JPH0845810A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0845810A JPH0845810A JP17714894A JP17714894A JPH0845810A JP H0845810 A JPH0845810 A JP H0845810A JP 17714894 A JP17714894 A JP 17714894A JP 17714894 A JP17714894 A JP 17714894A JP H0845810 A JPH0845810 A JP H0845810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- mask
- exposure
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】単独ラインのレジストパターンを、所望のパタ
ーン寸法に近い高精度のパターンとして得ることがで
き、しかも焦点深度のレンジを拡げることができるレジ
ストパターン形成方法を提供する。 【構成】所望のパターン１２ａと所望のパターン１２ａ
以外のダミーパターン１２ｂとを配した第１マスク１１
を用いてレジストを第１露光し、次に、ダミーパターン
１２ｂを消失するための第２マスク２１を用いてレジス
トを第２露光し、その後にレジストを現像する。
ーン寸法に近い高精度のパターンとして得ることがで
き、しかも焦点深度のレンジを拡げることができるレジ
ストパターン形成方法を提供する。 【構成】所望のパターン１２ａと所望のパターン１２ａ
以外のダミーパターン１２ｂとを配した第１マスク１１
を用いてレジストを第１露光し、次に、ダミーパターン
１２ｂを消失するための第２マスク２１を用いてレジス
トを第２露光し、その後にレジストを現像する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置等の製造工
程に適用して好適なレジストパターン形成方法に関す
る。
程に適用して好適なレジストパターン形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置の製造において、光を
用いてパターンを形成するリソグラフィー技術が用いら
れる。このリソグラフィー工程における前半のプロセス
としてレジストパターンの形成がなされる。このレジス
トパターンの形成は、縮小露光装置（ステッパー）とノ
ボラック＋ナフトキノンジアジド素ポジレジストとの組
み合わせによってそのほとんどが行われている。
用いてパターンを形成するリソグラフィー技術が用いら
れる。このリソグラフィー工程における前半のプロセス
としてレジストパターンの形成がなされる。このレジス
トパターンの形成は、縮小露光装置（ステッパー）とノ
ボラック＋ナフトキノンジアジド素ポジレジストとの組
み合わせによってそのほとんどが行われている。
【０００３】ステッパーでは、レンズを介してレチクル
が２０ｍｍ×２０ｍｍの露光フィールドに縮小されると
同時にウェハーステージを逐次移動させ、ウェハー全面
に露光が施される。
が２０ｍｍ×２０ｍｍの露光フィールドに縮小されると
同時にウェハーステージを逐次移動させ、ウェハー全面
に露光が施される。
【０００４】近年、半導体装置の集積度が上昇するのに
伴い加工寸法が微細となり、ステッパーレンズのわずか
な収差がレジストパターンの寸法精度に大きく影響を及
ぼすようになってきた。なお、このステッパーレンズの
収差はステッパーの露光フィールドの外周に近づくにつ
れてより顕著なものとなっている。
伴い加工寸法が微細となり、ステッパーレンズのわずか
な収差がレジストパターンの寸法精度に大きく影響を及
ぼすようになってきた。なお、このステッパーレンズの
収差はステッパーの露光フィールドの外周に近づくにつ
れてより顕著なものとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また一方、レジストパ
ターン形成においては、焦点深度（ＤＯＦ：Depth Of F
ocus）が、どの程度確保できるかが最大のポイントであ
るが、これも加工寸法が微細化するに従い、大きく確保
することが困難になってきている。特に繰り返しのレジ
ストパターン（ライン＆スペース）よりも単独のレジス
トパターン（Isolateライン）のＤＯＦ確保が困難であ
る。本明細書中で単独のレジストパターンはスペースが
ラインの２倍以上あるパターンをいい、以下単独パター
ンと記す。また、繰り返しのレジストパターンはスペー
スがラインの１倍以上２倍未満のパターンをいい、以下
繰り返しパターンと記す。
ターン形成においては、焦点深度（ＤＯＦ：Depth Of F
ocus）が、どの程度確保できるかが最大のポイントであ
るが、これも加工寸法が微細化するに従い、大きく確保
することが困難になってきている。特に繰り返しのレジ
ストパターン（ライン＆スペース）よりも単独のレジス
トパターン（Isolateライン）のＤＯＦ確保が困難であ
る。本明細書中で単独のレジストパターンはスペースが
ラインの２倍以上あるパターンをいい、以下単独パター
ンと記す。また、繰り返しのレジストパターンはスペー
スがラインの１倍以上２倍未満のパターンをいい、以下
繰り返しパターンと記す。
【０００６】また、このレンズの収差の影響は繰り返し
パターンよりも単独パターンの方がより受け易く、従っ
て露光フィールド外周の単独ラインが最も精度が悪くな
ってしまっていた。
パターンよりも単独パターンの方がより受け易く、従っ
て露光フィールド外周の単独ラインが最も精度が悪くな
ってしまっていた。
【０００７】図４は従来法を説明するための単独ライン
パターン形成用マスクを示す図であり、特に、露光フィ
ールド内のコーナー（角）部と中心部に単独ラインを形
成する場合のマスク（レチクル）１を示したもので、そ
の形状は略正方形単独ラインパターンを形成するための
マスク１は、石英板１ａにクロム薄膜パターン２が縦長
状に形成されている。マスク１は、露光フィールド内の
コーナー部と中心部に単独パターンを形成するため、ク
ロム薄膜パターン２も中心部Ａ、コーナー部Ｂ，Ｃ，Ｄ
及びＥに形成されている。
パターン形成用マスクを示す図であり、特に、露光フィ
ールド内のコーナー（角）部と中心部に単独ラインを形
成する場合のマスク（レチクル）１を示したもので、そ
の形状は略正方形単独ラインパターンを形成するための
マスク１は、石英板１ａにクロム薄膜パターン２が縦長
状に形成されている。マスク１は、露光フィールド内の
コーナー部と中心部に単独パターンを形成するため、ク
ロム薄膜パターン２も中心部Ａ、コーナー部Ｂ，Ｃ，Ｄ
及びＥに形成されている。
【０００８】このマスク１を用いて通常の１回の露光を
行い、現像すると焦点深度曲線は図５に示すように、中
央部のクロムＡに対応した曲線は所望のパターン寸法に
近似しており良好であるが、コーナー部（Ｂ〜Ｅ）のパ
ターンは、パターンスペック下限近傍に細目の曲線を形
成してしまい、全体としては焦点深度の範囲（レンジ）
が狭く解像度が良くなかった。
行い、現像すると焦点深度曲線は図５に示すように、中
央部のクロムＡに対応した曲線は所望のパターン寸法に
近似しており良好であるが、コーナー部（Ｂ〜Ｅ）のパ
ターンは、パターンスペック下限近傍に細目の曲線を形
成してしまい、全体としては焦点深度の範囲（レンジ）
が狭く解像度が良くなかった。
【０００９】一方、図６は露光フィールド内のコーナー
部と中心部にそれぞれ繰り返しパターンを形成するため
のマスク１１を示している。このマスク１１にはコーナ
ー部及び中心部にクロム薄膜パターン１２が形成されて
いる。このマスク１１を用いて１回の露光を行い、現像
すると焦点深度曲線はそれぞれの部位の中央のパターン
Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ及びＪは図７に示すように所望のパター
ン寸法に近く、ばらつきも小さく高精度であった。
部と中心部にそれぞれ繰り返しパターンを形成するため
のマスク１１を示している。このマスク１１にはコーナ
ー部及び中心部にクロム薄膜パターン１２が形成されて
いる。このマスク１１を用いて１回の露光を行い、現像
すると焦点深度曲線はそれぞれの部位の中央のパターン
Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ及びＪは図７に示すように所望のパター
ン寸法に近く、ばらつきも小さく高精度であった。
【００１０】繰り返しパターンは、回折光の影響でＦｏ
ｃｕｓの変動に対する許容度が高く、またレンズ収差の
影響も受けにくい。すなわち、焦点深度曲線は単独パタ
ーンＡ〜Ｅでは上向き凸でカーブもきついが、繰り返し
パターンの中央パターンＦ〜Ｊは下向き凸でカーブがゆ
るい。
ｃｕｓの変動に対する許容度が高く、またレンズ収差の
影響も受けにくい。すなわち、焦点深度曲線は単独パタ
ーンＡ〜Ｅでは上向き凸でカーブもきついが、繰り返し
パターンの中央パターンＦ〜Ｊは下向き凸でカーブがゆ
るい。
【００１１】そこで、この発明は単独パターンのレジス
トパターンを、所望のパターン寸法に近い高精度のパタ
ーンとして得ることができ、しかも焦点深度のレンジを
拡げることができるレジストパターン形成方法を提供す
ることを目的とする。
トパターンを、所望のパターン寸法に近い高精度のパタ
ーンとして得ることができ、しかも焦点深度のレンジを
拡げることができるレジストパターン形成方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の請求項１においては、所望のパターンと所
望のパターン以外のダミーパターンとを配した第１マス
クを用いてレジストを第１露光し、次に、ダミーパター
ンを消失するための第２マスクを用いてレジストを第２
露光し、その後にレジストを現像することを特徴とする
ものである。
め、本発明の請求項１においては、所望のパターンと所
望のパターン以外のダミーパターンとを配した第１マス
クを用いてレジストを第１露光し、次に、ダミーパター
ンを消失するための第２マスクを用いてレジストを第２
露光し、その後にレジストを現像することを特徴とする
ものである。
【００１３】また、本発明の請求項２によれば、請求項
１において所望のパターンが単独パターンであることを
特徴とするものである。
１において所望のパターンが単独パターンであることを
特徴とするものである。
【００１４】更にまた、本発明の請求項３によれば、請
求項１において所望のパターンとダミーパターンの配置
が繰り返しパターンであることを特徴とするものであ
る。
求項１において所望のパターンとダミーパターンの配置
が繰り返しパターンであることを特徴とするものであ
る。
【００１５】
【作用】本発明によれば、図１に示すように繰り返しパ
ターンを構成する所望のクロム薄膜パターン１２ａとダ
ミーパターン１２ｂを有するマスク１１でレジストを露
光をした後、ダミーパターン１２ｂを消失するためのダ
ミーパターン２２で同一レジスト部位を露光する。従っ
て、繰り返しパターンの露光精度の良さを単独パターン
にも生かすことができる。
ターンを構成する所望のクロム薄膜パターン１２ａとダ
ミーパターン１２ｂを有するマスク１１でレジストを露
光をした後、ダミーパターン１２ｂを消失するためのダ
ミーパターン２２で同一レジスト部位を露光する。従っ
て、繰り返しパターンの露光精度の良さを単独パターン
にも生かすことができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の実施例を説明するための図であ
り、この実施例は半導体装置の製造に際し、露光フィー
ルド内のコーナー部と中心部に単独ラインのレジストパ
ターンを形成する場合である。
する。図１は、本発明の実施例を説明するための図であ
り、この実施例は半導体装置の製造に際し、露光フィー
ルド内のコーナー部と中心部に単独ラインのレジストパ
ターンを形成する場合である。
【００１７】本実施例では、まず図５に示したマスクと
同一のクロム薄膜パターンがそれぞれの部位で繰り返し
被着されたマスク１１（図１）を用いて縮小露光装置
（図示せず）によりレジストを露光した（第１露光）。
マスク１１の繰り返しパターンのうち、中央部１２ａは
所望のレジストパターンを得るためのクロム薄膜パター
ンであり、その両側のパターン１２ｂはダミーパターン
となる。露光フィールド内の４つのコーナーと中心部で
は、マスク１１に対応したそれぞれ３個のパターンでレ
ジスト露光が行われた状態となる。図２（ａ）にその３
個のレジスト露光パターンを示す。同図で１０はレジス
ト、１５は露光部、１６は未露光部を示す。次に、図１
（ｂ）に示すマスク（第２露光用マスク）２１を用いて
上述した露光フィールドと同一の露光フィールドを露光
する（第２露光）。
同一のクロム薄膜パターンがそれぞれの部位で繰り返し
被着されたマスク１１（図１）を用いて縮小露光装置
（図示せず）によりレジストを露光した（第１露光）。
マスク１１の繰り返しパターンのうち、中央部１２ａは
所望のレジストパターンを得るためのクロム薄膜パター
ンであり、その両側のパターン１２ｂはダミーパターン
となる。露光フィールド内の４つのコーナーと中心部で
は、マスク１１に対応したそれぞれ３個のパターンでレ
ジスト露光が行われた状態となる。図２（ａ）にその３
個のレジスト露光パターンを示す。同図で１０はレジス
ト、１５は露光部、１６は未露光部を示す。次に、図１
（ｂ）に示すマスク（第２露光用マスク）２１を用いて
上述した露光フィールドと同一の露光フィールドを露光
する（第２露光）。
【００１８】図１（ｂ）に示したマスク２１にはダミー
パターンとしてクロム薄膜パターン２２が形成されてお
り、このクロム薄膜パターン２２は、同図に破線で示し
た図１（ａ）の第１露光用マスクのコーナー部及び中心
部に配されたそれぞれの３個のクロム薄膜パターンのう
ち中央のクロム薄膜パターン１２ａを覆い、且つ左右の
クロム薄膜パターン１２ｂにかからない位置に形成され
ている。従って、このマスク２１を用いた第２露光では
図１（ａ）に示したマスク１１のうち、それぞれの部位
の左右のクロム薄膜パターン１２ｂによって形成された
レジスト露光パターンは図２（ｂ）に示すように消失さ
れることになり、実質的に中央のパターンが未露光部１
６として残存した単独パターンとなり、レジストパター
ン形成用のパターンとなる。
パターンとしてクロム薄膜パターン２２が形成されてお
り、このクロム薄膜パターン２２は、同図に破線で示し
た図１（ａ）の第１露光用マスクのコーナー部及び中心
部に配されたそれぞれの３個のクロム薄膜パターンのう
ち中央のクロム薄膜パターン１２ａを覆い、且つ左右の
クロム薄膜パターン１２ｂにかからない位置に形成され
ている。従って、このマスク２１を用いた第２露光では
図１（ａ）に示したマスク１１のうち、それぞれの部位
の左右のクロム薄膜パターン１２ｂによって形成された
レジスト露光パターンは図２（ｂ）に示すように消失さ
れることになり、実質的に中央のパターンが未露光部１
６として残存した単独パターンとなり、レジストパター
ン形成用のパターンとなる。
【００１９】このような第２露光の後、通常の現像を行
い、それぞれ単独パターンのレジストパターンを得た。
得られた単独パターンは図３に示すように、図７で示し
た焦点深度曲線と同一の曲線であり、上述の説明と同様
に単独パターンであっても良好なレジストパターン特性
を有することになる。
い、それぞれ単独パターンのレジストパターンを得た。
得られた単独パターンは図３に示すように、図７で示し
た焦点深度曲線と同一の曲線であり、上述の説明と同様
に単独パターンであっても良好なレジストパターン特性
を有することになる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は繰り返し
パターン等の露光精度の良好な複数のパターンが配置さ
れたマスクを用いて一旦露光した後、不要なパターンを
消去して所望の単独パターンを得る露光を行うようにし
たものである。そのため、本発明によれば単独パターン
（所望パターン）を高精度に得ることができると共に、
焦点深度の範囲を拡げることができる。
パターン等の露光精度の良好な複数のパターンが配置さ
れたマスクを用いて一旦露光した後、不要なパターンを
消去して所望の単独パターンを得る露光を行うようにし
たものである。そのため、本発明によれば単独パターン
（所望パターン）を高精度に得ることができると共に、
焦点深度の範囲を拡げることができる。
【００２１】更にまた、ステッパーの解像力を向上させ
る方法の一つである、光を斜め方向から入射させる方法
（斜入射照明等）は繰り返しパターンにのみ有効である
が、本発明による繰り返しパターンを利用した単独ライ
ンにも応用することが可能となる。
る方法の一つである、光を斜め方向から入射させる方法
（斜入射照明等）は繰り返しパターンにのみ有効である
が、本発明による繰り返しパターンを利用した単独ライ
ンにも応用することが可能となる。
【図１】本発明の実施例を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例によるレジスト露光を示す一部
拡大図である。
拡大図である。
【図３】本発明の実施例により得られた焦点深度曲線で
ある。
ある。
【図４】従来法を説明するための単独ライン形成用マス
クである。
クである。
【図５】図４の従来法のマスクを用いてレジストパター
ンを形成した場合の焦点深度曲線である。
ンを形成した場合の焦点深度曲線である。
【図６】従来の繰り返しパターン形成用マスクである。
【図７】図６のマスクを用いてレジストパターンを形成
した場合の焦点深度曲線である。
した場合の焦点深度曲線である。
１，１１，２１ マスク（レチクル） ２，１２，２２ クロム薄膜パターン １０ レジスト １１ａ，１２ａ，２２ａ 石英板 １５ 露光部 １６ 未露光部 １６ａ 未露光部消失部
Claims (3)
- 【請求項１】 所望のパターンと上記所望のパターン以
外のダミーパターンとを配した第１マスクを用いてレジ
ストを第１露光し、 次に、上記ダミーパターンを消失するための第２マスク
を用いて上記レジストを第２露光し、その後に上記レジ
ストを現像することを特徴とするレジストパターン形成
方法。 - 【請求項２】 上記所望のパターンが単独パターンであ
ることを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形
成方法。 - 【請求項３】 上記所望のパターンと上記ダミーパター
ンの配置が繰り返しパターンであることを特徴とする請
求項１記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17714894A JPH0845810A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17714894A JPH0845810A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845810A true JPH0845810A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16026036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17714894A Pending JPH0845810A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845810A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100230370B1 (ko) * | 1996-08-20 | 1999-11-15 | 윤종용 | 마스크 및 이를 이용한 커패시터 제조방법 |
| KR20000004534A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 셀 프로젝션 마스크(cpm) 제조방법 |
| KR100434707B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2004-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조용 노광 마스크 |
| JP2011075624A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17714894A patent/JPH0845810A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100230370B1 (ko) * | 1996-08-20 | 1999-11-15 | 윤종용 | 마스크 및 이를 이용한 커패시터 제조방법 |
| KR20000004534A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 셀 프로젝션 마스크(cpm) 제조방법 |
| KR100434707B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2004-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조용 노광 마스크 |
| JP2011075624A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6251549B1 (en) | Generic phase shift mask | |
| TW512424B (en) | Hybrid phase-shift mask | |
| JP4199975B2 (ja) | 多重可干渉性最適化露出および高透過率減衰ｐｓｍを利用する、改良したリソグラフィパターニングのための方法 | |
| TWI327685B (en) | Optical proximity correction using chamfers and rounding at corners | |
| KR100588182B1 (ko) | 노광장치와 노광방법 | |
| KR100187866B1 (ko) | 트림 마스크가 필요없는 고해상도 위상 에지 리소그래피 | |
| EP1438633B1 (en) | Method for forming elliptical and rounded features using beam shaping | |
| JP2001516141A (ja) | 層形成のためのマルチ−イメージレティクル | |
| JPH04155337A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| US6479196B2 (en) | Generic phase shift masks | |
| US7421677B2 (en) | Illuminator controlled tone reversal printing | |
| JP2005129648A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| JPH0845810A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP3296296B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| JP3050178B2 (ja) | 露光方法及び露光用マスク | |
| US6168904B1 (en) | Integrated circuit fabrication | |
| JPH0467613A (ja) | 微細コンタクトホールの形成方法 | |
| JP3253686B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US6576376B1 (en) | Tri-tone mask process for dense and isolated patterns | |
| JPH08101491A (ja) | フォトマスク | |
| JPH10142769A (ja) | フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法 | |
| JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
| JP3837846B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0844039A (ja) | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法 |