JPS5983984A - 窒化珪素質焼結体と金属との接合方法 - Google Patents
窒化珪素質焼結体と金属との接合方法Info
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- JPS5983984A JPS5983984A JP19331982A JP19331982A JPS5983984A JP S5983984 A JPS5983984 A JP S5983984A JP 19331982 A JP19331982 A JP 19331982A JP 19331982 A JP19331982 A JP 19331982A JP S5983984 A JPS5983984 A JP S5983984A
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- nitride sintered
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、窒化珪素質焼結体と金属との接合方法に関す
る。
る。
窒化珪素質焼結体は、高耐熱性、高耐食性、高絶縁性、
あるいは高耐摩耗性などの数々の優れた特長を持ってい
るため、内燃機関等の構造部品用材料として用いること
が検討され、内燃機関の熱効率向上および軽量化等を図
ろうとする技術開発が活発に行なわれるようになってき
ている。しかしながら、窒化珪素質焼結体は機械的衝駐
および熱的衝撃が比較的弱いという欠点を持っているの
で、単独で使用するよりは金属と複合して使用する方が
各特長を生かすことができて有利なこともある。また、
ターボチャージャ用タービンロータおよびインペラのよ
うに、一方は耐熱性が要求されるが、他方は耐熱性を要
求されないという部品もある。そこで、窒化珪素質焼結
体と金属とを接合する技術が不可欠となってくる、 従来、セラミックスと金属との接合方法としては１例え
ば８１図に示すように、円柱状セラミックスｌと円柱状
金属２とを接合するにあたり、金属２にスリーブ３を形
成し、セラミックス１をスリーブ３内に嵌合して焼きば
めする方法があった。
あるいは高耐摩耗性などの数々の優れた特長を持ってい
るため、内燃機関等の構造部品用材料として用いること
が検討され、内燃機関の熱効率向上および軽量化等を図
ろうとする技術開発が活発に行なわれるようになってき
ている。しかしながら、窒化珪素質焼結体は機械的衝駐
および熱的衝撃が比較的弱いという欠点を持っているの
で、単独で使用するよりは金属と複合して使用する方が
各特長を生かすことができて有利なこともある。また、
ターボチャージャ用タービンロータおよびインペラのよ
うに、一方は耐熱性が要求されるが、他方は耐熱性を要
求されないという部品もある。そこで、窒化珪素質焼結
体と金属とを接合する技術が不可欠となってくる、 従来、セラミックスと金属との接合方法としては１例え
ば８１図に示すように、円柱状セラミックスｌと円柱状
金属２とを接合するにあたり、金属２にスリーブ３を形
成し、セラミックス１をスリーブ３内に嵌合して焼きば
めする方法があった。
しかしながら、このような焼きばめする方法では、セラ
ミックス１とスリーブ３の加工寸法精度を±５１Ｌｍ以
下にして、厳密な締め代が得られるように管理しなけれ
ばならならず、諦め代が大きすぎるとセラミックスｌが
破壊し、締め代が小さすぎると接合強度が小さくなるた
め、締め代を厳密にすることにより加工コストが」二貸
するという欠点を有し、また、セラミックス１と金属２
とが同径である場合には、セラミックスｌ側の接合部を
小径にするだめの段部１ａを設けなければならず、この
段部１ａが破壊の起点となりやずいという問題点があっ
た。
ミックス１とスリーブ３の加工寸法精度を±５１Ｌｍ以
下にして、厳密な締め代が得られるように管理しなけれ
ばならならず、諦め代が大きすぎるとセラミックスｌが
破壊し、締め代が小さすぎると接合強度が小さくなるた
め、締め代を厳密にすることにより加工コストが」二貸
するという欠点を有し、また、セラミックス１と金属２
とが同径である場合には、セラミックスｌ側の接合部を
小径にするだめの段部１ａを設けなければならず、この
段部１ａが破壊の起点となりやずいという問題点があっ
た。
・方、アルミナセラミックスを中心とする酸化物系のセ
ラミックスについては、例えばＭ ｏ −Ｍｎ法を用い
てセラミックス表面にメタライズ層をつくり、その表面
の保護のためにＮｉメンキを施した後金属とろう接する
といった方法はあるが、窒化珪素質焼結体を冶金的に接
合する方法については未だ確立された方法がないのが現
状であるという問題点を有していた。
ラミックスについては、例えばＭ ｏ −Ｍｎ法を用い
てセラミックス表面にメタライズ層をつくり、その表面
の保護のためにＮｉメンキを施した後金属とろう接する
といった方法はあるが、窒化珪素質焼結体を冶金的に接
合する方法については未だ確立された方法がないのが現
状であるという問題点を有していた。
本発明は、従来のこれらの問題点を解消するためになさ
れたもので、作業性が良好で、かつ接合強度の優れた窒
化珪素質焼結体−金属の接合体を得ることができる窒化
珪素質焼結体と金属との接合方法を提供することを目的
とする。
れたもので、作業性が良好で、かつ接合強度の優れた窒
化珪素質焼結体−金属の接合体を得ることができる窒化
珪素質焼結体と金属との接合方法を提供することを目的
とする。
すなわち、本発明は、窒化珪素質焼結体と金属の各々の
接合面の一方または両方に、一実施態様においては主と
して窒化珪素質焼結体の接合面に、活性金属もしくは該
活性金属の水素化物を含むペーストを塗布し、前記窒化
珪素質焼結体と金属の各々の接合面でろう接することを
＠徴とする接合方法である。
接合面の一方または両方に、一実施態様においては主と
して窒化珪素質焼結体の接合面に、活性金属もしくは該
活性金属の水素化物を含むペーストを塗布し、前記窒化
珪素質焼結体と金属の各々の接合面でろう接することを
＠徴とする接合方法である。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第２図は本発明による窒化珪素質焼結体と金属との接合
部分の一部拡大断面図である。窒化珪素質焼結体ｌと金
属２とをろう接するにあたり、活性金属たとえばＴｉ、
Ｚｒもしくはそれらの水素化物の粉末を有機質溶媒と混
合してペースｉ・状とし、このペースト４を窒化珪素質
焼結体１の金属２との接合面に塗布する。次いで窒化珪
素質焼結体１と金属２との間にろう材５を介在させ、非
醇化性雰囲気中において、ろう材５の融点以上好ましく
は２０〜２００’Ｃ以上に加熱して一回の加熱操作でろ
う接する。
部分の一部拡大断面図である。窒化珪素質焼結体ｌと金
属２とをろう接するにあたり、活性金属たとえばＴｉ、
Ｚｒもしくはそれらの水素化物の粉末を有機質溶媒と混
合してペースｉ・状とし、このペースト４を窒化珪素質
焼結体１の金属２との接合面に塗布する。次いで窒化珪
素質焼結体１と金属２との間にろう材５を介在させ、非
醇化性雰囲気中において、ろう材５の融点以上好ましく
は２０〜２００’Ｃ以上に加熱して一回の加熱操作でろ
う接する。
この場合、健全な接合体を得るには、窒化珪素質焼結体
１の相対密度が９３％以上であることがより好ましい。
１の相対密度が９３％以上であることがより好ましい。
すなわち、−実施結果によれば、相対密度が９２．８％
未満となると、ろう接接に窒化珪素質焼結体ｌに亀裂を
生ずることが多くなるからである。また、金属２として
は、ろう材５より融点の高いすべての鉄系合金に対して
本発明を適用することが可能であり、鉄系合金以外のも
のにも適用可能である。さらに、ペースト４に含まれる
活性金属もしくはそれらの水素化物は、ろう接する際に
使用する所要量のろう材に対して重量比で０，０２〜２
０％にすることがより望ましい。この理由は、０．０２
重量％未満であれば、窒化珪素質焼結体１中のＳｉがろ
う材５中へ拡散しにくくなり、十分な接合強度が得られ
ず、一方、２０重量％を超過すると余剰の活性金属が接
合部に残留するためにかえって接合強度が小さくなるこ
とによる。
未満となると、ろう接接に窒化珪素質焼結体ｌに亀裂を
生ずることが多くなるからである。また、金属２として
は、ろう材５より融点の高いすべての鉄系合金に対して
本発明を適用することが可能であり、鉄系合金以外のも
のにも適用可能である。さらに、ペースト４に含まれる
活性金属もしくはそれらの水素化物は、ろう接する際に
使用する所要量のろう材に対して重量比で０，０２〜２
０％にすることがより望ましい。この理由は、０．０２
重量％未満であれば、窒化珪素質焼結体１中のＳｉがろ
う材５中へ拡散しにくくなり、十分な接合強度が得られ
ず、一方、２０重量％を超過すると余剰の活性金属が接
合部に残留するためにかえって接合強度が小さくなるこ
とによる。
また、本発明による接合方法は、活性金属たとえばＴｉ
、Ｚｒもしくはそれらの水素化物を有機質溶媒に混合し
てペースト状にし、刷毛またはスプレー等により、窒化
珪素質焼結体ｌと金属２の各々の接合面の一方または両
方、より望ましくは主として窒化珪素質焼結体１の接合
面に塗布してろう接するものである。
、Ｚｒもしくはそれらの水素化物を有機質溶媒に混合し
てペースト状にし、刷毛またはスプレー等により、窒化
珪素質焼結体ｌと金属２の各々の接合面の一方または両
方、より望ましくは主として窒化珪素質焼結体１の接合
面に塗布してろう接するものである。
さらに、強固な接合強度を得るには、窒化珪素質焼結体
１中のＳｔがろう材５に十分拡散するように、真空中ま
に不活性ガス中で所定のろう接温度により所定時間保持
することが望ましい。たとえば、ろう材５が銀ろうの場
合にはろう材５の融点以」−の温度で１０分以上加熱保
持するのが好ましい。
１中のＳｔがろう材５に十分拡散するように、真空中ま
に不活性ガス中で所定のろう接温度により所定時間保持
することが望ましい。たとえば、ろう材５が銀ろうの場
合にはろう材５の融点以」−の温度で１０分以上加熱保
持するのが好ましい。
次に、本発明の実施例について具体的に説明する。
まず、第３図に示すように、平行部１ｂを有する直径１
０ｍｍの丸棒状窒化珪素質焼結体１と、同じく平行部２
ｂを有しかつ第１表に示す材質からなる直径１０闘の丸
棒状金属２とを用意し、次いで、窒化珪素質焼結体ｌと
金属２とを第１表に示すような接合条件により各々ろう
接を行った。
０ｍｍの丸棒状窒化珪素質焼結体１と、同じく平行部２
ｂを有しかつ第１表に示す材質からなる直径１０闘の丸
棒状金属２とを用意し、次いで、窒化珪素質焼結体ｌと
金属２とを第１表に示すような接合条件により各々ろう
接を行った。
すなわち、本実施例においては、粒径が２００メツシユ
以下のＴｉ、Ｚｒ、ＴｉＨ２およびＺｒＨ２をそれぞれ
個別に有機質溶媒と混合してペーストを作成し、このペ
ーストを各々窒化珪素質焼結体１の接合面に塗布した。
以下のＴｉ、Ｚｒ、ＴｉＨ２およびＺｒＨ２をそれぞれ
個別に有機質溶媒と混合してペーストを作成し、このペ
ーストを各々窒化珪素質焼結体１の接合面に塗布した。
このとき、上記Ｔ１、Ｚｒ、ＴｉＨ２およびＺｒＨ２の
塗布量は、使用するろう材に対して第１表に示す比率と
なるように定めた。次いで窒化珪素質焼結体ｌの接合面
に厚さ０．１關の箔状の銀ろう（ＪＩＳＢＡｇ−７（５
６％Ａｇ−２２％Ｃｕ−１７％Ｚｎ−５％Ｓｎ）または
ＢＡｇ−８（７２％Ａｇ−２８％Ｃｕ）相当材）を重ね
、さらに金属２をその接合面で突き合わせた。次いで、
第１表に示すように、真空雰囲気中（ｌ ０−３ｔｏｒ
ｒ以下）または５％Ｈ２／Ｎ２の不活性雰囲気中におい
て、同じく第１表に示するう接温度と保持時間でろう接
を行った。また、比較のために活性金属としてＴｉＨ２
を使用し、ろう材との比率が０．０１％とな木ようにペ
ーストを塗布した場合についても試験／ した。
塗布量は、使用するろう材に対して第１表に示す比率と
なるように定めた。次いで窒化珪素質焼結体ｌの接合面
に厚さ０．１關の箔状の銀ろう（ＪＩＳＢＡｇ−７（５
６％Ａｇ−２２％Ｃｕ−１７％Ｚｎ−５％Ｓｎ）または
ＢＡｇ−８（７２％Ａｇ−２８％Ｃｕ）相当材）を重ね
、さらに金属２をその接合面で突き合わせた。次いで、
第１表に示すように、真空雰囲気中（ｌ ０−３ｔｏｒ
ｒ以下）または５％Ｈ２／Ｎ２の不活性雰囲気中におい
て、同じく第１表に示するう接温度と保持時間でろう接
を行った。また、比較のために活性金属としてＴｉＨ２
を使用し、ろう材との比率が０．０１％とな木ようにペ
ーストを塗布した場合についても試験／ した。
このように、種々の条件の下でろう接して得られた接合
体に対して捩り試験および走査型電子顕微鏡による観察
を行った。第２表は各接合体試験片についての捩り試験
結果を示すものである。このとき、捩り強度は各接合体
につき３個ずつ捩り試験を行って平均を取ったもので、
′次に示す式により算出した。
体に対して捩り試験および走査型電子顕微鏡による観察
を行った。第２表は各接合体試験片についての捩り試験
結果を示すものである。このとき、捩り強度は各接合体
につき３個ずつ捩り試験を行って平均を取ったもので、
′次に示す式により算出した。
ただし、τ：捩り強度、Ｔ：捩りトルク、第２表から明
らかなように、本発明法によりろう接を行った試験片Ｎ
ｏ、 １〜５はいずれも捩り強度が約８Ｋｇｆ ７ｍ
ｍ２以上と高く、さらに破壊を生ずる場所はセラミック
ス部本体であった。これに対して比較例Ｎ００６は捩り
強度がほどんど出す、しかも接合界面ではくすした。従
って、本発明によれば、捩り強度の勝れた接合体を得る
ことか可能となる。
らかなように、本発明法によりろう接を行った試験片Ｎ
ｏ、 １〜５はいずれも捩り強度が約８Ｋｇｆ ７ｍ
ｍ２以上と高く、さらに破壊を生ずる場所はセラミック
ス部本体であった。これに対して比較例Ｎ００６は捩り
強度がほどんど出す、しかも接合界面ではくすした。従
って、本発明によれば、捩り強度の勝れた接合体を得る
ことか可能となる。
した結果を第４図に示し、成分分析した結果を第５図（
ａ）（ｂ）に示す。図から明らかなようにＳｉは窒化珪
素質焼結体１の接合面からろう材５の層へ拡散している
ことが分かる。これは、Ｓｉ３Ｎ４がＴｉと反応してい
るものと思われ、このＳｉを含む反応層がＳｉ３Ｎ４表
面に形成され、これがろう材と接合する上で強力な接着
力を示す原因となるものと推定される。
ａ）（ｂ）に示す。図から明らかなようにＳｉは窒化珪
素質焼結体１の接合面からろう材５の層へ拡散している
ことが分かる。これは、Ｓｉ３Ｎ４がＴｉと反応してい
るものと思われ、このＳｉを含む反応層がＳｉ３Ｎ４表
面に形成され、これがろう材と接合する上で強力な接着
力を示す原因となるものと推定される。
このように本実施例によれば、窒化珪素質焼結体の接合
面に活性金属あるいはこれらの水素化物を含むペースト
を塗布することにより、ろう接する際に、窒化珪素質焼
結体からのＳｔの拡散が促進され、接合強度の向上に寄
与する。
面に活性金属あるいはこれらの水素化物を含むペースト
を塗布することにより、ろう接する際に、窒化珪素質焼
結体からのＳｔの拡散が促進され、接合強度の向上に寄
与する。
第６図は本発明の他の実施例を示す図であって、ターボ
チャージャ部品に適用した場合を示している。第６図に
示すように、高温側のタービン羽根車１１と軸１２とを
セラミックスで一体成形すると共に、低温側の圧ｒｒ６
機イフィンペラと輔１４とを金属たとえばインペラ１３
はアルミニウム、軸１４は５ＵＳ３０４で作製する。こ
の場合、インペラ１３と金属軸１４とは、金属軸１４に
設けた細径部１５を圧縮機インペラ１３に嵌挿し、ワッ
シャ１６を介してナツト１７で固定して組）′／、てた
ものである。上記金属軸１４には内面テーパ状のスリー
ブ１８を形成すると共に、セラミックス軸１２には前記
テーパ状のスリーブ１８のテーパと同程度のテーパ状を
なすテーパ突部１９を形成し、テーパ突部１９の外周部
にはろう材空隙溝１９ａを部分的に形成する。
チャージャ部品に適用した場合を示している。第６図に
示すように、高温側のタービン羽根車１１と軸１２とを
セラミックスで一体成形すると共に、低温側の圧ｒｒ６
機イフィンペラと輔１４とを金属たとえばインペラ１３
はアルミニウム、軸１４は５ＵＳ３０４で作製する。こ
の場合、インペラ１３と金属軸１４とは、金属軸１４に
設けた細径部１５を圧縮機インペラ１３に嵌挿し、ワッ
シャ１６を介してナツト１７で固定して組）′／、てた
ものである。上記金属軸１４には内面テーパ状のスリー
ブ１８を形成すると共に、セラミックス軸１２には前記
テーパ状のスリーブ１８のテーパと同程度のテーパ状を
なすテーパ突部１９を形成し、テーパ突部１９の外周部
にはろう材空隙溝１９ａを部分的に形成する。
セラミックス軸１２と金属軸１４とを接合するに際して
は、セラミックス軸１２のテーバ突部１９のろう材空隙
溝１９ａに、活性金属の水素化物（ＴｉＨｚ）と有機買
溶奴とを混合したペーストを塗ｒ＋ｓ Ｌだ後、前記テ
ーパ突部１９を金属軸１４のスリーブ１８内に挿入し、
挿入した状態で形成された間隙２０にろう材（ＢＡｇ−
８）２１を挿入した。次いで真空（１０−３ｔｏｒｒ以
下）中で８５０°ＱＸ１５ｍｉｎのろう接条件にでろう
接をした。その結果、健全な継手が得られた。
は、セラミックス軸１２のテーバ突部１９のろう材空隙
溝１９ａに、活性金属の水素化物（ＴｉＨｚ）と有機買
溶奴とを混合したペーストを塗ｒ＋ｓ Ｌだ後、前記テ
ーパ突部１９を金属軸１４のスリーブ１８内に挿入し、
挿入した状態で形成された間隙２０にろう材（ＢＡｇ−
８）２１を挿入した。次いで真空（１０−３ｔｏｒｒ以
下）中で８５０°ＱＸ１５ｍｉｎのろう接条件にでろう
接をした。その結果、健全な継手が得られた。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、窒化
珪素質焼結体と金属の各々の接合面の一力または両方に
、活性金属もしくはそれらの水素化物を含むペーストを
塗布した後、前記窒化珪素質焼結体と金属の各々の接合
面でろう接するようにしたから、ろう接接の接合部にお
いては前記活性金属を介してＳ【の拡散が促進されてい
るため強固な接合体を得ることが可能となり、その効果
に顕著なものがある。
珪素質焼結体と金属の各々の接合面の一力または両方に
、活性金属もしくはそれらの水素化物を含むペーストを
塗布した後、前記窒化珪素質焼結体と金属の各々の接合
面でろう接するようにしたから、ろう接接の接合部にお
いては前記活性金属を介してＳ【の拡散が促進されてい
るため強固な接合体を得ることが可能となり、その効果
に顕著なものがある。
第１図は従来の接合方法による接合体の断面説引回、第
２図は本発明による窒化珪素質焼結体と・金属との接合
部の拡大断面説明図、第３図は本発明の実施例において
接合した窒化珪素質焼結体および金属の斜視説明図、第
４図は第３図の接合体の接合部のミクロ組織写真、第５
図（ａ） （ｂ）は各々５ｉ−Ｔｉの成分分布および５
ｔ−Ｃｕの成分分布を示す写真、第６図は本発明の他の
実施例を示すタービンロータおよびインペラの断面説明
図である。 １・・・窒化珪素質焼結体、２・・・金属、４・・・ペ
ースト、５・・・ろう材、１２・・・セラミックス軸、
１４・・・金属軸、２１・・・ろう材。 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人弁理士 小 塩 豊
２図は本発明による窒化珪素質焼結体と・金属との接合
部の拡大断面説明図、第３図は本発明の実施例において
接合した窒化珪素質焼結体および金属の斜視説明図、第
４図は第３図の接合体の接合部のミクロ組織写真、第５
図（ａ） （ｂ）は各々５ｉ−Ｔｉの成分分布および５
ｔ−Ｃｕの成分分布を示す写真、第６図は本発明の他の
実施例を示すタービンロータおよびインペラの断面説明
図である。 １・・・窒化珪素質焼結体、２・・・金属、４・・・ペ
ースト、５・・・ろう材、１２・・・セラミックス軸、
１４・・・金属軸、２１・・・ろう材。 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人弁理士 小 塩 豊
Claims (1)
- （１）窒化珪素質焼結体と金属とを接合するにあたり、
前記窒化珪素質焼結体と金属の各々の接合面の一方また
は両方に、活性金属もしくは該活性金属の水素化物を含
むペーストを塗布した後、前記窒化珪素質焼結体と金属
の各々の接合面でろう接することを特徴とする窒化珪素
質焼結体と金属との接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19331982A JPS5983984A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 窒化珪素質焼結体と金属との接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19331982A JPS5983984A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 窒化珪素質焼結体と金属との接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983984A true JPS5983984A (ja) | 1984-05-15 |
| JPH0339030B2 JPH0339030B2 (ja) | 1991-06-12 |
Family
ID=16305921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19331982A Granted JPS5983984A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 窒化珪素質焼結体と金属との接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983984A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPH01119570A (ja) * | 1988-07-14 | 1989-05-11 | Toshiba Corp | セラミックス−金属複合機械部品 |
| JP2594475B2 (ja) * | 1990-04-16 | 1997-03-26 | 電気化学工業株式会社 | セラミックス回路基板 |
| JPH09181423A (ja) * | 1990-04-16 | 1997-07-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板 |
| USRE38560E1 (en) | 1991-05-23 | 2004-08-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Adjustable dual-detector image data acquisition system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165056A (en) * | 1974-12-03 | 1976-06-05 | Inst Problem Materialovedenia | Kenmazaino metaraizeeshon oyobi korotsuke yogokin |
-
1982
- 1982-11-05 JP JP19331982A patent/JPS5983984A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165056A (en) * | 1974-12-03 | 1976-06-05 | Inst Problem Materialovedenia | Kenmazaino metaraizeeshon oyobi korotsuke yogokin |
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| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPH0159238B2 (ja) * | 1983-09-30 | 1989-12-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH01119570A (ja) * | 1988-07-14 | 1989-05-11 | Toshiba Corp | セラミックス−金属複合機械部品 |
| JP2594475B2 (ja) * | 1990-04-16 | 1997-03-26 | 電気化学工業株式会社 | セラミックス回路基板 |
| JPH09181423A (ja) * | 1990-04-16 | 1997-07-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板 |
| USRE38560E1 (en) | 1991-05-23 | 2004-08-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Adjustable dual-detector image data acquisition system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0339030B2 (ja) | 1991-06-12 |
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