JPS59923A - 投影型露光装置 - Google Patents
投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS59923A JPS59923A JP57109523A JP10952382A JPS59923A JP S59923 A JPS59923 A JP S59923A JP 57109523 A JP57109523 A JP 57109523A JP 10952382 A JP10952382 A JP 10952382A JP S59923 A JPS59923 A JP S59923A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- photomask
- projection type
- half mirror
- projection
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウニ凸表面に塗布されたホトレジストに
ホトマスクの７９ターンを転写する際に使用される投影
型露光装置に関する。
ホトマスクの７９ターンを転写する際に使用される投影
型露光装置に関する。
半導体装置の製造においては、回路パターンを半導体ウ
ェハ上に形成するために、ホトマスクを用いてそのパタ
ーンを半導体ウニ凸表面に塗布されたホトレジストに転
写する工程が何度も行われる。現在、最も普及している
転写技術はホトマスクとホトレジストを密着させて露光
する密着露光であるが、ホトマスクとホトレジストの接
触により欠陥が発生する等の種々の欠点′がある。
ェハ上に形成するために、ホトマスクを用いてそのパタ
ーンを半導体ウニ凸表面に塗布されたホトレジストに転
写する工程が何度も行われる。現在、最も普及している
転写技術はホトマスクとホトレジストを密着させて露光
する密着露光であるが、ホトマスクとホトレジストの接
触により欠陥が発生する等の種々の欠点′がある。
そこで、ホトマスクと半導体ウェハ上のホトレジストと
を所定距離隔て、ホトマスクの・臂ターンをホトレジス
ト上に結像して露光を行う投影露光に推移する傾向にあ
る。
を所定距離隔て、ホトマスクの・臂ターンをホトレジス
ト上に結像して露光を行う投影露光に推移する傾向にあ
る。
以下、従来の縮小投影型露光装置の要部を第１図を参照
して説明する。
して説明する。
図中１はステージであシＸＹ方向に移動できるようにな
っている。このステージ１上にはウェハチャ、り２が配
設されている。また、このウェハチャ、り２上には所定
距離隔てて縮小投影レンズ３が配設されている。更に、
この縮小投影レンズ３上には所定距離隔ててレティクル
（拡大マスク）４が配設されている。
っている。このステージ１上にはウェハチャ、り２が配
設されている。また、このウェハチャ、り２上には所定
距離隔てて縮小投影レンズ３が配設されている。更に、
この縮小投影レンズ３上には所定距離隔ててレティクル
（拡大マスク）４が配設されている。
上述した装置を用いてレティクル４のパターンを転写す
るには、まず、ウェハチャック２上に表面にホトレジス
トが塗布された半導体ウェハ５を載置し、ステージ１を
ＸＹ方向に移動させて位置合せを行う。次に、レティク
ル４上から紫外線（ｇ線）を照射して露光すれば、縮小
投影し／ズ３により縮小されたパターンが半導体ウェハ
５表面に塗布されたホトレジストに転写される。
るには、まず、ウェハチャック２上に表面にホトレジス
トが塗布された半導体ウェハ５を載置し、ステージ１を
ＸＹ方向に移動させて位置合せを行う。次に、レティク
ル４上から紫外線（ｇ線）を照射して露光すれば、縮小
投影し／ズ３により縮小されたパターンが半導体ウェハ
５表面に塗布されたホトレジストに転写される。
しかしながら、上述した装置では１枚のレティクル４に
ついて１枚の半導体ウェハ５しか露光処理できないため
作業能率が悪いという欠点がある。
ついて１枚の半導体ウェハ５しか露光処理できないため
作業能率が悪いという欠点がある。
本発明は１枚のホトマスクについて、一度に２枚の半導
体ウェハを露光処理できるようにし、作業能率を向上し
得る投影型露光装置を提供することを目的とするもので
ある。
体ウェハを露光処理できるようにし、作業能率を向上し
得る投影型露光装置を提供することを目的とするもので
ある。
本発明の投影型露光装置は、従来の投影型露光装置のホ
トマスクと投影レンズとの間にホトマスク上から照射さ
れた光を透過し、かつ反射するハーフミラ−を配設し、
更に、このハーフミラ−と平行に配設され、ハーフミラ
−からの反射光を反射するミラー及びこのミラーからの
反射光を投影する第２の投影レンズを配設することによ
シ、１枚のホトマスクについて１度に２枚の半導体ウェ
ハの露光処理を行えるように −したものである。
トマスクと投影レンズとの間にホトマスク上から照射さ
れた光を透過し、かつ反射するハーフミラ−を配設し、
更に、このハーフミラ−と平行に配設され、ハーフミラ
−からの反射光を反射するミラー及びこのミラーからの
反射光を投影する第２の投影レンズを配設することによ
シ、１枚のホトマスクについて１度に２枚の半導体ウェ
ハの露光処理を行えるように −したものである。
以下、本発明の実施例を第２図を参照して説明する。
図中１１はステージであシ、ｘｙ力方向移動できるよう
になっている。このステージ１ノ上には第１及び第２の
ウェハチャックｌ ２１ ＋ １２２が配設されている
。また、この第１及び第２のウェハチャ、り１２１ ＋
１２ｚ上には所定比離隔てて夫々第１及び第２の縮小
投影レンズ１’３ｇ、１３２が配設されている。また、
第１の縮小投影レンズ１３１上にはハーフミラ−１４が
前記ステージ１１表面に対して４５°傾斜して配設され
、第２の縮小投影レンズ１３！上にはミラー１５が同様
に４５°傾斜して配設されている。更に、前記ハーフミ
ラ−１４上にはレティクル（拡大マスク）１６が配設さ
れている。
になっている。このステージ１ノ上には第１及び第２の
ウェハチャックｌ ２１ ＋ １２２が配設されている
。また、この第１及び第２のウェハチャ、り１２１ ＋
１２ｚ上には所定比離隔てて夫々第１及び第２の縮小
投影レンズ１’３ｇ、１３２が配設されている。また、
第１の縮小投影レンズ１３１上にはハーフミラ−１４が
前記ステージ１１表面に対して４５°傾斜して配設され
、第２の縮小投影レンズ１３！上にはミラー１５が同様
に４５°傾斜して配設されている。更に、前記ハーフミ
ラ−１４上にはレティクル（拡大マスク）１６が配設さ
れている。
上述した装置を用いてレティクル４のパターンを転写す
るには、まず、第１及び第２のウェハチャック１２１
＊ １２２上に夫々表面にホトレジストが塗布された第
１及び第２の半導体ウニ／％１１１．１７．を載置し、
ステージ１１をＸＹ方向に移動させて位置合せを行う。
るには、まず、第１及び第２のウェハチャック１２１
＊ １２２上に夫々表面にホトレジストが塗布された第
１及び第２の半導体ウニ／％１１１．１７．を載置し、
ステージ１１をＸＹ方向に移動させて位置合せを行う。
次に、レティクル１６上から紫外線（ｇ線）を照射する
。この際、レティクル１６を透過し、更にハーフミラ−
１４を透過した光は第１の縮小投影レンズ１３１により
第１の半導体ウェハ１７１上で結像し、縮小され九ノ々
ターンが第１の半導体ウェハ１７１表面に塗布されたホ
トレジストに転写される。一方、レティク今１６を透過
し、ハーフミラ−１４で反射され、更にミラー１５で反
射された光は第２の縮小投影レンズ１３２により第２の
半導体ウェハ１７２上で結像し、縮小されたパターンが
第２の半導体ウェハ１７２表面に塗布されたホトレジス
トに転写される。
。この際、レティクル１６を透過し、更にハーフミラ−
１４を透過した光は第１の縮小投影レンズ１３１により
第１の半導体ウェハ１７１上で結像し、縮小され九ノ々
ターンが第１の半導体ウェハ１７１表面に塗布されたホ
トレジストに転写される。一方、レティク今１６を透過
し、ハーフミラ−１４で反射され、更にミラー１５で反
射された光は第２の縮小投影レンズ１３２により第２の
半導体ウェハ１７２上で結像し、縮小されたパターンが
第２の半導体ウェハ１７２表面に塗布されたホトレジス
トに転写される。
しかして、上述した装置によれば、１枚のレティクル１
６について１度に２枚の半導体ウェハ１７１ ｒ １７
意の露光処理を行うことができるので作業能率が向上す
る。
６について１度に２枚の半導体ウェハ１７１ ｒ １７
意の露光処理を行うことができるので作業能率が向上す
る。
なお、上記実施例は本発明を縮小投影型露光装置に適用
したものであるが、等倍投影型露光装置に適用してもよ
い。
したものであるが、等倍投影型露光装置に適用してもよ
い。
本発明によれば、１枚のホトマスクについて一度に２枚
の半導体ウェハを露光処理できるようにし、作業能率を
向上し得る投影型露光装置を提供できるものである。
の半導体ウェハを露光処理できるようにし、作業能率を
向上し得る投影型露光装置を提供できるものである。
第１図は従来の縮小投影型露光装置の要部を示す構成図
、第２図は本発明の実施例における縮小投影型露光装置
の要部を示す構成図である。 １１・・・ステージ、’２１＋１２１・・・第１及び第
２のウェハチャック、１３１，１３２・・・第１及び第
２の縮小投影レンズ、１４・・・ハーフミラ−１１５・
・・ミラー、１６・・・レティクル、１７１．１７２・
・・第１及び第２の半導体ウェハ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 音節１図 ９線
、第２図は本発明の実施例における縮小投影型露光装置
の要部を示す構成図である。 １１・・・ステージ、’２１＋１２１・・・第１及び第
２のウェハチャック、１３１，１３２・・・第１及び第
２の縮小投影レンズ、１４・・・ハーフミラ−１１５・
・・ミラー、１６・・・レティクル、１７１．１７２・
・・第１及び第２の半導体ウェハ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 音節１図 ９線
Claims (1)
- ホト１スクに光を照射し、そのパターンヲ投影レンズを
用いてステージ上に載置された半導体ウェハ上に転写す
る投影型露光装置において、前記ホトマスクと投影レン
ズとの間に配設され九バー７ミ２−と、該ハーフミラ−
と平行に配設され、該ハーフミラ−からの反射光を反射
するミラーと、該ミラー下に配設された第２の投影レン
ズとを具備したことを特徴とする投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109523A JPS59923A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109523A JPS59923A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59923A true JPS59923A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14512410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109523A Pending JPS59923A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59923A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4746573A (en) * | 1985-03-29 | 1988-05-24 | Ausimonth S.P.A. | Flowing (free-flowing) granular compositions based on fluorinated elastomers |
| EP0313200A2 (en) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Mrs Technology, Inc | Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems |
| USRE33836E (en) * | 1987-10-22 | 1992-03-03 | Mrs Technology, Inc. | Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems |
| JPH0786157A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 画像投射装置および方法 |
| US6480262B1 (en) | 1993-06-30 | 2002-11-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus for illuminating a mask, method of manufacturing and using same, and field stop used therein |
| CN107065449A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-08-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光设备与曝光方法 |
| CN109270809A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-25 | 苏州微影激光技术有限公司 | 分区对位模式的拼版曝光装置及其曝光方法 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57109523A patent/JPS59923A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4746573A (en) * | 1985-03-29 | 1988-05-24 | Ausimonth S.P.A. | Flowing (free-flowing) granular compositions based on fluorinated elastomers |
| EP0313200A2 (en) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Mrs Technology, Inc | Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems |
| USRE33836E (en) * | 1987-10-22 | 1992-03-03 | Mrs Technology, Inc. | Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems |
| US6480262B1 (en) | 1993-06-30 | 2002-11-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus for illuminating a mask, method of manufacturing and using same, and field stop used therein |
| US6509954B1 (en) | 1993-06-30 | 2003-01-21 | Nikon Corporation | Aperture stop having central aperture region defined by a circular ARC and peripheral region with decreased width, and exposure apparatus and method |
| US6556278B1 (en) | 1993-06-30 | 2003-04-29 | Nikon Corporation | Exposure/imaging apparatus and method in which imaging characteristics of a projection optical system are adjusted |
| US6795169B2 (en) | 1993-06-30 | 2004-09-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| US7023527B2 (en) | 1993-06-30 | 2006-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| US7088425B2 (en) | 1993-06-30 | 2006-08-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JPH0786157A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 画像投射装置および方法 |
| CN107065449A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-08-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光设备与曝光方法 |
| CN109270809A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-25 | 苏州微影激光技术有限公司 | 分区对位模式的拼版曝光装置及其曝光方法 |
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