747A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127747A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252940U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-02 | ||
| US5650593A (en) * | 1994-05-26 | 1997-07-22 | Amkor Electronics, Inc. | Thermally enhanced chip carrier package |
| US5827999A (en) * | 1994-05-26 | 1998-10-27 | Amkor Electronics, Inc. | Homogeneous chip carrier package |
| FR2987170A1 (fr) * | 2012-02-17 | 2013-08-23 | St Microelectronics Grenoble 2 | Boitier et dispositif electroniques |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23664883A patent/JPS60127747A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252940U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-02 | ||
| US5650593A (en) * | 1994-05-26 | 1997-07-22 | Amkor Electronics, Inc. | Thermally enhanced chip carrier package |
| US5827999A (en) * | 1994-05-26 | 1998-10-27 | Amkor Electronics, Inc. | Homogeneous chip carrier package |
| FR2987170A1 (fr) * | 2012-02-17 | 2013-08-23 | St Microelectronics Grenoble 2 | Boitier et dispositif electroniques |
| US9006904B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-04-14 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Dual side package on package |
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