JPS60108306A - 窒化チタンを含む窒化ホウ素とその製造方法 - Google Patents

窒化チタンを含む窒化ホウ素とその製造方法

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JPS60108306A
JPS60108306A JP58211036A JP21103683A JPS60108306A JP S60108306 A JPS60108306 A JP S60108306A JP 58211036 A JP58211036 A JP 58211036A JP 21103683 A JP21103683 A JP 21103683A JP S60108306 A JPS60108306 A JP S60108306A
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nitride
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boron
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松波 幸男
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平井 敏雄
Takeshi Masumoto
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、気相析出法によって製造した、窒化チタン
を含む、窒化ホウ素複合体とその製造方法に関するもの
である。
1迷」口【 従来、化学気相析出によって窒化ホウ素を製造する方法
が知られている。これは、原料ガスとしてホウ素を含有
するホウ素沈積源ガス、例えばBC113、BF3.8
2 H6などと窒素を含有する窒素沈積源ガス、例えば
NH3、N2などとが使用されており、上記二種類のガ
スを高温度で反応させて窒化ホウ素を生成させている。
その時、基体、例えば炭素板や金属棒などの固体が存在
すると、その固体表面上に窒化ホウ素が層状に沈積して
、窒化ホウ素の薄膜や塊状体を得ることができる。こう
して得られた化学気相析出窒化ホウ素は、基体表面と平
行に窒化ホウ素の0面が配向するために、析出成長方向
とその垂直方向の性質に差異がある。
高純度、高温耐食性、電気絶縁性などの優れた性質に加
えて、上記のような異方性を有するために、この化学気
相析出窒化ホウ素は特異な材料として重要性を増してい
る。
窒化ホウ素塊状体は、窒化ホウ素粉末にホウ酸やシリカ
ガラスなどの焼結助剤を添加して、常圧焼結法やポット
プレス焼結法によっても製造されているが、これらの焼
結体は、純度、微細構造において、化学気相析出窒化ホ
ウ素とは著しく異なるものである。
ところで、チタンを含む窒化ホウ素塊状体についてはニ
ホウ化チタンと窒化ホウ素の複合焼結体が得られること
が開示されている(特公昭43−15078号)。しか
し、窒化チタンを含有するこの発明の気相析出窒化ホウ
素は従来知られていなかった。
目 的 この発明の目的は、窒化チタンを含む気相析出窒化ホウ
素J3よびその製造方法を提供することである。 − 構 成 この発明の構成は、気相析出法により合成された窒化ホ
ウ素であって、窒化チタンを0.05〜10重量%含有
することを特徴とする窒化チタンを含む窒化ホウ素であ
り、また、その製造方法として、ホウ素沈積源ガスと窒
素沈積源ガスとから窒化ホウ素を沈積させる方法におい
て、前記ホウ素沈積源ガスにチタン沈積源ガスを添加混
合することによって、窒化チタンを含む窒化ホウ素を製
造する方法である。
この発明の窒化チタンを含有する気相析出窒化ホウ素は
、チタンを窒化チタンとして含有し、かつ、マトリック
スを形成Jる窒化ホウ素は、気相析出窒化ホウ素であっ
て、このような材料は全く新規なものである。
この発明の一例である窒化チタンを含む気相析出窒化ホ
ウ素は析出面に平行に窒化ホウ素の0面が配向した多結
晶窒化ホウ素を71−リツクスとし、そのマトリックス
中に約100人程度の大きさの微細な窒化チタン粒子が
均一に分散して存在している。マトリックスを形成する
窒化ホウ素結晶子は83 N3で形成される6角網目層
が完全に三次元配列をもって積層している六方晶窒化ホ
ウ素と異なり、六角網目層の積み重なりが不完全で層間
距離が若干大きい3.35〜3.45人の値を有する乱
層構造(turbO8tratic 5tructur
e)をとるのが普通であるが、製造条件により六方晶窒
化ホウ素とすることも可能であり、また非晶質窒化ホウ
素とすることも可能である。
チタンは窒化チタンとして含有されており、その含有m
は窒化チタンとして0.05〜10重量%の範囲内であ
り、その量は製造条件によって制御llすることができ
る。
窒化チタンの含有量が0.05重量%未満では、窒化チ
タンを存在させた効果はなく、10重量%を越える量で
は組成が不均一になる。
この発明の一例である窒化チタンを含む化学気相析出窒
化ホウ素の密度は製造条件によって異なり、1.4〜2
.3 gr/am3の範囲内になるが、窒化チタンを含
む密度2.0〜2.2 gr/Cl113の化学気相析
出窒化ホウ素が材料としてより好適である。
この発明の窒化チタンを含む上記化学気相析出窒化ホウ
素は、析出面に垂直方向の熱拡散率が極めて小さく、優
れた断熱材としての用途が期待できる。従来の化学気相
析出窒化ホウ素は、前述のように析出面に平行に窒化ホ
ウ素の0面が配向した構造をとるため、通常の焼結体に
はみられない顕著な異方性を示し、例えば、熱拡散率は
析出面に垂直方向で10〜12×10″3CII12/
5eC1析出面に平行な方向では5x 10−’ c1
/secの値をもっており、これらの値から析出面に垂
直な方向では断熱材、同じく析出面に平行の方向では熱
の良導体となる。
この発明の、窒化チタンを含有した化学気相析出窒化ホ
ウ素の析出面に垂直方向の熱拡散率は、前述した従来の
化学気相析出窒化ホウ素の熱拡散率の約1/2〜115
に近い値を示す。
第1図に、窒化チタンを含むこの発明の化学気相析出窒
化ホウ素の析出面に垂直方向の熱拡散率1の温度変化の
一例を従来の化学気相析出窒化ホウ素のそれ2と比較し
て示したグラフである。
熱拡散率は熱伝導率と次に示す関係がある。
熱伝導率−試料密度×比熱×熱拡散率・・・(1)窒化
チタンを含むこの発明の化学気相析出窒化ホウ素の密度
は前記のように2.3gr/cm”以下であり、従来の
化学気相析出窒化ホウ素の密度は2.0〜2.2 gr
/cm”であることから、上記(1)式の密痕項は、こ
の発明のものも、従来のものもほぼ同じである。また、
比熱は、構成元素により決まる値であり、この発明品の
71−リックスを形成する窒化ホウ素も従来品の窒化ホ
ウ素も同じであり、室温で約0.2cal/(]r℃で
ある。一方窒化チタンの比熱は室温で約0.15Cal
/(]r℃である。したがって、(1)式の比熱環もこ
の発明の製品と従来品では大体同様となるから第1図に
示したこの発明の製品と従来品の熱拡散率の差異は、そ
のまま熱伝導率の差を表わしているといえる。
第2図は窒化チタンを含むこの発明の化学気相析出窒化
ホウ素の熱拡散率の値から上記(1)式により算出した
熱伝導率の値3と、従来知られている各種材料の熱伝導
率とを比較したものである。例えば各種材料の熱伝導率
を示す線のうち、粉末マグネシア4、断熱レンガ5、安
定化ジルコニア6、透明石英ガラス7、粘土質耐火物8
、緻密質アルミナ焼結体9、緻密質マグネシア焼結体1
0、ベリリア11の熱伝導率を示したいる。窒化チタン
を含むこの発明の化学気相析出窒化ホウ素のように、低
い熱伝導率を示し、かつ、従来の化学気相析出窒化ホウ
素と同様のガス不透過性(緻密質)で熱衝撃に強く、高
温における耐食性を備えた材料は断熱材として極めて有
用なものである。
次に、窒化チタンを含むこの発明の化学気相析出窒化ホ
ウ素の製造法の一例につき説明する。
この発明の窒化チタンを含む化学気相析出窒化ホウ素は
、ホウ素沈積源ガスと窒素沈積源ガスにより、化学気相
析出窒化ホウ素を沈積させる方法において、前記ホウ素
沈積源ガスにチタン沈積源ガスを添加、混合することに
よって製造できる。ホウ素沈積源ガスとしてはBCI 
3、BF3などのハロゲン化物、B2 H6、BIG 
H+4などの水素化物、83N3)46(ボラジン)や B3 N3 H30f 3 (三塩化ボラゾール)など
の含窒素ホウ素化合物、B (02ト15)3やB (
CH3)3のアルキルホウ素化合物のうちから選ばれる
いずれか1種または2種以上を用いることができる。好
適には室温で気体である821−16 、’BCI s
を用いるのがよい。窒素沈積源ガスとしては、窒素の水
素化物、(トIN3 、NH3、N21−14 ) 、
アンモニウムのハロゲン化物<N84 CI、NH4[
3r 、NH< F、、NH4HF2、NH41)お′
よび窒素のうちから選ばれるいずれか一種または二種以
上を用いることができ、安価であるNH3を使用するの
が適当である。
また、チタン沈積源ガスとしては、チタンの、Aロゲン
化物、(Ti Cl 4 、Ti 3r 、、Ti F
4 、Ti I4 )のうちから選ばれるいずれか一種
または二種以上を用いることができる。Tf Cl 4
は比較的安価であり、蒸気圧も高いので使い易い。
前記原料ガスに加えて、原料ガスを搬送および/または
希釈するためにN2 、Ar、He、H2のし1ずれか
一種または二種以上を必要により使用することができる
ホウ素沈積源ガス、チタン沈積源ガス、窒素沈積源ガス
および必要により使用される搬送および/または希釈ガ
スは、加熱気体を収納した反応器内に導入されるが、そ
の際同心二重管や三重管等の組み合わせ管を用いて基体
近傍でホウ素およびチタンの混合沈積源ガスと窒素沈積
源ガスを混合する方法は原料ガスの反応効率、析出速度
を上昇させるために有利であるが、すべての成分の沈積
源ガスを混合し1c後に、反応器中に導入しても何等支
障はない。
反応器内の基体の温度は500〜2000’Cの範囲で
窒化チタンを含む窒化ホウ素を得ることができるが、好
ましくは1ooo〜1500℃、さらニハ1200〜1
400℃の温度範囲が好適である。
なお、高周波プラズマやマイクロ波プラズマ、レーザー
等を併用することによって、窒化チタンを含むこの発明
の窒化ホウ素を製造できる温度を低くすることができる
。反応器内の全圧力は0.1〜770T orrの範囲
内が用いられるが、好ましくは0.5〜501orr1
さらに1〜15Torrが最適である。
次に、この発明による製造方法の製造条件と、製造され
る窒化チタンを含む窒化ホウ素の性状との関係について
説明する。
第3図は、窒化チタンを含むこの発明の化学気相析出窒
化ホウ素(線12)と窒化チタンを含まない化学気相析
出窒化ホウ素(線13)を製造するときの製造温度が、
製造される析出物の密度に及ぼす影響の一例を示すグラ
フである。
ここで製造温度以外の製造条件は、チタン沈積源ガスが
添加されている場合と、いない場合で差異はなかった。
この第3図から明らかなように、チタンを添加した場合
は、チタンを含まない場合と比較して、高密度の製品が
低温でも得られることがわかる。この高密度化はチタン
が窒化チタンとして含まれることによる密度増加に加え
て、マトリックスを形成する窒化ホウ素の結晶化が進行
していることにより達成されている。第3図の場合、含
まれる窒化チタンの量は約0.5重量%であり、窒化チ
タン混入による密度増加への寄与は極めて小さく、高密
度化は実質的に窒化ホウ素の結晶化の進行によるもので
ある。窒化ホウ素の結晶化の程度は、窒化ホウ素の層間
距離を測ることにより知ることができ、居間距離が短い
程結晶化の度合が高い。
第4図は窒化ホウ素の層間距離に及ぼす製造温度の影響
について、チタンを添加した場合の析出物のマトリック
スを形成している化学気相析出窒化ホウ素(線14)と
チタンを添加せずに製造した場合に析出した化学気相析
出窒化ホウ素(線15)について比較した例のグラフを
示す。この場合の製造条件は第3図の製造条件と全く同
一である。
第4図のグラフから明らかなように、チタンを添加する
ことによって、より結晶化が進んだ窒化ホウ素が析出し
ていることがわかる。
結晶性が悪い窒化ホウ素が析出した化学気相析出窒化ホ
ウ素は一般に密度が低く、がっ、化学的に不安定である
ことがら、従来の化学気相析出窒化ホウ素の製造は、結
晶化が進み、化学的に安定な析出物が得られる1850
’C以上の高い製造温度条(!1が必要であった。
この発明のホウ素沈積源ガスにチタン沈積源ガスを添加
、混合する方法によれば、従来の化学気相析出窒化ホウ
素以上の性能を有する窒化チタンを含有する化学気相析
出窒化ホウ素を、製造温度1200℃においても製造す
ることができる。
さらに、化学気相析出法により塊状体を製造する際は、
沈積速度が重要な因子となるが、この発明のチタンを添
加する方法によれば、チタンを添加しない場合に比し、
沈積速度は速くなり約1.5倍になる。例えば製造温度
1400℃で窒化チタンを含む化学気相析出窒化ホウ素
は0.2mm/ hr以上の沈積速度で製造でき、この
速度の上昇は塊状体の製造では特に有利である。
窒化チタンを含むこの発明の化学気相析出窒化ホウ素中
の窒化チタンの含有量は、主としてホウ素沈積源ガスと
チタン沈積源ガスの流量比によって制御できるが製造温
度や反応器内、全圧力によっても制御できる。製造温度
を下げ、また沈積速度を上げるには、チタン沈積源ガス
の添加量を好ましい範囲に設定する必要がある。本発明
ではTi/Bの原子比でo、oos〜0.04の範囲と
なるようにホウ素沈積源ガスに対するチタン沈積源ガス
の流量を設定することか好ましい。
窒化チタンを含むこの発明の気相析出窒化ホウ素はその
用途に応じて種々の形態を適宜とることができる。すな
わち、薄膜状、板状、棒状、パイプやルツボのような成
形物等いずれも製造することが可能である。
窒化チタンを含む、この発明の気相析出窒化ホウ素は、
従来知られている窒化ホウ素の優れた耐熱性、化学的安
定性、潤滑特性、機械加工性、中性子吸収能、大きな異
方性に加えて前記の優れた断熱性を有しているので、例
えば高温シールド、高温炉断熱材、高温炉冶具、高純度
金属結晶成長ルツボ、電子ビームハースライナ−1電気
材料、原子炉遮へい材などに用いられる。
次に、この発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例1 原料ガスとして3QI s、NH3およびTt Cl 
4を用い、Tf Of 4の搬送ガスとしてH2ガスを
用いた。
それぞれのガス流量は下記のとおりであった。
BCI 3・・・・・・・・・・・・・・・・・・15
0m1/m1nNH3・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・90m1/m1nTi Cl 4・
・・・・・・・・・・・・・・・・・8ml/m1nH
2・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
670m1/minこれらのガスを1400℃に加熱し
た黒鉛基体を収納した反応器内に導入し、10時間析出
させた。この間反応器内の全圧力は5Torrに保持し
た。反応終了後、ガス導入を止め、反応器内を排気し、
基体を冷却した。
冷却後、反応器より基体を取り出したところ、その表面
に厚さ11nIllの黒青色の窒化チタンを含む窒化ホ
ウ素が析出していた。この窒化チタンを含む窒化ホウ素
の特性を測定した結果は次のとおりであった。
TiN含有量・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・0.5重量%密度・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・2−16111
r/c+a3マトリツクスBNの層間距離・・・・・・
3.38人析出面に垂直方向の熱拡散率 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・1,8X
 10−” e1/SeO比較対象として市販の化学的
気相析出窒化ホウ素について上記特性を測定したところ
次のような結果であった。
密度・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・2.14gr/cm3層間距離・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・3.42人析出方向熱拡散率・・・7.
8x 10−301/ !SeG上記結果によれば、窒
化チタンを含むこの発明の化学気相析出窒化ホウ素は、
従来の化学気相析出窒化ホウ素に比較して、析出面に垂
直方向の熱伝導率が約1/4となり断熱性が極めて高い
といえる。
実施例2 各ガスの流量、析出時間、反応器内圧力は実施例1と同
一にし、基体の温度を1300℃にして窒化チタンを含
む窒化ホウ素を製造した。
冷却後、基体を取り出したところ、基体の表面に窒化チ
タンを含む黒色の化学気相析出窒化ホウ素が厚さ0.6
111mの層になっていた。
この物性を測定して下記の結果を得た。
TiN含有量・・・・・・・・・・・・・・・・・・0
.9重量%密度・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・2,19gr/ cm3マト
リックスBNの層間距離・・・3.31人析出面に垂直
方向の熱拡散率 ・・・・・・・・・・・・・・・1,5X 10’ C
11l’ /sec実施例3 各ガスの流量、析出時間は実施例1と同一にし、反応器
内圧力は101’−orrとし、基体の温度を1200
℃にして窒化チタンを含む窒化ホウ素を製造した。
冷却後基体を取り出したところ、基体の表面に厚さ0.
7mn+の黒青色の窒化チタンを含む窒化ホウ素を得た
比較例として、Ti C14を全く添加しなかった以外
は実施例3と同一条件で窒化ホウ素を製造したところ基
体表面に0.5ml厚さの白色の窒化ホウ素を得た。
実施例3おにび比較例で得た試料の密度、元素分析、構
造解析の結果を第1表に示す。
第1表において、湿気に対する安定性は、製品を人気中
に1力月放置後の重量増加(%]を示したものである。
この重量増加は窒化ホウ素の加水分解により生じるもの
である。
上記表による比較結果から基体温度が比較的低温の時、
比較例の場合は密度が小さく、湿気に対して不安定な製
品となるのに対して、この発明の方法で製造されたもの
は密度が高く、湿気に対しても安定であることがわかる
実施例4 基体部y11400℃、反応器内の全圧ツノを5TOr
rとし、Ti Cl aとBCI 3の流量化を変えて
、窒化チタンの含有量がそれぞれ異なる窒化ホウ素析出
物をつくり、これらの特性を比較した。
第2表にその製造条件を第3表にその製品の性質を示す
第2表 第3表 第3表に示したように、Ti含有量が10wt%を越え
るとTiNとTi 82が不均一に分散析出し、F3N
の結晶性を改善する効果が失われるとともに、T i含
有量の増加にともない、層状に析出したl−i N、T
i B2の特性が強く現われ、BNが本来もっている優
れた異方性が損なわれる結果となる。
効 県 以上説明したように、この発明によれば、基体上への析
出面に平行な方向と、それに対して垂直な方向とで極め
て異方性の強い窒化ホウ素成形体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、窒化チタンを含むこの発明の一例の化学気相
析出窒化ホウ素と、従来の化学気相析出窒化ホウ素の析
出方向の熱拡散率の温度変化を示すグラフ、 第2図は、窒化チタンを含むこの発明の一例の化学気相
析出窒化ホウ素の析出方向の熱伝導率、その他のセラミ
ック材料の熱伝導率を示すグラフ、 第3図は、窒化チタンを含むこの発明の窒化ホウ素とチ
タンを含まない窒化ホウ素の密度とそれぞれの製造温度
との関係を示したグラフ、 第4図は、窒化チタンを含むこの発明の窒化ホウ素とチ
タンを含まない窒化ホウ素の層間距離とそれぞれの製造
温度との関係を示したグラフである。 1・・・窒化チタンを含むこの発明の窒化ホウ素の析出
面に垂直方向の熱拡散率を示す線、2・・・チタンを含
まない窒化ホウ素の析出面に垂直方向の熱拡散率を示す
線、 3・・・窒化チタンを含むこの発明の窒化ホウ素の熱伝
導率を示す線、 4・・・マグネシア粉末の熱伝導率を示す線、5・・・
断熱レンガの熱伝導率を示す線、6・・・安定化ジルコ
ニアの熱伝導率を示ず線、7・・・透明石英ガラスの熱
伝導率を示す線、8・・・粘土質耐火物の熱伝導率を示
す線、9・・・緻密質アルミナ焼結体の熱伝導率を示す
線、 10・・・緻密質マグネシア焼結体の熱伝導率を示す線
、 11・・・酸化ベリリウムの熱伝導率を示す線、12・
・・窒化チタンを含むこの発明の窒化ホウ素の密度を示
す線、 13・・・チタンを含まない窒化ホウ素の密度を示す線
、 14・・・窒化チタンを含むこの発明の窒化ホウ素の層
間距離を示す線、 15・・・チタンを含まない窒化ホウ素の層間距離を示
す線、 特許出願人 新技術開発事業団 はか6名 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 才1図 湿度(0C) 才2 図 温度(℃)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 気相析出法により合成された窒化ホウ素であっ
    て、窒化チタンを0.05〜10重量%含有することを
    特徴とする窒化チタンを含む窒化ホウ素。
  2. (2) ホウ素沈積源ガスと窒素沈積源ガスとから窒化
    ホウ素を沈積させる方法において、前記ホウ素沈積源ガ
    スにr; /B原子比で0.005〜0.45となる量
    のチタン沈積源ガスを添加混合することを特徴とする窒
    化チタンを含む窒化ホウ素の製造方法。
JP58211036A 1983-11-11 1983-11-11 窒化チタンを含む窒化ホウ素とその製造方法 Granted JPS60108306A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0310562A (ja) * 1989-06-08 1991-01-18 Fuji Xerox Co Ltd 信号補正装置

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