JPH08204107A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH08204107A JPH08204107A JP1149595A JP1149595A JPH08204107A JP H08204107 A JPH08204107 A JP H08204107A JP 1149595 A JP1149595 A JP 1149595A JP 1149595 A JP1149595 A JP 1149595A JP H08204107 A JPH08204107 A JP H08204107A
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- semiconductor chip
- sealed semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、パッケージにクラックが生じにく
い樹脂封止型半導体装置を提供するものである。 【構成】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チ
ップ1を搭載した金属性のアイランド2と、アイランド
2の周囲に配置された金属性のリード3と、アイランド
2とリード3の一部とを覆う樹脂封止部4を有するして
おり、特にアイランド2の形状をX字形状としたことを
大きな特徴としている。上記アイランド2の形状をX字
形状とすることにより、アイランド2とモールド樹脂の
接触面は斜線部にに示す領域だけとなり、従来に比して
接触面積を大幅に減少することができる。そのうえ、斜
線部以外では半導体チップとモールド樹脂が接着してい
るので剥離しにくい構造となっている。
い樹脂封止型半導体装置を提供するものである。 【構成】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チ
ップ1を搭載した金属性のアイランド2と、アイランド
2の周囲に配置された金属性のリード3と、アイランド
2とリード3の一部とを覆う樹脂封止部4を有するして
おり、特にアイランド2の形状をX字形状としたことを
大きな特徴としている。上記アイランド2の形状をX字
形状とすることにより、アイランド2とモールド樹脂の
接触面は斜線部にに示す領域だけとなり、従来に比して
接触面積を大幅に減少することができる。そのうえ、斜
線部以外では半導体チップとモールド樹脂が接着してい
るので剥離しにくい構造となっている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にパッケージにクラックが生じにくい樹脂封止
型半導体装置に関する。
関し、特にパッケージにクラックが生じにくい樹脂封止
型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】トランジスタやIC等の電子部品とし
て、半導体チップをエポキシ樹脂等のモールド樹脂によ
り封止した樹脂封止型半導体装置が知られている。従来
の樹脂封止型半導体装置は、図7に示すように、半導体
チップ1が搭載された半導体チップ1より大きい平面視
四角形状のアイランド2と、アイランド2を取囲むよう
配置された複数のリード3と、アイランド2とリード3
の一部とを覆う樹脂封止部4とから構成されおり、半導
体チップ1の裏側全面は、斜線部に示すようにアイラン
ド2と接している。
て、半導体チップをエポキシ樹脂等のモールド樹脂によ
り封止した樹脂封止型半導体装置が知られている。従来
の樹脂封止型半導体装置は、図7に示すように、半導体
チップ1が搭載された半導体チップ1より大きい平面視
四角形状のアイランド2と、アイランド2を取囲むよう
配置された複数のリード3と、アイランド2とリード3
の一部とを覆う樹脂封止部4とから構成されおり、半導
体チップ1の裏側全面は、斜線部に示すようにアイラン
ド2と接している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の樹脂
封止型半導体装置は、使用される電子機器の小型化によ
るプリント基板への高密度実装化の要求に伴い、小型で
薄型のパッケージ化が進んでいる。一方、半導体チップ
は高機能化・高集積化に伴い、パッケージの小型化とは
逆に大型化するという現象に陥り、その半導体チップを
搭載するためのアイランドの大型化も進んでいる。
封止型半導体装置は、使用される電子機器の小型化によ
るプリント基板への高密度実装化の要求に伴い、小型で
薄型のパッケージ化が進んでいる。一方、半導体チップ
は高機能化・高集積化に伴い、パッケージの小型化とは
逆に大型化するという現象に陥り、その半導体チップを
搭載するためのアイランドの大型化も進んでいる。
【0004】このため、従来の樹脂封止型半導体装置で
は、次のような問題が生じていた。すなわち、樹脂封止
部4に用いられるモールド樹脂は金型との離型性を良く
するために離型剤が添加されているので、モールド樹脂
と金属製のアイランド2の裏面との接着強度が弱くなっ
ている。そのため製造工程での加熱冷却で滑りが生じた
り、モールド樹脂の吸湿作用により侵入した水分が気化
膨張し、モールド樹脂とアイランド2に隙間5が発生す
る場合があった。隙間5が発生した場合、図8に示すよ
うに、隙間5内では、モールド樹脂の吸湿作用により侵
入した水分が、樹脂封止型半導体装置の基板実装時の半
田リフローの急加熱で矢印方向に気化膨張し、樹脂封止
部4にクラック6を生じさせるおそれがあった。
は、次のような問題が生じていた。すなわち、樹脂封止
部4に用いられるモールド樹脂は金型との離型性を良く
するために離型剤が添加されているので、モールド樹脂
と金属製のアイランド2の裏面との接着強度が弱くなっ
ている。そのため製造工程での加熱冷却で滑りが生じた
り、モールド樹脂の吸湿作用により侵入した水分が気化
膨張し、モールド樹脂とアイランド2に隙間5が発生す
る場合があった。隙間5が発生した場合、図8に示すよ
うに、隙間5内では、モールド樹脂の吸湿作用により侵
入した水分が、樹脂封止型半導体装置の基板実装時の半
田リフローの急加熱で矢印方向に気化膨張し、樹脂封止
部4にクラック6を生じさせるおそれがあった。
【0005】特に、樹脂封止部4の大きさに占めるアイ
ランド2の面積が大きくなった現在では、その隙間5も
大きくなって急加熱で気化膨張するときの水上気圧も大
きくなっており、クラックが生じ易い状況になってい
た。本発明は、上述した問題点に鑑み、パッケージにク
ラックが生じにくい樹脂封止型半導体装置を提供するも
のである。
ランド2の面積が大きくなった現在では、その隙間5も
大きくなって急加熱で気化膨張するときの水上気圧も大
きくなっており、クラックが生じ易い状況になってい
た。本発明は、上述した問題点に鑑み、パッケージにク
ラックが生じにくい樹脂封止型半導体装置を提供するも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項1記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを搭
載したアイランドと、前記アイランドの周囲に配置され
たリードと、前記アイランドとリードの一部とを覆う樹
脂封止部を有する樹脂封止型半導体装置において、前記
アイランドの形状をX字形状としたことを特徴とするも
のである。
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項1記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを搭
載したアイランドと、前記アイランドの周囲に配置され
たリードと、前記アイランドとリードの一部とを覆う樹
脂封止部を有する樹脂封止型半導体装置において、前記
アイランドの形状をX字形状としたことを特徴とするも
のである。
【0007】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置では、アイラン
ドの形状をX字形状とすることにより、アイランドとモ
ールド樹脂との接触面積を小さくしてる結果、その接触
面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さくしてい
る。また、半導体チップとアイランドとの接触部分以外
は、モールド樹脂と半導体チップが接着しているので、
半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、すなわち
隙間のできにくい構造となっている。
ドの形状をX字形状とすることにより、アイランドとモ
ールド樹脂との接触面積を小さくしてる結果、その接触
面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さくしてい
る。また、半導体チップとアイランドとの接触部分以外
は、モールド樹脂と半導体チップが接着しているので、
半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、すなわち
隙間のできにくい構造となっている。
【0008】従って、本発明では、半導体チップとアイ
ランドとの隙間ができにくく、しかもその大きさを極力
抑える構造となっているので、例え急加熱により吸湿さ
れた水分が気化膨張しても、その水上気圧は樹脂封止部
にクラックを生じさせるほど増大しない。
ランドとの隙間ができにくく、しかもその大きさを極力
抑える構造となっているので、例え急加熱により吸湿さ
れた水分が気化膨張しても、その水上気圧は樹脂封止部
にクラックを生じさせるほど増大しない。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図1を参照しつつ
説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同一の符
号を付している。本発明の樹脂封止型半導体装置は、半
導体チップ1を搭載した金属性のアイランド2と、アイ
ランド2の周囲に配置された金属性のリード3と、アイ
ランド2とリード3の一部とを覆う樹脂封止部4を有す
る点で従来と相違がないが、本発明ではアイランド2の
形状をX字形状としたことを大きな特徴としている。上
記アイランド2の形状をX字形状とすることにより、ア
イランド2とモールド樹脂の接触面は斜線部にに示す領
域だけとなり、従来に比して接触面積を大幅に減少する
ことができる。そのうえ、斜線部以外では半導体チップ
とモールド樹脂が接着しているので剥離しにくい構造と
なっている。本発明のアイランド2およびリード3は、
従来と同様の鉄ニッケル合金や銅で形成されている。ま
た、アイランド2の形状をX字状とする方法も従来と同
様に打抜きや化学処理により方法を利用することで形成
することができる。
説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同一の符
号を付している。本発明の樹脂封止型半導体装置は、半
導体チップ1を搭載した金属性のアイランド2と、アイ
ランド2の周囲に配置された金属性のリード3と、アイ
ランド2とリード3の一部とを覆う樹脂封止部4を有す
る点で従来と相違がないが、本発明ではアイランド2の
形状をX字形状としたことを大きな特徴としている。上
記アイランド2の形状をX字形状とすることにより、ア
イランド2とモールド樹脂の接触面は斜線部にに示す領
域だけとなり、従来に比して接触面積を大幅に減少する
ことができる。そのうえ、斜線部以外では半導体チップ
とモールド樹脂が接着しているので剥離しにくい構造と
なっている。本発明のアイランド2およびリード3は、
従来と同様の鉄ニッケル合金や銅で形成されている。ま
た、アイランド2の形状をX字状とする方法も従来と同
様に打抜きや化学処理により方法を利用することで形成
することができる。
【0010】次に、本発明の他の実施例を図2〜図6を
参照に説明する。これらの実施例は、半導体チップ1を
搭載した金属性のアイランド2と、アイランド2の周囲
に配置された金属性のリード3と、アイランド2とリー
ド3の一部とを覆う樹脂封止部4を有する樹脂封止型半
導体装置で共通している。また、図中の斜線部は、半導
体チップ1とアイランド2との接触部分を示している。
参照に説明する。これらの実施例は、半導体チップ1を
搭載した金属性のアイランド2と、アイランド2の周囲
に配置された金属性のリード3と、アイランド2とリー
ド3の一部とを覆う樹脂封止部4を有する樹脂封止型半
導体装置で共通している。また、図中の斜線部は、半導
体チップ1とアイランド2との接触部分を示している。
【0011】図2に示す実施例は、X字形状のアイラン
ド2を補助バー7で連結した構成となっている。アイラ
ンド2を補助バー7で連結したことにより、樹脂封止す
るときや半導体チップ1をダイボンディングする際のア
イランド2のブレを防止することができる。本実施例で
は、2本の補助バー7でアイランド2を連結する例を示
したが、さらに強度を上げるために4本の補助バー7で
アイランド2間を全て連結しても良い。
ド2を補助バー7で連結した構成となっている。アイラ
ンド2を補助バー7で連結したことにより、樹脂封止す
るときや半導体チップ1をダイボンディングする際のア
イランド2のブレを防止することができる。本実施例で
は、2本の補助バー7でアイランド2を連結する例を示
したが、さらに強度を上げるために4本の補助バー7で
アイランド2間を全て連結しても良い。
【0012】図3に示す実施例は、X字形状のアイラン
ド2に平面視四角形状の放熱部8を設けている。放熱部
8を設けることで半導体チップ1から発せられる熱を効
率よく樹脂封止部4を介して外部に放出させることがで
きる。但し、本発明の効果を得るためには、半導体チッ
プ1の一辺の長さをa,放熱部8の一辺の長さをbとし
たとき、その長さはa>bの条件を満たす必要がある。
ド2に平面視四角形状の放熱部8を設けている。放熱部
8を設けることで半導体チップ1から発せられる熱を効
率よく樹脂封止部4を介して外部に放出させることがで
きる。但し、本発明の効果を得るためには、半導体チッ
プ1の一辺の長さをa,放熱部8の一辺の長さをbとし
たとき、その長さはa>bの条件を満たす必要がある。
【0013】図1〜図3の実施例は、リードが4方向か
ら導出する、いわゆるクワッドタイプの樹脂封止型半導
体装置を示していたが、図4〜図6はリードが2方向か
ら導出するに示す実施例は、いわゆるスモールインライ
ンタイプの樹脂封止型半導体装置を示している。図4に
示す実施例は、アイランド2の形状がX字形状であるデ
ュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置を示し
ている。アイランド2の形状をX字状とすることで図1
と同様の効果を得ている。
ら導出する、いわゆるクワッドタイプの樹脂封止型半導
体装置を示していたが、図4〜図6はリードが2方向か
ら導出するに示す実施例は、いわゆるスモールインライ
ンタイプの樹脂封止型半導体装置を示している。図4に
示す実施例は、アイランド2の形状がX字形状であるデ
ュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置を示し
ている。アイランド2の形状をX字状とすることで図1
と同様の効果を得ている。
【0014】図5に示す実施例では、デュアルインライ
ンタイプの樹脂封止型半導体装置であって、X字形状の
アイランド2を補助バー7で連結した構成となってい
る。アイランド2を補助バー7で連結したことにより、
図2と同様、樹脂封止するときや半導体チップ1をダイ
ボンディングする際のアイランド2のブレを防止するこ
とができる。本実施例では、2本の補助バー7でアイラ
ンド2を連結する例を示したが、さらに強度を上げるた
めに4本の補助バー7でアイランド2間を全て連結して
も良い。
ンタイプの樹脂封止型半導体装置であって、X字形状の
アイランド2を補助バー7で連結した構成となってい
る。アイランド2を補助バー7で連結したことにより、
図2と同様、樹脂封止するときや半導体チップ1をダイ
ボンディングする際のアイランド2のブレを防止するこ
とができる。本実施例では、2本の補助バー7でアイラ
ンド2を連結する例を示したが、さらに強度を上げるた
めに4本の補助バー7でアイランド2間を全て連結して
も良い。
【0015】最後に、図6に示す実施例は、デュアルイ
ンラインタイプの樹脂封止型半導体装置であって、X字
形状のアイランド2の各先端から他のアイランド2の先
端方向に向けて2本の補助バー9が設けられており、ア
イランド2の形状は、いわゆる矢印の形状となってい
る。そして、補助バー9を設けることにより、半導体チ
ップ1を確実にアイランド2にダイボンディングするこ
とができる。
ンラインタイプの樹脂封止型半導体装置であって、X字
形状のアイランド2の各先端から他のアイランド2の先
端方向に向けて2本の補助バー9が設けられており、ア
イランド2の形状は、いわゆる矢印の形状となってい
る。そして、補助バー9を設けることにより、半導体チ
ップ1を確実にアイランド2にダイボンディングするこ
とができる。
【0016】なお、本実施例では、クワッドタイプ及び
デュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置につ
いて説明したが、アイランドを有する樹脂封止型半導体
装置であれば適用することができる。
デュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置につ
いて説明したが、アイランドを有する樹脂封止型半導体
装置であれば適用することができる。
【0017】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の樹脂封止
型半導体装置によれば、アイランドの形状をX字形状と
することにより、アイランドとモールド樹脂との接触面
積を小さくしてる。その結果、アイランドとモールド樹
脂との接触面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さ
くしている。
型半導体装置によれば、アイランドの形状をX字形状と
することにより、アイランドとモールド樹脂との接触面
積を小さくしてる。その結果、アイランドとモールド樹
脂との接触面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さ
くしている。
【0018】また、半導体チップとアイランドとの接触
部分以外は、モールド樹脂と半導体チップが接着してい
るので、半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、
すなわち隙間のできにくい構造となっている。従って、
本発明では、半導体チップとアイランドとの隙間をでき
にくく、しかもその大きさを極力抑える構造となってい
るので、例え急加熱により吸湿された水分が気化膨張し
ても、その水上気圧は樹脂封止部にクラックを生じさせ
るほど増大しない。
部分以外は、モールド樹脂と半導体チップが接着してい
るので、半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、
すなわち隙間のできにくい構造となっている。従って、
本発明では、半導体チップとアイランドとの隙間をでき
にくく、しかもその大きさを極力抑える構造となってい
るので、例え急加熱により吸湿された水分が気化膨張し
ても、その水上気圧は樹脂封止部にクラックを生じさせ
るほど増大しない。
【図1】本発明の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
【図2】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図3】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図4】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図5】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図6】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図7】従来の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
【図8】従来の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
1 半導体チップ 2 アイランド 3 リード 4 樹脂封止部 7,9 補助バー 8 放熱部
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体チップを搭載したアイランドと、
前記アイランドの周囲に配置されたリードと、前記アイ
ランドとリードの一部とを覆う樹脂封止部を有する樹脂
封止型半導体装置において、前記アイランドの形状をX
字形状としたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】 前記X字形状のアイランド間を連結する
少なくとも2本の補助バーを有することを特徴とする請
求項1記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項3】 前記X字形状のアイランドに前記半導体
チップの大きさより小さい放熱部を有することを特徴と
する請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1149595A JPH08204107A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1149595A JPH08204107A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08204107A true JPH08204107A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11779622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1149595A Pending JPH08204107A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08204107A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998029903A1 (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-09 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6340837B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-01-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6692989B2 (en) | 1999-10-20 | 2004-02-17 | Renesas Technology Corporation | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof |
US6960823B2 (en) * | 2001-04-04 | 2005-11-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2010238979A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63249341A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0274065A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
JPH06216303A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | リードフレーム、その製造方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH06268146A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP1149595A patent/JPH08204107A/ja active Pending
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US6943456B2 (en) | 1996-12-26 | 2005-09-13 | Hitachi Ulsi Systems Co., Ltd. | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof |
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US6441400B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-08-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
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