JPS5829851U - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS5829851U JPS5829851U JP12423581U JP12423581U JPS5829851U JP S5829851 U JPS5829851 U JP S5829851U JP 12423581 U JP12423581 U JP 12423581U JP 12423581 U JP12423581 U JP 12423581U JP S5829851 U JPS5829851 U JP S5829851U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium
- semiconductor element
- layer
- thickness
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図はバックメタライズに金電極構造を用いた従来の
半導体素子の要部のみを示す断面図、第２図はこの考案
の一実施例の要部のみを示す断面図である。 図において、１はシリコンチップ（シリコン基、体）、
２はチタン層、３は金電極、４は窒化チタン層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
半導体素子の要部のみを示す断面図、第２図はこの考案
の一実施例の要部のみを示す断面図である。 図において、１はシリコンチップ（シリコン基、体）、
２はチタン層、３は金電極、４は窒化チタン層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）シリコン基体上にチタン層を形成し、このチタン
層上に窒化チタン層を介して金電極を形成してなること
を特徴とする半導体素子。 - （２）窒化チタン層の厚さをチタン層の厚さより大きく
したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記
載の半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12423581U JPS5829851U (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12423581U JPS5829851U (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829851U true JPS5829851U (ja) | 1983-02-26 |
Family
ID=29918113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12423581U Pending JPS5829851U (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829851U (ja) |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP12423581U patent/JPS5829851U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5829851U (ja) | 半導体素子 | |
| JPS6127348U (ja) | ボンデイングパツド電極 | |
| JPS60121650U (ja) | チツプキヤリア | |
| JPS6037239U (ja) | 半導体ウエハ | |
| JPS628641U (ja) | ||
| JPH01104029U (ja) | ||
| JPH0336137U (ja) | ||
| JPS5851443U (ja) | 半導体素子 | |
| JPS58168135U (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01140834U (ja) | ||
| JPS5822749U (ja) | 半導体素子用パツケ−ジ | |
| JPS6384941U (ja) | ||
| JPS62122359U (ja) | ||
| JPH01143127U (ja) | ||
| JPS5967933U (ja) | 半導体電極取出構造 | |
| JPS6364035U (ja) | ||
| JPS6310551U (ja) | ||
| JPS5853160U (ja) | 非晶質半導体装置 | |
| JPS60166151U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS617038U (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6020161U (ja) | Ｍｉｓ型半導体装置 | |
| JPS6112260U (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS6096831U (ja) | 半導体チツプ | |
| JPS5889946U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60103860U (ja) | 半導体レ−ザ装置 |