JPS60101989A - 半導体レ−ザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ及びその製造方法Info
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- JPS60101989A JPS60101989A JP21036283A JP21036283A JPS60101989A JP S60101989 A JPS60101989 A JP S60101989A JP 21036283 A JP21036283 A JP 21036283A JP 21036283 A JP21036283 A JP 21036283A JP S60101989 A JPS60101989 A JP S60101989A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は透明窓の共振器鏡を持つ半導体レーザ及びその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
従来技術
従来の二重へテロ接合構造（ＤＨ構造）の活性層を超格
子構造で置き換えたいわゆる多重量子井戸レーザでは、
従来のＤＨレーザに比べてしきい値が著しく低いこと、
周囲温度の変化に対して特性が安定していること、等が
報告されている（Ｗ、 Ｔ、Ｔｚａｒｂｌ Ｃ，Ｗｇｉ
ｓｂｗｃｈ ＲｏＣ，Ｍｉｌｌｅｒ ａｎｄＲ，Ｄｉｒ
ｂｇｌｅ 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｙ、Ｌｔｔｔ、６５
（１９７９） ６７３）。
子構造で置き換えたいわゆる多重量子井戸レーザでは、
従来のＤＨレーザに比べてしきい値が著しく低いこと、
周囲温度の変化に対して特性が安定していること、等が
報告されている（Ｗ、 Ｔ、Ｔｚａｒｂｌ Ｃ，Ｗｇｉ
ｓｂｗｃｈ ＲｏＣ，Ｍｉｌｌｅｒ ａｎｄＲ，Ｄｉｒ
ｂｇｌｅ 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｙ、Ｌｔｔｔ、６５
（１９７９） ６７３）。
第１図は多重量子井戸レーザの構造とバンドダイヤグラ
ムを示したもので、１はＧαＡｓ基板、２はＡｔ、 Ｇ
ａ１−、Ａｓ閉込め層、６は超格子層、４はＡｌ ｚ
Ｇａ １−３ Ａｓ閉込め層、５はＧａＡｓ層、１０１
）；を超格子構造６の中に含まれるＡｌｙＧａ１− ｙ
Ａｓバリヤ層、１０２は上記バリヤ層で囲まれた量子
井戸層、１０３は伝導帯、１０４は価電子帯である。こ
のような構造の伝導帯と価電子帯（＝注入された電子と
正孔は量子井戸層１０２内に形成された量子準位（二分
布し、再結合発光に寄与するが、この量子準位の状態密
度がバンド端できわめて高いため、低しきい値レーデの
可能性が理論的に予想され、また上記のように実証され
ている。
ムを示したもので、１はＧαＡｓ基板、２はＡｔ、 Ｇ
ａ１−、Ａｓ閉込め層、６は超格子層、４はＡｌ ｚ
Ｇａ １−３ Ａｓ閉込め層、５はＧａＡｓ層、１０１
）；を超格子構造６の中に含まれるＡｌｙＧａ１− ｙ
Ａｓバリヤ層、１０２は上記バリヤ層で囲まれた量子
井戸層、１０３は伝導帯、１０４は価電子帯である。こ
のような構造の伝導帯と価電子帯（＝注入された電子と
正孔は量子井戸層１０２内に形成された量子準位（二分
布し、再結合発光に寄与するが、この量子準位の状態密
度がバンド端できわめて高いため、低しきい値レーデの
可能性が理論的に予想され、また上記のように実証され
ている。
以上のように多重量子井戸構造レーザは低しきい値とい
う点で従来のＤＨレーザに比べて優れているが、光出力
に関しては両者の間にはほとんど差異はない。この理由
は高い光出力のために共振器鏡が破壊されるためである
。また低出力動作においても動作が長時間にわたると共
振器鏡が劣化しこの問題がレーザダイオードの信頼性を
著しく低下させている。半導体レーザの共振器構造とし
ては襞間面をもつものが一般的であるが、この襞間面に
は活性領域がむき出しになっている。これがレーザ共振
器の高出力時における破壊の１つの原因であり、またレ
ーザの長期的な信頼性を著しく低下せしめている。これ
を改善する方法として活性領域をキャビティ共振器の方
向で埋込んでしまう構造が提案され、実施された。しか
しながら、この場合、二段階のエピタキシャル成長を不
可欠とし、歩留りの低下と高コストの問題が生ずる。
う点で従来のＤＨレーザに比べて優れているが、光出力
に関しては両者の間にはほとんど差異はない。この理由
は高い光出力のために共振器鏡が破壊されるためである
。また低出力動作においても動作が長時間にわたると共
振器鏡が劣化しこの問題がレーザダイオードの信頼性を
著しく低下させている。半導体レーザの共振器構造とし
ては襞間面をもつものが一般的であるが、この襞間面に
は活性領域がむき出しになっている。これがレーザ共振
器の高出力時における破壊の１つの原因であり、またレ
ーザの長期的な信頼性を著しく低下せしめている。これ
を改善する方法として活性領域をキャビティ共振器の方
向で埋込んでしまう構造が提案され、実施された。しか
しながら、この場合、二段階のエピタキシャル成長を不
可欠とし、歩留りの低下と高コストの問題が生ずる。
発明の目的
本発明は、晶出力で寿命の長い多重量子井戸レーザ及び
上記二段階のエピタキシャル成長を要せず歩留りが高く
コストの低い製造方法を提供することをその目的とする
ものである。
上記二段階のエピタキシャル成長を要せず歩留りが高く
コストの低い製造方法を提供することをその目的とする
ものである。
発明の構成及び作用
以下、本発明の構成及び作用について実施例（二より詳
細に説明する。
細に説明する。
ＡＩＧａＡε−ＧαＡ５超格子に亜鉛などの不純物を熱
拡散またはイオン注入すると超格子が破壊されて一様な
混晶に変化することが知られている（Ｗ、Ｄ。
拡散またはイオン注入すると超格子が破壊されて一様な
混晶に変化することが知られている（Ｗ、Ｄ。
Ｉ、ａｄ、ｉｇ他、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ３８ （１９８１） ７７６）本発明はこの現象に
着目し、一段階（一連の処理）のエピタキシャル成長で
製作されたクエハより透明窓をもつ共振器鏡によって構
成される多重量子井戸レーザを得るもので、詳細を第２
図によって説明する。説明上ここては超格子を破壊する
ために亜鉛の熱拡散を用いて説明する。
、 ３８ （１９８１） ７７６）本発明はこの現象に
着目し、一段階（一連の処理）のエピタキシャル成長で
製作されたクエハより透明窓をもつ共振器鏡によって構
成される多重量子井戸レーザを得るもので、詳細を第２
図によって説明する。説明上ここては超格子を破壊する
ために亜鉛の熱拡散を用いて説明する。
第２図（α）に示すのは、ル型ＧａＡｓ基板結晶１上に
ル型ＡｔｘＧα１−３； Ａｘ層２が形成され、その上
にＮ＋ｉ個（ｒ） ＧａＡｚ量子井戸層、Ｎ個のＡｌｙ
Ｇａ１ｙＡｓバリヤ層から成る超格子層６（但し０＜ｙ
＜ｒ＜１ 、＃≧１）、Ｐ型Ａｔ３：Ｇａ１−２Ａｓ層
４、及びＰ型ＧａＡｓ Ｊ窪５ ノ各ｒｆｊＡが順に形
成された成長終了直後のウェハ形状である。次に第２図
（Ａ）において、全表面に窒化膜５ｔｓＮ＋６又は酸化
膜５ｉｎ２を形成してこれをパターニングしてストライ
プ状の窓７をつくり、Ｚｎを選択的に拡散する。このＺ
ｎ拡散はＺｎ蒸気を含むガス中で５００℃〜７００℃の
温度で行なう。Ｚｎ拡散領域８内の超格子層は破壊され
てＡｌｙＧａ１ Ａ、？の一様な混晶（９の部分）とな
る。次に第２図（Ｃ）に示すようにストライプ７に沿っ
てその中央付近１１で結晶を襞間してこの襞間面１２（
二より共振器鏡を形成する。１６はＺｎ拡散により均一
な混晶となった共振器鏡近傍を示す。このようなプロセ
スで製造される半導体レーザは、共振器鏡を形成する襞
間面１２で従来のように活性領域が露出しておらず、亜
鉛拡散によって形成された一様なＡｔ、′Ｇα＋ −ｙ
’ Ａｓ （１３の部分）によって保護されていること
になり、きわめて安定で高出力のレーザを実現すること
ができる。またこの混晶層のＡｌｙＧａ１−ｙ′Ａ、９
層のバンドギャップは量子井戸の最低準位間の遷移エネ
ルギ桿より大きくすることが可能であるから、この層に
おける吸収損失はほとんど無視することが可能であり、
高効率のレーザが実現できる。第２図（ｄ）が電極形成
後の本発明の半導体レーザな示す図であり、１４ 、１
５はそれぞれ金属電極、１０．１０’はリード線である
。図のｌは亜鉛拡散領域の幅であり、この幅は十分小さ
く（例えば数ミクロン程度で′可）にできる。１２ 、
１２が前記襞間面であって共振器鏡を形成しており、光
は亜鉛拡散領域の一様！Ｅ Ａｌ ｙ’ Ｇａ １−ｙ
’Ａｓ （１３の部分）を介して出力（紙面に平行な方
向）される。
ル型ＡｔｘＧα１−３； Ａｘ層２が形成され、その上
にＮ＋ｉ個（ｒ） ＧａＡｚ量子井戸層、Ｎ個のＡｌｙ
Ｇａ１ｙＡｓバリヤ層から成る超格子層６（但し０＜ｙ
＜ｒ＜１ 、＃≧１）、Ｐ型Ａｔ３：Ｇａ１−２Ａｓ層
４、及びＰ型ＧａＡｓ Ｊ窪５ ノ各ｒｆｊＡが順に形
成された成長終了直後のウェハ形状である。次に第２図
（Ａ）において、全表面に窒化膜５ｔｓＮ＋６又は酸化
膜５ｉｎ２を形成してこれをパターニングしてストライ
プ状の窓７をつくり、Ｚｎを選択的に拡散する。このＺ
ｎ拡散はＺｎ蒸気を含むガス中で５００℃〜７００℃の
温度で行なう。Ｚｎ拡散領域８内の超格子層は破壊され
てＡｌｙＧａ１ Ａ、？の一様な混晶（９の部分）とな
る。次に第２図（Ｃ）に示すようにストライプ７に沿っ
てその中央付近１１で結晶を襞間してこの襞間面１２（
二より共振器鏡を形成する。１６はＺｎ拡散により均一
な混晶となった共振器鏡近傍を示す。このようなプロセ
スで製造される半導体レーザは、共振器鏡を形成する襞
間面１２で従来のように活性領域が露出しておらず、亜
鉛拡散によって形成された一様なＡｔ、′Ｇα＋ −ｙ
’ Ａｓ （１３の部分）によって保護されていること
になり、きわめて安定で高出力のレーザを実現すること
ができる。またこの混晶層のＡｌｙＧａ１−ｙ′Ａ、９
層のバンドギャップは量子井戸の最低準位間の遷移エネ
ルギ桿より大きくすることが可能であるから、この層に
おける吸収損失はほとんど無視することが可能であり、
高効率のレーザが実現できる。第２図（ｄ）が電極形成
後の本発明の半導体レーザな示す図であり、１４ 、１
５はそれぞれ金属電極、１０．１０’はリード線である
。図のｌは亜鉛拡散領域の幅であり、この幅は十分小さ
く（例えば数ミクロン程度で′可）にできる。１２ 、
１２が前記襞間面であって共振器鏡を形成しており、光
は亜鉛拡散領域の一様！Ｅ Ａｌ ｙ’ Ｇａ １−ｙ
’Ａｓ （１３の部分）を介して出力（紙面に平行な方
向）される。
ここで、本発明においてＡｌ、′Ｇα＋ −ｙ’ Ａｓ
層における吸収損失がほとんど無視できる程小さくでき
ることについて説明すると、簡単のために、超格子層の
ＧａＡ、Ｐ層１０２が５ＯＡ 、 ＡｌｙＧａ１− ｙ
Ａｓ層１０１が５ＯＡ 、 ｙ＝０．３とすると、こ
れらから得られる一様な混晶”’／’ ” １− ｙ’
ＡｓはＮ＝４の場合、ｙ′は約０．１６と計算できる
。ＡｌｙＧａ１−ｙ’ Ａｓ （ｙ’−０，１３）のバ
ンドギャップは量子井戸の最低準位間の遷移エネルギよ
り大きいためこの層（１６０部分）における吸収損失感
光さくでき、該層の薄さとあいまって吸収損失はほとん
ど無視することが可能となるのである。
層における吸収損失がほとんど無視できる程小さくでき
ることについて説明すると、簡単のために、超格子層の
ＧａＡ、Ｐ層１０２が５ＯＡ 、 ＡｌｙＧａ１− ｙ
Ａｓ層１０１が５ＯＡ 、 ｙ＝０．３とすると、こ
れらから得られる一様な混晶”’／’ ” １− ｙ’
ＡｓはＮ＝４の場合、ｙ′は約０．１６と計算できる
。ＡｌｙＧａ１−ｙ’ Ａｓ （ｙ’−０，１３）のバ
ンドギャップは量子井戸の最低準位間の遷移エネルギよ
り大きいためこの層（１６０部分）における吸収損失感
光さくでき、該層の薄さとあいまって吸収損失はほとん
ど無視することが可能となるのである。
以上、特（二本発明について亜鉛の熱拡散を用いた場合
について説明したが、本発明はこれ（＝限ることなく、
超格子構造の原子配列の規則性を破壊してそれを混晶化
することができるすべての方法が適用可能であり、例え
ば亜鉛以外の不純物（カドミウム、マグネシウム、Ｓｉ
、Ｓｎなどドナーまたはアクセプタとなる不純物または
Ｆｅ、Ｃγ、０などの深いレベルを形成する不純物）の
熱拡散法または不純物のイオン注入法が適用できる、さ
らにプロトン照射法を適用しても良い。
について説明したが、本発明はこれ（＝限ることなく、
超格子構造の原子配列の規則性を破壊してそれを混晶化
することができるすべての方法が適用可能であり、例え
ば亜鉛以外の不純物（カドミウム、マグネシウム、Ｓｉ
、Ｓｎなどドナーまたはアクセプタとなる不純物または
Ｆｅ、Ｃγ、０などの深いレベルを形成する不純物）の
熱拡散法または不純物のイオン注入法が適用できる、さ
らにプロトン照射法を適用しても良い。
さらに、本発明はＧａＡｌ−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓか
らなる超格子構造に限らず池の半導体材料からなるレー
ザダイオード例えばＧａ５ｈ−ＡＩＧａＳｂからなる超
格子構造など他の半導体材料に広く適用できるものであ
る。
らなる超格子構造に限らず池の半導体材料からなるレー
ザダイオード例えばＧａ５ｈ−ＡＩＧａＳｂからなる超
格子構造など他の半導体材料に広く適用できるものであ
る。
発明の効果
以上の説明かられかるようにＡｌｙＧａ１−ｙＡε−Ｇ
ａＡ３等、半導体制料を交互に重ねた多重量子井戸構造
部分に亜鉛やその池の不純物を拡散またはイオン注入す
ることにより一様な混晶Ａｌｙ′Ｇα１−ｙ′ＡＩ等に
変化することを利用して１回（一連の処理）のエピタキ
シャル成長だけで透明窓をもつ共振器鏡の形成が可能と
なり、これを利用することにより光のパワーは従来の２
倍以上に改善された。また、エツチングしたり再成長し
たりする工程を含まないため、クエへ表面の平坦性が保
存され、従って製作工程が簡単になり、また他の光素子
または電子素子を同一ウェハ上に構成することも容易と
なる。
ａＡ３等、半導体制料を交互に重ねた多重量子井戸構造
部分に亜鉛やその池の不純物を拡散またはイオン注入す
ることにより一様な混晶Ａｌｙ′Ｇα１−ｙ′ＡＩ等に
変化することを利用して１回（一連の処理）のエピタキ
シャル成長だけで透明窓をもつ共振器鏡の形成が可能と
なり、これを利用することにより光のパワーは従来の２
倍以上に改善された。また、エツチングしたり再成長し
たりする工程を含まないため、クエへ表面の平坦性が保
存され、従って製作工程が簡単になり、また他の光素子
または電子素子を同一ウェハ上に構成することも容易と
なる。
第１図（至）及び向は多重量子井戸レーザのそれぞれ断
面構造による説明図及びバンド図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は本発明の半導体レーザの製造工程図。 １−、 ＱａＡｓ基板、２・・・ル型Ａ１．Ｇα１−ｘ
ＡＩ、３・・・ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ−ＧａＡｚ量子井
戸構造（超格子層）、４、−ｐ型Ａｔ工Ｇα１−よＡ３
．１４および１５・・・准属１Ｌ１０および１０′・・
・リード線、１２・・・襞間面特許出願人 日本電信電
話公社 代理人 弁理士 玉蟲久五部（外２名）第１図 第２図
面構造による説明図及びバンド図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は本発明の半導体レーザの製造工程図。 １−、 ＱａＡｓ基板、２・・・ル型Ａ１．Ｇα１−ｘ
ＡＩ、３・・・ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ−ＧａＡｚ量子井
戸構造（超格子層）、４、−ｐ型Ａｔ工Ｇα１−よＡ３
．１４および１５・・・准属１Ｌ１０および１０′・・
・リード線、１２・・・襞間面特許出願人 日本電信電
話公社 代理人 弁理士 玉蟲久五部（外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 基板結晶上に少なくとも閉込め層、超格子に配
置されたＮ＋１個の量子井戸とＮ個（Ｎ２２）のバリヤ
層から成り、前記積層構造の側部には超格子層が破壊さ
れて形成された均一な混晶領域が備えられ、該混晶領域
（＝は共振器鏡を構成する襞間面が形成されていること
を特徴とする半導体レーデ。 （２）前記基板結晶がル型ＧａＡｚであり、＠記各閉込
め層がＡｔ５ｃＧα１−、Ａｓ層であり、前記超格子層
がＮ＋１個ノＧａＡｚ量子井戸とＮ個（Ｑ Ａｌ ｙＧ
ａ １−ｙＡｓのバリヤ層からなり、但しｏ＜ｙ＜ｚ＜
１．であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーデ。 （５）基板結晶上（二重なくとも閉込め層と、交互に配
置されたＮ＋１個の量子井戸とＮ個（Ｎ２２）のバリヤ
層からなる超格子層と、他の閉込め層を順に形成し、そ
の表面を窒化シリコンまたは酸化シリコン薄膜で被覆し
て１部をストライブ状に除去して多数のストライブ状の
窓をつくり、つぎに該窓よりプロトン照射で、または熱
拡散もしくはイオン注入で不純物を導入することにより
、前記窓の下方の超格子層を破壊して一様な混晶領域を
形成し、その後前記ストライブに沿ってその中央付近で
結晶を襞間してこの襞間面により共振器鏡を形成するこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21036283A JPS60101989A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21036283A JPS60101989A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101989A true JPS60101989A (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=16588111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21036283A Pending JPS60101989A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101989A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171184A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| US5018158A (en) * | 1989-02-01 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5020067A (en) * | 1989-02-01 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5020068A (en) * | 1988-11-09 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| EP0475618A2 (en) * | 1990-09-13 | 1992-03-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor laser device |
| WO2012004112A1 (de) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips |
| CN109155345A (zh) * | 2016-06-30 | 2019-01-04 | 苹果公司 | 用于减少的非辐射侧壁复合的led结构 |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP21036283A patent/JPS60101989A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171184A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
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