JPH056884A - シリコンウエハーの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウエハーの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH056884A JPH056884A JP18154991A JP18154991A JPH056884A JP H056884 A JPH056884 A JP H056884A JP 18154991 A JP18154991 A JP 18154991A JP 18154991 A JP18154991 A JP 18154991A JP H056884 A JPH056884 A JP H056884A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- cleaning
- wafer
- hcl
- treatment liquid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウエハーの洗浄工程における槽間移
動の際の汚染物質の付着を防止する。 【構成】 シリコンウエハーの表面に付着した汚染物質
を除去するに当たり、上記シリコンウエハーを、NH4OH
＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄したのち、さらに
HF＋HCl ＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄処理す
る。
動の際の汚染物質の付着を防止する。 【構成】 シリコンウエハーの表面に付着した汚染物質
を除去するに当たり、上記シリコンウエハーを、NH4OH
＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄したのち、さらに
HF＋HCl ＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄処理す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、とくに半導体素子等
の基板となるシリコンウエハーを洗浄する場合に用いて
有用な洗浄方法に関するものである。
の基板となるシリコンウエハーを洗浄する場合に用いて
有用な洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコンウエハーの洗浄におい
ては、該ウエハーの表面の無機および残存有機汚染物の
除去のために、まずNH4OH ＋H2O2＋H2O からなる処理液
に浸漬、洗浄し、次いでSiO2のような自然酸化膜を除去
するためHFからなる処理液に浸漬して洗浄、さらに表面
の残存重金属の除去のため HCl＋H2O2＋H2O からなる処
理液に浸漬して洗浄する３段階の処理からなるRCA 洗浄
が適用されていた。
ては、該ウエハーの表面の無機および残存有機汚染物の
除去のために、まずNH4OH ＋H2O2＋H2O からなる処理液
に浸漬、洗浄し、次いでSiO2のような自然酸化膜を除去
するためHFからなる処理液に浸漬して洗浄、さらに表面
の残存重金属の除去のため HCl＋H2O2＋H2O からなる処
理液に浸漬して洗浄する３段階の処理からなるRCA 洗浄
が適用されていた。
【０００３】また、最近では、シリコンウエハー表面の
粒子付着を極力少なくするため、HF＋H2O2の処理液を適
用した重金属除去方法が提案さされている（超LSI ウル
トラクリーンテクノロジーワークショップNo.1 ,サブミ
クロンULSI製造におけるウルトラクリーンテクノロジ
ー, プロシーディング参照）。
粒子付着を極力少なくするため、HF＋H2O2の処理液を適
用した重金属除去方法が提案さされている（超LSI ウル
トラクリーンテクノロジーワークショップNo.1 ,サブミ
クロンULSI製造におけるウルトラクリーンテクノロジ
ー, プロシーディング参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のRCA
洗浄においては、シリコンウエハーを処理槽から次の処
理槽へ移動させる際に、ウエハー表面に汚染物質が付着
するのが避けられなかった。とくにHFの処理液による洗
浄後においては、ウエハー表面に自然酸化膜のない疎水
面がむき出しになるために、その後の水洗時や槽間移動
の際にウエハー表面に不純物粒子が強固に付着し易く、
このような不純物粒子の付着は、ピンホールの発生原因
となったり、素子の特性の劣化を招く原因になっていた
のである。
洗浄においては、シリコンウエハーを処理槽から次の処
理槽へ移動させる際に、ウエハー表面に汚染物質が付着
するのが避けられなかった。とくにHFの処理液による洗
浄後においては、ウエハー表面に自然酸化膜のない疎水
面がむき出しになるために、その後の水洗時や槽間移動
の際にウエハー表面に不純物粒子が強固に付着し易く、
このような不純物粒子の付着は、ピンホールの発生原因
となったり、素子の特性の劣化を招く原因になっていた
のである。
【０００５】洗浄後の槽間での水洗過程やウエハーの搬
送時に生じる上述の如き問題を起こすことがない新規な
シリコンウエハーの洗浄方法を提案することがこの発明
の目的である。
送時に生じる上述の如き問題を起こすことがない新規な
シリコンウエハーの洗浄方法を提案することがこの発明
の目的である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、シリコンウ
エハーの表面に付着した汚染物質を除去するに当たり、
上記シリコンウエハーを、NH4OH ＋H2O2＋H2O からなる
処理液にて洗浄したのち、さらにHF＋HCl ＋H2O2＋H2O
からなる処理液にて洗浄処理することを特徴とするシリ
コンウエハーの洗浄方法である。
エハーの表面に付着した汚染物質を除去するに当たり、
上記シリコンウエハーを、NH4OH ＋H2O2＋H2O からなる
処理液にて洗浄したのち、さらにHF＋HCl ＋H2O2＋H2O
からなる処理液にて洗浄処理することを特徴とするシリ
コンウエハーの洗浄方法である。
【０００７】
【作用】この発明においては、シリコンウエハーの洗浄
に際して、NH4OH ＋H2O2＋H2Oからなる処理液による洗
浄とHF＋HCl ＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄液に
よる洗浄の２段階処理とて、とくに表面に自然酸化膜の
ない状態におけるウエハーの、槽間移動をなくすように
したから、この槽間移動において避けるのが難かった汚
染物質の付着を有利に回避することができる。
に際して、NH4OH ＋H2O2＋H2Oからなる処理液による洗
浄とHF＋HCl ＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄液に
よる洗浄の２段階処理とて、とくに表面に自然酸化膜の
ない状態におけるウエハーの、槽間移動をなくすように
したから、この槽間移動において避けるのが難かった汚
染物質の付着を有利に回避することができる。
【０００８】次に、シリコンウエハーの具体的な洗浄要
領について説明する。まず、NH4OH ＋H2O2＋H2O の処理
液への浸漬による洗浄においては、NH4OH ＋H2O2＋H2O
＝１：１：５〜20の容量比になるものが適用でき、60〜
80℃の条件の下に洗浄処理するのが望ましい。またHF＋
HCl ＋H2O2＋H2O による洗浄においては、HF＋HCl ＋H2
O2＋H2O ＝0.1 〜10：125 ：125 ：750 の容量比になる
ものが適用でき20〜30℃の条件下に洗浄処理するのが望
ましい。
領について説明する。まず、NH4OH ＋H2O2＋H2O の処理
液への浸漬による洗浄においては、NH4OH ＋H2O2＋H2O
＝１：１：５〜20の容量比になるものが適用でき、60〜
80℃の条件の下に洗浄処理するのが望ましい。またHF＋
HCl ＋H2O2＋H2O による洗浄においては、HF＋HCl ＋H2
O2＋H2O ＝0.1 〜10：125 ：125 ：750 の容量比になる
ものが適用でき20〜30℃の条件下に洗浄処理するのが望
ましい。
【０００９】
【実施例】容量比が１：１：５になり、温度70℃のNH4O
H ＋H2O2＋H2O を収容した処理槽に、サイズ６インチに
なるシリコンウエハーを10分間浸漬して、まず一回目の
洗浄処理を行い、ついで純水による QDR（クイックダン
プリンス) で薬液を充分に落としたのち、容量比が１：
125 ：125 ：750 になり、温度24℃のHF＋HCl ＋H2O2＋
H2O を収容した処理槽に10分間該ウエハーを浸漬して洗
浄処理を行い、さらに、QDR 後オーバーフロー方式によ
る洗浄で薬液を完全に落とし、得られた洗浄シリコンウ
エハーの表面状況について調査した。その結果、シリコ
ンウエハーの表面における汚染物質の付着が著しく軽減
されることが認められた。なお、洗浄ウエハーは表面状
況は自動表面欠陥検査装置（WIS-600, ESTEK社製) を用
い 0.2μm 以上のウエハー表面微粒子を測定し調査し
た。
H ＋H2O2＋H2O を収容した処理槽に、サイズ６インチに
なるシリコンウエハーを10分間浸漬して、まず一回目の
洗浄処理を行い、ついで純水による QDR（クイックダン
プリンス) で薬液を充分に落としたのち、容量比が１：
125 ：125 ：750 になり、温度24℃のHF＋HCl ＋H2O2＋
H2O を収容した処理槽に10分間該ウエハーを浸漬して洗
浄処理を行い、さらに、QDR 後オーバーフロー方式によ
る洗浄で薬液を完全に落とし、得られた洗浄シリコンウ
エハーの表面状況について調査した。その結果、シリコ
ンウエハーの表面における汚染物質の付着が著しく軽減
されることが認められた。なお、洗浄ウエハーは表面状
況は自動表面欠陥検査装置（WIS-600, ESTEK社製) を用
い 0.2μm 以上のウエハー表面微粒子を測定し調査し
た。
【００１０】
【発明の効果】かくしてこの発明によれば、シリコンウ
エハーを洗浄する際の処理工程の簡略化を図ることがで
きるし、槽間移動する回数が減るので、シリコンウエハ
ーの疎水面に汚染物が付着する割合が非常に少なくな
り、歩止まりの改善を図ることができる。
エハーを洗浄する際の処理工程の簡略化を図ることがで
きるし、槽間移動する回数が減るので、シリコンウエハ
ーの疎水面に汚染物が付着する割合が非常に少なくな
り、歩止まりの改善を図ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 シリコンウエハーの表面に付着した汚染
物質を除去するに当たり、上記シリコンウエハーを、NH
4OH ＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄したのち、さ
らにHF＋HCl ＋H2O2＋H2O からなる処理液にて洗浄処理
することを特徴とするシリコンウエハーの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18154991A JPH056884A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | シリコンウエハーの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18154991A JPH056884A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | シリコンウエハーの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056884A true JPH056884A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16102733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18154991A Pending JPH056884A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | シリコンウエハーの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056884A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410480A (en) * | 1992-10-08 | 1995-04-25 | Koseki; Masamori | Method of guiding travel of golf carts |
| US5578193A (en) * | 1993-01-08 | 1996-11-26 | Nec Corporation | Method and apparatus for wet treatment of solid surfaces |
| KR100260246B1 (ko) * | 1995-04-20 | 2000-07-01 | 히가시 데쓰로 | 진공배기시스템 및 혼입물 제거방법 |
| US6245650B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device |
| US6432836B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Cleaning method for semiconductor substrate and cleaning solution |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP18154991A patent/JPH056884A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410480A (en) * | 1992-10-08 | 1995-04-25 | Koseki; Masamori | Method of guiding travel of golf carts |
| US5578193A (en) * | 1993-01-08 | 1996-11-26 | Nec Corporation | Method and apparatus for wet treatment of solid surfaces |
| KR100260246B1 (ko) * | 1995-04-20 | 2000-07-01 | 히가시 데쓰로 | 진공배기시스템 및 혼입물 제거방법 |
| US6432836B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Cleaning method for semiconductor substrate and cleaning solution |
| US6245650B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device |
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