JP6347573B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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また、ガイド層およびバリア層であるAlGaAsと井戸層であるInGaAsの相対的な格子定数の差Δaと、該バリア層の格子定数aとは、以下の式:
0.01≦Δa/a≦0.02
を満たすことが好適である。
上記窓領域に属さない活性層のフォトルミネッセンススペクトルのピーク波長と、窓領域に属する活性層のフォトルミネッセンススペクトルのピーク波長との差をΔλとしたとき、Δλが50nm以上であることが好ましい。なお、これ以降、フォトルミネッセンスをPL(Photoluminescence)とも記し、PLスペクトルのピーク波長を、PLピーク波長とも記す。
≪素子構成≫
以下、実施の形態の半導体レーザ素子1の構成を説明する。図1は、半導体レーザ素子1の模式的斜視図の一例であり、図2は、半導体レーザ素子1の模式的上面図の一例である。そして、図3は、図2に示す半導体レーザ素子1のIII−III断面図である。
≪GaAs基板≫
GaAs基板2は、n型の不純物がドーピングされたGaAs(ガリウム砒素)から構成されることが好ましい。n型の不純物としては、たとえば、Si(シリコン)を用いることができる。また、基板2の厚さは特に制限されず、たとえば、450μm程度することができる。
バッファ層(図示せず)は、GaAs基板2の上に積層されている。バッファ層は、n型の不純物がドーピングされたGaAsから構成されることが好ましい。n型の不純物としては、たとえば、Siを用いることができる。バッファ層の厚さは特に制限されず、たとえば、200nm程度とすることができる。
第1クラッド層3は、バッファ層の上に積層され、キャリアおよび活性層5から発生する光を効率よく閉じ込める機能を有する。第1クラッド層3は、n型の不純物がドーピングされたGaInPAs(ガリウムインジウムリン砒素)から構成されることが好ましい。n型の不純物としては、たとえば、Siを用いることができる。第1クラッド層3の厚さは特に制限されず、たとえば、3000nm程度とすることができる。また、GaInPAsの化学組成は、Ga0.5In0.5PAsであることが好ましい。
下部ガイド層4は、第1クラッド層3の上に積層され、第1クラッド層3と協働して光を閉じ込める機能を有する。ここで、下部ガイド層4の方が第1クラッド層3よりも高い屈折率を有するように形成されることによって、光を下部ガイド層4側に閉じ込めることができる。下部ガイド層4は、n型の不純物がドーピングされたAlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)から構成されることが好ましい。ここで、n型の不純物としては、たとえば、Siを用いることができる。下部ガイド層4の厚さは特に制限されず、たとえば、80nm程度とすることができる。また、AlGaAsは、Al0.3Ga0.7Asの化学組成であることが好ましい。
活性層5は、電子とホールの輻射再結合により光を発生する層であり、図4に示すように、ノンドープのInyGa(1-y)As(0.08<y<0.25)からなる井戸層51と、p型の不純物がドーピングされたAlxGa(1-x)As(0≦x≦0.5)からなるバリア層52と、が交互に積層されてなる多重量子井戸構造を有する。活性層5の厚さは、65nm以上100nm以下であることが好ましい。
上部ガイド層6は、活性層5の上に積層され、下部ガイド層4と同様の役割を担っており、光を閉じ込めるために用いられる。上部ガイド層6は、p型の不純物がドーピングされたAlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)から構成されることが好ましい。ここで、p型の不純物としては、たとえば、Znを用いることができる。上部ガイド層6の厚さは特に制限されず、たとえば、80nm程度とすることができる。また、AlGaAsの化学組成は、Al0.3Ga0.7Asであることが好ましい。
第2クラッド層7は、上部ガイド層の上に積層され、上部ガイド層と協働して光を閉じ込める機能を有する。第2クラッド層7は、p型の不純物がドーピングされたAlGaAsから構成されることが好ましい。ここで、p型の不純物としては、たとえば、Znを用いることができる。第2クラッド層7の厚さは特に制限されず、たとえば、150nm程度とすることができる。また、AlGaAsの化学組成はAl0.5Ga0.5Asであることが好ましい。
第3クラッド層8と中間層9とコンタクト層10とは、この順序で、第2クラッド層7の上に積層され、リッジストライプ形状の積層体30を構成している。そして、リッジストライプ形状の積層体30は光導波路を構成している。
第3クラッド層8は、第2クラッド層7の上に積層されている。第3クラッド層8は、第2クラッド層7と同様の機能を有し、p型の不純物がドーピングされたGaInPから構成されることが好ましい。ここで、p型の不純物としては、たとえば、Znを用いることができる。第3クラッド層8の厚さは特に制限されず、たとえば、1000nm程度とすることができる。また、AlGaInPの化学組成はAl0.7Ga0.3InPであることが好ましい。AlGaInPは、キャリアオーバーフローの抑止効果が高く好適である。
コンタクト層10は、電極とのオーミック接合を取るために設けられる。コンタクト層10は、p型の不純物がドーピングされたGaAsであることが好ましい。ここで、p型の不純物としては、たとえば、Znを用いることができる。コンタクト層10の厚さは、400nm以下であることが好ましく、より好ましくは300nm以下である。厚さが400nmを超過すると、オーミック接合が取れ難くなるため好ましくない。
中間層9は、第3クラッド層8とコンタクト層10との間に挟まれるようにして形成されており、第3クラッド層8とコンタクト層10とのバンドエネルギ差を低減する機能を有する。本実施の形態の中間層は、従来型の中間層と異なり、図5に示すように、第1中間層91と第2中間層92からなる2層構造を有することを特徴とする。中間層9の厚さは特に制限されず、たとえば50nm程度とすることができる。また、第1中間層91を構成するGaInPの化学組成はGa0.5In0.5Pであることが好ましく、第2中間層92を構成するAlGaAsの化学組成は、Al0.25Ga0.75Asであることが好ましい。
窓領域20は、不純物が拡散された領域であり、図1に示すように、半導体レーザ素子1の上面からGaAs基板2の厚さ方向に浸透し、活性層5を貫通して、第1クラッド層3まで達している。また、窓領域20は、共振器の両端面から共振器の長手方向に浸透している。ここで、窓領域20が共振器の長手方向に浸透する深さtの範囲は、40nm程度とすることが好ましい。ここで、不純物としては、たとえば、Znを用いることができる。
電流非注入領域(図示せず)は、光導波路のうち、絶縁層で覆われた部分であり、光導波路のうち、絶縁層で覆われていない部分が電流注入領域である。ここで、電流非注入領域は、少なくとも、窓領域を覆うように形成されている。なお、電流非注入領域を形成する絶縁層としては、たとえば、SiO2(酸化シリコン)、SiN(窒化シリコン)などを用いることができる。
電流ブロック層(図示せず)は、SiO2などからなる絶縁層であり、リッジストライプ形状の積層体30の側面部および第2クラッド層7の露出面を覆うように形成されている。これにより、コンタクト層10へ効率的に電流を流すことができる。
以下、実施の形態の半導体レーザ素子1の製造方法について詳細に説明する。
0.01≦Δa/a≦0.02
を満たすことが好ましい。これにより、井戸層51とバリア層52との間の格子不整合による歪みを低減し、高品質な結晶を成長させることができる。
Claims (3)
- 第1導電型のGaAs基板と、
前記基板上に形成された第1導電型の第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上に形成されており、InyGa(1-y)As(0.08<y<0.25)からなる井戸層と、Al x Ga (1-x) As(0≦x≦0.5)からなるバリア層とが交互に積層されてなる活性層と、
前記活性層上に形成された第2導電型の第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上に設けられた、第2導電型の第3クラッド層、第1中間層、第2中間層およびコンタクト層がこの順で積層されたリッジストライプ形状の積層体と、を備え、
前記リッジストライプ形状の積層体は光導波路を構成し、
前記光導波路において、前記活性層のバンドギャップは、前記光導波路の長手方向に垂直な端面において最大であり、
前記光導波路の長手方向に垂直な端面における前記活性層は、不純物が拡散された窓領域であり、
前記窓領域にはZnと前記井戸層のInとが拡散しており、
前記窓領域に属さない活性層のフォトルミネッセンススペクトルのピーク波長と、前記窓領域に属する活性層のフォトルミネッセンススペクトルのピーク波長との差をΔλとしたとき、Δλが50nm以上であり、
前記井戸層の厚さは、6nm以下である、半導体レーザ素子。 - 前記井戸層の厚さは、3nm以上6nm以下である、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第3クラッド層、第1中間層、第2中間層およびコンタクト層の各層間における相対的な価電子帯のエネルギ差は0.15eV以下である、請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ素子。
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