JPS5983054U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5983054U JPS5983054U JP17903982U JP17903982U JPS5983054U JP S5983054 U JPS5983054 U JP S5983054U JP 17903982 U JP17903982 U JP 17903982U JP 17903982 U JP17903982 U JP 17903982U JP S5983054 U JPS5983054 U JP S5983054U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- semiconductor equipment
- semiconductor device
- platinum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案の一実施例を示す断面図、第2図と第3
図はpt層が厚い場合と薄い場合のそれぞれのpt侵入
の模式図、第4図はpt層の厚さとPtSiの成長の関
係を示した特性図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・拡散層、
3・・・・・ウリコン酸化膜、4・・・・・・ptシリ
サイド(PtSi)層、5 ゛・・・・・・チ
タン(Ti)層、6・・・・・・窒化チタン(TiN)
i、7・・・・・・白金(pt)層、8・・・・・・金
(Au)層、9・・・・・ゼンホール等の欠陥、10・
・・・・・ptシリサイド(侵入第 2 図 第 3 閃
図はpt層が厚い場合と薄い場合のそれぞれのpt侵入
の模式図、第4図はpt層の厚さとPtSiの成長の関
係を示した特性図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・拡散層、
3・・・・・ウリコン酸化膜、4・・・・・・ptシリ
サイド(PtSi)層、5 ゛・・・・・・チ
タン(Ti)層、6・・・・・・窒化チタン(TiN)
i、7・・・・・・白金(pt)層、8・・・・・・金
(Au)層、9・・・・・ゼンホール等の欠陥、10・
・・・・・ptシリサイド(侵入第 2 図 第 3 閃
Claims (1)
- 基板の半導体層の表面に形成した白金シリサイド層上に
、第1層としてチタン層、第2層として窒化チタン層、
第3層として白金属に属する金属又はその合金、第4層
として金をそれぞれ使用した多層電極を有する半導体装
置において、前記第3層の厚さを前記第1層の厚さと前
記第2層の厚さとの和の44%以下とすることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17903982U JPS5983054U (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17903982U JPS5983054U (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5983054U true JPS5983054U (ja) | 1984-06-05 |
Family
ID=30388550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17903982U Pending JPS5983054U (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5983054U (ja) |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP17903982U patent/JPS5983054U/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
M.A.NICOLET.THIN SOLID JILMS=1978 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5983054U (ja) | 半導体装置 | |
JPH0448627U (ja) | ||
JPS6127348U (ja) | ボンデイングパツド電極 | |
JPS5829851U (ja) | 半導体素子 | |
JPS5889930U (ja) | 半導体装置 | |
JPS60181057U (ja) | 半導体装置 | |
JPS592159U (ja) | トランジスタ装置 | |
JPS6127352U (ja) | シヨツトキバリアダイオ−ド素子 | |
JPS5853160U (ja) | 非晶質半導体装置 | |
JPS5892733U (ja) | 半導体装置の電極構造 | |
JPS5958955U (ja) | 半導体素子における配線構造 | |
JPS5834737U (ja) | 半導体ウエ−ハ | |
JPS6115741U (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS60166151U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS5822749U (ja) | 半導体素子用パツケ−ジ | |
JPS6027166A (ja) | 半導体装置 | |
JPS59117149U (ja) | ビ−ムリ−ド型半導体装置 | |
JPS5999459U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5840848U (ja) | 半導体装置 | |
JPS585356U (ja) | 抵抗素子 | |
JPS5883143U (ja) | 半導体ウエ−ハ | |
JPS5996849U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5812942U (ja) | 薄膜集積回路装置 | |
JPS596850U (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS5954960U (ja) | 半導体装置の電極構造 |