JPS6115741U - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS6115741U JPS6115741U JP9377985U JP9377985U JPS6115741U JP S6115741 U JPS6115741 U JP S6115741U JP 9377985 U JP9377985 U JP 9377985U JP 9377985 U JP9377985 U JP 9377985U JP S6115741 U JPS6115741 U JP S6115741U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- bonding pad
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は、従来の半導体集積回路のボンデイングパッド
構造を説明する概観図。 第2図は、半導体集積回路を導電性接着剤を用いてフエ
イスダウ− ンボンデイングあるいはフエ不スアップボ
ンデイングする場合の説明図。 第3図は、本考案による改良されたボンデイングパツド
構造の概観図。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン基板とは送符
号の導電型の拡散層、3・・・熱酸化膜、4・・・アル
ミニウム被膜、5・・・表面保護被膜、6・・・コンタ
クトホール、7・・・アルミニウム被膜露出部を示す線
、8・・・アルミニウムボンデイングパッド、9・・・
導電性接着材、10・・・ボンデイング基板、11・・
・リード線、12・・・シリコン基板とは送符号の導電
型の拡散層、13・・・シリコン基板とオーミック接触
する金属被膜、14・・・表面が酸化されにくい金属被
膜、15・・・内部配線の終端部、16・・・巳ンタク
トホール。
構造を説明する概観図。 第2図は、半導体集積回路を導電性接着剤を用いてフエ
イスダウ− ンボンデイングあるいはフエ不スアップボ
ンデイングする場合の説明図。 第3図は、本考案による改良されたボンデイングパツド
構造の概観図。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン基板とは送符
号の導電型の拡散層、3・・・熱酸化膜、4・・・アル
ミニウム被膜、5・・・表面保護被膜、6・・・コンタ
クトホール、7・・・アルミニウム被膜露出部を示す線
、8・・・アルミニウムボンデイングパッド、9・・・
導電性接着材、10・・・ボンデイング基板、11・・
・リード線、12・・・シリコン基板とは送符号の導電
型の拡散層、13・・・シリコン基板とオーミック接触
する金属被膜、14・・・表面が酸化されにくい金属被
膜、15・・・内部配線の終端部、16・・・巳ンタク
トホール。
Claims (1)
- 一部に拡散層を有する半導体基板、前記半導体基板上に
形成された前記拡散層の一部と重なる位置に開孔部を有
する酸化被膜及び、前記酸化被膜上の前記開孔部と重な
る位置に形成され、前記開孔部を介して前記拡散層と接
続するボンデイングバツド部を具備し、前記ボンデイン
グパツド部は、アルミニウム以外の耐腐食性の多層金属
にて形成され、前記ボンデイングパッド部と、アルミニ
ウムよりなる内部配線の終端部とは、前記拡散層を介し
て接続されたことを特徴とする.半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9377985U JPS6115741U (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9377985U JPS6115741U (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6115741U true JPS6115741U (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=30651762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9377985U Pending JPS6115741U (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6115741U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02135772A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4927361B1 (ja) * | 1969-04-08 | 1974-07-17 | ||
JPS5028979A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-03-24 | ||
JPS5055261A (ja) * | 1973-09-12 | 1975-05-15 |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP9377985U patent/JPS6115741U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4927361B1 (ja) * | 1969-04-08 | 1974-07-17 | ||
JPS5028979A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-03-24 | ||
JPS5055261A (ja) * | 1973-09-12 | 1975-05-15 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02135772A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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